Capítulo N°3-1s2016

APUNTES DE ELECTROMAGNETISMO 2 ed.
Raimundo Villarroel Valencia
CAPTULO 3
CONDUCTORES Y DIELCTRICOS
3.1 CORRIENTE ELCTRICA Y DENSIDAD DE CORRIENTE ELCTRICA
En general, decimos que existe una corriente elctrica cuando hay cargas
elctricas en movimiento. Si en una regin existe una distribucin de cargas elctricas
con densidad [C/m3] que est encerrada por una superficie cerrada S, entonces la
carga Q total contenida en el volumen encerrado por la superficie S es:
Q dv [C]
v
Si acaso existe una variacin, con respecto al tiempo, de la cantidad de
carga Q contenida en dicho volumen, ello significa que habr un corriente circulando a
travs de la superficie S que encierra ese volumen. Es decir:
Q
dv I [Ampere] 3-1
t t v
Donde I corresponde a la J

intensidad de la corriente [A]. ds

La corriente tambin se puede
representar en base a la funcin vectorial
densidad de corriente J [A/m2] relacionada

con I segn las siguientes expresiones:
dI J ds

Figura 3-1
I J ds 3-2

S
Por otra parte, podemos anticipar que la densidad de corriente J debiese

estar relacionada con la velocidad U con que se mueven las cargas y con la densidad

[C/m3] de las cargas que estn en movimiento. Veamos, ahora, cul es esa relacin.
Sea la velocidad U dada por: U Uxx Uyy Uzz

Observemos este movimiento de cargas, separadamente, por sus

componentes. Tomemos, por ejemplo, el movimiento en x .
Sea un volumen incremental v en el SCR (figura 3-2) que contiene una
cantidad de cargas Q dada por:
Q v L Sx
La superficie Sx es z
perpendicular al sentido del movimiento
en x . Al desplazarse el volumen en este
sentido, debido al movimiento de las Q
v
cargas, podemos observar que la
superficie Sx se desplaza en dicho y
sentido y que, despus de un intervalo de
tiempo t, dicha superficie se ha L
Sx
desplazado en una distancia x. x x
Podemos llamar v al pequeo
volumen ocupado por las cargas que
durante el intervalo t atravesaron la Ux x
posicin original de la superficie Sx y
sea Q a la carga contenida en ese v.
Figura 3-2
Captulo3: Conductores y Dielctricos Pgina 3- 1 -

APUNTES DE ELECTROMAGNETISMO 2 ed. Raimundo Villarroel Valencia
Podemos expresar Q como:

Q' v' Sxx
Al dividir cada lado de esta ltima ecuacin por t obtenemos:
Q' x
S x t
t
Pero:
Q' x
I y t Ux
t
Entonces:
I SxUx
Dividiendo por Sx
I
J x Ux
S x
Repitiendo lo mismo para los movimientos de las cargas en los otros dos
sentidos, se obtiene resultados semejantes para Jy y Jz. Juntando queda:
J U [A/m 2 ] 3-3

A la densidad de corriente causada por el movimiento de cargas libres

con densidad , se le llama densidad de corriente de conveccin y a la
correspondiente intensidad se le denomina intensidad de corriente de conveccin.
3.2 PRINCIPIO DE CONTINUIDAD DE LA CORRIENTE ELCTRICA
El principio de conservacin de las cargas elctricas establece que las

cargas no pueden crearse ni pueden desaparecer. Slo pueden separarse cargas positivas
de las negativas dejando, as, cuerpos elctricamente cargados o, bien, ellas pueden
juntarse o combinarse volviendo a la neutralidad. Pero la Qtot sigue siendo la misma.
Consideremos ahora un volumen encerrado por una superficie cerrada
S que est siendo atravesada por una corriente de densidad J tal como se aprecia en la

figura 3-3.
S
Figura 3-3
Entonces la intensidad de corriente I (total neta) que atraviesa toda la

superficie S ser: I J ds 3-4

S
Debido al producto escalar entre J y d s en el integrando, en esta integral

pueden existir aportes positivos y negativos. Ello se debe a lo siguiente. Cuando el
ngulo entre J y d s es menor de 90, el aporte es positivo y la corriente, en esa parte de

la superficie S, est saliendo de ella. Cuando el ngulo entre J y d s es mayor de

90 (pero menor de 180), el aporte es negativo y la corriente en esa porcin de la
superficie S est entrando a ella. Dado que existen aportes positivos y negativos en
la integral, surge la pregunta si, acaso, el resultado final de la integracin debe ser cero,
o puede ser cero, y bajo qu condiciones.

Si la integral de la ecuacin 3-4 es cero, ello significa que la corriente

que entra por alguna regin de la superficie S tendr que ser igual a la corriente que
sale por otra regin de la misma superficie.
Si la integral no fuese cero ello puede suceder bajo las siguientes dos
condiciones:
a) que en el interior del volumen v encerrado por la superficie S
exista un almacenamiento de cargas de valor Qi y que, adems, el valor de Qi est
disminuyendo con el tiempo (dQi/dt<0).
b) que en el interior del volumen v encerrado por la superficie S
existan un almacenamiento de cargas de valor Qi y que, adems, el valor de Qi est
aumentando con el tiempo(dQi/dt>0)..
Entonces si la carga Qi es (+) y su valor est disminuyendo con respecto
al tiempo, ello significa que hay ms cargas saliendo que entrando por la superficie y la
corriente I (total neta) es positiva. En cambio, si la carga Qi es (+) y est aumentando
con respecto al tiempo, significa que hay ms cargas entrando que saliendo y la I (total
neta) es negativa.
Para entender lo expresado en los prrafos anteriores ofrecemos la
siguiente analoga con ayuda de la figura 3-4.
(a) (b) (c)

Figura 3-4
La figura 3-4a muestra un cilndrico metlico de 1[m] de dimetro, o algo

as, abierto en ambos extremos: superior e inferior. Por el extremo superior se hace
ingresar agua la que, obviamente, sale por el extremo inferior. Evidentemente, la
cantidad de agua que sale es igual a la que entra y el flujo de agua total neto es igual a
cero.
En la figura 3-4b se muestra el mismo cilindro metlico con el agua
entrando por la parte superior pero, ahora se coloca un balde en el interior del cilindro,
orientado hacia arriba, de modo que el balde es capaz de ir almacenando parte del agua
que ingresa por arriba. Mientras el agua almacenada en el balde va aumentando en el
tiempo, el agua que sale es menor que la que entra. Entonces el flujo total neto de agua
es negativo (sale menos agua de la que entra).
Una vez que el balde se llen el flujo total neto de agua vuelve a ser cero.
Ello es as, porque a partir de este momento, si bien al balde tiene agua almacenada, la
cantidad almacenada no est cambiando con el tiempo y, necesariamente, sale la misma
cantidad de agua por abajo que la cantidad que entra por arriba del cilindro.
En la figura 3-4c la situacin cambia, con respecto a la figura 3-4b ya
que, mediante una manivela, el balde es girado gradualmente de modo que empieza a
vaciar el agua que el balde tena almacenada. Mientras el balde est devolviendo el agua
que tena almacenada, saldr ms agua de la que entra y el flujo total neto de agua es
positivo.
En esta analoga el agua entrando y saliendo representa a las cargas en
movimiento (corriente elctrica) y el agua almacenada representa el almacenamiento de
cargas. Se aprecia que para que el flujo total neto de agua (o sea, la corriente I total

neta) sea distinto de cero no basta con que exista almacenamiento, es necesario que ste,
adems, est cambiando con el tiempo (aumentando o disminuyendo).
Llevando lo anterior a una ecuacin podemos escribir el principio de

continuidad de la corriente como:
I J ds dv
dQi d
3-5

S
dt dt v
El signo negativo que antecede a los trminos que estn al lado derecho
de la ecuacin 3-5, se debe a una convencin. Dicha convencin establece que la
corriente neta positiva corresponda a la corriente saliendo de la superficie S.
Invocando el teorema de divergencia en la ecuacin 3-5 se obtiene:

I J d s ( J)dv dv
dQi d
S v
dt dt v
Suponiendo que el volumen v en las integrales de volumen es
estacionario e igualando ambas integrales queda:
v J)dv dt v dv -v t dv
d
(

Dado que la primera y la tercera integral son iguales, sin importar la

forma ni el tamao del volumen entonces, necesariamente, los integrandos son iguales:

J - 3-6

t
La ecuacin 3-6 tambin corresponde al mismo principio de continuidad

de la corriente pero en forma puntual o forma diferencial o forma microscpica.
3.3 CONDUCTORES METLICOS, RESISTORES Y RESISTENCIA
Nos basamos en el conocido modelo simple de los tomos, compuesto

por cierto nmero de electrones (cargas negativas) y un ncleo central. La teora de la
composicin de la materia, seala que los electrones, en los diversos elementos, ocupan
distintos niveles energticos que los ligan al ncleo. Mientras ms energa posean los
electrones, ms dbil es su vinculacin con el ncleo. Tal como lo muestra la figura 3-5,
se han definido diversas bandas de energa que son ocupadas por los electrones y cuya
configuracin vara segn cada elemento qumico. Nuestro inters, con relacin al tema
de esta seccin, se centra en la banda de valencia y la banda de conduccin
Nivel de energa
(+) Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia
Bandas ocupadas por

los electrones
(-)
Figura 3-5

Los electrones que ocupan la banda de valencia son aquellos que pueden
interactuar con electrones equivalentes de otros elementos dando origen a diversos
compuestos; sales, cidos, etc. Si a esos electrones de valencia se les suministra
suficiente energa (por ejemplo calor) ellos pueden subir hasta la banda de conduccin
pasando a travs de la banda prohibida. Mientras ms grande es la banda prohibida ms
difcil es que los electrones puedan superarla, por cuanto se requiera mucha energa para
lograrlo. En cambio, si la banda prohibida es pequea se requiere una energa mucho
menor para que los electrones puedan superarla y mudarse a la banda de conduccin. En
los materiales conocidos como conductores metlicos, la banda prohibida prcticamente
no existe y, ms bien, la banda de conduccin y la de valencia estn adyacentes, tal
como se muestra en la figura 3-6. En los materiales que denominamos aislantes esa
banda es grande (figura 3-5). Pero, aunque sea grande puede ser superada si proveemos
energa suficientemente alta como para que electrones de valencia pasen a la banda de
conduccin. En tal caso decimos que se ha producido la ruptura del aislante.
Nivel de energa
(+) Banda de conduccin
Banda prohibida
inexistente
Banda de valencia
Bandas ocupadas por
(-) los electrones
Figura 3-6
Si entre los extremos de un trozo de material conductor aplicamos una

diferencia de potencial (o voltaje), ello causar la existencia de una intensidad de
campo elctrico a lo largo del material. Dicho campo, conforme lo seala la Ley de
Coulomb, produce una fuerza sobre cada electrn del material. Pero, en el caso de los
electrones de la banda de valencia, el campo elctrico los mueve a la banda de
conduccin y, al mismo tiempo, los hace desplazarse a lo largo del material conductor.
Este movimiento de electrones constituye una corriente elctrica. En este
caso se trata de una corriente de conduccin y a los electrones que tienen la
posibilidad de moverse dentro del conductor se les conoce como electrones de
conduccin. Tal como se dijo, el movimiento de los electrones se debe a que la
presencia de la intensidad de campo elctrico E produce una fuerza F sobre cada

electrn segn la expresin:
F -qeE

Una fuerza como esta, en un espacio libre de materia, hara que los
electrones se desplazasen con movimiento uniformemente acelerado. Sin embargo, al
desplazarse por el interior de un material, el movimiento de estos electrones es frenado
por la presencia de la inmensa cantidad de tomos que componen dicho material,
llegndose a un movimiento uniforme; o sea, con velocidad constante. Esta velocidad
Ud denominada velocidad de deriva se puede expresar como una relacin lineal entre

la intensidad del campo E que produce el movimiento y un parmetro caracterstico de

cada material que se denomina movilidad e del electrn dentro del material particular
del cual se trate. Dicha movilidad se expresa en la unidad de medida: [m2/(volt. seg.)].
Ud e E [m/s] 3-7


Valores tpicos de la movilidad en algunos metales conocidos son:

Aluminio e =0,0014 [m2/(volt. seg.)].
Cobre e =0,0032 [m2/(volt. seg.)].
Plata e =0,0052 [m2/(volt. seg.)].
Mientras mayor sea la movilidad de un material, mayor es la

probabilidad de que sea un buen conductor. Pero no basta con eso.
En la ecuacin 3-3 vimos la relacin: J U ; reemplazando la ecuacin

3-7 en la ecuacin 3-3 queda:

J eeE 3-8

Donde e es la densidad de los electrones de conduccin en el material.

