Circuitos Electrnicos I ~ Introduccin 1

CIRCUITOS ELECTRNICOS I

GUA DE TRABAJOS PRCTICOS N 1

INTRODUCCIN

Cuestionario
1) Mencione brevemente las tecnologas BJT, JFET, MOSFET, CMOS, BiCMOS.
2) En un transistor NMOS, la corriente entre source y drain es de huecos o de
electrones?
3) Qu diferencia hay entre el terminal drain y terminal source en un MOSFET?
4) Qu sucede en un NMOS si se polariza con Vsustrato > Vsource?
5) En un MOSFET en estado de corte la corriente ID es exactamente cero? Qu
fenmenos de fuga existen?
6) Por qu se usa el acoplamiento capacitivo para conectar la fuente de seal al
amplificador?
7) Dibuje los modelos, hbrido y - hbrido, aproximados de pequea seal para un
transistor bipolar. Dar las dimensiones y valores aproximados de cada parmetro. Hallar
las relaciones entre los parmetros de ambos modelos.
8) Cmo se relaciona la transconductancia gm con la corriente de colector y la
temperatura? Relacionar r con r0 y con IC.
9) Defina los factores de sensibilidad respecto a IC0, VBE y VCC.
10) Dibuje un modelo de pequea seal para un transistor de efecto de campo metal-
xido-semiconductor (MOSFET). D las dimensiones y valores aproximados de cada
parmetro.
11) Enuncie los teoremas de Thevnin y Norton.
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Bibliografa

Bibliografa general disponible en la Biblioteca de la Facultad de Ingeniera

Gray, P., Meyer, R. Anlisis y Diseo de Circuitos Integrados Analgicos. Prentice Hall,
3ra Ed. 1995.
Gray, P., Meyer, R. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits. Wiley, 3ra Ed.
1993.
Lewis, S., Hurst, P., Gray, P., Meyer, R. Analysis and Design of Analog Integrated
Circuits. Wiley, 5ta Ed. 2001.
Millman, J., Grabel, A. Microelectrnica. Hispano Europea. 6ta Ed. 1993, 1ra Ed. 1981.
Rashid, M. Circuitos Micro-electrnicos: Anlisis y Diseo. International Thompson
Editors. 2000.
Malvino, A., Bates, D. Principios de Electrnica. Mc Graw-Hill, 7ma Ed. 2007.
Sedra, A., Smith, K. Circuitos Micro-electrnicos. Mc Graw-Hill, 5ta Ed. 2006.
Hambley, A. Electrnica. Prentice-Hall, 2da Ed. 2001.
Savant, C., Roden, M. Carpenter, G. Diseo Electrnico. Addison Wesley, 3ra Ed. 2000.
Storey, N. Electrnica: de los Sistemas a los Componentes. Addison Wesley. 1995.

La biblioteca cuenta adems con versiones o ediciones anteriores de varios de los libros
mencionados, y con una amplia variedad de textos que cubren aspectos especficos del
programa de la asignatura.

Bibliografa general disponible en la Ctedra de Circuitos Electrnicos I

Gray, P., Hurst, P., Lewis, S., Meyer, R. Analysis and Design of Analog Integrated
Circuits. Wiley, 5ta Ed. 2009.
Neamen, D. Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos. Mc Graw-Hill, 2000.
Fiore, J. Amplificadores Operacionales y Circuitos Integrados Lineales. Thomson, 2002.
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PROBLEMAS

Problema N 1
a) Determine la polarizacin de los dos circuitos de las Figuras 1 y 2.
b) Determine los factores de sensibilidad respecto a VCC ( IC / Vcc) de los dos circuitos y
estime la variacin de Ic para un incremento de 0.5 V en VCC.
c) Determine tambin los factores de sensibilidad respecto a IC0 y VBE.
d) Dibuje las rectas de carga esttica y dinmica para cada circuito indicando el punto de
funcionamiento calculado en a).

VCC
VCC

RC
RB
RC Vsal
RA
CB Vsal Vent
Vent
RA RE CE

Figura 1 Figura 2

Datos Figura 1: RA = 1M , RC = 3.3k , CB = 1uF, VCC = 12V, hFE =180.

