Manual de Perkins 1006T

UNIVERSIDAD PONTIFICIA COMILLAS
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIERA (ICAI)

INGENIERO INDUSTRIAL
PROYECTO FIN DE CARRERA
PROTOCOLO DE MEDIDAS DEL

AISLAMIENTO DEL BANCO GENERAL
A350
AUTOR: TOMS ALONSO MARTNEZ
MADRID, Junio de 2009

ndice
I. Introduccin y planteamiento ...................................................................1
II. Descripcin de las tecnologas ..............................................................2
El Banco General ...............................................................................................2
Red de masa del Banco General......................................................................3
III. Modelizacin de la red de masa............................................................6
Modelo elctrico ................................................................................................6
Valores de los parmetros del modelo...........................................................8
Simulaciones realizadas a partir del modelo ..............................................10
IV. Mtodos de detencin de defectos de

aislamiento por medida de corriente .............................................................11
Introduccin.....................................................................................................11
Medida global del aislamiento ......................................................................11
Localizacin de una fuga local ......................................................................12
V. Divisin en islas del Banco General para la

localizacin de una prdida de aislamiento .................................................22
Modelizacin del Banco General ..................................................................22
Divisin en islas mediante aislamiento inductivo ...............................23
Mtodo de localizacin de la prdida de aislamiento ...............................25
Simulaciones ....................................................................................................27
VI. Mtodo de detencin de defectos de

aislamiento por medicin de tensin.............................................................41
Anlisis frecuencial .........................................................................................41
Simulaciones de defecto resistivo .................................................................46
Mtodo de detencin mediante impulsiones de tensin...........................49

VII. Conclusin ..............................................................................................63
Conclusiones sobre la metodologa..............................................................63
Conclusiones sobre los resultados................................................................63
VIII. Bibliografa .........................................................................................65

1
I. Introduccin y planteamiento
La concepcin de los bancos de ensayo de aviones requiere en ciertas

ocasiones una red de masa aislada de la tierra del edificio. Luego veremos
que este es el caso del futuro Banco General A350 (BG A350) que impone
unos requisitos de aislamiento ms severos que los de sus predecesores.
Si bien se puede conseguir un buen aislamiento, es difcil mantenerlo en el

tiempo. El objetivo de este proyecto ser proponer un protocolo de
medida del aislamiento de la totalidad del banco con la posibilidad de
detectar una prdida local de este aislamiento.
Este diagnstico debe hacerse en tiempo real y debe ser compatible con las
exigencias de seguridad elctrica. Finalmente, debe poderse poner en
prctica gracias a una solucin industrial simple.
En un primer momento, nos interesaremos por estudiar el contexto de este

proyecto, las especificidades del Banco General A350 y modelizaremos la
red de masa del Banco General.
En un segundo instante, estudiaremos los distintos mtodos de

localizacin de defectos de aislamiento posibles y propondremos un
mtodo de divisin en zonas del Banco General y de posterior medida de
corriente o de tensin.
En ltimo lugar, inspirndonos en la teora de localizacin de defectos

gracias a la ecometra con impulsiones de tensin, propondremos un
protocolo de detencin de defectos de aislamiento basado en la medida de
tensin.
Finalmente, concluiremos este proyecto proponiendo posibles desarrollos

industriales para los distintos mtodos aplicables a la construccin del
futuro Banco General del A350.
Protocolo de medidas del aislamiento del Banco General A350

2
II. Descripcin de las tecnologas
El Banco General
El Banco General (BG), tambin llamado Iron Bird, es un banco de

ensayos, una representacin a escala del futuro avin con accionadores,
caminos de cable, sistemas tales como los trenes de aterrizaje y que sirve
principalmente para simular, probar y validar los diferentes sistemas
elctricos de los futuros aviones.
Cada avin posee su propio banco general. Nosotros hemos podido visitar
las instalaciones de AIRBUS de Saint Martin en Toulouse-Blagnec, a
continuacin vemos una foto del Banco General del A380.
Figura 1. Imagen, Banco General A380
Se puede observar en esta foto el cuerpo del avin en el centro con los
caminos de cable que circulan a lo largo de toda la estructura y en los
lados vemos las dos alas replegadas. Las partes rojas corresponden a las
partes mviles del BG (trenes de aterrizaje en el medio y los timones a la
altura de las alas).

