Diodo

Un diodo es un componente electrnico de dos termina-

les que permite la circulacin de la corriente elctrica a
travs de l en un solo sentido.[1] Este trmino general-
mente se usa para referirse al diodo semiconductor, el
ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cris-
tal semiconductor conectada a dos terminales elctricos.
El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto
para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con
dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplicada, la curva caracterstica de un dio-
do (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta
diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un cir-
cuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar
recticadores, ya que son dispositivos capaces de supri-
mir la parte negativa de cualquier seal, como paso ini-
cial para convertir una corriente alterna en corriente con-
tinua. Su principio de funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tam-
bin llamados vlvulas termoinicas constituidos por dos
electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con
un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El
invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fle-
ming, empleado de la empresa Marconi, basndose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de va-
Diodo de vaco, usado comnmente hasta la invencin del dio-
co tienen un lamento (el ctodo) a travs del cual circula do semiconductor, este ltimo tambin llamado diodo de estado
la corriente, calentndolo por efecto Joule. El lamento slido.
est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse
emite electrones al vaco circundante los cuales son con-
ducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por
un muelle doble, cargada positivamente (el nodo), pro- racin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que un
ducindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo electroscopio cargado positivamente poda descargarse al
no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de
los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un que ste lo tocara. No suceda lo mismo con un electros-
tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder copio cargado negativamente, reejando esto que el ujo
funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facili- de corriente era posible solamente en una direccin.
dad. Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas
Edison re-descubre el principio. A su vez, Edison inves-
tigaba por qu los lamentos de carbn de las bombillas
1 Historia se quemaban al nal del terminal positivo. l haba cons-
truido una bombilla con un lamento adicional y una con
una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente
Aunque el diodo semiconductor de estado slido se po- aislada del lamento. Cuando us este dispositivo, con-
pulariz antes del diodo termoinico, ambos se desarro- rm que una corriente ua del lamento incandescente
llaron al mismo tiempo. a travs del vaco a la lmina metlica, pero esto slo su-
En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de ope- ceda cuando la lmina estaba conectada positivamente.