Es un valor negativo (ya que son electrones) expresado en [Coulomb/m3].
Pero, dado que e y e son parmetros propios de cada material podemos
juntarlos en un solo parmetro para cada material al que llamaremos conductividad
del material. Entonces:
J E forma puntual de la ley de Ohm. 3-9

Siendo:
ee [Siemens/m] (antes conocida como [mho/m])
Es necesario puntualizar que la densidad e es inherentemente negativa
debido al signo de la carga de los electrones. Ello significa, entonces, que considerando
el signo que antecede a la expresin de la conductividad, este parmetro es siempre
positivo en los materiales conductores.
Valores tpicos de la conductividad en algunos metales son:
Aluminio = 3,72x107 [Siemens/m].
Cobre = 5,8x107 [Siemens/m].
Plata = 6,17x107 [Siemens/m].
Algunos textos definen, tambin, el parmetro conocido como

resistividad, que es el inverso de la conductividad. En estos apuntes usaremos el
smbolo . para la resistividad. Entonces:
1
[Ohm m]

Los buenos conductores (idealmente) tienen las siguientes propiedades:
i) Obedecen fielmente la forma puntual de la ley de Ohm
ii) el valor de y el de . es una constante an para distintos valores de J

iii) son isotrpicos; ello significa que el comportamiento del conductor es

independiente del sentido en el cual se aplique la intensidad de campo E a travs

del material.
El valor de la conductividad y, en consecuencia, el de la resistividad,

depende del valor de la temperatura que tiene el cuerpo conductor. Ello se debe a que
tanto la densidad de electrones de conduccin e como la movilidad de los electrones de
conduccin e dependen de la temperatura, pero de manera distinta.
Ms concretamente, si la temperatura sube la densidad de electrones de
conduccin tambin sube. Ello se debe a que, en el material, al tener ms energa
trmica, significa que ms electrones pasan de la banda de valencia a la de conduccin
aumentando dicha densidad. Pero, al mismo tiempo, si la temperatura sube, la movilidad
de los electrones baja. Ello se explica porque al tener el material mayor energa trmica
aumenta el fenmeno que, en fsica, se denomina agitacin trmica de la materia.
Dicha agitacin hace que sea ms difcil, para los electrones de conduccin, desplazarse
por el material. Esa mayor dificultad de movimiento equivale a decir que la movilidad
se reduce al aumentar la temperatura del material.

Entonces, al subir la temperatura la densidad e aumenta y, al mismo

tiempo, la movilidad e disminuye. Luego, ya que la conductividad es el producto de
ambos parmetro nos preguntamos: qu sucede, entonces, con al subir la
temperatura? Si bien la densidad de electrones de conduccin sube y, al mismo tiempo,
la movilidad baja, esta ltima baja ms en proporcin de lo que sube aquella y, entonces
prevalece el descenso de la movilidad y, en definitiva, la conductividad baja, y la
resistividad sube, al subir la temperatura. Por ejemplo en: el aluminio, el cobre y la
plata, la resistividad sube cerca de un 0,4% por cada 1K de aumento en la temperatura.
Por el contrario, al bajar la temperatura los conductores aumentan su
conductividad. Hay algunos materiales que a temperaturas muy bajas, cercanas al cero
absoluta, para las cuales la agitacin trmica es prcticamente nula, el aumento de la
conductividad es notable. Esta propiedad se denomina superconductividad.
Es necesario precisar que la corriente elctrica no slo se produce en los

conductores metlicos sino que, adems: en los semiconductores, en lquidos ionizados
y en gases, cuando en stos se produce una descarga gaseosa. Esto ltimo se consigue
por la aplicacin de una intensidad de campo elctrico suficientemente elevada.
Ahora veremos los resistores y la resistencia de los resistores.

Sea un cuerpo hecho de material conductor de conductividad [S/m]
cuyas dimensiones son: largo L[m] y seccin uniforme S[m2], como se ve en la fig. 3-7.
L
E

b
-
V
S a +
Figura 3-7
Entre los extremos a y b, separados a la distancia L, se aplica una

diferencia de potencial V, lo que provoca la existencia de una intensidad de campo
elctrico E en la direccin de L. Ello produce en el conductor, una corriente de densidad

J cuya integral en la seccin S, nos da la intensidad I de la corriente que circula.
Entonces:
I J ds I J S

S
J E J E

V E d V E L

L
J 1 I
V L L
S
Despejando V:
L
V I
S
Se aprecia que existe una relacin directa entre el voltaje aplicado, o

diferencia de potencial aplicada, y la intensidad I de la corriente resultante. Dicha
relacin es funcin de un parmetro que slo depende del cuerpo conductor; esto es,
depende de largo L del cuerpo conductor, de su seccin S y de la conductividad del
material con el cual est hecho. Dicho parmetro, que relaciona V e I, se denomina
resistencia R del cuerpo conductor [Ohm].

O sea:
VRI Ley de Ohm 3-10
Tambin se suele utilizar, en forma alternativa, el parmetro denominado

conductancia G [Siemens] que es el inverso de la resistencia. O sea:
1
IGV V
R
Para el caso de un cuerpo conductor de la figura 3-7, de largo L, seccin

uniforme S y conductividad , entonces, y slo entonces, se tiene que la resistencia es
L
R [Ohms] 3-11
S
Decimos que este cuerpo hecho de material conductor y con dos
terminales, en a y en b, es un resistor que tiene una resistencia R dada por la
ecuacin 3-11.
Si, en general, construimos un resistor con un material conductor de
conductividad , para el cual se han definido dos terminales a y b, como en la figura 3-
8, entonces la resistencia entre los terminales de este resistor est dada por:
I
a b
I
Figura 3-8
Vab a
b
E d

R
E ds
[Ohms] KM 2S-3A -2 3-12
I
S
Veamos dos ejemplos:
a.- Encuentre el valor de resistencia de un trozo de alambre de 100m. de largo, de

calibre 16 (dimetro de 1.29x10-3 m.), hecho de cobre. La conductividad del cobre es
5,8x107[S/m].
L 100
R 1.32 [Ohm]
S (5.8x107 )( (1.291x10-3 ) 2 )
4
b.- Encuentre el valor de la resistencia de un disco hecho de material conductor.

La superficie del disco es circular de 1[cm2] y su espesor es de 1[mm].
Las dos superficies circulares del disco actan como
terminales de este resistor.
Haga los clculos para dos materiales: cobre y +
carbn (investigue la conductividad del carbn). v
La ecuacin 3-11 es aplicable con L= 1[mm] y
S=10-4[m2]. Los resultados son: para el cobre
-
R=0,17x10-6[Ohm] y para carbn R=1,4x104[Ohm].
Figura 3-9

Ahora veremos un resistor con una geometra distinta: el resistor coaxial.
Dicho resistor est formado por dos lminas cilndricas concntricas,

altamente conductivas, de radios a y b, con b>a, y de largo L. El espacio entre
ambos cilindros est lleno de un material conductor de conductividad . Dichos
cilindros son los terminales del resistor, tal como se muestra en la figura 3-10a. La
conductividad de ellos debe ser alta para que no afecte el valor de la resistencia
b
+ E Err
V

a
-
L
(a) (b)
Figura 3-10
Entre las lminas cilndricas se aplica una diferencia de potencial V. Ello

produce una intensidad de campo elctrico E cuyas lneas (flechas), de acuerdo con la

polaridad del V aplicado, van desde el cilindro interior hacia al exterior, tal como lo
muestra la figura 3-10b. O sea E Err (SCR). Las superficies de los cilindros de radio

a y de radio b, al ser altamente conductivos, son superficies equipotenciales. Todas
las superficies de radio k, con a<k<b, son tambin equipotenciales.
En el espacio intercilindros se cumple la ley de Gauss que expresa:
D (oE) E 0

Pero como E Err (solamente) entonces

1 (rEr)
E 0
r r
C
Esta es una ecuacin diferencial cuya solucin es: Er siendo C una
r
constante de integracin por determinar a partir de las condiciones de borde. Para
encontrar C hacemos lo siguiente. Suponemos conocida la diferencia de potencial V
aplicada. Entonces:
V E d Erdr dr C ln(r) a C ln(b a )

C
b b b
b
a a a
r
Despejando:
V
C
ln(b a )
Sustituyendo en la expresin de Er se llega a:
C V
Er
r r ln(b a )
Ahora calcularemos la intensidad de corriente que circula por este

resistor recordando que I es la integral de J en una superficie por la que fluye toda la I.

Dicha superficie es de forma cilndrica, de radio r= k, con a>k>b, y largo L. O sea:
I J d s E d s E r r kddzr
V
kddr kddzzr

s s s s
k ln( b / a )
k ddz
V V
2 L
I 2 L
k ln(b / a ) 0 z 0 ln(b / a )

Despejando V sobre I obtenemos la expresin de la resistencia R del

resistor coaxial, la cual slo es vlida para esa geometra especfica.
V ln(b a )
R [Ohm] 3-13
I 2 L
En resumen, tenemos que un resistor es un elemento de dos terminales
que est hecho de un material conductor y para el cual se cumple una relacin entre el
voltaje V aplicado entre sus terminales y la intensidad de corriente I que resulta.
La relacin ms simple es la
conocida ley de Ohm vlida slo para resistores I [Amps.]
lineales inveriantes. Se denominan as ya que esa +
relacin es, matemticamente, lineal e independiente
del tiempo. Esto es: R[] V [Volts]
VRI
Es necesario enfatizar que la
linealidad descrita es una idealizacin. En la prctica
-
existen numerosos elementos no lineales que se
pueden linealizar bajo ciertas restricciones y,
otros, que son definitivamente no lineales. Figura 3-11
3.4 POTENCIA Y ENERGA EN RESISTORES
3.4.1 Conceptos Generales
i(t)
+
FUENTE
ELCTRICA
v(t) RED
-
Figura 3-12
En la figura 3-12 se muestra una fuente elctrica (no interesa de qu

tipo), conectada a una red de una puerta de tipo general. Denominamos puerta
(port en Ingls) a la conexin (o va de conexin) de dos terminales entre la fuente y
la red. Como resultado de esta conexin aparece un voltaje v(t) entre los terminales de
la red y circula una corriente i(t) por sus terminales. En general los voltajes y las
corrientes pueden ser funciones del tiempo.
La existencia de un voltaje y una corriente en la puerta exige que,
tambin, exista una potencia p(t) en la puerta, tambin funcin del tiempo, dada por:
p(t) v(t) i(t) [Watt] M 2 KS -3 3-14
A p(t) se le conoce como potencia instantnea para distinguirla de la

potencia promedio que es un promedio temporal de la anterior y de amplio uso. Otra
unidad de medida habitual de potencia es el HP (horse power o caballo de fuerza) que
es equivalente a 745,7[Watts].
Desde un punto de vista algebraico la potencia instantnea p(t) puede ser
positiva o negativa ya que para una direccin de referencia dada, v(t) e i(t) pueden ser
positivas o negativas sin restriccin. Cuando las direcciones de referencia de v(t) e i(t)
estn asociadas, el signo de p(t) tiene la siguiente interpretacin: si p(t) es positiva ello
quiere decir que la red est recibiendo energa desde la fuente elctrica a travs de la

puerta, pero si p(t) es negativa ello quiere decir que la red est entregando o
devolviendo energa a la fuente elctrica a travs de la puerta.
Al integrar la potencia p(t) a lo largo del tiempo, desde un instante inicial
to hasta una instante cualquiera t, se obtiene la energa (o trabajo) transferida a travs de
la puerta durante el intervalo de tiempo [to,t]. O sea:
W[to, t] p(t' )dt' v(t' )i(t' )dt' [Joule] o [Watt seg.]

t t
3-15
to to
3.4.2 Para un Resistor Lineal

Si en lugar de la red general de una puerta tenemos slo un resistor lineal
que cumple la conocida relacin: V R I , pero como p(t) v(t) i(t) , entonces:
1
p(t) R i(t) 2 v(t) 2 3-16
R
La ecuacin 3-16 nos ensea que, sin perjuicio de que v(t) e i(t) pueden
ser positivas o negativas sin restriccin, al estar elevadas al cuadrado sus signos no
influyen y p(t) resulta ser siempre positiva. Ello significa que el resistor siempre recibe
energa o, bien, que nunca puede entregar, o devolver, energa a la fuente. Lo anterior
quiere decir que el resistor disipa la energa que recibe, en un proceso de carcter
irreversible. Esta disipacin de energa se manifiesta, habitualmente, en forma de calor.
Ello se conoce como el efecto Joule.
En cuanto a la energa transferida desde to hasta t:
W[to, t] v(t' )i(t' )dt' R i(t' ) dt' v(t' ) 2 dt'

