Anda di halaman 1dari 12

LAPORAN

TRANSISTOR BIAS PEMBAGI TEGANGAN


( VOLTAGE DIVIDER )

Di susun oleh:

AGUS HERMAWAN S ( 14050874001 )


JOHAN FIRMANSAH ( 14050874011 )

UNIVERSITAS NEGERI SURABAYA


FAKULTAS TEKNIK
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
S1 TEKNIK ELEKTRO
2014
BAB I

PENDAHULUAN

A. LATAR BELAKANG

Dalam kehidupan sehari-hari, banyak sekali peralatan elektronika yang dapat


kita temukan dengan mudah. Di rumah saja, hampir semua peralatan yang kita
gunakan merupakan peralatan elektronika.Peralatan-peralatan tersebut tersusun
dari rangkaian elektronika sederhana maupun kompleks. Rangkaian-rangkaian
elektronika sederhana ini, selain memiliki fungsi yang menarik dan bermanfaat.
Bukan hanya itu, rangkaian elektronika sederhana ternyata gampang dibuat dan
biayanya murah.Tapi dalam rangkaian elektronika tersebut banyak komponen
kecil yang sangat penting . Meskipun kita menganggapnya itu adalah hal yang
sepele namun tidak dapat dipungkiri hal itu adalah hal yang sangat penting .Salah
satu komponen yang sangat penting itu adalah Transistor.
Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia
elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier
(penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan
penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan
sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai
sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori,bias pembagi
tegangan dan komponen-komponen lainnya.
. Banyak sekali rangkaian macam macam transistor yang telah ditemukan.
Salah satu diantaranya adalah rangkaian bias. Rangkaian bias transistor di bagi
lagi menjadi beberapa macam. Salah satunya adalah transistor bias pembagi
tegangan atau sering disebut voltage divider. Oleh karena itu pada kesempatan
kali ini kami akan menjelaskan tentang rangkaian transistor bias pembagi
tegangan dengan melakukan percobaan simulasi terlebih dahulu yang kemudian
akan menganalisis rangkaian tersebut.
Selain hal diatas latar belakang dibuatnya laporan ini adalah untuk
menyelesaikan tugas mata kuliah Rangkaian elektronika yang diberikan oleh
dosen. Semoga dengan dibuatnya laporan ini dapat memberikan manfaat dan
informasi bagi kita semua.Dan dapat memahami isi dari percobaan ini.

B. TUJUAN
Mengetahui rangkaian transistor bias pembagi tegangan ( Voltage
Div.ider )
Mengerti tentang rangkaian transistor bias pembagi tegangan
Dapat menjelaskan dan menganalisis rangkaian transistor bias
Pembagi Tegangan.
Dapat mensimulasikan rangkaian transistor bias pembagi
tegangann.

BAB II
PEMBAHASAN
A. DASAR TEORI

1. PENGERTIAN TRANSISTOR

Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron


sebagai prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga daerah
doped yaitu daerah emitter, daerah basis dan daerah kolektor. Transistor ada dua
jenis yaitu NPN dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satu antara emitter
dan basis, dan yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu, sebuah transistor
seperti dua buah dioda yang saling bertolak belakang yaitu dioda emitter-basis,
atau disingkat dengan emitter dioda dan dioda kolektor-basis, atau disingkat
dengan dioda kolektor.
. Suatu transistor terdiri dari 3 daerah dengan jumlah elektron yang
berbeda. Bagian yang disebut emiter mempunyai tingkat elektron dengan jumlah
yang tinggi,Oleh karena itu emiter menyalurkan kelebihan elektronnya kedalam
basis. Namun basis memiliki lapisan yang sangat tipis. Dan basis pada akhirnya
menyalurkan elektron ke kolektor, yang mempunyai bagian yang paling besar dari
bagian yang lain.
Karena 3 daerah tersebut memiliki jumlah elektron yang berbeda, berarti
mempunyai lapisan-lapisan pengosongan dengan lebar yang berbeda pula. Makin
tinggi jumlah elektron, makin besar ion disekitar persambungan. Yang berarti
jumlah elektron yang menembus sangatlah kecil. Transistor terdiri dari 2 diode.
Transistor juga memiliki 2 jenis. Untuk transistor silikon, potensial bariernya
kurang lebih sama dengan 0,7 V pada 25 drjt celcius. Dan 0,3 V untuk transistor
germanium. Berarti transistor silikon penggunaannya lebih luas dari pada
transistor germanium.Karena transistor silikon mempunyai batas tegangan dan
batas arus yang lebih tinggi, dan kepekaan yang lebih rendah terhadap perubahan
suhu.