1
2 3 DIODO SEMICONDUCTOR

Edison dise un circuito que reemplaza la bombilla por

un resistor con un voltmetro de DC, y obtuvo una pa-
tente para este invento en 1884. Aparentemente no tena
uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era
probablemente para precaucin, en caso de que alguien
encontrara un uso al llamado Efecto Edison.
Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fle-
ming (cientco asesor de Marconi Company y antiguo
empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison
podra usarse como un radio detector de precisin. Fle-
ming patent el primer diodo termoinico en Gran Bre-
taa el 16 de noviembre de 1904.
En 1874 el cientco alemn Karl Ferdinand Braun des-
cubri la naturaleza de conducir por una sola direccin
de los cristales semiconductores. Braun patent el recti-
cador de cristal en 1899. Los recticadores de xido de
cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de
alta potencia en la dcada de los 1930.
El cientco indio Jagdish Chandra Bose fue el prime-
Smbolo de un diodo de vaco o gaseoso. De arriba a abajo, sus
ro en usar un cristal semiconductor para detectar ondas componentes son, el nodo, el ctodo, y el lamento.
de radio en 1894. El detector de cristal semiconductor
fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recep-
cin de seales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pic- rectamente el ctodo, otro electrodo interno tratado con
kard, quin invent un detector de cristal de silicio en una mezcla de Bario y xido de estroncio, los cuales son
1903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre xidos alcalinotrreos; se eligen estas sustancias porque
de 1906. Otros experimentos probaron con gran variedad tienen una pequea funcin de trabajo (algunas vlvulas
de sustancias, de las cuales se us ampliamente el mineral usan calentamiento directo, donde un lamento de tungs-
galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligera- teno acta como calentador y como ctodo). El calen-
mente mayor, pero el galena fue el que ms se us porque tamiento causa emisin termoinica de electrones en el
tena la ventaja de ser barato y fcil de obtener. Al prin- vaco. En polarizacin directa, el nodo estaba cargado
cipio de la era de la radio, el detector de cristal semicon- positivamente por lo cual atraa electrones. Sin embar-
ductor consista de un cable ajustable (el muy nombrado go, los electrones no eran fcilmente transportados de la
bigote de gato) el cual se poda mover manualmente a tra- supercie del nodo que no estaba caliente cuando la vl-
vs del cristal para as obtener una seal ptima. Este dis- vula termoinica estaba en polarizacin inversa. Adems,
positivo problemtico fue rpidamente superado por los cualquier corriente en este caso es insignicante.
diodos termoinicos, aunque el detector de cristal semi-
En la mayor parte del siglo xx, los diodos de vlvula ter-
conductor volvi a usarse frecuentemente con la llegada
moinica se usaron en aplicaciones de seales anlogas,
de los econmicos diodos de germanio en la dcada de
recticadores y potencia. Actualmente, los diodos de vl-
1950.
vula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como
En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron recticadores en guitarras elctricas, amplicadores de
conocidos como recticadores. En 1919, William Henry audio, as como equipo especializado de alta tensin.
Eccles acu el trmino diodo del griego dia, que signi-
ca separado, y ode (de ), que signica camino.
3 Diodo semiconductor
2 Diodos termoinicos y de estado Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal
gaseoso semiconductor como el silicio con impurezas en l para
crear una regin que contenga portadores de carga nega-
tiva (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una
Los diodos termoinicos son dispositivos de vlvula ter- regin en el otro lado que contenga portadores de carga
moinica (tambin conocida como tubo de vaco), que positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las ter-
consisten en un arreglo de electrodos empacados en un minales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro
vidrio al vaco. Los primeros modelos eran muy pareci- del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN,
dos a la lmpara incandescente. es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal
En los diodos de vlvula termoinica, una corriente a conduce una corriente de electrones del lado n (llamado
travs del lamento que se va a calentar calienta indi- ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuan-
3.2 Polarizacin inversa de un diodo 3

Polarizacin directa del diodo pn.

Formacin de la regin de agotamiento, en la grca z.c.e. conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y
el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos
observar que:
do una corriente convencional uye del nodo al ctodo
(opuesto al ujo de los electrones).
El polo negativo de la batera repele los electrones
Al unir ambos cristales, se maniesta una difusin de libres del cristal n, con lo que estos electrones se di-
electrones del cristal n al p (J). Al establecerse una co- rigen hacia la unin p-n.
rriente de difusin, aparecen cargas jas en una zona a
ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de El polo positivo de la batera atrae a los electrones
regin de agotamiento. de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir
que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin
de agotamiento va incrementando su anchura profundi- Cuando la diferencia de potencial entre los bornes
zando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin em- de la batera es mayor que la diferencia de potencial
bargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y en la zona de carga espacial, los electrones libres del
de iones negativos en la zona p, crea un campo elctri- cristal n, adquieren la energa suciente para saltar
co (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona a los huecos del cristal p, los cuales previamente se
n con una determinada fuerza de desplazamiento, que han desplazado hacia la unin p-n.
se opondr a la corriente de electrones y terminar dete-
nindolos. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en
una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta dife- uno de los mltiples huecos de la zona p convirtin-
rencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio dose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto
y 0,3 V para los cristales de germanio.[cita requerida] el electrn es atrado por el polo positivo de la ba-
tera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanza- al nal del cristal p, desde el cual se introduce en el
do el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero hilo conductor y llega hasta la batera.
cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que
el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zo-
externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo na p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica
ser la polarizacin directa o inversa. constante hasta el nal.