1
t t t
2
3-17
to to
R to
La ecuacin 3-17 nos dice que, independiente del signo que puedan tener
v(t) o i(t), la energa transferida desde la fuente al resistor es permanentemente creciente
(montonamente creciente). Dicho de otro modo la curva de W v/s t en un resistor
puede tener pendiente positiva o cero, pero nunca podr tener pendiente negativa.
3.5 MATERIALES SEMICONDUCTORES
Los materiales semiconductores, tales como silicio o germanio (los ms

conocidos) tienen una estructura cristalina tetradrica. Por limitaciones de dibujo en la
figura 3-13 la estructura, para tomos de valencia cuatro, se muestra plana. Los cuatro
electrones de valencia estn representados en color rojo y el ncleo en color verde.
Mediante enlaces covalentes, los electrones de valencia (que, como se
dijo, en este caso son cuatro) unen los tomos entre s formando la estructura sealada.
N N N
N
N N N
N
N N N
N
N N N
N
Figura 3-13

Si en un material semiconductor se aplica un campo elctrico E de

origen externo, ello har que unos pocos electrones de valencia pasen a la banda de
conduccin y produzcan una corriente elctrica. Esos electrones de conduccin se
desplazarn hacia al potencial ms alto; o sea, en contra del sentido de E , tal como se

muestra en la figura 3-14.
E

N N N N
N N
(-)
N N
(+)
N N N N
N N N N
Figura 3-14
En los semiconductores, los electrones de conduccin, al desplazarse

debido a la presencia del campo elctrico de intensidad E , abandonan el enlace

covalente que formaban. Su ausencia genera, en cada enlace abandonado, un dficit
de carga negativa o, lo que es lo mismo, su partida genera una carga positiva
equivalente, que llamaremos hueco o laguna (ausencia de un electrn).
Los huecos o lagunas, al ser equivalentes a cargas positivas, tambin

son afectados por el mismo campo elctrico que desplaz a los electrones de
conduccin y, en consecuencia, los huecos tambin se desplazan. Pero stos se mueven
hacia el lado del potencial ms bajo; o sea, los huecos se mueven en el mismo sentido
del campo elctrico E . El desplazamiento de los huecos se produce debido a que los

electrones de valencia, de tomos vecinos al tomo en donde se produjo el hueco, van
ocupando, en forma sucesiva, los huecos que van apareciendo (sin que esos electrones
se transformen en electrones de conduccin, por cuanto no ven aumentado su nivel
energtico).
En resumen, con la aplicacin del campo elctrico de origen externo se

produce una corriente elctrica integrada por: electrones de conduccin, de carga
negativa, movindose en un sentido, y por huecos, de carga equivalente positiva,
movindose en sentido opuesto. Estos dos desplazamientos corresponden a un efecto
aditivo ya que se trata de cargas de signos opuestos que se mueven en sentidos opuestos.
A los electrones y huecos que se mueven en los materiales

semiconductores, se les denomina portadores de corriente.
Por lo anteriormente expuesto, la conductividad del semiconductor, tal

como se muestra en la ecuacin 3-18, est expresada en base a dos trminos que
resultan de los aportes que hacen, a la corriente, estos dos tipos de portadores:
sc ee hh [S/m] 3-18

Las densidades de electrones y huecos, en [C/m3], son e que es la

densidad de electrones de conduccin (de valor negativo) y h que es la densidad de
huecos (de valor positivo). Ambas densidades son iguales en magnitud. Mientras que e
y h son las movilidades de electrones y de huecos, respectivamente.
A 300K algunos valores de movilidad de los portadores de corriente son:
- para germanio: e= 0,36 y h=0,17 [m2/(volt seg.)]

- para silicio: e= 0,12 y h=0,025 [m2/(volt seg.)]
A los mismos 300K algunos valores de densidad de electrones y huecos

son:
- para germanio: |e|= h=4,0 [C/m3]

- para silicio: |e|= h=0,011 [C/m3]
Entonces, juntando esos valores obtenemos, para los mismos 300K de

temperatura. los siguientes valores de conductividad:
- para germanio = 2,1 [S/m]

- para silicio = 0,0016 [S/m]
La conductividad, en los materiales semiconductores, es dependiente de

la temperatura, pero depende manera inversa que en los conductores. Tal como se dijo
en la seccin 3.3, al aumentar la temperatura, la densidad e aumenta y la movilidad e
disminuye.
En los semiconductores, la densidad e de los electrones de conduccin y

la densidad h de los huecos sube al aumentar la temperatura ya que con la mayor
temperatura el nmero de electrones que emigran hacia la banda de conduccin
aumenta. Por otra parte, la movilidad de electrones y de huecos baja al aumentar la
temperatura por el mismo fenmeno de agitacin trmica descrito anteriormente con
relacin a los conductores.
De estos dos variaciones de efectos contrarios, prevalece el aumento de
las densidades (es mayor en proporcin) por sobre el descenso de las movilidades. En
definitiva, la conductividad en los semiconductores aumenta al subir la temperatura.
La figura 3-15, tomada del libro Richard Feynman: Lectures on

Physics, muestra de manera comparativa cmo varan la conductividad (eje vertical
izquierdo) y la resistividad (eje vertical derecho) de diversos materiales con respecto a
la temperatura (eje horizontal). Todos los ejes son logartmicos.
En dicha figura se aprecia dos situaciones.
En el caso de los materiales aislantes y materiales semiconductores el
valor de su conductividad sube (el material es ms conductivo) cuando la temperatura
aumenta pero, an as, los valores de conductividad se mantienen en rangos pequeos;
esto es; muy por debajo de los valores que exhiben los conductores metlicos.
En el caso de los materiales conductores metlicos, que normalmente
tienen valores de conductividad muy altos, el valor de su conductividad sube cuando la
temperatura se reduce. Un comportamiento especial es el del plomo que a temperaturas
extremadamente bajas, cercanas al cero absoluto, exhibe un comportamiento
superconductivo. Esto quiere decir que su conductividad adquiere valores altsimos o, lo
que es lo mismo, su resistividad se aproxima a cero.

Figura 3-15
3.6 LA NATURALEZA DE LOS MATERIALES DIELCTRICOS
Los materiales dielctricos son materiales elctricamente aislantes. Ello

significa que frente a la presencia de un campo elctrico de origen externo no se
produce en ellos corriente elctrica pero, en cambio, ocurre un fenmeno que se
denomina la polarizacin del material dielctrico. Dicha polarizacin se produce por
un desplazamiento limitado de las cargas internas de los tomos (positivas y negativas),
que denominaremos alineamiento, frente a la presencia del campo elctrico de origen
externo. Dicho desplazamiento es muy limitado o restringido ya que las cargas no

pueden formar una corriente elctrica (a menos que el E fuese extremadamente

grande), debido a que el material es aislante. Podramos describir este desplazamiento
restringido como un intento de parte de las cargas de formar una corriente alinendose
con el vector E , pero esa reaccin slo queda hasta ah. A pesar de ello, ese

alineamiento tiene una consecuencia que es la polarizacin del material.
El alineamiento implica que la fuente externa de potencial elctrico, que
causa la aparicin del campo elctrico en el interior del material dielctrico, debe
entregar energa a dicho material para que se polarice. Mientras el dielctrico
permanece polarizado, dicha energa permanece almacenada en el material pudiendo
ella ser, eventualmente, devuelta hacia el exterior del material quedando este
despolarizado.
Para representar la polarizacin necesitamos establecer un modelo a nivel
de cada tomo que nos sirva para estudiar este fenmeno.
En este modelo se presenta a los tomos +Q +

del dielctrico como si fuesen dipolos elctricos,
cada uno de estos dipolos est formado por una carga
d

positiva de +Q[C] y por una carga negativa de Q[C],
ambas separadas a una distancia vectorial d , que

apunta desde la carga negativa a la positiva, tal como se

-Q -
muestra en la figura 3-16.
Figura 3-16
En este modelo se supone que todas las cargas positivas de un tomo se

juntan en una sola carga +Q y que todas las cargas negativas del mismo tomo se juntan
en otra carga Q. Es conveniente no perder de vista que esto es slo un modelo; slo es
una representacin vlida para los efectos de estudiar el fenmeno.
Para cada dipolo elctrico podemos definir un momento dipolar
elctrico p (que abreviaremos mde) como:

pQd [Coulomb metro] 3-19

Si, ahora, tomamos un pequeo volumen v del material dielctrico y si

suponemos que este material posee n momentos dipolares elctricos por volumen
unitario, entonces la suma vectorial de todos los mdes ser:
pTOT pi
nv
3-20

i 1
El resultado de pTOT tiene dos valores extremos:

i.- Si todos los mdes en el volumen v estn totalmente desalineados (mdes apuntando
en sentidos muy diferentes) el resultado de la suma vectorial es
pTOT 0 (mde's totalmente desalineados) 3-21

ii.- Si, por el contrario, todos los mdes en el volumen v estn perfectamente alineados
(mdes apuntando todos en el mismo sentido) el resultado de la suma vectorial es;
pTOT n v p n v Q d (mde' s totalmente alineados) 3-22

Ahora definiremos la polarizacin P del material dielctrico como el

momento dipolar total por unidad de volumen; o sea:

1 nv
P lim pi [Coulomb/m 2 ] 3-23

v 0 v
i 1
En los dos casos extremos sealados anteriormente tenemos que:

i.- Si los mdes estn totalmente desalineados, la sumatoria de los pi es igual a cero y,

por lo tanto: P 0

ii- Si los mdes estn totalmente alineados (dielctrico polarizado), la sumatoria de los
pi es igual a n v Q d y, por lo tanto:

1
P lim nv Q d n Q d (mde' s totalmente alineados) 3-24

v 0 v
Obsrvese que la unidad de medida de P es la misma que la de D , esto

es, [C/m2].
Tomemos, ahora, un trozo de material dielctrico y seleccionemos en el

interior de l una pequea superficie de observacin S. El propsito es observar qu
sucede en esa superficie antes y despus de aplicar un campo elctrico E de origen

externo a travs de ese material.
Tal como se aprecia en la figura 3-17a, en el dielctrico no existe un
campo elctrico de origen externo y los dipolos estn totalmente desalineados.
S

E

+
+ - +
+ -
+
+
- - - +
-
- - - + s
d
- + + - s
- + +
+ + + +
S d - -
S
- -
(a) (b)
Figura 3-17
En la figura 3-17b se muestra los dipolos del dielctrico alineados debido

a la existencia de un campo elctrico de intensidad E aplicado desde el exterior. Para

poder pasar de la situacin mostrada en figura 17a a la situacin mostrada en la figura
17b, los dipolos han tenido que rotar en torno a su centro hasta alinearse con el E

aplicado. Si los dipolos se encuentran cerca de la superficie de observacin S, al rotar
stos una de sus cargas puede atravesar dicha superficie. La carga -Q lo har hacia abajo
(hacia el potencial ms alto), mientras que la carga +Q lo har hacia arriba (hacia el
potencial ms bajo). Entonces un observador que mira lo que sucede en dicha superficie
ver que hay cargas atravesndola. Pero las cargas que atraviesan S slo pueden
pertenecer a los dipolos que estn cerca de S. Ms concretamente, slo a un grupo de
dipolos cuyos centros estn en una franja d a cada lado de dicha superficie, siendo d:
1
d' d cos( )
2
Donde es el ngulo entre el vector E y el vector de superficie s . El

volumen ocupado por este grupo de dipolos es 2dS y, suponiendo que en el
dielctrico existen n mdes por unidad de volumen, entonces el nmero total de
cargas Qb que atravesarn la superficie S es:
1
Qb n Q2 d cos( ) S nQd S

2
Qb P S

Se ha usado el smbolo Qb para esta carga incremental, por cuanto ellas

son cargas ligadas o atadas (la letra sub-ndice b viene de bonded en Ingls), ya que

estas cargas slo se mueven para alinearse con el campo elctrico de origen externo.
Ellas no pueden alejarse de sus respectivos tomos, continuando ligados a ellos.
A partir de esta carga incremental Qb, que atraviesa una superficie

incremental S, podemos obtener la carga total Qb integrando Qb en una superficie
cerrada S. O sea:
Qb P d s 3-25

S
El signo - se antepone para cumplir la convencin que establece que
las cargas saliendo de la superficie S son positivas. Estas cargas Qb se pueden relacionar
con una densidad de cargas ligadas b [C/m3] contenidas en el volumen v encerrado
por la superficie cerrada S segn la expresin:
Qb b dv P d s

v S
Invocando el teorema de divergencia:
dv dv
P

b
v v
Debido a que esta igualdad es vlida para cualquier tamao o forma del
volumen v entonces, necesariamente se concluye que los integrandos deben ser
iguales. O sea:
P b

3-26
Al observar la ecuacin 3-26 podemos destacar la semejanza con la

forma puntual de la ley de Gauss que vimos en el captulo N 2. Basado en lo anterior
podemos revisar dicha ley llevndola a un planteamiento ms general. Cuando slo
consideramos el vaco tenamos:
D oE (cargas libres)

Pero si ahora consideramos una regin dielctrica entonces, adems de

las cargas libres con densidad que puedan existir, debemos considerar las cargas
ligadas de densidad b. En consecuencia, reescribiremos la expresin anterior como:
D oE b - P

(oE P)

Entonces establecemos una expresin general para la densidad de flujo

elctrico como:
D oE P 3-27

Ntese que si el medio fuese el vaco la ecuacin 3-27 se convierte en la

definicin original de D para el vaco vista en el captulo N 2. Finalmente:

D 3-28

En la ecuacin 3-28, que es la forma puntual de la ley de Gauss en

dielctricos, la densidad de flujo elctrico D est dada por la ecuacin 3-27.