2. TRANSISTOR BIAS PEMBAGI TEGANGAN


Transistor bias Pembagi tegangan merupakan rangkaian sederhana yang
dapat mengubah tegangan yang tinggi menjadi tegangan yang lebih rendah.
Dengan hanya menggunakan dua resistor yang dipasang secara seri dan dengan
sebuah input tegangan, kita dapat membuat tegangan output yang mana teganan
output ini merupakan hasil perhitungan dari tegangan input. Rangkaian bias
pembagi tegangan seringkali dugunakan karena arus base dibuat kecil dibanding
dengan arus yang melalui resistansi pada sisi base (voltage divider). Sebagai
hasilnya, arus pada kolektor relatif stabil terhadap perubahan nilai dari
transistor.
Pembagi tegangan merupakan salah satu rangkaian dasar yang harus
dikuasai dalam elektronika dan pengaplikasian rangkaian pembagi tegangan dapat
dijumpai pada rangkaian penguat transistor dengan bias pembagi tegangan. Selain
itu pembagi tegangan dapat dijumpai pada teori rangkaian Thevenin.

3. FUNGSI TRANSISTOR BIAS PEMBAGI TEGANGAN


Rangkaian bias pembagi tegangan biasa digunakan untuk mendeteksi nilai
resistansi ( nilai tahanan ) pada sensor-sensor yang bersifat resistif
(melawan) .
Rangkaian bias pembagi tegangan biasanya digunakan untuk membagi
tegangan atau mengkonversi dari resistensi menjadi sebuah tegangan.
Rangkaian bias pembagi tegangan seringkali di gunakan karena arus basis
dibuat kecil dibanding dengan arus yang melalui resistansi pada sisi basis.
4. RANGKAIAN TRANSISTOR BIAS PEMBAGI TEGANGAN

Rangkaian transistor bias pembagi tegangan paling banyak dipakai dalam


rangkaian linear. Nama pembagi tegangan berasal dari tegangan yang dibentuk
oleh R1 dan R2.Bias tegangan pada base transistor dapat dikembangkan dengan
pembagi tegangan resistor R1 dan R2 seperti pada gambar 1.1 .

Gambar 1.1 Rangkaian bias pembagi tegangan


Apabila kita membuka kawat penghubung basis maka pembagi tegangan
tidak akan terbebani.Tegangan thevenin dari pembagi tegangan dan resistensi
thevenin dapat dirumuskan :
R2 R2

VTH R 1+R 2 VCC dan RTH R 1+R 2

ARUS EMITER
Arus basis pada gambar 1.1 sangat kecil dibandingkan dengan arus
yang melalui R1 dan R2. Sehingga kita dapat menggunakan teorema pembagi
tegangan untuk mendapatkan tegangan pada R2 :
Hukum kirchoff memberikan :

VE = V2-VBE
Hal ini menyatakan tegangan pada resistor emitter sama dengan pada
tegangan R2 dikurangi dengan jatuh tegangan VBE. Oleh karena itu, arus emitter
dapat dirumuskan sebagai berikut.

TEGANGAN KOLEKTOR EMITER


Tegangan kolektor ke tanah VC sama dengan tegangan catu dikurangi jatuh
tegangan pada kolektor :

VC = VCC IC x RC
Tegangan emitter ke tanah adalah :

VE = IE.RE
Tegangan kolektor ke emitter adalah :

VCE = VC VE = VCC IC.RC IE.RE


VCE = VCC IC(RC + RE)
Karena IC dan IE hampir sama. Jika arus kolektor yang mengalir terlalu
banyak, transistor menuju ke penjenuhan. Secara ideal ini berarti suatu hubungan
singkat antara terminal kolektor emitter, dengan penjenuhan sebesar :