3.1 Polarizacin directa de un diodo 3.2 Polarizacin inversa de un diodo

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la
de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar
corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el
la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta
diodo polarizado directamente conduce la electricidad. que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe como se explica a continuacin:
4 3 DIODO SEMICONDUCTOR
Polarizacin inversa del diodo pn.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones
libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se des-
plazan hasta llegar a la batera. A medida que los
electrones libres abandonan la zona n, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse des-
prendidos de su electrn en el orbital de conduccin,
adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de va-
lencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elc-
trica neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres
a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos
que estos tomos slo tienen 3 electrones de valen-
cia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los tomos de silicio, tienen solamen-
te 7 electrones de valencia, siendo el electrn que
falta el denominado hueco. El caso es que cuando
los electrones libres cedidos por la batera entran en
la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los
tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electro-
nes en su orbital de valencia) y una carga elctrica
neta de 1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la
zona de carga espacial adquiere el mismo potencial
elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corrien-
te; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se for-
marn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a am-
bos lados de la unin produciendo una pequea corrien-
te (del orden de 1 A) denominada corriente inversa
de saturacin. Adems, existe tambin una denominada
corriente supercial de fugas la cual, como su propio
nombre indica, conduce una pequea corriente por la su-
percie del diodo; ya que en la supercie, los tomos de
silicio no estn rodeados de sucientes tomos para reali-
zar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad. Esto hace que los tomos de la supercie del
diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en
su orbital de valencia con lo que los electrones circulan
sin dicultad a travs de ellos. No obstante, al igual que
la corriente inversa de saturacin, la corriente supercial
de fuga es usualmente despreciable.
3.3 Curva caracterstica del diodo
Curva caracterstica del diodo.
Tensin umbral, de codo o de partida (V ).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de po-
tencial) de polarizacin directa coincide en valor
con la tensin de la zona de carga espacial del diodo
no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la
barrera de potencial inicial se va reduciendo, incre-
mentando la corriente ligeramente, alrededor del 1
% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin ex-
terna supera la tensin umbral, la barrera de poten-
cial desaparece, de forma que para pequeos incre-
mentos de tensin se producen grandes variaciones
de la intensidad de corriente.
Corriente mxima (I ).
Es la intensidad de corriente mxima que puede
conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule.
Dado que es funcin de la cantidad de calor que pue-
de disipar el diodo, depende sobre todo del diseo
del mismo.
Corriente inversa de saturacin (I ).
Es la pequea corriente que se establece al polari-
zar inversamente el diodo por la formacin de pares
electrn-hueco debido a la temperatura, admitin-
dose que se duplica por cada incremento de 10 C
en la temperatura.
 5

Corriente supercial de fugas. Donde:

Es la pequea corriente que circula por la supercie
del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es I es la intensidad de la corriente que atraviesa el dio-
funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al do
aumentar la tensin, aumenta la corriente supercial
VD es la diferencia de tensin entre sus extremos.
de fugas.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente
Tensin de ruptura (V ). 1012 A )
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede so-
portar antes de darse el efecto avalancha. n es el coeciente de emisin, dependiente del pro-
ceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar
valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este
(para el silicio).
conducir la corriente inversa de saturacin; en la reali-
dad, a partir de un determinado valor de la tensin, en El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85 mV en
el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al 300 K, una temperatura cercana a la temperatura ambien-
efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, co- te, muy usada en los programas de simulacin de circui-
mo los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos tos. Para cada temperatura existe una constante conocida
efectos: denida por:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En po-