Pero, ya que la polarizacin P del material depende de E podemos

plantear una relacin lineal entre ambos, del tipo:
P E o E

3-29
Donde el parmetro E es la suceptibilidad elctrica del dielctrico; es
un nmero (sin dimensin) que indica el nivel de polarizacin que puede alcanzar el
dielctrico y depende, especficamente, de cada material. Reemplazando 3-29 en 3-27
queda:

D o E E o E o (1 E ) E or E

D E 3-30

Donde:
or [Farad/m] M -3 K -1S4 A 2 es la permitividad del dielctrico 3-31

r es la permitividad relativa del dielctrico.
o
r es un nmero sin dimensin que indica cmo es, en proporcin, la permitividad del
dielctrico con respecto a la permitividad del vaco. Es de gran uso prctico. En la
siguiente tabla se presenta valores de permitividad relativa de diversos materiales.
PERMITIVIDAD RELATIVA DE ALGUNOS MATERIALES

Material relativo Material relativo
aire 1,0006 dixido de titanio 100
glicerina 40 titanato de bario 1200
polietileno 2,26 agua pura 80
mica 5,4 etanol 24
papel 4 metanol 33
pyranoil 4,4 p.v.c 6,1
tefln 2,03 vidrio 4,7
3.7 CONDICIONES EN UNA SUPERFICIE DE BORDE ENTRE

DIELCTRICOS PERFECTOS DISTINTOS
Supongamos que en una regin existen dos materiales dielctricos

perfectos distintos, que se juntan en una superficie de borde y que, en la misma regin,
existe un campo elctrico. Entonces, necesariamente, debido a que las permitividades
son distintas a cada lado de la frontera entre los materiales, tiene que producirse
cambios en los valores de E y/o D a cada lado de la superficie de borde. Ahora

veremos cmo son los cambios de estas funciones vectoriales y de sus componentes,
justo a cada lado de la superficie que separa a los dos dielctricos distintos.
La figura 3-18 muestra una parte de la superficie que separa a dos
dielctricos de permitividades 1 y 2. En torno de esa superficie trazamos un contorno
rectangular de tamao incremental. Por construccin, dos de sus lados, aquellos de largo
w, son paralelos a la superficie de borde y los otros dos, de largo h, son
perpendiculares a la superficie de borde.
w
1
h
2
Figura 3-18
A lo largo de ese contorno rectangular aplicamos la relacin:

E d 0

L
Esta relacin se puede descomponer en cuatro integrales: una por cada
segmento que forma el contorno. Por la orientacin de cada segmento y debido a las
propiedades del producto punto, en los segmentos w slo consideraremos la
componente de E que es paralela a la superficie de borde, mientras que en los


segmentos h slo consideraremos la componente de E que es perpendicular a la

superficie de borde. Pero si, en seguida, hacemos h0 slo quedan dos de las
integrales: aquellas a lo largo de ambos w. Adems, al hacer h0 ambos segmentos
w quedan justo a cada lado del borde y, asimismo, las componentes de E paralelas a la

superficie de borde pasan a ser tangenciales a dicha superficie.
O sea:
limh 0 E d E tan 1d E tan 2d E tan 1w - E tan 2 w 0

L w sup. w inf.
Despejando queda:
E tan 1 E tan 2 3-32
La ecuacin 3-32 establece que la componente de E tangencial a una

superficie de borde entre dielctricos perfectos distintos, debe ser continua (no puede
ser discontinua) a travs de la superficie de borde. Esto significa que la componente
tangencial de E no puede saltar de valor entre un lado y otro de la superficie de

borde.
Sabemos que:
D1 1E1; D2 2E2 , luego :

Dtan1 1Etan1; Dtan2 2Etan2

1 1
Etan1
Dtan1; Etan2 Dtan2
1 2
Reemplazando en 3-32 queda
1
D tan 1 D tan 2 3-33
2
La ecuacin 3-33 establece que la componente de D tangencial a una

superficie de borde entre dielctricos perfectos distintos, debe ser discontinua a travs
de la superficie de borde. Esto significa que la componente tangencial de D debe

cambiar de valor entre un lado y el otro lado de la superficie de borde en una proporcin
igual a la relacin entre las permitividades de ambos dielctricos.
Para verificar las siguientes condiciones de borde utilizaremos la figura
3-19. En ella se muestra una parte de la superficie que separa a los dos dielctricos de
permitividades 1 y 2. Alrededor de esa superficie trazamos un volumen cilndrico de
tamao incremental. Por construccin, las dos caras circulares de tamao S, son
paralelas entre si y paralelas a la superficie de borde. La otra superficie es el manto
cilndrico (superficie curva) de ancho h. Una mitad de h est inmersa en el
dielctrico de 1 y la otra mitad en el dielctrico de 2.
h
2
Figura 3-19
En la superficie cerrada S que rodea a ese volumen incremental

aplicamos la relacin:
D d s Qtot. enc.

3-34
S
La integral de la ecuacin 3-34, se puede descomponer en tres integrales:

dos en cada una de las superficies S (en las que slo se debe considerar la componente

de D normal a S) y la tercera integral que se desarrolla en el manto cilndrico. A

continuacin hacemos h0. Pero con ello la ltima integral desaparece y slo nos
quedan las dos integrales en las caras S. Pero, al hacer h0, las componentes de D

normal a S tambin sern normales a la superficie de borde ya que las dos caras S
quedan slo separadas por dicha superficie de borde. Entonces:
limh 0 D d s Dn1ds - Dn2ds Dn1S - Dn2 S Qtot. enc.

S S S
Pero al hacer h0 el volumen que podra encerrar la carga se hace cero

y, entonces, la Q total encerrada slo podra provenir de una distribucin laminar de
cargas de densidad S que exista justo en la superficie S. Al integrar la densidad S en
la superficie S, dicha integracin se puede aproximar, debido al tamao incremental de
S, como el simple producto SS. Luego:
Dn1S - Dn2 S Qtot. enc. sds sS
S
Dn1S - Dn2 S sS
Finalmente:
Dn1 - Dn2 s 3-35
La ecuacin 3-35 nos ensea que debe existir una discontinuidad en las
componentes normales de D a cada lado de una superficie de borde entre dielctricos

perfectos distintos cuando, justo en esa superficie, existe una distribucin laminar de
cargas con densidad S. Dicha discontinuidad es de una magnitud igual al valor de S.
Pero si no existe distribucin laminar de cargas justo en la superficie de
borde la ecuacin 3-35 se transforma en:
Dn1 Dn2 3-36
La ecuacin 3-36 establece la continuidad que debe existir en los valores

de las componentes normales de D a cada lado de una superficie de borde entre

dielctricos perfectos distintos cuando no existe, justo en esa superficie, una
distribucin laminar de cargas.
Pero como:
D1 1E1 ; D 2 2E 2

Dn1 1En1 ; Dn 2 2 En 2
Entonces:
2 S
En1- En 2 (con S0) 3-37
1 1
Y:
2
E n1 E n 2 (con S=0) 3-38
1
Tanto la ecuacin 3-37 como la 3-38 establecen la discontinuidad que

debe existir en las componentes de E normales a la superficie de borde.

Veamos un par de situaciones particulares:
a.- Direccin de D y E a cada lado de la superficie de borde.

Es sencillo verificar que las direcciones de D y de E a cada lado de la

superficie de borde entre dielctricos perfectos distintos deben cambiar. Ello se muestra
para D en la figura 3-20:


D1

1 1
2
2
D2

Figura 3-20
Suponiendo conocidas: D2 , 2, 1 y 2, encuentre usted las expresiones

para: D1 y 1.

b.- Superficie de borde entre un dielctrico perfecto y un conductor perfecto.
En este caso las condiciones de borde son:

Dtan Etan 0
Dn En S
La componente tangencial de E debe ser cero en la superficie de borde ya

que dicha superficie es, tambin la superficie de un conductor perfecto y. en
consecuencia, en ella no pueden existir cambios de potencial. Pero como E -V la

gradiente de V debe ser cero en la superficie de borde y E 0 .

Asimismo, slo pueden existir las componentes normales a la superficie
del conductor, Dn y En, que slo estn presentes en el dielctrico de permitividad
mientras que la densidad S slo existe en la superficie del conductor (revisar parte final
de la seccin 2.7 de estos apuntes).
c.- Cargas en el interior de un cuerpo conductor.
En el captulo 2, seccin 2.7 de estos apuntes, se discuta, en torno a la

figura 2-17, qu es lo que suceda si, hipotticamente, depositbamos cargas elctricas
en el interior de un cuerpo conductor. La respuesta fue que dichas cargas deban emigrar
rpidamente hacia la superficie del cuerpo conductor. Ahora podemos establecer cun
rpidamente lo hacen. Sea un cuerpo conductor que contiene cargas de densidad .
En el conductor se cumple la forma puntual de la ley de Ohm que dice:

J E 3-39

Por la ley de continuidad de la corriente elctrica sabemos que:

J 3-40

t
Si y son uniformes en la regin, reemplazando 3-39 en 3-40 y como
D E , entonces:

1
( D)
t

D 3-41

t
Pero la forma puntual de la ley de Gauss dice que:
D

Reemplazando en 3-41 queda:


t

0
t
Hemos llegado a una ecuacin diferencial de primer orden cuya solucin,
muy conocida, nos ensea cmo es en funcin del tiempo. Dicha solucin es:
(t) oe -( )t
t0 3-42
Donde o es la densidad de las cargas inicialmente depositadas en el

interior del cuerpo conductor. La expresin de la ecuacin 3-42 es la conocida funcin
exponencial decreciente en el tiempo tal como se muestra en la figura 3-21.
Desde un punto de vista (t)

prctico se puede suponer que (t) es igual a
o
cero cuando el tiempo transcurrido T es igual
a 5/. Suponiendo que el conductor es cobre
entonces =5,8x107 y =10-9/36. Luego:
T=5x(10-9/36)/(5,8x107)=7,6x10-19[seg.]. O
sea, despus de 0,76 trillonsimas de segundo t
ya no quedan, prcticamente, cargas en el 0
interior del conductor. Figura 3-21
3.8 CAPACITORES Y CAPACIDAD
Un capacitor, o condensador, es un elemento de circuito de dos

terminales, formado por dos estructuras metlicas altamente conductivas que actan
como los terminales del capacitor y que suelen ser denominadas placas. Entre dichas
estructuras metlicas se introduce un material aislante con caractersticas dielctricas tal
como lo ilustra la figura 3-22a.
Si entre los terminales se aplica
una diferencia de potencial, o voltaje, desde
alguna fuente, se produce la carga del
condensador (figura 3-22b). Ello sucede por
cuanto el voltaje aplicado produce un campo (a)
elctrico E a travs del dielctrico; ello causa la

+
+ + + + + + + V
polarizacin del dielctrico con las cargas +Q de
- - - - - - - -
los mdes orientndose hacia el potencial ms
bajo (lado negativo) y con las cargas Q de los (b)
mdes orientndose hacia el potencial ms alto
(lado positivo). Figura 3-22
De modo que la consecuencia de

la polarizacin del dielctrico es la creacin de
una carga superficial en las caras del dielctrico +
adyacentes a ambas placas. La carga superficial +
-
+
-
+
- -
+
en el dielctrico es negativa hacia la placa del

E

condensador conectado al terminal positivo de la
-
fuente mientras que la carga superficial en el + +
-
-
+
-
+
-
dielctrico es positiva hacia la placa del
condensador conectada al terminal negativo de
la fuente de potencial. Figura 3-23

En la figura 3-23 se muestra una porcin de ambas placas conectadas a

la fuente de potencial y la distribucin de las cargas en el dielctrico y en las placas
conductoras.
La distribucin laminar de cargas negativas que, debido a la polarizacin,
aparece en la superficie del dielctrico (parte superior de la figura 3-23), induce una
carga similar pero positiva en la placa metlica inmediatamente adyacente. A su vez, la
distribucin laminar de cargas positivas, que debido a la polarizacin aparece en la otra
superficie del dielctrico (parte inferior de la figura 3-23), induce una carga similar
pero negativa en la placa metlica inmediatamente adyacente. Ntese que a pesar de las
distribuciones de cargas que ocurren el total de cargas es neutro.
El valor de carga Q resultante en cada placa se relaciona con el voltaje V

que la produce, a travs de un parmetro propio del capacitor denominado la
capacidad C del capacitor. Dicha relacin es:
Q
C [Farads] A 2S4 K -1M -2 3-43
V
Esta relacin corresponde especficamente al elemento que denominamos

capacitor lineal invariante. Una expresin ms general para la capacidad es la
siguiente:
ds
E

