Anda di halaman 1dari 20

TUGAS MINGGU KE- 7

ELEKTRONIKA DASAR 2

PENGUAT GANDENGAN RC

NAMA : Syafri
NIM/TM : 15033082/2015
PRODI : Pendidikan Fisika B 2015
DOSEN : Drs. Hufri, M.Si
KELOMPOK : Sepuluh (10)

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI PADANG
2017
PENGUAT GANDENGAN RC

A. Rangkaian Penguat Differensial


Rangkaian RC adalah rangkaian yang didalamnya terdiri dari suatu resistor R
dan kapasitor C. Contoh penguat dengan gandengan RC adalah penguat emitor
ditanahkan seperti yang ditunjukkan oleh Gambar

Pada gambar diatas, Cjc menyatakan kapasitansi didalam transistor yang


timbul pada sambungan antara basis dan kolektor, oleh karena adanya daerah
pengosongan pada sambungan p-n ini. Kapasitansi Cje menyatakan kapasitansi yang
timbul pada sambungan p-n antara basis dan emitor.
Oleh karena pengaruh kapasitansi yang ada di dalam penguat, nilai penguatan
tegangan Gv berubah dengan frekuensi. Grafik yang melikiskan bagaimana penguatan
tegangan (biasanya dalam dB) berubah dengan frekuensi (biasanya dalam skala log)
disebut tanggapan amplitudo. Dibawah ini adalah contoh dari tanggapan amplitudo
suatu penguat.
Pada gambar diatas, frekuensi f1 disebut frekuensi potong bawah, dan
frekuensi f2 disebut frekuensi potong atas. Daerah frekuensi di sekitar f1 dan di
bawahnya disebut frekuensi rendah, sedang antara f1 dan f2 tanggapan amplitudo tak
berubah dengan frekuensi. Daerah frekuensi ini disebut daerah frekuensi tengah.
Daerah frekuensi di sekitar dan di atas f2 disebut daerah frekuensi tinggi.
Pada daerah frekuensi rendah, penguat berlaku sebagai tapis lolos tinggi

G ( )
dengan f1 adalah kutub daripada fungsi alih . Pada daerah frekuensi tinggi, yaitu
di sekitar f2 dan diatasnya penguat berlaku sebagi suatu tapis lolos rendah. Pada

1
C
frekuensi tinggi X = untuk kapasitansi ini mempunyai nilai yang cukup rendah
sehingga harus di perhitungkan peranannya dalam mengurangi arus isyarat yang
masuk kedalam basis yang akan diperkuat menjadi arus kolektor. Pada daerah
frekuensi tinggi kapasitansi seri seperti C1, C2, dan CE boleh dianggap terhubung
singkat.
Pada daerah frekuensi tengah kapasitansi seri seperti C1, C2, dan CE

1
C
mempunyai reaktansi X = cukup kecil sehingga dapat dianggap terhubung
singkat. Sedang kapasitansi paralel seperti Cje dan Cjc mempunyai nilai amat kecil,
menghasilkan reaktansi amat tinggi sehingga dapat dianggap terbuka atau tidak
terpasang. Akibatnya pada daerah frekuensi tengah tidak ada komponen reaktif,
sehingga tanggapan amplitudo menjadi tidak bergantung pada frekuensi (datar).
Tanggapan amplitudo pada daerah frekuensi rendah dipengaruhi oleh
kapasitansi yang seri dengan arus isyarat, yaitu kapasitor penggandeng C1 dan C2
serta kapasitor pintas emitor CE.. Pengaruh kapasitor penggandeng C1 dan C2
berkaitan dengan pengaruh kapasitor pintas emitor CE.
a. Pengaruh Kapasitor Penggandeng.
Pada bagian ini pengaruh kapasitor pintas emitor CE. tidak diperhatikan. Kita
anggap CE. mempunyai nilai sangat besar, sehingga nilai reaktansi

1
Xc E
C E
amat kecil, atau CE. dapat dianggap terhubung singkat.

Dibawah ini adalah gambar rangkaian penguat dan rangkaian setaranya.