larizacin inversa se generan pares electrn-hueco kT
VT =
que provocan la corriente inversa de saturacin; si q
la tensin inversa es elevada los electrones se acele- Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatu-
ran incrementando su energa cintica de forma que ra absoluta de la unin pn, y q es la magnitud de la carga
al chocar con electrones de valencia pueden provo- de un electrn (la carga elemental).
car su salto a la banda de conduccin. Estos electro-
La ecuacin de diodo ideal de Shockley o la ley de diodo
nes liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la
se deriva de asumir que solo los procesos que le dan co-
tensin, chocando con ms electrones de valencia y
rriente al diodo son por el ujo (debido al campo elctri-
liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha
co), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asu-
de electrones que provoca una corriente grande. Es-
me que la corriente de recombinacin en la regin de ago-
te fenmeno se produce para valores de la tensin
tamiento es insignicante. Esto signica que la ecuacin
superiores a 6 V.
de Shockley no tiene en cuenta los procesos relacionados
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms con la regin de ruptura e induccin por fotones. Adicio-
dopado est el material, menor es la anchura de la nalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en
zona de carga. Puesto que el campo elctrico E pue- polarizacin activa debido a la resistencia interna.
de expresarse como cociente de la tensin V entre la Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del
distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por diodo es insignicante. y la corriente es una constante ne-
tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, gativa del valor de I . La regin de ruptura no est mode-
del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el lada en la ecuacin de diodo de Shockley.
propio campo puede ser capaz de arrancar electro-
nes de valencia incrementndose la corriente. Este Para voltajes grandes, en la regin de polarizacin directa,
efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. se puede eliminar el 1 de la ecuacin, quedando como
resultado:

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos

diodos especiales, como los Zener, se puede producir por I = IS eVD /(nVT )
ambos efectos.
Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones
se emplean modelos an ms simples, que modelan las
3.4 Modelos matemticos zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son
los llamados modelos de continua o de Ram-seal. El
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley ms simple de todos es el diodo ideal.
(en honor a William Bradford Shockley) que permite
aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de
las aplicaciones. La ecuacin que relaciona la intensidad 4 Tipos de diodo semiconductor
de corriente y la diferencia de potencial es:
( ) Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en
I = IS eVD /(nVT ) 1 , su aspecto fsico, impurezas, uso de electrodos, que tie-
6 4 TIPOS DE DIODO SEMICONDUCTOR
Varios diodos semiconductores, abajo: un puente recticador. En
la mayora de los diodos, el terminal ctodo se indica pintando
una franja blanca o negra.
nen caractersticas elctricas particulares usados para una
aplicacin especial en un circuito. El funcionamiento
de estos diodos es fundamentado por principios de la
mecnica cuntica y teora de bandas.
Los diodos normales, los cuales operan como se descri-
ba ms arriba, se hacen generalmente de silicio dopado o
germanio. Antes del desarrollo de estos diodos rectica-
dores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio: su
baja eciencia le dio una cada de tensin muy alta (desde
1,4 a 1,7 V) y requeran de una gran disipacin de calor
mucho ms grande que un diodo de silicio. La gran mayo-
ra de los diodos pn se encuentran en circuitos integrados
CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos otros
diodos internos.
Diodo avalancha (TVS): Diodos que conducen en
direccin contraria cuando el voltaje en inverso su-
pera el voltaje de ruptura, tambin se conocen co-
mo diodos TVS. Electricmente son similares a los
diodos Zener, pero funciona bajo otro fenmeno, el
efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo elc-
trico inverso que atraviesa la unin p-n produce una
onda de ionizacin, similar a una avalancha, produ-
ciendo una corriente. Los diodos avalancha estn di-
seados para operar en un voltaje inverso denido
sin que se destruya. La diferencia entre el diodo ava-
lancha (el cual tiene un voltaje de reversa de aproxi-
madamente 6.2 V) y el diodo zener es que el ancho
del canal del primero excede la libre asociacin de
los electrones, por lo que se producen colisiones en-
tre ellos en el camino. La nica diferencia prctica
es que los dos tienen coecientes de temperatura de
polaridades opuestas (la disipacin de calor mxima
es mayor en un diodo zener, es por ello que estos se
emplean principalmente en circuitos reguladores de
tensin). Este tipo de diodos se emplean para elimi-
nar voltajes y corrientes transitorios que pudieran
provocar un mal funcionamiento de un bus de da-
tos que conecte dos dispositivos sensibles a voltajes
transitorios.
Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milim-
trico y, alineados, constituyen detectores multica-
nal que permiten obtener espectros en milisegun-
dos. Son menos sensibles que los fotomultiplicado-
res. Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en
contacto con un semiconductor de tipo n (electro-
nes). La radiacin comunica la energa para liberar
los electrones que se desplazan hacia los huecos, es-
tableciendo una corriente elctrica proporcional a la
potencia radiante.
Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto.
El diodo cristal consiste de un cable de metal ala-
do presionado contra un cristal semiconductor, ge-
neralmente galena o de una parte de carbn. El cable
forma el nodo y el cristal forma el ctodo. Los dio-
dos de cristal tienen una gran aplicacin en los radio
a galena. Los diodos de cristal estn obsoletos, pero
puede conseguirse todava de algunos fabricantes.
Diodo de corriente constante: Realmente es un
JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y
funciona como un limitador de corriente de dos ter-
minales anlogo al diodo Zener, el cual limita el vol-
taje. Permiten una corriente a travs de ellos para
alcanzar un valor adecuado y as estabilizarse en un
valor especco. Tambin suele llamarse CLDs (por
sus siglas en ingls) o diodo regulador de corriente.

Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de opera-
cin que produce una resistencia negativa debido al
efecto tnel, permitiendo amplicar seales y circui-
tos muy simples que poseen dos estados. Debido a
la alta concentracin de carga, los diodos tnel son
muy rpidos, pueden usarse en temperaturas muy
bajas, campos magnticos de gran magnitud y en
entornos con radiacin alta. Por estas propiedades,
suelen usarse en viajes espaciales.
Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construi-
dos de materiales como GaAs o InP que produce
una resistencia negativa. Bajo condiciones apropia-
das, las formas de dominio del dipolo y propagacin
a travs del diodo, permitiendo osciladores de ondas
microondas de alta frecuencia.
Ledes de distintos colores.
Diodo emisor de luz o LED del acrnimo ingls,
light-emitting diode: Es un diodo formado por un
semiconductor con huecos en su banda de energa,
tal como arseniuro de galio, los portadores de car-
ga que cruzan la unin emiten fotones cuando se re-
combinan con los portadores mayoritarios en el otro
lado. Dependiendo del material, la longitud de on-
da que se pueden producir vara desde el infrarrojo
hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta. El
potencial que admiten estos diodos dependen de la
longitud de onda que ellos emiten: 2.1V correspon-
de al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros ledes fue-
ron rojos y amarillos. Los ledes blancos son en reali-
dad combinaciones de tres ledes de diferente color
o un led azul revestido con un centelleador amarillo.
Los ledes tambin pueden usarse como fotodiodos
de baja eciencia en aplicaciones de seales. Un led
puede usarse con un fotodiodo o fototransistor para
formar un optoacoplador.
7
Diodo lser: Cuando la estructura de un led se intro-
duce en una cavidad resonante formada al pulir las
caras de los extremos, se puede formar un lser. Los
diodos lser se usan frecuentemente en dispositivos
de almacenamiento pticos y para la comunicacin
ptica de alta velocidad.
Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para
los diodos convencionales usados para monitorear la
temperatura a la variacin de voltaje con la tempe-
ratura, y para refrigeradores termoelctricos para la
refrigeracin termoelctrica. Los refrigeradores ter-
moelctricos se hacen de semiconductores, aunque
ellos no tienen ninguna unin de recticacin, apro-
vechan el comportamiento distinto de portadores de
carga de los semiconductores tipo P y N para trans-
portar el calor.
Fotodiodos: Todos los semiconductores estn suje-
tos a portadores de carga pticos. Generalmente es
un efecto no deseado, por lo que muchos de los se-
miconductores estn empacados en materiales que
bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen la
funcin de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo
que estn empacados en materiales que permiten el
paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de dio-
do ms sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse
en celdas solares, en fotometra o en comunicacin
ptica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un
dispositivo como un arreglo lineal o como un arreglo
de dos dimensiones. Estos arreglos no deben con-
fundirse con los dispositivos de carga acoplada.
Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual
que los diodos semiconductores de unin mencio-
nados anteriormente aunque su construccin es ms
simple. Se fabrica una seccin de semiconductor ti-
po n, y se hace un conductor de punta aguda con un
metal del grupo 3 de manera que haga contacto con
el semiconductor. Algo del metal migra hacia el se-
miconductor para hacer una pequea regin de tipo
p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de fabri-
cacin alemana) an se usa en receptores de radio
como un detector y ocasionalmente en dispositivos
analgicos especializados.
Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central
sin doparse o en otras palabras una capa intrnseca
formando una estructura p-intrnseca-n. Son usados
como interruptores de alta frecuencia y atenuadores.
Tambin son usados como detectores de radiacin
ionizante de gran volumen y como fotodetectores.
Los diodos PIN tambin se usan en la electrnica de
potencia y su capa central puede soportar altos volta-
jes. Adems, la estructura del PIN puede encontrar-
se en dispositivos semiconductores de potencia, ta-
les como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.
8 7 ENLACES EXTERNOS

Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construi- 6 Referencias

dos de un metal a un contacto de semiconductor.
Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los [2] [3]
diodos pn. Su tensin de ruptura en corrientes de
1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los
[1] Montaje de componentes y perifricos microinformticos.
hace tiles en aplicaciones de jacin y prevencin IFCT0108, en Google libros
de saturacin en un transistor. Tambin se pueden
usar como recticadores con bajas prdidas aunque [2] Tooley, Mike (2012). Electronic Circuits: Fundamentals
su corriente de fuga es mucho ms alta que la de and Applications, 3rd Ed. Routlege. p. 81. ISBN 1-136-
otros diodos. Los diodos Schottky son portadores de 40731-6.
carga mayoritarios por lo que no sufren de proble- [3] Motorola Master Selection Guide TVS/Zeners 5.21
mas de almacenamiento de los portadores de carga TVS/Zeners Transient Voltage Suppressors Zener Regula-
minoritarios que ralentizan la mayora de los dems tor and Reference Diodes.
diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una recu-
peracin inversa ms rpida que los diodos de unin
El contenido de este artculo incorpora material de
pn. Tienden a tener una capacitancia de unin mu-
una entrada de la Enciclopedia Libre Universal, pu-
cho ms baja que los diodos pn que funcionan como
blicada en espaol bajo la licencia Creative Com-
interruptores veloces y se usan para circuitos de alta
mons Compartir-Igual 3.0.
velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de
frecuencias y detectores.

Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de 7 Enlaces externos

Referencia en Directa) es un tipo especial de diodo
de silicio cuyas caractersticas de tensin en direc- Wikimedia Commons alberga contenido multi-
ta son extremadamente estables. Estos dispositivos media sobre diodos. Commons
estn diseados especialmente para aplicaciones de
estabilizacin en bajas tensiones donde se requiera
mantener la tensin muy estable dentro de un amplio Wikcionario tiene deniciones y otra informa-
rango de corriente y temperatura. cin sobre diodo.Wikcionario

Smbolos de Diodos
Diodo Varicap: El diodo Varicap conocido como
diodo de capacidad variable o varactor, es un dio-
do que aprovecha determinadas tcnicas constructi-
vas para comportarse, ante variaciones de la tensin Comprobacin de diodo en YouTube
aplicada, como un condensador variable. Polariza-
do en inversa, este dispositivo electrnico presenta
caractersticas que son de suma utilidad en circuitos
sintonizados (L-C), donde son necesarios los cam-
bios de capacidad.

5 Aplicaciones del diodo

Recticador de media onda
Recticador de onda completa
Recticador en paralelo
Doblador de tensin
Estabilizador Zener
Led
Limitador
Circuito jador
Multiplicador de tensin
Divisor de tensin
 9

