PERTEMUAN 2

TEORI DASAR
(DIODA)

PENGERTIAN DIODA
Dioda merupakan komponen elektronika ya
ng
 mempunyai dua elektroda (terminal), dapat
berfungsi sebagai penyearah arus listrik.
Dioda merupakan junction ( pertemuan )
semikonduktor tipe-p dan tipe-n. Dioda
junction adalah nama lain untuk kristal tipe
pn.
Ada dua jenis dioda yaitu dioda tabung dan
dioda semikonduktor.

DIODA TANPA BIAS

Gambar di bawah ini menunjukkan dioda
junction. Sisi p mempunyai banyak hole dan si
si n
banyak elektron pita konduksi. Dioda pa
da
gambar dibawah ini adalah tanpa bias
yang
berarti tidak ada tegangan luar
dikenakan
kepadanya.
Tipe- P Tipe- N

+ + + + - - - -
+ + + + - - - -
+ + + + - - - -

LAPISAN PENGOSONGAN (depletion laye

r)
Elektron pada sisi n cenderung untuk berdif
usi
(tersebar) ke segala arah. Beberapa ber
difusi
melewati junction.

Jika elektron masuk daerah p, maka a

kan
menjadi pembawa minoritas danmemiliki
umur hidup yang singkat , setelah memasu
ki
daerah p maka elektron akan jatuh ke dala
m
hole sehingga hole lenyap dan elektron
pita
konduksi menjadi elektron valensi.
 LAPISAN PENGOSONGAN (2)

Setiap kali elektron berdifusi melalui junction,maka

akan tercipta sepasang ion
Tanda positif berlingkaran menandakan ion positif
dan tanda negatif berlingkaran menandakan ion
negatif

LAPISAN PENGOSONGAN (3)

Tiap pasang ion positif dan negatif pada gambar disebut
 dipole. Penciptaan dipole berarti satu elektron pita
konduksi dan satu hole telah dikeluarkan dari sirkulasi.
Jika terbentuk sejumlah dipole, daerah dekat junction
dikosongkan dari muatan muatan yang bergerak da
n
daerah yang kosong muatan ini disebut dengan lapis
an
pengosongan (depletion layer ).
Lapisan Pengosongan
Tipe- P Tipe- N

+ + + - + - - -
+ + + - + - - -
+ + + - + - - -

POTENSIAL BARRIER
Tiap dipole mempunyai medan listrik (lihat gambar). Anak
panah menunjukkan arah gaya pada muatan positif . Oleh
 sebab itu jika elektron memasuki lapisan pengosongan
,
medan listrik mencoba mendorong elektron kembali k
e
dalam daerah- n.
Kekuatan medan bertambah dengan berpindahnya tiap
elektron sampai akhirnya medan menghentikan difu
si
elektron yang melewati junction.
Lapisan Pengosongan

- +
- +

Tipe- P - + Tipe- N

POTENSIAL BARRIER (2)

 Hole yang memasuki daerah pengosongan a
kan
didorong oleh medan listrik kedalam daerah n.
Hal ini sedikit mengurangi kekuatan medan listrik d
an
membiarkan beberapa pembawa mayoritas berdifu
si
dari kanan ke kiri untuk mengembalikan m
edan
listrik pada kekuatannya semula.
Adanya medan listrik diantara ion adalah ekival
en
dengan perbedaan potensial yang disebut potensi
al
barier.
Pada 25o C, potensial berier kira-kira sama den
gan
 0,3 V untuk dioda germanium dan 0,7 V untuk dio
da
silikon

FORWARD BIAS DIODE

Disebut rangkaian bias maju (forward bias) jika terminal
negatif sumber dihubungkan dengan bahan tipe-n, dan
terminal positif dengan bahan tipe-p.
Tipe- P Tipe- N
+ + + - + - - -
+ + + - + - - -
+ + + - + - - -
+ -
Jika elektron pita konduksi bergerak menuju junction, ujung
kanan kristal menjadi lebih positif. Hal ini terjadi karena elektro
n
pada ujung kanan kristal bergerak menuju junction da
n
meninggalkan atom bermuatan negatif di belakang.