Rangkaian Penguat

Rangkaian Setara
b. Pengaruh Kapasitor Pintas Emitor.
Kita anggap sekarang pengaruh kapasitor penggandeng kita abaikan
(kita anggap terhubung singkat), dan hanya memperhatikan pengaruh
kapasitor pintas emitor. Hal ini dapat berarti bahwa frekuensi patah oleh kutub
pada fungsi alih oleh kapasitor penggandeng adalah jauh di bawah frekuensi
patah oleh kapasitor pintas emitor CE.
Untuk keadaan ini rangkaian setara penguat dapat digambarkan
sebagai berikut.
Daerah Frekuensi Tinggi untuk Penguat Satu Tahap
A. Kapasitansi Sambungan p-n

Pada daerah frekuensi tinggi reaktansi kapasitansi sambungan antara basis dan
kolektor serta antara basis dan emitor mempunyai nilai yang tak terlalu tinggi, sehingga
menyimpangkan arus isyarat dari basis. Ini mengakibatkan tegangan isyarat keluaran
menjadi berkurang untuk frekuensi yang makin tinggi.
Kapasitansi sambungan p-nantara basis dan kolektor, yang kita sebut Cjc, terjadi
oleh karena adanya lapisan pengosongan pada sambungan p-n itu dimana tak ada pembawa
muatan bebas Didalam daerah pengosongan terdapat medan listrik, sehingga daerah ini
berupa kapasitor yang berisi muatan. Oleh karena sambungan p-n berada pada tegangan
mundur, maka daerah pengosongannya lebar, sehingga kapasitansinya kecil. Sebetulnya
nilai kapasitansi Cjc bergantung pada beda potensial antara basis kolektor. Sambungan p-n
antara basis dan emitor berada dalam keadaan tegangan panjar maju, sehingga daerah
pengosongannya lebih sempit, dan kapasitansi sambungan, yaitu Cje, lebih besar daripada
Cjc.
Pada frekuensi tinggi kapasitansi sambungan Cje berpengaruh pada keadaan

1
C je
tegangan mundur waktu hambatan dioda besar. Pada frekuensi tinggi X = sehingga
dalam keadaan tegangan panjar mundur terjadi bocoran melalui Cje. Dioda pada tegangan
mundur dapat dinyatakan sebagai kapasitor yang nilai kapasitansinya dapat diatur dengan
tegang panjar.
Dioda yang khusus untuk maksud ini disebut dioda varaktor atau dioda varikap.
Antara basis dan emitor ada kapasitansi lain lagi yang terjadi, yaitu yang disebut
kapasitansi difusi (Cd). Kapasitansi difusi ini terjadi oleh karena basis ada dalam keadaan
tegangan maju terhadap emitor, sehingga banyak pembawa muatan bebas dari emitor yang
ada dalam basis dalam perjalanan ke kolektor.
Sebagian dari pembawa muatan ini terkumpul pada bagian basis, membentuk
muatan tersimpan. Muatan simpanan ini akan akan menarik arus dari rangkaian tegangan
panjar basis, sehingga dalam basis akan terkumpul dua macam muatan yang berlawanan.
Secara efektif terbentuklah suatu suatu kapasitansi yang disebut kapasitansi difusi (Cd).
Secara efektif kapasitansi difusi ini paralel dengan kapasitansi sambungan emitor (Cje)dan
membentuk kapasitansi total Cje + Cd yang kita sebut C1. Jadi C1 = Cje + Cd.
Antara basis dan kolektor tak terjadi kapasitansi difusi oleh karena sambungan p-n
ini tidak berada dalam tegangan maju. Adanya muatan simpanan ini berpengaruh besar
pada penggunaan transistor sebagai saklar yaitu mempengaruhi barapa cepat tegangan
keluaran dapat berubah. Ini berarti adanya muatan simpanan ini juga membatasi operasi
rangkaian logika yang mengguanakan transistor dwikutub yaitu TTL atau transistor
transistor logik.
B. Rangkaian Setara Hibrida
Agar dapat melakukan perhitungan pada rangkaian elektronik yang mengandung
transistor, orang menggunkan rangkaian setara untuk transistor. Rangkaian setara yang
dibahas disini adalah rangkaian setara isyarat kecil, yang berlaku untuk isyarat dengan
perubahan yang jauh lebih kecil daripada nilai arus dan tegangan pada keadaan q sehingga
dapat digunakan hambatan isyarat kecil pada keadaan q.
Ada beberapa macam rangkaian setara isyarat kecil untuk transistor, yaitu rangkaian
setara T, Z, Y, dan rangkaian setara parameter (-h), dan rangkaian setara hibrida (- ).
Dalam rangkaian setara isyarat kecil, suatu baterei atau catu daya dc dapat
digantikan dengan hambatan dalamnya, atau dipandang sebagai terhubung singkat, oleh
karenanya hambatan dalamnya sangat kecil.
Untuk frekuensi tinggi rangkaian setara parameter h tidak digunakan orang karena
parameternya re, rb dan rc tak mudah dari siri statik transistor. Ini terutama disebabkan
dalam rangkaian parameter h kita tidak dapat memasang kapasitansi Cjc dan C1, oleh
karena kapasitansi ini menghubungkan kolektor dan emitor dengan bagian tengah basis.
Untuk frekuensi tinggi orang menggunakan rangkaian setara hibrida - untuk
transistor dwikutub. Rangkaian setara ini merupakan modifikasi rangkaian setara T.
Rangkaian setara T untuk transistor pada penguat basis dan emitor yang ditanahkan
adalah sebagai berikut.
Gambar 2.5 Rangkaian setara untuk basis yang ditanahkan, (a) untuk daerah frekuensi
tengah; (b) untuk daerah frekuensi tinggi