3
En el marco de nuestro estudio, nos interesaremos en el futuro Banco

General del A350.
Concretamente nos proponemos estudiar el aislamiento de la tierra del

edificio donde se encuentra situada esta compleja estructura, constituida
de numerosos pilares que suponen puntos de contacto y que deben de ser
correctamente aislados del suelo.
El objetivo ser de proponer un protocolo de medidas del aislamiento del

futuro BG A350, que permita detectar y localizar una posible prdida de
asilamiento.
Red de masa del Banco General
El futuro Banco General del A350 presenta exigencias particulares en

trminos del aislamiento de su red de masa elctrica. Estas exigencias se
explican por la utilizacin en la concepcin del avin A350 de materiales
compuestos a base de fibra de carbono, no conductores, para la realizacin
del fuselaje. Por lo tanto ya no est asegurada la misin de masa elctrica
que desempeaba el fuselaje tradicionalmente. De este modo nos
encontramos con la necesidad de tener a bordo del avin una red de masa
filiar, bajo la forma de un camino de cables, llamada en Airbus la Electrical
Estructure Network (ESN).
Figura 2. Imagen, Visin general de la red de masa

4
En el futuro Banco General A350, la ESN, formada por los caminos de

cables en el centro del BG, est conectada a la Main Bounding Network
(MBN). MBN es un trmino que reagrupa al conjunto de partes metlicas
del avin que participan en el retorno de corriente y que est en contacto
en mltiples puntos con la estructura del BG (postes metlicos, pilares).
Contrariamente a la red de masa del un avin convencional que es
nicamente filial, en la red de masa del BG A350 se incluye tambin la
estructura metlica del banco.
La ESN sirve como referencia de tensin, participa adems en el retorno

de la corriente y est unida solamente por un punto a la tierra del edificio.
La ESN se encuentra en rgimen de neutro TN-C, es decir, el neutro y el
conductor de proteccin elctrica estn unidos.
La estructura metlica del banco participa igualmente en el retorno de

corriente y en la referencia de potencial. Est aislada del suelo en cada
pilar por placas de tefln. Su rgimen de neutro es el rgimen TN-S, el
neutro y el conductor de proteccin elctrica estn separados.
Figura 3. Imagen, Estructura de la red de masa
El BG deber por lo tanto presentar un aislamiento de calidad para tener

una red de masa que sea representativa de la futura red de masa a bordo.

5
A continuacin hacemos referencia a las especificaciones relativas a la

concepcin del Iron Bird A350:
Tener una red de neutro en el Banco General A350 que respete la

impedancia de la ESN del avin en un +/- 5%, en todo el rango de
frecuencia de 300 1000 Hz, para tener as corrientes de retorno
representativas.
Simular las interacciones electromagnticas entre los cables sistema

y el fuselaje y los caminos metlicos del avin.
Tener una red de neutro en el Banco General A350 aislada de la

tierra.
El punto de partida del estudio ser definir un modelo de la futura red de

masa del A350 y validar mediante simulacin el valor de los diferentes
parmetros.
La modelizacin de la red de masa A350 ser el objeto de la primera parte

de este proyecto.

6
III. Modelizacin de la red de masa
Modelo elctrico
Buscamos realizar una modelizacin elctrica relativamente simple de la

red de masa del Banco General con el propsito de verificar que, en
nuestra gama de frecuencias, conseguimos un aislamiento de buena
calidad del BG.
De esta manera nos situaremos en la gama de frecuencia [0, 10 kHz]

sabiendo que el fundamental de los generadores del Iron Bird es de 400
Hz. En esta gama de frecuencia estn comprendidos con bastante
suficiencia tanto la corriente continua utilizada por ciertos componentes
electrnicos como las altas frecuencias y los armnicos (ruidos,
perturbaciones debidas a la electrnica utilizada).
Representamos a continuacin un breve recapitulativo de los esquemas

elctricos simples de las redes de masa de un avin (masa flotante), de un
BG no aislado de la tierra y de un BG aislado con un solo punto de
contacto con la tierra. Como dijimos antes, elegiremos la tercera
configuracin para conseguir que las corrientes de fuga por la tierra sean
lo ms pequeas posible.
Las placas aislantes utilizadas en los pilares para el aislamiento de la

estructura metlica del banco estn hechas de PTEE (Tefln) y presentan
un aislamiento de buena calidad dentro de la gama de frecuencia
considerada.