C Sp
[Farads] 3-44
E d

-
La capacidad de un capacitor es funcin: a) de la forma o geometra de
las estructuras metlicas, b) de las dimensiones de dichas estructuras y c) de la
permitividad del dielctrico entre ellas. En los prrafos precedentes se ha usado la
palabra placa para referirse a las estructuras metlicas pero stas pueden tener diversa
formas como: placas paralelas, superficies cilndricas concntricas, superficies esfricas
concntricas etc.
Ahora veremos algunas situaciones particulares.
3.8.1 El capacitor de placas paralelas
Tal como se ilustra en la figura 3-24, se tiene dos placas metlicas

paralelas altamente conductivas con superficie S[m2] separadas a una distancia d[m]
que actan como terminales del capacitor. El espacio interplacas lo ocupa un dielctrico
de permitividad [F/m]. Se desea encontrar la capacidad de este tipo de capacitor.
z
S
-
V
-s
d
0
+s +
Figura 3-24
Supongamos que se aplica una diferencia de potencial V[volts] entre las

placas lo que produce un campo elctrico a travs del dielctrico. Ello provoca la carga
de las placas con una densidad +s y s [C/m2] en cada una.
Entonces la carga en cada placa es:

Q sds Q sS
S
Adems, por condicin de borde dielctrico-conductor:
s
E z y D s z

El voltaje V aplicado es igual a:
V E d dz
s s d Q d
inf 0

sup d
S
Y como C=Q/V despejando queda:
S
C [Farad] 3-45
d
Es preciso reiterar que la formula 3-45 es nicamente vlida para la

geometra de capacitor descrita (placas paralelas).
3.8.2 El capacitor coaxial
En este otro tipo de capacitor, se tiene dos cilindros metlicos

concntricos, altamente conductivos, de radio a[m] y b[m], con b>a, y de largo
L[m], que actan como terminales del capacitor. El espacio inter-cilindros se rellena
con un dielctrico de permitividad [F/m].
b
Se deja como ejercicio a +
encontrar la capacidad de este tipo de V
capacitor. Debe demostrar que la expresin es: -
L
2L
C [Farad] 3-46
ln(b/a)
Figura 3-25
3.8.3 El capacitor esfrico
Se tiene dos superficies esfricas metlicas concntricas, altamente

conductivas, de radio ra[m] y rb[m], con rb>ra, que actan como terminales del
capacitor.
El espacio inter-esferas se rellena con
un dielctrico de permitividad [F/m]. Se deja como
ejercicio encontrar la capacidad de este tipo de
capacitor. Debe demostrar que la expresin es:
4
C [Farad] 3-47
1 1

ra rb
Figura 3-26
Si hacemos rb entonces:
C 4 ra [Farad] 3-48

Se dice que esta ltima expresin corresponde a la capacidad de una

esfera metlica de radio ra . Pero hay que agregar que es la capacidad entre dicha esfera
y otra que es la superficie esfrica de radio infinito que la rodea.
3.8.4 El capacitor de placas paralelas con dos dielctricos distintos
Entre las dos placas paralelas de este capacitor se ubican dos materiales
dielctricos distintos. Uno de permitividad 1 ocupa un espesor d1 mientras que el otro
de permitividad 2 ocupa
un espesor d2. La
separacin entre las placas
-
es d1+d2. La superficie es V
S. Se aplica un voltaje V
2 d2
entre los terminales de este +
capacitor tal como se 1 d1
indica en la figura 3-27.
Figura 3-27
El voltaje aplicado produce intensidades de campo E1 y E2 en cada

dielctrico. Supondremos que E1 es uniforme en d1 y E2 es uniforme en d2. Entonces:

E
1 d E2 d E1d1 E2d2 V 3-49

d1 d2
Debido a que E1 y E2 son perpendiculares a la superficie de borde entre

ambos dielctricos se cumple en dicha superficie de borde que:
D 1 1E 1 D 2 2E 2 3-50
Reemplazando 3-50 en 3-49 queda:

1
V E1d1 E1d2
2
Luego:
V V V
E1 1E 1
1 d1 d2 d1 d2
d1 d2 1

2 1
2 1 2
En torno a la placa inferior se cumple que:
V
Q S1S D1S 1E1S
S CV
d1 d2

1 2
S 1 1 C1C2
C 3-51
d1 d2 d1 d2 1 1 C1 C2

1 2 1S 2S C1 C2
Aquellos que conocen los fundamentos de Teora de Circuitos

reconocern, en la ecuacin 3-51, la expresin de la capacidad equivalente de dos
capacitores en serie. Se sugiere investigar, para este ejemplo, otra forma de llenar el
espacio entre las placas del capacitor con dos dielctricos distintos ocupando cada uno
toda la separacin entre las placas pero repartindose la superficie S de las placas en dos
valores S1 y S2 tal que S1 + S2=S.

3.9 EL CAPACITOR COMO ELEMENTO DE CIRCUITO
Desde el punto de vista de Teora de Circuitos, un capacitor es un

elemento concentrado de dos terminales capaz de almacenar energa en un campo
elctrico interno. Al aplicar una diferencia de potencial, o voltaje, entre las dos
estructuras metlicas (o placas) que componen el capacitor, y que actan como sus
terminales, se produce la carga del condensador debido a la polarizacin del dielctrico.
En todo capacitor existe una relacin entre el voltaje V, aplicado entre los
terminales, y el valor Q de la carga que, como consecuencia, se produce. En el caso
particular del capacitor lineal invariante dicha relacin es una funcin lineal entre Q y V
del tipo:
QCV 3-52 Q
O bien m=C
Q
C [Farads] 3-53
V
V
Grficamente, esta relacin es
una lnea recta en el plano V-Q, que pasa por
el origen, con pendiente igual al valor de C tal
como se aprecia en la figura 3-28.
Figura 3-28
Aplicando la ecuacin 3-1 a la ecuacin 3-52 obtenemos:
dQ dv i(t)
i(t) i(t) C 3-54
dt dt
+
Integrando en el tiempo la ecuacin 3-54: v(t) C
-
v(t) i(t' )dt' i(t' )dt' i(t' )dt'

1 1 1
t 0 t
C - C - C0
Figura 3-29
C 0
1
t
v(t) v(0) i(t' )dt' 3-55
Las ecuaciones 3-54 y 3-55 implican que:
- la corriente en el capacitor no depende del valor del voltaje entre sus terminales si no
de cmo este voltaje cambia con respecto al tiempo.
- el capacitor est totalmente especificado por su capacidad C y su voltaje inicial v(0).
- si el valor de la intensidad de corriente permanece finito, entonces el voltaje en el
capacitor no puede tener discontinuidades en el tiempo.
El valor del mximo voltaje que un capacitor puede soportar entre sus
terminales depende de la caracterstica de aislacin del dielctrico que utiliza. Ello est
dado por la mxima intensidad de campo elctrico que el material dielctrico puede
soportar sin que conduzca corriente elctrica. A este valor lmite se le conoce como
rigidez dielctrica o ruptura dielctrica y se suele expresar en [Megavolts/m] o en
[Kv/mm].

En muchos materiales dielctricos, en especial los materiales slidos,

cuando se sobrepasa dicho valor de ruptura la corriente, que inevitablemente comenzar
a circular, produce la destruccin irreversible del material: habitualmente se quema. En
cambio en algunos materiales gaseosos, como el aire, la conduccin de corriente es un
fenmeno reversible y produce la emisin de luz, como aquella que se observa durante
las soldaduras al arco o en un relmpago durante una tormenta elctrica.
La tabla que sigue a continuacin muestra el valor del nivel de ruptura de

algunos materiales dielctricos.
VALOR DE RUPTURA DE ALGUNOS DIELCTRICOS
Ruptura dielctrica
Sustancia (MegaV/metro) (KiloV/mm)
Helio 0.15
Aire 0.4 - 3.0 (depende de la presin)
Almina 13.4
Vidrio de ventana 9.8- 13.8
Aceite de silicio, Aceite mineral 10-15
Benceno 16
Poliestireno 19.7
Polietileno 18.9-21.7
Goma de Neopreno 15.7-27.6
Agua pura 30
Vaco 20 - 40 (depende de la forma del electrodo)
Vaso de cuarzo 2 5 -4 0
Papel de cera 4 0 -6 0
Tefln 60
Mica 2 0 -7 0
Pelcula delgada de SiO2 >1000
Parafina 13.9
Papel parafinado 32 - 40 (depende del grosor de cada material)
3.10 POTENCIA Y ENERGA EN LOS CAPACITORES
Recordando el desarrollo de la seccin 3.4.1 podemos decir que para una

conexin general, como la de la figura 3-30, se cumple que:
i(t)
+
RED
FUENTE v(t)
ELCTRICA
-
Figura 3-30

La potencia elctrica que en un instante cualquiera (potencia instantnea)

fluye a travs de la puerta es:
p(t) v(t) i(t) [Watt]
Mientras que la energa transferida desde, o hacia, la fuente en el

intervalo desde to hasta t es:
W[to, t] p(t' )dt' v(t' )i(t' )dt' [Joule]

t t
to to
Pero, si en lugar de la red general tenemos un capacitor lineal invariante,
dv
entonces, ya sabemos que: i(t) C
dt
Luego:
dv
p(t) Cv(t) 3-56
dt
La ecuacin 3-56 nos ensea que: dado que v(t) puede ser positivo o
negativo sin restriccin y que su derivada tambin puede ser positiva (voltaje subiendo)
o negativa (voltaje bajando) sin restriccin, el producto de ambas puede ser positivo o
negativo. Ello significa que la potencia instantnea puede fluir hacia el capacitor
(potencia instantnea positiva) o desde el capacitor hacia el exterior (potencia
instantnea negativa) sin restriccin. Es preciso aclarar que cuando el capacitor est
entregando potencia hacia el exterior lo hace a partir de la energa que tiene almacenada
gracias a la polarizacin del dielctrico (no puede generar energa, slo la devuelve).
En cuanto a la energa transferida tenemos, para el mismo capacitor:
W[to, t] p(t' )dt' Cv(t' ) dt' Cvdv

dv
t t v(t)
to to
dt' v(to)
W[to, t]
1
2

C v 2 (t) - v 2 (to) 3-57
Luego:
* Si v(t) > v(to), entonces W[to,t] es (+); el capacitor recibi energa entre to y t, segn
lo muestra la figura 3-31a.
* Si v(t) < v(to), entonces W[to,t] es (-); el capacitor entreg energa entre to y t, segn
lo muestra la figura 3-31b.
* Si en el instante to, el voltaje inicial v(to)=0, luego segn lo muestra la figura 3-31c:
W[to,t]
1 2
2
Cv (t) (t)
E energa almacenada en el capacitor en el instante t
Cv2(t) Cv2(to) Cv2(t)

W(to,t)>0 W(to,t)<0
W(to,t)=E(t)
Cv2(to) Cv2(t)
Cv2(to)=0
(a) (b) (c)
Figura 3-31

Pero como: q(t)=C v(t) entonces:
(t) 12 Cv (t) 12 q(t)v(t) 21C q (t)

E
2 2
3-58
De acuerdo con la ecuacin 3-58 la energa almacenada en el capacitor

slo puede ser positiva o cero (nunca negativa). O sea, el capacitor: puede almacenar
ms o menos energa, puede entregar la energa almacenada pero nunca puede entregar
ms energa de la que ha almacenado.
3.11 LEYES FUNDAMENTALES DE LOS CIRCUITOS ELCTRICOS
Ahora veremos cmo, dos leyes fundamentales de circuitos: la ley de

Kirchhoff de voltaje (LKV) y la ley de Kirchhoff de corriente (LKC), son situaciones
particulares de relaciones fundamentales ya vistas del electromagnetismo.
En la figura 3-32 se muestra, a c

modo de ejemplo, un circuito sencillo de tres VCA +
ramas (una de ellas es una fuente de voltaje) y
tres nudos. Las tres ramas forman un lazo (un -
trayecto cerrado): a-b-c-a. A lo largo de dicho a -
lazo aplicamos la conocida relacin:
VBC
+
d 0
E +

-
VAB
L
Esta integral se puede b

descomponer en tres: una por cada rama:
Figura 3-32
E d E d E d 0
b c a
a b c
Cada integral es una diferencia de potencial, o voltaje; entonces:
VAB VBC VCA 0
O sea, la suma (algebraica) de los tres voltajes de rama es cero.