Untuk penguat emitor yang ditanahkan masukkan dihubungkan dengan rb, dan
sumber arus harus dinyatakan terhadap arus masukan, ib, seperti pada gambar berikut:

Gambar 2.65 Rangkaian setara untuk basis yang ditanahkan, (a) untuk daerah frekuensi
tengah; (b) untuk daerah frekuensi tinggi

Pada rangkaian setara T ,re merupakan hambatan isyarat kecil untuk sambungan
p-n antara emitor dan basis yang mendapat tegangan maju, sehingga re mempunyai nilai re

25
I E ( q )( mA)
= . Parameter rb adalah hambatan melintang dalam basis, dengan titik b kira-
kira ditengah basis dan rb mempunyai nilai rb 300 . Parameter rc adalah hambatan
isyarat kecil untuk sambungan p-n antara basis dan kolektor yang
Mendapatkan tegangan panjar mundur, sehingga mempunyai nilai rc 1 M .
Besaran ie merupakan suatu sumber arus tetap, dengan sebagai penguatan arus,

ic
ie
= . Untuk transistor basis ditanahkan, mempunyai nilai antara 0,99 0,998.
Pada penguat emitor ditanahkan isyarat masuk melalui basis dan emitor
dihubungkan dengan tanah, sedangkan keluaran diambil dari kolektor. Penguat emitor

1
1
ditanhkan mempunyai impedansi masukan kali lebih besar dari pada penguat basis
ditanhkan, dan impedansi keluaran transistor (1- ) lebih kecil dari pada penguat basis
ditanahkan. Impedansi masukan yang tak terlelu besar dan impedansi keluaran yang tak
terlalu kecil membuat penguat emitor ditanahkan sangat baik digandengkan dalam beberapa
tahap tanpa banyak ketaksesuaian impedansi pada alih tegangan dari satu tahap ketahap
berikutnya.

C. Frekuensi Potong dan f


Untuk dapat menentukan frekuensi potong atas pada tanggapan amplitudo penguat,
kita perlu tahu C1 dan Cjc. Kapasitansi Cjc biasanya ada disebutkan pada lembaran data
transistor.
Namun tidak demikian halnya dengan kapasitansi C1. Lembaran data transistor
biasanya menyebutkan suatu frekuensi yang disebut f, yaitu frekuensi untuk mana = 1.
Oleh karena pengaruh C1 dan Cjc penguatan arus akan berubah dengan frekuensi.
Dibawah ini adalah gambar dari tanggapan frekuensi
(d )
o

0
f f f(log)
Gambar tanggapan frekuensi
Frekuensi patah f disebut frekuensi potong dan f adalah nilai frekuensi dimana
= 0 db atau = 1; f disebut frekuensi transisi.
Dari nilai f dan Cjc yang dibaca dari lembaran data transistor kita dapat
menghitung C1. Hubungan antara f dan C1 dapat diperoleh dengan pemikiran sebagai
berikut. Untuk mendapatkan bagaimana berubah dengan frekuensi keluaran pada
rangkaian serta hibrida - kita hubungkan singkat.