Sebaliknya jika transistor beroperasi dalam titik sumbat ( cutoff ) tidak ada
arus kolektor yang mengalir, dan semua tegangan catu muncul pada terminal
kolektor emitter :

VCE( CUTOFF ) = VCC


Karena itu garis beban melewati perpotongan vertical sebesar VCC / (RC +
RE) melalui perpotongan horizontal pada VCC . Titik Q akan terletak pada garis
beban, kedudukannya ditentukan dengan :

Salah satu masalah utama yang dijumpai dalam proses produksi dari
rangkaian adalah harga variasi dc.Harga ini akan berubah dari satu transistor dan
transistor yang lain.Misalnya transistor 2N3904 mempunyai harga minimum dc
Sebesar 100 dan harga maksimumnya adalah 300. Jadi ribuan transistor yang ada
dipasaran beberapa diantaranya mempunyai harga dc dan beberapa yang lain
mempunyai dc sebesar 300. Sebagai akibat berbedanya harga dc ini maka praktis
tidak dapat digunakan pada rangkaian linear karena titik Q tidak dapat diramalkan
. namun dengan rangkaian pembagi tegangan ini efek variasi dc tersebut dapat
dihilangkan.

Berikut ini adalah penjelasan mengapa rangkaian pembagi tegangan


adalah cara yang tepat untuk memberi prategangan kepada suatu transistor. Untuk
perancangannya R1,R2 dan RE dipilih agar memenuhi syarat :

R 1 R 2
RE >> dc

Tanda >> dalam ungkapan diatas berarti jauh lebuh besar dari . Apabila
syarat ini terpenuhi maka menjadi :

Karena dc tidak ada dalam rumus diatas maka arus emitter tdak lagi
tergantung pada harga dc.
5. CONTOH SOAL TRANSISTOR BIAS PEMBAGI TEGANGAN

Contoh soal :
1. Berapa arus kolektor dan arus emitter ?
2. Berapa tegangan kolektor-emitter ?

Gambar 2a Gambar 2b menunjukkan titik Q.

Jawaban :
Jika transistor beroperasi dalam titik sumbat (cutoff) semua
tegangan catu muncul pada terminal kolektor emitter, memberikan :

VCE (cutoff) = VCC = 30 V

Gambar pada 2b menunjukkan beban Dc


Tegangan pada resistor 10 K adalah 10 V ( guakan teorema pembagi
tegangan). Jatuh tegangan dioda emitter 0,7 V yang meninggalkan tegangan 9,3 V
pada resistor emitter RE. Jadi :
Karena arus kolektor hamper sama dengan arus emiter , maka :

IC = IE = 1,86 mA
Tegangan kolektor emitter adalah : VCE = VCC - IC (RC + RE )

= 30 - 1,86 (0,001) 9000


= 13,3 V
BAB III
PENUTUP

A. KESIMPULAN

Pembagi tegangan merupakan rangkaian sederhana yang dapat mengubah


tegangan yang tinggi menjadi tegangan yang lebih rendah. Dengan hanya
menggunakan dua resistor yang dipasang secara seri. Pembagi tegangan
merupakan salah satu rangkaian dasar yang harus dikuasai dalam elektronika.
karena hal ini sangat penting untuk membagi tegangan.Selain itu transistor bias
pembagi tegangan berfungsi sebagai untuk menghubungkan transducer input
kedalam rangkaian dan untuk mendeteksi nilai resistansi ( nilai tahanan ) pada
sensor-sensor yang bersifat resistif. Bahkan masih ada banyak lagi kegunaan
transistor bias pembagi tegangan ini.

B. SARAN

Saran kami pada teman-teman setelah membaca laporan yang berjudul


Transistor bias pembagi tegangan (Divider voltage) ini, Teman teman dapat
mempelajari Transistor bias pembagi tegangan yang di bahas dalam laporan ini.
Kemudian jika ada salah dalam penulisannya, kami selaku penulis minta maaf
sebesar besarnya.
DAFTAR PUSTAKA
Sujono,dwi h. 2011 : Elektronika Teori dan Penerapan .Cerdas Ulet
Kreatif :Jakarta.

Malvino.1985 : Aproksimasi rangkaian semikonduktor.Airlangga:Jakarta