7
Figura 4. Esquema, Redes de masa de un avin y un BG
En la siguiente figura representamos le modelo elctrico de la red de masa

del banco general A350.
Figura 5. Esquema, Modelizacin elctrica de la red de masa
En este esquema aparecen las diferentes partes del Banco General:
- La Main Bounding Network con las alas, el estabilizador y el fuselaje.
- La Electrical Structure Network en el centro de la estructura.
- Una fuente de tensin correspondiente a la alimentacin situada en

el ncleo elctrico del aparato.
- Una fuente de corriente que simboliza el retorno de corriente por el

estabilizador.
- La unin a tierra de la sala de explotacin.

8
Valores de los parmetros del modelo
Los diferentes parmetros del modelo han sido evaluados. De hecho, la

concepcin del BG A350 est relativamente avanzada, las tecnologas y las
geometras ya estn definidas. Podemos entonces aprovechar la
experiencia de los BG existentes, tales como el del A380, para definir los
valores tpicos de los diferentes parmetros como son:
- Resn1&2: Resistencias de la ESN.
- Rt: Resistencia de las sogas que unen la MBN a la ESN.
- Rpe: Resistencia del cable de proteccin elctrica.
- Cemp, Clw/w, Cfus: Capacidades que engloban al conjunto de

efectos capacitivos de cada elemento de la MBN (estabilizador,
fuselaje, ala izquierda/derecha)
Parmetros no tenidos en cuenta:
- Rmbm: Resistencia de los diferentes elementos conductores de la

MBN que no se tendrn en cuenta frente al valor de su capacidad.
- Cesc: Capacidad parsita creada por las escaleras de la estructura,

que es despreciable.
Estas evaluaciones permiten llegar a la siguiente tabla de valores. Hace

falta destacar que estos valores son forzadamente aproximados y que
convendr estudiar mediante simulacin si ofrecen una buena imagen de
la realidad.

9
Componente Descripcin Valor
Resn1 Resistencia de la ESN (dividida en dos partes) 25m
Resn2 Resistencia de la ESN (dividida en dos partes) 25m
Resistencia del cable de proteccin elctrica
Rpe (100m con 0,18 m/m) 18m
Rt Resistencia de las sogas de masa (0,23 m/m) 92m
Rsol Resistencia del suelo = Resistencia del hormign 75
Tabla 1. Valores de las resistencias del modelo elctrico de la red de masa del BG
Capacidad entre la estructura que representa el ala derecha y

Crw el suelo 8114pF
Capacidad entre la estructura que representa el ala izquierda y

Clw el suelo 8114pF
Capacidad entre la estructura que representa el fuselaje y el

Cfus suelo 24750pF
Capacidad entre la estructura que representa el estabilizador y

Cemp el suelo 8250pF
Cse Capacidad entre la estructura que representa la sala y el suelo 4770pF
Tabla 2. Valores de las capacidades del modelo elctrico de la red de masa del BG
Ejemplo de clculo de capacidad
Para Crw y Clw, capacidades entre la estructura que representa las alas y
el suelo, han sido calculadas como sigue:
- Capacidad de un pilar (placa aislante entre dos conductores): 300pF
24 pilares en paralelo sean 24 x 300 = 7200 pF.
- Transformador de aislamiento: 450 pF (Datos del constructor).
- Capacidad de la EDF (bomba situada a la altura de las alas): 232 pF
Dos EDP -> 464 pF
Sea Crw = Clw = 7200 + 450 + 464 = 8114 pF.