D. Tanggapan Amplitudo Penguat Common-Emitor.


Untuk seluruh daerah frekuensi cukup kita perhatikan adanya satu frekuensi potong
bawah f1 dan satu frekuensi potong atas f2. Frekuensi potong bawah f1 disebabkan oleh
kapasitor pintas emitor, dan frekuensi potong atas f2 disebabkan oleh kapasitansi antara basis
emitor C1 serta kapasitansi basis kolektor Cjc.(Payu,citron s.2006 :2-10)

2. Penguat Darlington
Penguat Darlington adalah suatu rangkaian penguat yang menggunakan
hubungan Darlington. Pada hubungan Darlington kaki emitor dari transistor pertama
dihubungkan secara langsung ke kaki base transistor kedua. Dengan menggunakan
hubungan Darlingotn akan menghasilkan faktor penguatan arus dari gabungan dari
kedua transistor menjadi besar. Ada beberapa tipe rangkaian dari penguat Darlington
antara lain : Penguat Darlington sederhana , Penguat Darlington dengan dioda,
Penguat Darlington yang lebih kompleks.
1. Penguat Darlington Sederhana
Penguat Darlington yang sederhana terdiri dari dua transistor menggunakan
hubungan Darlington. Suatu tahanan RC dipasang antara catu daya dan kaki
kolektor. Kaki emitor dari transistor kedua dihubungkan langsung ke ground.
Rangkaian penguat Darlington yang sederhana diperlihatkan pada Gambar
dibawah ini :
Pada loop keluaran arus listrik dari tegangan V CC mengalir ke tahanan RC.
Persamaan tegangan pada loop keluaran diberikan dalam bentuk:
V CC =I C 2 R c + V CE2 (2.1)

Arus listrik pada emitor transistor kedua adalah


V CC V CE2
I E 2=
RC

(2.2)
Pada gambar kaki emitor transistor pertama terhubung langsung dengan kaki
base transistor kedua sehingga Ie1=Ib2. Dari hubungan ini arus pada emitor transistor
pertama dapat dinyatakan dalam bentuk :
IC2
I E 1=I B 2 = (2.3)
2

Arus listrik DC pada emitor transistor pertama dan kedua dapat digunakan
untuk menentukan tahanan dalam pada emitor transistor pertama dan kedua.Arus
listrik AC dari sumber tegangan VS mengalir ke tahanan Rs. Arus ini terbagi ke
tahanan RB dan base transistor pertama. Jalannya arus listrik dalam rangkaian dapat
diperhatikan pada rangkaian setara pada gambar dibawah ini

Dari rangkaian setara, persamaan tegangan masukan pada transistor pertama


V i=i b 1 hie 1+ ib 2 hie 2 (2.4)

V i=i b 1 [ hie 1 + ( 1+ 1 ) h ie 2 ] (2.5)

Tahanan yang terdapat antara base transistor pertama dengan ground


Vi
Rit = =h + ( 1+ 1 ) hie 2 (2.6)
i b 1 ie 1

Rit =( 1+ 1 ) [ r e 1+ ( 1+ 2) r e2 ] (2.7)
a. Impedansi masukan dari penguat Darlington adalah kombinasi dari tahanan R B
dengan tahanan Rit yang tersusun secara paralel.
RB
R i=
Rit

(2.8)
b. Penguatan dari penguat Darlington Sederhana
Tegangan masukan pada penguat
V i=i b 1 R it (2.9)

Tegangan keluaran pada penguat adalah


V o=i c 2 ( R C / R oe2 )= 2 ( Rc / R oe2 ) i b 2 (2.10)