8 Origen del texto y las imgenes, colaboradores y licencias

8.1 Texto
Diodo Fuente: https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo?oldid=97725552 Colaboradores: PACO, Sabbut, Moriel, SpeedyGonzalez, Pieter,
Lourdes Cardenal, Dionisio, Aloriel, Hoce, Dodo, Triku, Sms, Tano4595, Ramjar, Murphy era un optimista, Robotito, Barahonasoria, Lo-
co085, Biohazard910, Renabot, Soulreaper, Petronas, RobotJcb, Airunp, Rembiapo pohyiete (bot), Drini2, RobotQuistnix, Francosrodri-
guez, Alhen, Chobot, Yrbot, BOT-Superzerocool, FlaBot, .Sergio, YurikBot, Mortadelo2005, Olvvitenzk, Icvav, GermanX, KnightRider,
Eskimbot, Gtz, ECAM, Er Komandante, Cheveri, Chlewbot, Tomatejc, Paintman, BOTpolicia, CEM-bot, Laura Fiorucci, Carloszelayeta,
Baiji, Roberpl, Rastrojo, Antur, Mcetina, Ggenellina, Thijs!bot, Tortillovsky, Escarbot, RoyFocker, Max Changmin, Leopupy, Rockarolla,
Ninovolador, LMLM, Botones, Bernard, JAnDbot, BelegDraug, Klystrode, Gsrdzl, TXiKiBoT, Elisardojm, Humberto, Netito777, Rei-bot,
Didarabocchi, Marvelshine, Phirosiberia, Nioger, Chabbot, Plux, Vlad72, VolkovBot, Urdangaray, Technopat, Galandil, Pepulo, Matdro-
des, Govi108, 3coma14, Muro Bot, Bucho, DISELEC, SieBot, Mushii, Nel17, Loveless, Enkur, Cobalttempest, Bigsus-bot, Switcher6746,
BOTarate, Marcelo, Gurgut, Ermele, Greek, Lobo, BuenaGente, Carabs, Yalico, Padre31, Ivanics, Tirithel, Elujan, Locos epraix, Javi-
Mad, PAYE92, Socram8888, HUB, StarBOT, Fanotron, Eduardosalg, Alejandrocaro35, Poco a poco, Alexbot, Tesla07, Rge, Osado,
Gelpgim22, UA31, AVBOT, Niconti, Louperibot, MastiBot, Adelpine, MarcoAurelio, Diegusjaimes, MelancholieBot, Arjuno3, Fernan-
do Rosso R, Luckas-bot, Jotterbot, Jorge 2701, Plugger~eswiki, AlexFBP, ArthurBot, SuperBraulio13, Ortisa, Manuelt15, Xqbot, Jkbw,
FrescoBot, Metronomo, Botarel, Rojasyesid, TiriBOT, TobeBot, PatruBOT, Humanoc, Dinamik-bot, Tarawa1943, Foundling, Groucho-
Bot, Wikilptico, Gauri, Axvolution, EmausBot, Savh, ZroBot, Sergio Andres Segovia, Africanus, Mstrogo, Korgaillo95, Lolopeyote,
UnRar, Jcaraballo, ChuispastonBot, Waka Waka, WikitanvirBot, Lelouchmousy, Diamondland, GelpgimLa22, Cris Dav CDVS, Krauser
007, Renly, UAwiki, MetroBot, LlamaAl, DLeandroc, Yammyrs, Helmy oved, Luksmatador, Syum90, MaKiNeoH, Legobot, Camilo ma-
rica, Balles2601, La Cuchi, Alejandrocoria, Efrn Moreno Benavides, Calcetinpeludo, Jarould, Bruno Rene Vargas, Crystallizedcarbon,
JuanToo, Italord, Ks-M9, Solotetes, Manuelrojo y Annimos: 403