Generalizando para cualquier lazo de un circuito, o red, formado por N ramas, entonces:
V 0
N
i (L.K.V.) 3-59
i 1
En la figura 3-33 se muestra, a modo de ejemplo, un circuito sencillo de

cuatro ramas (una de ellas es una fuente de voltaje) y tres nudos. Tres de las ramas se
unen en el nudo c.
En una superficie cerrada en torno a dicho nodo aplicamos la conocida
relacin del principio de continuidad de la corriente elctrica:
S J ds dt
dQenc.

I1
Supondremos que no hay carga 1
S
almacenada, o encerrada, Qenc dentro de la I2
superficie S que rodea al nudo c. Las nicas a 2 c
densidades de corriente que atraviesan la I3
superficie S son las que circulan por las tres +
ramas conectadas al nudo; luego: Vf 3
-
S S1 S2 S3
dQenc.
J d s J 1 d s J2 d s J3 d s 0

dt
b
Figura 3-33
Cada una de las tres integrales de J1, J2 y J3, es la intensidad de corriente

que circula por las respectivas ramas: 1, 2 y 3, mientras que S1, S2 y S3 son las secciones
de los conductores que conectan dichas ramas al nodo c. Entonces, la ltima ecuacin
queda:
I1 I2 I3 0
O sea, la suma (algebraica) de las tres intensidades de corrientes de rama

conectadas al nudo c es cero. Generalizando, para cualquier nudo de un circuito, o
red, al cual se conectan N ramas, entonces:
I
N
k 0 (L.K.C.) 3-60
k 1
En conclusin, estas dos leyes fundamentales de la Teora de Circuitos o

Teora de Redes no son sino aplicaciones, a situaciones particulares de las redes o
circuitos, de relaciones fundamentales del electromagnetismo que hemos visto.
3.12 FUENTES DE ENERGA ELCTRICA
Es comn encontrar, en la literatura, diversas clasificaciones de las

fuentes de energa elctrica. As, por ejemplo se habla de fuentes renovables o no
renovables, dependiendo de si acaso la materia primaria utilizada para obtener la
energa es rpidamente renovable por la naturaleza o, bien, existe en cantidades
limitadas y, en consecuencia, es agotable. Tambin se suele mencionar que las fuentes
de energa elctrica pueden ser convencionales o no convencionales. Estas ltimas
corresponden a fuentes que se basan en desarrollos tecnolgicos recientes y que estn
an en fase de penetracin en el mercado elctrico. Algunas fuentes pueden ser usadas
para proveer cantidades limitadas de energa elctrica. Otras, en cambio, son fuentes
capaces de entregar cantidades masivas de energa elctrica.
En los apuntes que siguen nos concentraremos en sealar, de manera

descriptiva y breve, diferentes tipos de fuentes a partir de los distintos principios fsicos
en que se sustentan para producir la energa elctrica.
3.12. 1. Fuentes basadas en generadores rotatorios.
El elemento clave en este tipo de fuente de energa elctrica es el

generador elctrico basado en el principio de induccin de Faraday. Este tema ser
desarrollado en el captulo N 5, seccin 5.1, de estos apuntes. Por ahora podemos
afirmar que, cuando la superficie encerrada por las vueltas de una bobina de alambre es

atravesada por lneas de campo magntico y si la posicin de esa bobina, relativa al

campo magntico, vara con el tiempo, entonces entre los extremos de dicha bobina se
produce (se induce) una diferencia de potencial elctrico, o voltaje. En la prctica son
varias las bobinas enrolladas en lo que se denomina el rotor del generador y, para
producir la energa elctrica se requiere contar con energa cintica para girar dicho
rotor. Mientras ms energa elctrica queremos producir mayor es la energa cintica
que se debe proveer. Dependiendo del tipo de generador elctrico utilizado, el tipo de
corriente elctrica producida puede ser sinusoidal (o alterna): monofsica o polifsica o,
bien, constante (o continua).
La forma de obtener la energa cintica requerida por el rotor del

generador ha dado origen, dentro de esta categora, a una gran variedad de formas de
generacin. Se indicarn, a continuacin, algunas de estas formas, sin entrar a
compararlas en cuanto a ventajas o desventajas.
- Energa hidrulica. Se aprovecha la energa del movimiento del agua al pasar a travs
de una turbina hidrulica que transmite su movimiento rotatorio al generador. El agua
puede provenir de un embalse construido para tal propsito como ocurre en las grandes
centrales hidroelctricas. Tambin se puede aprovechar el flujo del agua en un ro
pequeo o una cada de agua para generacin de bajo nivel. Algunas veces se aprovecha
el movimiento del agua del mar en los cambios de las mareas o en el movimiento de las
olas.
- Energa elica. Se aprovecha la energa del movimiento del aire producido por el
viento, el cual mueve las aspas de una hlice. Dicha hlice, mediante un sistema
mecnico adecuado, transmite el movimiento al rotor del aerogenerador. Es cada vez
ms frecuente encontrar grupos de generadores elicos formando parques elicos.
Central hidroelctrica Rapel Parque elico Canela
- Energa trmica. En forma muy breve, podemos sealar que se aprovecha la energa
del vapor de agua de alta presin, producido en una caldera, para mover una turbina que
a su vez transmite su movimiento al rotor del generador elctrico. La fuente de la
energa calrica, requerida para producir el vapor de agua en la caldera, puede ser muy
diversa. As podemos citar: energa de combustibles tales como carbn, petrleo, gas
natural, biogs, etc., energa geotrmica, energa termonuclear, energa solar (mediante
la concentracin, gracias a espejos, de la luz solar para producir temperaturas elevadas
en algn lquido especial que a su vez calienta el agua para producir vapor), etc.
- Grupos electrgenos. En este caso el rotor del generador es movido gracias a un motor
convencional de combustin interna, usando gasolina o petrleo como combustible.
Estos grupos electrgenos son muy utilizados como fuentes de respaldo, en industrias,
centros comerciales, hospitales, etc., ante la interrupcin del suministro elctrico
principal. Tambin estos grupos se suelen usar como fuente principal en el caso de
instalaciones remotas o poblaciones aisladas hasta donde no llega el suministro elctrico
permanente.

Finalmente, y en un mbito ms bien anecdtico, podemos mencionar

que la energa humana tambin es usada para girar el rotor de algunos generadores. Ello
ocurre, por ejemplo, en las dnamos de las bicicletas que se mueven gracias a la energa
desplegada por el ciclista y, tambin, en algunos equipos radiotransmisores de
emergencia, que se instalan en botes salvavidas, de modo que los nufragos son quienes
deben girar el alternador para energizar el transmisor de emergencia.
3.12.2 Fuentes basadas en una reaccin qumica.
En estos dispositivos, tales como las pilas elctricas, la energa

qumica es convertida en energa elctrica gracias a algn proceso qumico. Todas las
pilas contienen: un electrolito, un electrodo positivo y un electrodo negativo. En la
conocida pila de carbn-cinc los electrodos son, precisamente, una barra de carbono
en el centro (terminal positivo) y un recipiente cilndrico de cinc (terminal negativo).
El electrolito puede ser: lquido, slido o en pasta. Cuando los
electrodos reaccionan con el electrolito, en el electrodo conocido como nodo se
liberan electrones a travs de un proceso de oxidacin. Cuando los electrones sobrantes
del nodo pasan al ctodo (el cual tiene una deficiencia de electrones), a travs de un
circuito o elemento conductor conectado externamente a los electrodos de la pila (o
terminales) se produce un flujo de electrones; o sea, se produce una corriente elctrica.
Las pilas tienen una duracin limitada ya que, eventualmente se agotan
y es necesario desecharlas. Ello se debe a que el proceso qumico, que permite la
obtencin de la energa elctrica, es irreversible. A este tipo de pila se le conoce
tambin como pila primaria o voltaica
Existen otros dispositivos en los cuales el proceso qumico antes descrito
es reversible y por lo tanto permite su reutilizacin. En estos elementos, conocidos
como pilas secundarias o acumuladores o, tambin, bateras, el electrolito, cuya
reaccin con los electrodos produce la energa elctrica, puede ser reconstituido
haciendo circular una corriente elctrica en sentido opuesto a travs de l. Gracias a este
proceso podemos cargar la batera o pila. Uno de los dispositivos ms conocidos, de
este tipo, es la batera de automvil. Tambin se puede mencionar, como otro ejemplo,
las pilas o bateras recargables: de nquel-cadmio, de in-litio, etc.
Dentro de esta seccin se estim conveniente incluir las celdas de
combustible o fuell cell, tales como aquellas conocidas como celdas de hidrgeno.
Estas celdas tambin aprovechan la energa de una reaccin qumica, especficamente
del hidrgeno con el oxgeno, para generar electricidad produciendo agua como
subproducto. Las celdas de combustible, por ejemplo, fueron incorporadas por la NASA
en las naves Apolo y en los ms recientes transbordadores espaciales. Si bien se trata de
un dispositivo electroqumico de conversin de energa similar a una batera, estas
celdas se diferencian de las bateras por cuanto las celdas permiten generar electricidad
ininterrumpidamente en tanto cuenten con el abastecimiento de los reactivos que
requiere. Las bateras secundarias, en cambio, almacenan una cierta cantidad de energa
en su interior y, en consecuencia, slo pueden entregar esa cantidad de energa al
exterior, tras lo cual deben ser recargadas.
En las ltimas dcadas se ha producido un notable desarrollo en las

tecnologa de las bateras buscando, entre otras cosas: almacenar mayor energa por
volumen, recargar la batera en un tiempo ms breve, permitir un mayor nmero de
recargas. etc. Los principales impulsores de este desarrollo han sido el creciente inters
por los vehculos elctricos y el explosivo crecimiento en el uso de dispositivos
porttiles tales como: smart phones, tablets y notebooks.
3.12.3 Fuentes basadas en la accin directa de la luz.
El dispositivo clave en la generacin directa de electricidad a partir de la

luz es conocido como fotocelda, celda fotoelctrica o celda fotovoltaica. Debido

a que, muchas veces, es la luz del sol la que se aprovecha en este tipo de generacin,
estos dispositivos son tambin conocidos como celdas solares. Sin embargo, la luz
generada artificialmente, como en los sistemas de iluminacin elctrica, es tambin
utilizable como, por ejemplo, en algunas calculadoras electrnicas sencillas.
Las celdas fotovoltaicas basan su funcionamiento en el efecto
fotoelctrico. Este efecto consiste en que ciertos materiales semiconductores
transforman la energa lumnica de los fotones que inciden en su superficie, en energa
elctrica, crendose la circulacin de electrones libres, emitidos por la energa de la luz.
Los paneles fotovoltaicos o paneles solares se construyen agrupando
un cierto nmero de celdas en serie para obtener un voltaje de algn nivel deseado como
por ejemplo 12 [Volts] o 24[Volts] ya que, al igual que en los procesos electroqumicos,
la diferencia de tensin o voltaje generado es fijo y pequeo para cada situacin. Por
otra parte, la conexin en paralelo de varios paneles permite obtener un nivel de
intensidad de corriente generada ms elevado.
Es preciso sealar que el tipo de corriente elctrica obtenida por estas
fotoceldas es de corriente constante en el tiempo o continua. Por ello, para ciertas
aplicaciones, se requiere de dispositivos convertidores de potencia si se desea obtener
una corriente sinusoidal o alterna. Esto mismo es vlido para el caso de las fuentes
descritas anteriormente en la seccin 3.12.2.
Proyecto Pozo Almonte, desierto de Atacama
3.12.4. Fuentes basadas en el efecto termoelctrico.
El principio que fundamenta este tipo de fuente es el denominado efecto

termoelctrico, descubierto por Thomas Seebeck. Cuando se calienta la unin entre dos
materiales distintos se crea una diferencia de potencial en los extremos no calentados de
dichos materiales. Si esos extremos se conectan a algn circuito se produce la
circulacin de una corriente elctrica. Para aplicaciones prcticas se necesitan
materiales con un alto coeficiente Seebeck, de alta conductividad elctrica y baja
conductividad trmica. Estos generadores termoelctricos convierten directamente calor
en electricidad.
Una configuracin tpica se basa en un quemador a gas licuado que
calienta numerosos mdulos termoelctricos (termopilas), conocidos tambin como
termopar o termocupla. Cada termopar, o termocupla, genera una tensin muy baja, del
orden de los milivolts, pero suelen tener una buena capacidad de corriente de salida. Es
necesario sealar que las termocuplas tambin tienen una aplicacin importante en el
rea de instrumentacin como transductores para la medicin de temperatura
A modo de ejemplo podemos citar que una unidad termogeneradora
prctica se puede construir con unas 80 termocuplas, conectados en serie obtenindose
voltajes de salida del orden de 6,7 [V] y potencias del orden de 120 [W]. Los
generadores termoelctricos son una solucin muy confiable, sencilla y econmica para

proveer de energa elctrica en bajos niveles de potencia, no mayor que 1 o 2[kW], en

instalaciones rurales o para instalaciones muy remotas de difcil acceso. Al igual que en
casos anteriores, con este tipo de generacin obtenemos corriente constante en el
tiempo, o sea, corriente continua.
3.13 EJERCICIOS RESUELTOS DEL CAPTULO N 3.
Ejercicio 3-1
Se sabe que en una regin del espacio existe una corriente elctrica que ocupa el
volumen que se describe a continuacin en el SCC: 3r7; 0/2; -4z+4.
a) Si la corriente que circula tiene una intensidad
Ia=10[A] y si la densidad de corriente es solamente z
J J r r[A / m2 ] encuentre la expresin de Jr