V o= 2 ( 1+ 1) ( R c / Roe 2 ) i b 1 (2.11)

Penguatan dari penguat didefinisikan sebagai perbandingan antara tegangan


keluaran dengan tegangan masukan
Vo ( Rc / Roe2 )
k v= = 2 ( 1+ 2 )
Vi R it

(2.12)
Rc
k v = 2 ( 1+ 2 ) (2.13)
hie 1+ ( 1+ 1 ) hie 2

Penguatan dari penguat Darlington tergantung kepada faktor penguatan arus ,


tahanan Rc dan tahanan yang terdapat antara base dengan emitor dari kedua
transistor.
c. Impedansi Keluaran penguat Darlington Sederhana
Impedansi keluaran penguat ditentukan dengan menghubungkan singkat
tegangan masukan. Tegangan keluaran penguat dianggap sebagai sumber tegangan
baru. Arus listrik dari sumber tegangan mengalir pada tahanan Rc yang tersusun
secara paralel dengan Roe2. Impedansi keluaran dari penguat dapat dirumuskan
dalam bentuk
Ro=R c / R oe2 (2.14)
Secara umum, nilai impedansi keluaran dari penguat Darlington tergantung
pada tahanan Rc dan Roe2. Secara pendekatan nilai impedansi keluaran dari penguat
Darlington sama dengan nilai tahanan RC.

2. Penguat Darlington Lebih Komplek


Penguat darlington yang lebih komplek dapat dibuat dengan menambahkan
tahanan RE antara emitor dengan ground untuk kedua transistor. Tujuan
penambahan tahanan adalah untuk mengurangi arus listrik pada base transistor
pertama arus kolektor pada transistor kedua. Rangkaian penguat darlington yang
lebih komplek diperlihatkan pada gambar dibawah ini :

Pada loop keluaran, arus listrik DC dari catu daya VCC mengalir ke tahanan RC
dan tahanan RE2. Persamaan tegangan DC pada loop keluaran
V cc=I c 2 Rc + I E 2 R E 2 (2.15)

Arus listrik yang mengalir pada tahanan Rc dan tahanan RE


V cc V CE2
I E 2= (2.16)
Rc R E

Tegangan antara base dengan ground untuk transistor kedua terdiri dari
tegangan antara base-emitor dan tegangan pada tahanan emitor dari transistor
kedua. Tegangan ini dapat dirumuskan dalam bentuk
V B 2=V BE 2 + I E 2 R E 2 (2.17)

Arus listrik pada kaki emitor dari transistor pertama adalah


V B2 I C 2
I E 1=I + I B 2= + (2.18)
R E1 2

Tegangan antara base dengan ground untuk transistor pertama


V B 1=V BE 1 +V B 2 (2.19)
Dalam perancangan rangkaian,tegangan antara base dengan ground dapat
diatur menggunakan rangkaian pembagi tegangan antara tahanan R B1 dan tahanan
RB2.
Pada saat penguat bekerja pada frekuensi tengah, penguatan dari penguat tidak
tergantung pada frekuensi sumber. Dalam kondisi ini jalannya sinyal listrik dalam
rangkaian diperlihatkan pada gambar berikut

Tegangan masukan antara base transistor kedua dengan ground


V i 2=i b 2 h ie 2+i e 2 R E 2

V i 2=i b 2 [ hie 2+ ( 1+ 2) R E 2 ] (2.20)

Tahanan yanng terdapat antara base dari transistor kedua dengan ground
merupakan komnbinasi dari tahanan hie2 dan tahanan RE2.
Rit 2=h ie 2+ ( 1+ 2 ) R E 2 (2.21)

Persamaan tegangan masukan antara base transistor pertama dengan ground


V i 1=i b 1 hie 1+i e 1 ( R E 1 / Rit 2 )

h
[ ie 1+ ( 1+ 1 )( R E 1 / R it 2 ) ] (2.22)
V i 1=i b 1

Tahanan yang terdapat antara base transistor pertama dengan ground


Rie 1=h ie 1+ ( 1+ 1 ) ( R E 1 / Rit 2 ) (2.23)