8.2 Imgenes
Archivo:Commons-emblem-question_book_yellow.svg Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/d/dd/
Commons-emblem-question_book_yellow.svg Licencia: CC BY-SA 3.0 Colaboradores: <a href='//commons.wikimedia.org/wiki/File:
Commons-emblem-query.svg' class='image'><img alt='Commons-emblem-query.svg' src='https://upload.wikimedia.org/wikipedia/
commons/thumb/c/c5/Commons-emblem-query.svg/25px-Commons-emblem-query.svg.png' width='25' height='25' srcset='https:
//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/c5/Commons-emblem-query.svg/38px-Commons-emblem-query.svg.png 1.5x,
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/c5/Commons-emblem-query.svg/50px-Commons-emblem-query.svg.png
2x' data-le-width='48' data-le-height='48' /></a> + <a href='//commons.wikimedia.org/wiki/File:Question_book.svg'
class='image'><img alt='Question book.svg' src='https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/97/Question_book.
svg/25px-Question_book.svg.png' width='25' height='20' srcset='https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/97/
Question_book.svg/38px-Question_book.svg.png 1.5x, https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/97/Question_book.
svg/50px-Question_book.svg.png 2x' data-le-width='252' data-le-height='199' /></a> Artista original: GNOME icon artists, Linfocito
B
Archivo:Commons-logo.svg Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/4/4a/Commons-logo.svg Licencia: Public do-
main Colaboradores: This version created by Pumbaa, using a proper partial circle and SVG geometry features. (Former versions used
to be slightly warped.) Artista original: SVG version was created by User:Grunt and cleaned up by 3247, based on the earlier PNG version,
created by Reidab.
Archivo:Diode-closeup.jpg Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/d/d5/Diode-closeup.jpg Licencia: CC BY-SA 2.5
Colaboradores: Transferido desde en.wikipedia a Commons. Artista original: The original uploader was Morcheeba de Wikipedia en ingls
Archivo:Diode01.svg Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/c/cc/Diode01.svg Licencia: Public domain Colaborado-
res: ? Artista original: ?
Archivo:Dioden2.jpg Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/60/Dioden2.jpg Licencia: CC-BY-SA-3.0 Colabora-
dores: modied from Dioden.jpg (centimeter instead of meter), created by Honina Artista original: Ulfbastel
Archivo:Diodo_-_curva_caracterstica_(Sockley).png Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/5/51/Diodo_-_
curva_caracter%C3%ADstica_%28Sockley%29.png Licencia: CC-BY-SA-3.0 Colaboradores: ? Artista original: ?
Archivo:Diodo_pn-_Polarizacin_directa.PNG Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/3/3a/Diodo_pn-_
Polarizaci%C3%B3n_directa.PNG Licencia: CC-BY-SA-3.0 Colaboradores: Transferido desde es.wikipedia a Commons. Artista original:
Biohazard910 de Wikipedia en espaol
Archivo:Diodo_pn-_Polarizacin_inversa.png Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/b/ba/Diodo_pn-_
Polarizaci%C3%B3n_inversa.png Licencia: CC-BY-SA-3.0 Colaboradores: Transferido desde es.wikipedia a Commons. Artista
original: Biohazard910 de Wikipedia en espaol
Archivo:Diodo_pn_-_zona_de_carga_espacial.png Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/5/5f/Diodo_pn_-_
zona_de_carga_espacial.png Licencia: CC-BY-SA-3.0 Colaboradores: Transferido desde es.wikipedia a Commons. Artista original: Willy
de Wikipedia en espaol Later versions were uploaded by Biohazard910 at es.wikipedia.
Archivo:Lysdioder2.jpg Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/f/f2/Lysdioder2.jpg Licencia: CC-BY-SA-3.0 Cola-
boradores: ? Artista original: ?
Archivo:RA0007A.jpg Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/c/ce/RA0007A.jpg Licencia: GFDL Colaboradores:
Trabajo propio Artista original: RJB1
Archivo:Vacuum_diode.svg Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/a/af/Vacuum_diode.svg Licencia: Public domain
Colaboradores: No machine-readable source provided. Own work assumed (based on copyright claims). Artista original: No machine-
readable author provided. Riemann~commonswiki assumed (based on copyright claims).
Archivo:Wiktionary-logo-es.png Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/0/06/Wiktionary-logo-es.png Licencia: CC
BY-SA 3.0 Colaboradores: originally uploaded there by author, self-made by author Artista original: es:Usuario:Pybalo
10 8 ORIGEN DEL TEXTO Y LAS IMGENES, COLABORADORES Y LICENCIAS

8.3 Licencia del contenido

Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0