REVERSE BIAS DIODE

Disebut rangkaian bias balik (reverse bias) jika term
inal
positif sumber dihubungkandengan bahan tipe-n, da
n
terminal negatif dengan bahan tipe-p.

Tipe- P Tipe- N

+ + + - + - - -
+ + + - + - - -
+ + + - + - - -
- +
Pada reverse bias, lapisan pengosongan akan semakin leb
ar
karena hole dan elektron bergerak menuju ujung ujung krista
l
(menjauhi junction). Elektron pergi meninggalkan ion positif d
an
hole pergi meninggalkan ion negatif. Oleh sebab itu lapis
an
pengosongan bertambah lebar.
+ + - - -
+ -
+
---
REVERSE BIAS DIODE (2)
Perhatikan gambar dibawah ini :
Tipe- P Tipe- N

++ +
+ + + - - -
- +
Jika pasangan elektron hole diciptakan di dalam lapi
san
pengosongan, medan listrik mendorong elektron
ke
 kanan , memaksa satu elektron untuk meninggalk
an
ujung kanan kristal. Hole di dalam lapisan pengosong
an
didorong ke kiri.
Kelebihan hole pada sisi p mengizinkan satu elek
tron
memasuki ujung kiri kristal dan jatuh ke dalam hole

REVERSE BIAS DIODE (3)

Arus reverse yang disebabkan oleh pembawa minorit
as
disebut arus saturasi (IS) . Energi thermal menghasilk
an
arus saturasi, makin tinggi suhu maka makin besar a
rus
saturasinya.
Jika tegangan reverse diperbesar maka akhirnya
akan
mencapai tegangan breakdown. Tegangan ini
merupakan batas dari
kemampuan dioda untuk
menerima kenaikan tegangan reverse. Biasanya
tegangan breakdown lebih besar dari 50 V, tetapi dio
da
tidak diijinkan untuk mencapai tegangan breakdown
nya

DIODA PENYEARAH
Rangkaian pada gambar menunjukkan bahwa periode
positif dari tegangan input akan memberikan bias
forward pada dioda, sehingga dioda akan konduksi
selama periode positif. Tetapi untuk periode negatif,
dioda dibias reverse dan hanya arus reverse kecil yang
mengalir.
Tanda panah besar mununjukkan
aliran elektron ke atas dan yang
kecil untuk aliran ke bawah.

Dioda telah menyearahkan arus ac berarti mengubahnya

dari arus bolak balik menjadi arus searah.

DIODA PENYEARAH (2)

Lambang dioda :
 Sisi p disebut anoda dan sisi n disebut katoda.
Lambang dioda seperti anak panah yang arahnya
dari
sisi p ke sisi n. Dan ini mengingatkan kita bahwa ar
us
konvensional mudah mengalir dari sisi p ke sisi n.

TEGANGAN LUTUT ( Knee voltage)

Gambar berikut menunjukkan bagaimana bentukn
ya
grafik dioda silikon terbias forward.

Bila diberikan forward bias, dioda

menjadi sangat tidak konduktif
 sebelum melalui potensial
barier.

Hal ini yang menyebabkan mengapa arus menjadi ke

cil
untuk beberapa persepuluh volt yang pertama.

TEGANGAN LUTUT (2)

Bila telah mendekati potensial barrier (sekitar 0.
7V
untuk dioda silikon ), elektron pita konduksi
dan
hole mulai melintasi junction dalam jumlah yan
g
besar. Inilah sebabnya arus mulai bertamb
ah
dengan cepat.

Tegangan dimana arus bertambah dengan cepa

t
disebut tegangan lutut ( knee voltage ). Un
tuk
dioda silikon, tegangan lututnya sama deng
an
potensial barrier kirakira 0.7 V. Dioda
germanium mempunyai tegangan lutut sekit
ar
0.3 V.