+4 r=3
b) Si, ahora, la corriente que circula tiene una r=7
intensidad Ib=12[A] y si la densidad de corriente es

solamente J J [A / m 2 ] encuentre la expresin de J

-4
c) Si, ahora, la corriente que circula tiene una =0
intensidad Ic=14[A] y si la densidad de corriente es
solamente J J z z[A / m 2 ] encuentre la expresin de Jz

Sol.
a) Se sabe que J es solamente J r r y que la intensidad es Ia=10[A]. Luego:

I a J d s J r r rddzr J r rddz 10[A]

s s s
Pero como la corriente Ia no es funcin de r entonces la densidad de corriente debe ser:
J r , sustituyendo queda I a rddz k (4 4) 4 k 10

k k
/2 4
r 0 z 4
r 2
2,5 2,5
Despejando: k . Finalmente J r [A / m 2 ]
r
y que la intensidad es Ib=12[A]. Luego:

b) Se sabe que ahora J es solamente J

I b J d s J drdz J
7 4
drdz J (7 3)(4 4) 32J 12

s s r 3 z 4
Despejando J 0,375[A / m ]
2
c) Se sabe que J es solamente J z z y que la intensidad es Ic=14[A]. Luego:

I c J d s J z z rddrz J z rddr 14[A]

s s s
Pero como la corriente Ic no es funcin de r entonces la densidad de corriente debe ser:
J r , sustituyendo queda I a rddr k (7 3) 2 k 14

k k
/2 7
r 0 r 3
r 2
7 7 2,2281
Despejando: k . Finalmente Jr [A / m 2 ]
r r
o - o - o - o - o

Ejercicio 3-2
Un material conductor de conductividad =12x10-3 [S/m] ocupa un volumen que, en el
SCE, est dado por: /43/4; 02; arb. Siendo a=3x10-2[m] y b=5x10-2[m].
Las superficies de r=a y r=b se recubre con una lmina hecha de un material de altsima
conductividad, las que sern los terminales de un resistor que se fabrica con ese trozo de
material conductor.
a) Encuentre la resistencia de ese resistor.
b) Si se sabe que ese material conductor permite una densidad de corriente no mayor de
Jmax= 50 [A/m2] sin que se dae, encuentre:
b.1) el voltaje mximo Vmax que se puede aplicar entre los terminales de ese resistor
sin que este se dae
b.2) la potencia mxima Pmax que se puede disipar en dicho resistor sin que se dae.
Sol.
a) Debido a que las superficies para r=a y r=b son los terminales del resistor y dado que
esas superficies estn recubiertas por una material muy conductivo, entonces tales
superficies deben ser equipotenciales. Como consecuencia de lo anterior, el vector de
intensidad de campo E que exista en el material conductor tendr que ser perpendicular

a las superficies equipotenciales r=a y r=b. O sea: E E r r , solamente. Aplicando la

forma puntual de la ley de Gauss en el material conductor, y ya que ste no est

elctricamente cargado, entonces se debe cumplir que:
1 (r 2 E r )
E (E r r ) 0 2
0 . Hemos obtenido una ecuacin diferencial

r r
para Er cuya solucin es:
k
E r 2 , donde k es una constate por determinar. Para ello, siendo V un voltaje
r
aplicado escribimos:
V E d 2 dr k k k
b k 1 1 1 1 1
b b
13,33k k 0,075V
a a
r ra a b 0,03 0,05
0,075V 3 0,075V 9x104 V
Luego: E r J E 12x10
r2 r2 r2
r r
I J d s J r ds r J r r 2sendd
9x104 V 2
3 / 4 2
r sendd

s s s / 4 0
r 2
send 9x10
3 / 4
I 9x104 V 2 V 2[cos ] / 4 9x104 V 2(2x 0,707)
4 3 / 4
/ 4
Luego I 7,9959 x10 V

3
V 1
Despejando R 125,06[]
I 7,9959x103
b.1) En el desarrollo del punto anterior obtuvimos la siguiente expresin

9x104 V
J r E r . El mximo valor de Jr ocurrir para el mximo valor de V y
r2
para el mnimo valor de r. O sea:
9x104 Vmx 9x104 Vmx
mxJ r 50
rmn
2
(3x102 ) 2
(3x102 ) 2
Despejando se llega a Vmx 50 50[Volts]
9x104

b.2) La potencia mxima Pmx se producir cuando se aplique el voltaje mximo Vmx.
(V ) 2 50 2
O sea: Pmx mx 20[ Watts]
R 125,06
o - o - o - o - o
Ejercicio 3-3
Se desea fabricar un resistor de forma cilndrica, que tiene un largo L y una seccin
circular uniforme de radio ro.
Los terminales se ubican entre los extremos separados a la
distancia L. El resistor se construye con un material que tiene
una conductividad igual a 0,09 [S/m] y que puede soportar ro
una mxima densidad de corriente de 100 [A/m2] sin L

destruirse.
Encuentre los valores adecuados del radio ro y del largo L,
ambos en [cm] para que el resistor tenga una resistencia de 800
[Ohms] y pueda disipar una potencia mxima de 25 [watts].
Sol.
Pmx 25
Ya que P I 2 R Pmx I mx R I mx 0,1767[A]
2
R 800
Suponiendo que la densidad de correinte es uniforme en la seccin del resistor, luego:
I mx J mx d s J mxS J mx ro2 ro
I mx 0,1767
0,02372

s
J mx 100
luego : ro 2,37[cm]
Ya que la resistencia es:
L L
R L ro2 R
S ro2
L 0,09 (0,02372) 2 800 0,12728
L 12,73[cm]
o - o - o - o - o
Ejercicio 3-4
Se desea fabricar un resistor de forma cilndrica hueca. El radio interior es a y el radio
exterior es c, mientras que, a lo largo, el cilindro se extiende desde z= L/2 hasta
z=+L/2 (SCC). z
El material conductivo, que ocupa el espacio: entre
los radio a y c, y desde z= L/2 hasta z=+L/2,
tiene una conductividad que vara con r segn la a
expresin = Ar [S/m]. +L/2
a) encuentre la resistencia de este resistor si la +
c
diferencia de potencial V se aplica entre las caras
ubicadas en z=+L/2 y en z= L/2 (o sea, estas caras
actan como terminales del resistor) V
b) si el mximo valor posible de densidad de -L/2
corriente en el material conductor es Jmax= K [A/m2]
encuentre el mximo valor permitido de voltaje, o -
mxima diferencia de potencial, entre los terminales
de este resistor.

Sol.
a) Al aplicar el voltaje V entre las caras ubicadas en z=+L/2 y z=-L/2, el vector
intensidad de campo elctrico E resultante en el material conductor slo tendr

componente z, es decir E E z z . Entonces:

E z dzz E dz E L E L
V
L/2 L/2
V z z z z
- L/2 - L/2
V V
Entonces la densidad de corriente slo tendr componente: J z E z Ar
L L
Luego: I J d s J z z rddrz L L r a
V V 2AV r 3
2 c c c
Ar rd dr A 2 r dr
2
S S 0 r a
L 3 a
2AV c 3 a 3
I ; luego, despejando la razn entre V e I queda
L 3
V 3L
R [Ohms]
I 2A(c3 a 3 )
b) Se sabe que el mximo valor posible de la densidad de corriente es J mx K[A / m ]

2
V V
Pero en el punto anterior se obtuvo que J z Ar , entonces J mx Armax max
L L
LJ mx
despejando: Vmax . Pero Jmx=K y rmx=c.
Armx
LK
Sustituyendo: Vmax [Volts]
Ac
o - o - o - o - o
Ejercicio 3-5
El plano x=0 separa a dos materiales dielctricos perfectos. Toda la regin para x<0 est
ocupada por un dielctrico 1 cuya permitividad relativa es de 16, mientras que todo la
regin para x>0 est ocupada por el dielctrico 2 cuya permitividad relativa es de 8. En
ambas regiones la densidad de cargas libres es cero.
Se sabe que inmediatamente al lado negativo del plano x=0 (sea para un plano x= -, con
0) la intensidad del campo elctrico est dada por: E1 3x 5y 2z

Encuentre la expresin vectorial de E 2 inmediatamente al lado positivo del plano x=0; o

sea para el plano x= +, con 0)
Sol.
1
Las condiciones de borde que aplican en este caso son: E tan2 E tan1 y E n2 E n1
2
En este caso E n1 3x y, adems, E tan1 5y 2z

16 o
por lo tanto E n2 1 E n1 3x 6 x y E tan2 E tan1 5y 2z

2 8 o
Juntando ambos resultados obtenemos finalmente:
E 2 E n2 E tan2 6x 5y 2z

o - o - o - o - o

Ejercicio 3-6
Se tiene un capacitor coaxial formado por dos cilindros concntricos altamente
conductivos. El cilindro interior tiene radio r1 [m] y el cilindro exterior (hueco) tiene un
radio interior r2 [m] (con r2 >r 1). El largo de los cilindros es d[m]. En un instante
inicial to el espacio intercilindros slo est lleno de aire y entre los terminales del
capacitor se aplica una fuente con una diferencia de potencial de magnitud Vo [volts].
Posteriormente, y sin desconectar la fuente, se
empieza a llenar el espacio intercilindros con una z
pasta dielctrica de tefln con permitividad relativa
igual a 7, hasta que en el instante t1 el espacio
intercilindros est completamente lleno con ese
+
r1
dielctrico.
Encuentre las expresiones de: r2
Vo
a) el valor que tienen en to : i) la capacidad, ii) la
d -
carga y iii) la energa almacenada en el
capacitor
b) el valor que tienen en t1 : i) la capacidad, ii) la
carga y iii) la energa almacenada en el
capacitor
Sol.
a) en to sabemos que el dielctrico tiene =o luego:
; Ea Ca Vo o o
2 o d 2 o dVo 1 dV
2
Ca ; Q a Ca Vo
2
ln(r2 / r1 ) ln(r2 / r1 ) 2 ln(r2 / r1 )

b) en t1 sabemos que el dielctrico tiene =7o luego:
; Ea Ca Vo
14 o d 14 o dVo 1 7 o dVo
2
Cb ; Q a Ca Vo
2
ln(r2 / r1 ) ln(r2 / r1 ) 2 ln(r2 / r1 )
Sugerencia: repita el ejercicio pero suponiendo ahora que inmediatamente despus de to

se desconecta la fuente de voltaje y se repite el resto del proceso con la fuente
desconectada.
o - o - o - o - o
Ejercicio 3-7
Se tiene un condensador formado por dos cilindros metlicos altamente conductivos,
concntricos, de longitud L[m], que actan como terminales de un capacitor. El cilindro
interior tiene radio exterior Ri [m]. El cilindro exterior hueco tiene radio Rc [m] (Ri<Rc).
Entre ambos cilndricos se distribuyen dos materiales dielctricos, de permitividades 1 y
2 [F/m]. Ambos dielctricos ocupan el espacio entre Ri y Rc.
El primero para todo entre 0 y 180 y el segundo z
para todo entre 180 y 360 (SCC).
Entre el cilindro exterior y el interior se aplica una 1 +
diferencia de potencial Vo (por determinar) de manera 2
tal que, en el dielctrico de permitividad 1 se produce Ri 1 Vo
una densidad de flujo elctrico dada por: Rc 2
K -
D1 r[A / m ] siendo K un dato conocido.
2
L
r
Determine:
a) La expresin del voltaje Vo [volts] aplicado entre los
cilindros.
b) La expresin de la densidad de flujo elctrico D2 en

el dielctrico de permitividad 2.

c) La expresin, o las expresiones (si existe ms de una), de la densidad de carga en la

superficie del cilindro exterior.
d) La expresin de la carga Q [Coulombs] total en el cilindro exterior.
(NOTA: se conocen L, Ri, Rc, K, 1 y 2 )
Sol.
K K
a) Se sabe que D1 r[A / m ] luego E1 r (Ri<r< Rc). Luego:
2

r 1r
Vo r drr dr
K K K o dr K
Ro R R
Vo ln(R c R i )
o
r
Ri 1 Ri 1
r 1 R i r 1
b) Las superficies de borde entre ambos dielctricos se producen para los semiplanos de
=0 y =180. All se deben cumplir las relaciones
D D
E tan1 E tan2 tan1 tan2 . Debido a que, en ambos dielctricos, slo existe
1 2
componentes Dr ellas son naturalmente tangenciales y en consecuencia podemos
D1 D2

K
escribir: D 2 2 D1 D 2 2 r

1 2 1 1 r
c) En la superficie de borde entre los dielctricos y la superficie del cilindro conductor
exterior (para t=Rc) se deben cumplir las condiciones:
K
s1 D1 para 0 180 y para 0 z L

Rc
K
s2 D 2 2 para 180 360 y para 0 z L

1 R c
d) La carga total se puede expresar como
K K
Q TOT s1S1 s 2S2 R c L 2 R c L
Rc 1 R c
) KL(1 2 ) 1
2
Q TOT KL(1
1
o - o - o - o - o
Ejercicio 3-8
Un material dielctrico de permitividad ocupa un volumen que en el SCE est definido
como: a<r<b; 1<<2; 1<< 2;
a) Si las superficies r=a y r=b se recubren cada una
con un lmina altamente conductiva para que
acten como terminales de un capacitor encuentre 2
b
la capacidad Ca de dicho0 capacitor. a
b) Si, ahora, las superficies =1 y =2 se 1
recubren cada una con un lmina altamente O
conductiva para que acten como terminales de un
1
capacitor encuentre la capacidad Cb de este nuevo
capacitor. 2
c) Si, ahora, las superficies =1 y =2 se
recubren cada una con un lmina altamente
conductiva para que acten como terminales de un
capacitor encuentre la capacidad Cc de este nuevo
capacitor.
Ayuda: para la solucin puede suponer que se aplica un voltaje Vo entre los terminales
aunque ese valor no deber aparecer en sus resultados.