10
Vex Tensin de excitacin DC o AC (0 10 kHZ) 1V
I0 Corriente de excitacin DC o AC (0 10 kHZ) 1A
Resistencia del conductor de alimentacin, depende del modelo

Ralim de excitacin. Por ejemplo: Cobre 6 (1,5 m/m ) x 50m de cable 75 m
Tabla 3. Valores de los parmetros del modelo elctrico de la red de masa del BG
Simulaciones realizadas a partir del modelo
Ahora simulamos el modelo con Matlab-Simulink y sacamos los valores

de corriente de retorno en las distintas partes del Banco General.
Dentro de la gama de frecuencias considerada [0, 10 kHz], constatamos

que el retorno de corriente se efecta sin problemas por la ESN, en
presencia de un aislamiento de calidad de la estructura.
En revancha, en caso de defecto de aislamiento del banco (modelizado con

un corto circuito), obtenemos una corriente de fuga del mismo orden de
magnitud que la corriente de retorno que se cierra por la ESN.
En este caso, la corriente de retorno medible ya no es representativa de la

corriente de retorno de la ESN del avin y los requisitos no son
respetados.
Por lo tanto, la detencin y la localizacin de eventuales defectos de

aislamiento se van a convertir en el objeto de la continuacin del estudio.

11
IV. Mtodos de detencin de defectos de

aislamiento por medida de corriente
Introduccin
En un primer lugar, es necesario comprender lo que vamos a intentar

medir. Si consideramos el Banco General como una serie de impedancias
en paralelo, queda claro que si en algn pilar hay un problema de prdida
de aislamiento o si hay un defecto resistivo en el banco (por ejemplo, una
escalera apoyada), toda la corriente se perder por el pilar o por el defecto.
Figura 6. Esquema, Modelizacin simple del BG
Vemos en la figura de arriba que toda la corriente fluir por donde la

resistencia sea ms pequea, bien sea por el pilar con prdida de
aislamiento (crculo de la izquierda), bien sea por el defecto resistivo
(crculo de la derecha).
Medida global del aislamiento
La medida de una fuga global se puede hacer con un controlador de

aislamiento clsico (Fluke 1507, Megger MIT400). Obtendremos as el
valor de la resistencia de aislamiento global de todo el banco (alrededor de
100 pilares como los descritos anteriormente), que puede ser suficiente
sino hay fugas en el banco. Sin embargo, en caso de fuga, no seremos

12
capaces de diagnosticar el lugar ni siquiera la zona de la fuga, slo

sabremos que hay una fuga.
Podremos utilizar tambin un CPA, controlador permanente de

aislamiento, con el fin de automatizar esta medicin e incluso podremos
programar los lmites con una alarma para advertir al utilizador de un mal
funcionamiento del aislante. Ser ms fcil encontrar la fuente del
problema si se sabe en que momento exacto se produce la fuga.
Este mtodo permite saber si hay una fuga pero no decir donde se ha
producido.
Localizacin de una fuga local
Ahora vamos a intentar localizar una fuga local detectada gracias al

mtodo anterior. En este punto vamos a distinguir dos posibles mtodos
que nos permitirn efectuar una medida de la fuga de manera local.
El primer mtodo consiste en considerar el BG como un gran divisor de

corriente e investigar por donde se escapa la corriente. El segundo mtodo
es un compromiso entre la medida global y local, donde vamos a intentar
dividir el Banco en islas para facilitar la localizacin del defecto.
Divisor de corriente
Hace falta medir la corriente circulante por un pilar de varias decenas de

centmetros de permetro. Los nicos sensores que estn adaptados a
nuestro caso son la Sonda de Rogowski, un sensor de tipo Fluxgate y un
medidor de campo.
Para medir esta corriente, empezamos primeramente explorando tres

pistas. La primera, consiste en intentar medir el campo creado por la
corriente de fuga. El segundo mtodo busca medir los efectos trmicos del

13
paso de la corriente de fuga por los pilares. Finalmente, el ltimo mtodo

que hemos analizado es la resonancia: intentar hacer entrar en resonancia
una parte del BG para tener mayor facilidad a la hora de medir la corriente
de fuga.
Medicin del Campo
En la medida del campo, hemos barajado tres tcnicas distintas. La

medida clsica de la induccin, la medida gracias a una sonda flexible sin
material magntico y finalmente la medida con una sonda de tipo
Fluxgate.
Medicin de la induccin
Buscamos calcular previamente la induccin para despus encontrar un

captador capaz de medirla.
Si consideramos un pilar, de dimensiones 50 cm x 50 cm, atravesado por