Impedansi masukan dari penguat darlington yang lebih komplek adalah


RB
R i= (2.24)
Rit

Penguatan dari penguat


Penguatan dari penguat didefinisikan sebagai perbandingan antara tegangan
keluaran dengan tegangan masukan. Tegangan masukan pada penguat adalah
V i=i b 1 R it

(2.25)
Tegangan keluaran dari penguat
V o=i c 2 R o= 2 R o i b 2 (2.26)

Pada rangkaian setara terlihat bahwa tahanan RE1 tersusun secara paralel
dengan tahanan Rit2. Dengan menggunakan teknik rangkaian pembagi arus yang
mengalir pada tahanan Rit2 dapat dirumuskan dalam bentuk :
RE1 RE1
i b 2= i e 1=( 1+ 1 ) i (2.27)
R E 1 + Rit 2 R E 1+ R it 2 b1

Apabila arus listrik pada base transistor kedua disubtitusikan ke dalam


persamaan tegangan keluaran akan dihasilkan persamaan dalam bentuk
RE 1 R0
V o= 2 ( 1+ 1) V (2.28)
RE 1+ R it 2 Rit i

Penguatan dari penguat darlington yang lebih komplek dapat ditentukan


dari perbandingan antara tegangan keluaran dengan tegangan masukan
R E 1 R0
k v = 2 ( 1+ 1 ) (2.29)
R E 1 + Rit 2 R it

Penguatan dari penguat darlington tergantung pada faktor penguatan arus


total dari gabungan kedua transistor, tahanan yang terdapat antara base transistor
pertama dengan ground, tahanan yang terdapat antara base transistor keduan
dengan ground, tahanan yang dipasang antara emitor transistor pertama dengan
ground , dan impedansi keluaran.
Impedansi keluaran dari penguat darlington merupakan kombinasi dari
tahanan Rc dan Roe2 sehingga dapat dituliskan dalam bentuk:
Ro=R c / R oe2 (2.30)

SOAL DAN PEMBAHASAN


LATIHAN PEMECAH SOAL

1. Jelaskan apakah yang dimaksud dengan rangkaian RC !

2. Bagaimanakah pengaruh Kapasitor penggandeng untuk daerah frekuensi rendah

yang digunakan sebagai penguat satu tahap?


3. Bagaimanakah pengaruh Kapasitor Pintas Emitor untuk daerah frekuensi rendah

yang digunakan sebagai penguat satu tahap?

4. Mengapa tegangan isyarat keluaran untuk kapasitansi p-n berkurang untuk

frekuensi yang semakin tinggi? Jelaskan !

5. Apa yang dimaksud dengan kapasitansi difusi?

6. Sebutkan dan jelaskan kapasitor yang berpengaruh pada daerah frekuensi rendah!

7.

RBE1 = 100 KRBE2 = 6.2 K

VCC = 20 V RE1 = 68

RE3 = 1 K RC = 10 K

Tentukan :

a) Tegangan basis transistor kedua dengan ground?


b) Tegangan basis transistor pertama dengan ground?
c) Impedansi masukan?
d) Impedansi Keluaran?
e) Penguatan dari penguat?

8.
Dua transistor identik digunakan untuk penguat gandengan emitor berfrekuensi tinggi.
RC = 1 K, RE = 500 & parameter untuk transistor hie = 1 K, hre 0 , hoe = 10 .
Tentukan a). Impedansi masukan dari rangkaian?
b). Impedansi keluaran dari rangkaian?
c). Besar penguatan dari rangkaian diatas?

DAFTAR PUSTAKA

Asrizal. 2013.Elektronika Dasar 2 Komponen, Rangkaian, dan Aplikasi. Padang :


FMIPA UNP.
Citron S, payu.2006.Bahan Ajar Elektronika Lanjut. Gorontalo: Universitas Negeri

Gorontalo. Hal:2-10

Sutrisno, 1985.Elektronika 2 Teori dan Penerapannya.ITB, Bandung

Malvino, 1992, Prinsip-Prinsip Elektronik (edisi

Terjemahan),Erlangga:Jakarta