Sol.
a) en este caso las superficies altamente conductivas que actan como terminales son las
caras de r=a y r=b. Entonces las superficies de r uniforme dentro del dielctrico son
equipotenciales. Y como E debe ser perpendicular a las lneas de potencial entonces E

slo puede tener componente r; o sea: E E r r . Si en el dielctrico no existen cargas

1 (r 2 E r )
libres se debe cumplir que D E 0 2 0

r r
k
Hemos obtenido una ecuacin diferencial cuya solucin es del tipo E r 2 , donde k
r
es una constante por determinar. Para esto supondremos un voltaje Vo aplicado entre los
terminales del capacitor. Luego: Vo E d E r r drr 2 dr k1 a 1 b

k k
b b

L L a
r ra
Vo Vo Vo
. Entonces obtenemos: E r Dr
1 a 1 br 1 a 1 br 2
Despejando: k
1 a 1 b 2 y
Por condicin de borde entre un dielctrico y una superficie conductora, para la

Vo
superficie de borde en r=b se debe cumplir sb D r (b)
1 a 1 bb2
Luego la carga total en la superficie conductora (placa) para r=b ser:
QTOT sbds sb b 2sendd
Vo
b 2sen d d
1 a 1 bb2

Vo Vo

sendd ( - )(cos 1 cos 2 )

1 a 1 b 1 1 1 a 1 b 2 1
2
QTOT
2
Despejando la razn Q/Vo obtenemos la capacidad:
(2 - 1 )(cos 1 cos 2 )
C
1 a 1 b
[Farads]
b) en este segundo caso las superficies altamente conductivas que actan como
terminales se fijan a las caras de =1 y =2. Entonces las superficies de uniforme
dentro del dielctrico son equipotenciales. Y como E debe ser perpendicular a las lneas

de potencial entonces E slo puede tener componente ; o sea: E E . Si en el

dielctrico no existen cargas libres se debe cumplir que:

1 (sen()E )
D E 0 0

r sen
k
Hemos obtenido una ecuacin diferencial cuya solucin es del tipo E r , donde
sen
k es una constante por determinar. Es fundamental aclarar que desde el punto de vista
de la solucin de la ecuacin diferencial k es una constante slo con respecto a la
variable pero podra ser funcin de r y/o . Eso se deber verificar ms adelante.
Para encontrar k supondremos un voltaje Vo aplicado entre los terminales del
Vo E d E rd
k
2
capacitor. Luego: r d

L L 1
sen
Al observar la ltima integral tendramos que sacar r fuera de la integracin ya que

esta operacin es en la variable . Pero al sacar r hacia afuera, el voltaje Vo
quedara como funcin de r lo cual es inaceptable. Ello se debe a que cada lmina

metlica que acta como terminal del capacitor, al ser altamente conductiva, es
equipotencial y la diferencia de potencial entre ellas debe ser un solo valor que no puede
depender de r ni de . Entonces definimos la constante k como: k=k/r.
Sustituyendo en la ltima integral:
Vo rd k' k ' ln[tg(/2)] 2 k ' ln[tg( 2 /2)] - ln[tg(1/2)]

k' /r d
2 2

1
sen 1
sen 1
Despejando la constante llegamos a:

Vo
k'
ln[tg( 2 /2)] - ln[tg(1/2)]
Reemplazando en la expresin de Er obtenemos:
Vo Vo
Er y Dr
r sen()ln[tg( 2 /2)] - ln[tg(1/2)] r sen()ln[tg( 2 /2)] - ln[tg(1/2)]

superficie de borde en =1 se debe cumplir:
Vo
s1 D (1 )
r sen(1 )ln[tg( 2 /2)] - ln[tg(1/2)]
Luego la carga total en la superficie conductora (placa) para =1 ser:

QTOT s1 ds s1 rddr
Vo
rddr
r sen(1 )ln[tg( 2 /2)] - ln[tg(1/2)]
sen(1 )ln[tg( 2 /2)] - ln[tg(1/2)] 1 r a

Vo Vo (2 - 1 )(b-a)
b
QTOT
sen(1 )ln[tg( 2 /2)] - ln[tg(1/2)]
2
d dr
(2 - 1 )(b-a)
C
sen(1 )ln[tg( 2 /2)] - ln[tg(1/2)]
[Farads]
c) en este tercer caso las superficies altamente conductivas que actan como terminales
se fijan a las caras de =1 y =2. Entonces las superficies de uniforme dentro del
dielctrico son equipotenciales. Y como E debe ser perpendicular a las lneas de

potencial entonces E slo puede tener componente ; o sea: E E . Si en el

dielctrico no existen cargas libres se debe cumplir que:

1 E
D E 0 0

r sen
Hemos obtenido una ecuacin diferencial cuya solucin es del tipo E k , donde k
es una constante por determinar. Es fundamental aclarar que desde el punto de vista de
la solucin de la ecuacin diferencial k es una constante con respecto a la
variable; pero podra ser funcin de r y/o . Eso se deber verificar ms
adelante. Para encontrar k supondremos un voltaje Vo aplicado entre los terminales
del capacitor. Luego:
Vo E d E rsen()d krsen()d
2

L L 1
Al observar la ltima integral tendramos que sacar r y sen() fuera de la

integracin ya que esta operacin es en la variable . Pero al sacar r y sen()
hacia afuera, el voltaje Vo quedara como funcin de r y de lo cual es inaceptable.
Ello se debe a que cada lmina metlica que acta como terminal del capacitor, al ser

altamente conductiva, es equipotencial y la diferencia de potencial entre ellas es un solo

valor que no puede depender de r ni de . Entonces definimos la constante k
como: k=k/(r sen(). Sustituyendo en la ltima integral:
Vo krsen()d r sen()d k' d k'(2 - 1 ) despejando k queda:

k'
2 2 2
1 1
r sen() 1
Vo
k' Reemplazando en la expresin de E obtenemos:
(2 - 1 )
k' Vo Vo
E k y D
r sen() r (2 - 1 ) sen() r (2 - 1 ) sen()

superficie de borde en =1 se debe cumplir:
Vo
s1 D (1 )
r (2 - 1 ) sen()
Luego la carga total en la superficie conductora (placa) para =1 ser:
QTOT s1 ds s1 rddr
Vo
rddr
r (2 - 1 ) sen()

Vo ddr (b a )Vo d (b a)Vo
b 2
QTOT ln [tg( / 2)] 2

(2 - 1 ) 1 r a sen() (2 - 1 ) 1
sen() (2 - 1 ) 1
QTOT
(b a )Vo
ln[tg( 2 /2)] - ln[tg(1/2)]
(2 - 1 )
(b a )ln[tg( 2 /2)] - ln[tg(1/2)]

C [Farads]
( 2 - 1 )
o - o - o - o - o
__________________
Fin del captulo N 3
Raimundo Villarroel V.
Marzo, 2016.

Capítulo N°3-1s2016

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Capítulo N°3-1s2016

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APUNTES DE ELECTROMAGNETISMO 2 ed.

Raimundo Villarroel Valencia

3.1 CORRIENTE ELCTRICA Y DENSIDAD DE CORRIENTE ELCTRICA

Por otra parte, podemos anticipar que la densidad de corriente J debiese

Observemos este movimiento de cargas, separadamente, por sus

Captulo3: Conductores y Dielctricos Pgina 3- 1 -

Podemos expresar Q como:

A la densidad de corriente causada por el movimiento de cargas libres

3.2 PRINCIPIO DE CONTINUIDAD DE LA CORRIENTE ELCTRICA

El principio de conservacin de las cargas elctricas establece que las

Entonces la intensidad de corriente I (total neta) que atraviesa toda la

Debido al producto escalar entre J y d s en el integrando, en esta integral

la superficie S, est saliendo de ella. Cuando el ngulo entre J y d s es mayor de

Captulo3: Conductores y Dielctricos Pgina 3- 2 -

Si la integral de la ecuacin 3-4 es cero, ello significa que la corriente

(a) (b) (c)

La figura 3-4a muestra un cilndrico metlico de 1[m] de dimetro, o algo

Captulo3: Conductores y Dielctricos Pgina 3- 3 -

Llevando lo anterior a una ecuacin podemos escribir el principio de

Invocando el teorema de divergencia en la ecuacin 3-5 se obtiene:

Dado que la primera y la tercera integral son iguales, sin importar la

La ecuacin 3-6 tambin corresponde al mismo principio de continuidad

3.3 CONDUCTORES METLICOS, RESISTORES Y RESISTENCIA

Nos basamos en el conocido modelo simple de los tomos, compuesto

(+) Banda de conduccin

Bandas ocupadas por

Captulo3: Conductores y Dielctricos Pgina 3- 4 -

(+) Banda de conduccin

Bandas ocupadas por

(-) los electrones

Si entre los extremos de un trozo de material conductor aplicamos una

la intensidad del campo E que produce el movimiento y un parmetro caracterstico de

Captulo3: Conductores y Dielctricos Pgina 3- 5 -

Valores tpicos de la movilidad en algunos metales conocidos son:

Mientras mayor sea la movilidad de un material, mayor es la

En la ecuacin 3-3 vimos la relacin: J U ; reemplazando la ecuacin

3-7 en la ecuacin 3-3 queda:

Donde e es la densidad de los electrones de conduccin en el material.

Algunos textos definen, tambin, el parmetro conocido como

iii) son isotrpicos; ello significa que el comportamiento del conductor es

El valor de la conductividad y, en consecuencia, el de la resistividad,

Captulo3: Conductores y Dielctricos Pgina 3- 6 -

Entonces, al subir la temperatura la densidad e aumenta y, al mismo

Es necesario precisar que la corriente elctrica no slo se produce en los

Ahora veremos los resistores y la resistencia de los resistores.

Entre los extremos a y b, separados a la distancia L, se aplica una

J cuya integral en la seccin S, nos da la intensidad I de la corriente que circula.

Se aprecia que existe una relacin directa entre el voltaje aplicado, o

Captulo3: Conductores y Dielctricos Pgina 3- 7 -

Tambin se suele utilizar, en forma alternativa, el parmetro denominado

Para el caso de un cuerpo conductor de la figura 3-7, de largo L, seccin

Veamos dos ejemplos:

a.- Encuentre el valor de resistencia de un trozo de alambre de 100m. de largo, de

b.- Encuentre el valor de la resistencia de un disco hecho de material conductor.

Captulo3: Conductores y Dielctricos Pgina 3- 8 -

Ahora veremos un resistor con una geometra distinta: el resistor coaxial.

Dicho resistor est formado por dos lminas cilndricas concntricas,

Entre las lminas cilndricas se aplica una diferencia de potencial V. Ello

Pero como E Err (solamente) entonces

V E d Erdr dr C ln(r) a C ln(b a )

Ahora calcularemos la intensidad de corriente que circula por este

Captulo3: Conductores y Dielctricos Pgina 3- 9 -

Despejando V sobre I obtenemos la expresin de la resistencia R del