Resistansi Bulk
Diatas tegangan knee, arus dioda bertambah de
ngan
cepat, pertambahan tegangan sedikit pada dioda ak
an
menyebabkan pertambahan yang besar pada aru
s
dioda.
Alasannya adalah setelah potensial barier
dilewati,yang menahan arus hanya tahanan bulk a
tau
tahanan ohm dari daerah p dan n.
Karena setiap konduktor mempunyai resistansi, m
aka
kedua daerah p dan n juga mempunyai resistans
i.
Jumlah resistansi resistansi ini disebut resistansi b
ulk
dioda.
 KURVA DIODA
Jika sebuah dioda diberi reverse bias ( gambar a) mak
a
hanya akan mendapatkan arus yang kecil. De
ngan
mengukur arus dan tegangan dioda maka dap
at
digambarkan kurva reverse terlihat seperti
pada
(gambar b). i

-8V
V

(b)
 KURVA DIODA (2)
Arus dioda sangat kecil untuk semua tegangan reverse yang leb
ih
rendah daripada tegangan breakdown (BV). Pada tegang
an
breakdown arus bertambah dengan cepat untuk pertambah
an
tegangan yang sedikit saja.
Dengan menggunakan harga positif untuk arus da
n
tegangan forward, dan harga negatif untuk arus dan
tegangan reverse, maka dapat digambarkan kurvanya.
Grafik ini menyimpulkan kerja dari sebuah dioda dan
menunjukkan berapa besar arus dioda yang mengalir untuk
setiap harga tegangan dioda. i
Maju (forward)

-8 V
V
 Mundur(reverse)

DIODA IDEAL
Secara ideal dioda berlaku seperti konduktor sempurna
(
tegangan nol ) jika dibias forward dan seperti isolator sempurn
a
( arusnya nol ) jika dibias reverse.
i
Tertutup
=
Tegangan

Forward NOL

Arus Reverse NOL

V

Dalam rangkaian elektronika, dioda ideal berlaku seperti saklar

otomatis. Jika arus konvensional berusaha mengalir searah ana
k
panah dioda, saklar tertutup (lihat gambar). Jika arus
konvensional berusaha mengalir ke arah sebaliknya, saklar aka
n
terbuka.

TUGAS INDIVIDU
Membuat rangkaian Flip-Flop dengan transistor, sepe
rti
di gambar ini.
Pada Papan PCB tulis nama, kelas, dan NIM.

SOAL-SOAL
LATIHAN

SOAL 1 DAN 2
01. Nama lain untuk kristal tipe pn adalah :
a. Junction d. Valensi
 b. hole e. Dipole
c. kristal

02. Pada dioda junction, Sisi-P mempunyai :

a. 10 hole d. Banyak proton
b. Sedikit hole e. Banyak elektron
c. Banyak hole

SOAL 2 DAN 3
02. Pada dioda junction, sisi-P mempunyai :
a. 10 hole d. Banyak proton
b. Sedikit hole e. Banyak elektron
c. Banyak hole
3. Apabila gerakan elektron valensi ke kanan
berarti hole sedang bergerak ke ..
a. Ikut kekanan d. Kebelakang
b. Kedepan e. Kesamping
c. Kekiri

SOAL 3 DAN 4
03. Apabila gerakan elektron valensi ke kanan
berarti hole sedang bergerak ke ..
a. Ikut kekanan d. Kebelakang
b. Kedepan e. Kesamping
c. Kekiri
04. Pada 250C, potensial berier kira-kira sama
 dengan untuk dioda silicon
a. 0, 1 V d. 0, 3 V
b. 0, 5 V e. 0,6 V
c. 0, 7 V

SOAL 4 DAN 5
04. Pada 250C, potensial berier kira-kira sama dengan
untuk dioda silicon
a. 0, 1 V d. 0, 3 V
b. 0, 5 V e. 0,6 V
c. 0, 7 V

05. Pada dioda, bila terminal negatif sumber dihubungkan

dengan bahan tipe-n,dan terminal positif dengan bahan
tipe-p,hubungan ini disebut dengan :
a. Forward bias. d. Bias semu
b. Tanpa bias e. Bias nyata
c. Reverse bias
SOAL 5 DAN 1
05. Pada dioda, bila terminal negatif sumber
dihubungkan dengan bahan tipe-n,dan terminal po
sitif
dengan bahan tipe-p,hubungan ini disebut dengan
:
a. Forward bias. d. Bias semu
b. Tanpa bias e. Bias nyata
c. Reverse bias
01. Nama lain untuk kristal tipe-pn adalah :
a. Junction d. Valensi
b. hole e. Dipole
c. kristal