0 I
una corriente I, obtenemos el campo: B = considerando el pilar como
2r
un cable que crea un campo. Nos situamos a 50 cm para medir este campo,
sabiendo que la corriente que lo atraviesa es de 1 mA (corriente de defecto
en el peor caso posible: degradacin del aislamiento bajo una tensin
razonable de 10 V).
Obtenemos B = 0.04 nT, una induccin muy pequea.
Este campo es extremadamente dbil y el ambiente en el que se efectan

las medidas esta muy perturbado por interferencias electromagnticas, no
obstante intentamos encontrar un captador que pudiese medir ese campo.
Buscando en los catlogos de los distintos constructores, lo mximo que

encontramos fueron sensores de resoluciones del orden de nT, lo que es
aproximadamente 100 veces ms grande que el valor de nuestro campo.
Por lo tanto, abandonamos esta pista.

14
Medicin por sonda de Rogowski
Figura 7. Esquema, Sonda de Rogowsi
Si slo consideramos la bobina atravesada por i, de una longitud de L, de

N espiras y de una seccin constante S, obtenemos: n = N / L que
corresponde al nmero de espiras por unidad de longitud. El sensor
di1
proporciona entonces una tensin e2 = 0 nS .
dt
El circuito electrnico situado a continuacin de la bobina es un

0 nS
integrador. Al final, obtenemos u s = i1 . La tensin de salida es una
RC
imagen directa de la corriente que atraviesa la sonda.
Despus de consultar los catlogos de constructores, vemos que los

rdenes de magnitud de los valores mesurables no son compatibles con
los que podemos obtener en el Banco.
De hecho, la sensibilidad mxima que hemos encontrado para una sonda

de Rogoswki es de 100 mV por amperio circulante en el circuito a medir.
Si consideramos que por el pilar circula una corriente de 1 mA, obtenemos
despus de integrar, una tensin de salida en el sensor de 100 V. Esta
tecnologa necesita adems muchos medios y personas cualificadas para
efectuar las medidas. Esta solucin por lo tanto no se adapta a nuestro
problema.

15
Medicin mediante sensor de tipo Fluxgate
La tecnologa Fluxgate explota la saturacin de los materiales magnticos.

Se excita un material magntico y se le coloca dentro del campo a medir.
Figura 8. Esquema, Sensor tipo Fluxgate
Enrollamos sobre este mismo material un circuito para medir la fem

creada por estas dos excitaciones.
El material se satura peridicamente, debido a la corriente de excitacin

Iexc sinusoidal o triangular. La tensin obtenida en el enrollamiento
auxiliar eind es cero durante las fases donde el material esta saturado, y no
nula en el resto (la variacin de flujo toma un valor distinto de cero
nicamente durante la fase de no saturacin y esto justifica el trmino de
puerta de flujo Fluxgate ). En presencia de un campo magntico
exterior continuo o de una corriente de frecuencia mucho ms pequea
que la corriente de excitacin, la saturacin deja de ser simtrica. El
principio de medida de la induccin magntica exterior est basado en la
medida de esta disimetra.
Este tipo de sensor tiene una sensibilidad bastante buena del orden de
25000 V/(A/m).
B
Nuestro campo es B = 0.04 nT, sabiendo que H = = 3.18 * 10 5 ,

obtenemos una tensin de salida en el sensor de 0.8 V.
Este sensor no es explotable entonces para nuestra aplicacin.

16
Medicin de la temperatura
Toda corriente que atraviesa un material, lo agita produciendo en

consecuencia una subida de temperatura en este ltimo.
Si dibujamos el modelo trmico de un pilar, obtenemos:
Figura 9. Esquema, Medicin de Temperatura
Gracias a este modelo, intentamos determinar T=T-Text.

Consideramos una rodaja de pilar de 1 metro de longitud, por lo que
1
todos los clculos se harn para la longitud de 1 m. Tenemos Rth =
hS
siendo S la superficie de intercambio trmico y h el coeficiente de
intercambio trmico (tpicamente h = 10 en conveccin natural).
Si hacemos la analoga trmica / elctrica, tenemos que: U=RI T=Rth
Ahora bien, la potencia elctrica entregada al sistema es: P=Releci2. Como

esta potencia se dispersa integralmente en calor, tenemos que:
Relec
P = Relec i 2 = Rth 2 siendo = i .
Rth
Tomando la definicin de resistencia elctrica, cogiendo R = 0.6 m
(resistividad del acero) y considerando una superficie de pilar de 5 mm de
espesor y de talla 50 cm por 50 cm, obtenemos Relec=0.121 mm-1.
Si tomamos I = 1 mA, como en el caso ms desfavorable, tenemos

entonces:
T= 2.46 x 10-6 C (Mximo T posible).