Datos Figura 2: RA = 39k , RB = 120k , RC = 560 , RE = 100 , CB = 1 F, CE = 10 F,
VCC = 12V, hFE = 180.

Problema N 2:
La figura muestra el circuito que se utiliza para proporcionar una tensin VBB en la etapa
de salida de un amplificador operacional. Disee para tener VBB = 1.157V con el
transistor polarizado con IC = 0.9IBIAS.
Datos: IS = 10-14A, IBIAS = 180A. Desprecie la corriente de base.

V+

IBIAS

R1
VBB
R2

IBIAS

V
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Problema N 3:
Considere el par Darlington BiCMOS que se presenta en el siguiente circuito. Los
parmetros del transistor son: kn = 20A/V2, Vth = 1V y = 0 para M1 y = 100,
VBE (activado) = 0.7V y VA = para Q2. Determine los parmetros de pequea seal para
cada transistor as como la transconductancia compuesta.

M1
Q2
IBIAS1 = 25 A

IBIAS2 = 100 A

Problema N 4:
Determinar para un transistor NMOS, con Vth = 2V y K.(W/L) = 30A/V2, el valor de la
corriente ID en los siguientes casos: a) VGS = 10V y VDS = 3V. b) VGS = 10V y
VDS = 10V. c) VGS = 1V y VDS = 10V.

Problema N 5:
Un PMOS en modo de empobrecimiento tiene parmetros Vth = 2V, K = 40A/V2, y
W/L=6. Determinar VSD(sat) para: (a) VSG = -1 V, (b) VSG = 0, y (c) VSG = 1 V.
Si el transistor est polarizado en la regin de saturacin, calcular la corriente de drenaje
para cada valor de VSG.

Problema N 6:
En el circuito de la figura, si Vi es muy pequea, el transistor NMOS acta como una
resistencia cuyo valor puede aproximarse mediante el inverso de la pendiente en el origen
de la caracterstica ID(VDS). Determinar el valor que ha de tener VGS para que Vo = Vi/4.
Datos: Vth = 1V, K = 25A/V2 y W/L = 2.

Vi

ID
R = 10k
+
D
+ Vo = VDS
G
VGS S
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Problema N 7:
Un transistor de enriquecimiento NMOS con una tensin umbral Vth de 2V y un factor de
transconductancia kn=(KW/2L)=0.1mA/V2 se utiliza como una resistencia lineal
controlada por tensin. Hallar el rango de valores de VGS para el que se obtiene una
resistencia comprendida entre 0.5k y 5k.

Problema N 8:
Hallar el punto de polarizacin del transistor MOS en el siguiente circuito, si
K.(W/L) = 2mA/V2 y Vth = 1V.

R = 10k
VGG = 3V VSS = 5V

Problema N 9:
Dado el circuito de polarizacin de la figura, calcular el punto de trabajo del transistor,
IDQ, VDSQ.
Datos: R2 = 800k , R1 = 400k , RS = 200 , RD = 200k , VDD = 10V, W/L = 1,
K = 20A/V2 y Vth = 2V.

VDD

R2 RD

R1 RS

Problema N 10:
La figura muestra un semicircuito del par diferencial de entrada de un amplificador
operacional 741. Obtenga la ganancia de tensin y la impedancia de entrada vista desde
la base de Q1.
Datos: IC = 9.5A, = 200, VA1 = 50V, rod = 7.18M . (Suponga VA2 = )
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VCC

Ic

Q1
Vi

Q2
IB
Vo

rod

Problema N 11:
La figura muestra el circuito equivalente de seal para la etapa de ganancia de tensin en
un amplificador operacional 741. La resistencia Ri2 es la resistencia de entrada de la etapa
de ganancia, Rc es la resistencia efectiva de la carga activa y Ri3 es la resistencia de
entrada de la etapa de salida. Determine la ganancia de tensin de esta etapa.
Datos: = 200, Ri2 = 4M , Rc = 92k , Ri3 = 4M , R1 = 50k , R2 = 100 .

IB1 Rc
Vo1 Q1 IB2 Vo2
Q2
Ri2 Ri3
R1
R2

Problema N 12:
Determine las impedancias de entrada y de salida del amplificador cascode de la siguiente
figura.

RS RS = 500
RL = 4k7
RL Vo rb = 50
Vi IC = 2mA
= 220
VA = 50V