17
Consultando catlogos, hemos encontrado termmetros con una

resolucin mxima de 0.1 C. Tenemos por lo tanto que descartar tambin
esta tecnologa para nuestro caso. Sin embargo, podemos imaginar que
como la variacin depende directamente de la corriente (variacin lineal),
si aumentamos la tensin, aumentara la corriente y por lo tanto la
variacin de temperatura. No obstante, vemos que este aumento no es
suficiente como para poder utilizar este mtodo.
Resonancia
La ltima solucin aqu presentada es la resonancia. De hecho, como la

corriente es muy dbil y no podemos aumentarla, hemos pensado
valernos de impedancias suplementarias en el Banco para crear un circuito
resonante y as aumentar la corriente que intentamos medir.
Primero hemos modelizado el efecto inductivo del bucle con una

inductancia, obteniendo las siguientes grficas:
Figura 10. Bode, Resonancia

18
- La curva Verde corresponde a la impedancia con un aislamiento

correcto.
- La curva Roja corresponde a la impedancia con un aislamiento

degradado.
- La curva Azul corresponde a la impedancia de un corto circuito.
Aqu vemos primeramente el efecto capacitivo producido cuando el banco

est bien aislado y el efecto resistivo cuando no lo est. Remarcamos
tambin que el efecto inductivo impide todo aumento en frecuencia.
Como consecuencia, pensamos en hacer una doble resonancia para hacer

aumentar la corriente.
Figura 11. Bode, Doble Resonancia
Despus de varias simulaciones, vemos que la doble resonancia no aporta

gran cosa ya que no llegamos a disminuir la impedancia a baja frecuencia
para conseguir aumentar la corriente. Nos olvidamos tambin de esta
idea.

19
Divisin en islas
Abordamos la idea de dividir el Banco en islas. A continuacin un

esquema sinptico para facilitar la comprensin de lo que puede ser este
procedimiento.
Figura 12. Esquema, Divisin en islas
La divisin en islas permitira aislar ciertas partes del BG para poder

identificar el lugar de la fuga.
Los interruptores representados se situaran geogrficamente a la altura de

la soga que une la MBN y la ESN. Para realizar estos interruptores, existen
varias soluciones.
La primera solucin, la mas intuitiva, sera colocar unos interruptores

tradicionales en la soga para elegir si cortarla o no.
Esta solucin puede parecer tentadora pero plantea un grave problema de

seguridad, ya que si hacemos esto cortaramos el conductor de proteccin
elctrica, lo cual no es admisible en nuestra instalacin.
Debido a esto, hemos pensado en otra solucin: utilizar las propiedades de

una inductancia saturada para que haga de interruptor.

20
Cogemos un circuito magntico sobre el cual hemos enrollado un cable a

forma de bobina:
Figura 13. Esquema, Bobina
B
Aplicando la teora de Ampere, obtenemos H l = n i. Siendo l = ni .

d dB n di di
Adems V = n = nS = nS =L .
dt dt l dt dt
Ahora bien, si el material magntico esta saturado, tenemos que 0

provocando una disminucin de L.
Podemos concluir diciendo que si excitamos el material magntico y

enrollamos la soga de masa alrededor de l, tendremos una impedancia
pseudo-equivalente a la de la soga de masa sin el resto del circuito. Sin
embargo, si dejamos de excitar el circuito magntico, abriremos el circuito
y podremos dividir en islas sin perder la proteccin elctrica.
Otra solucin consiste en hacer con la soga de masa una inductancia en el

aire, cuyo valor variar si introducimos en su interior un material
magntico o no, permitiendo de esta forma abrir el circuito en este punto.
Estas dos soluciones slo son ideas que podran ser llevadas a cabo en el
Banco, ya que no es posible verificar directamente si el Banco est bien
aislado de la tierra.

21
Conclusin
Todo lo hecho hasta ahora nos ha servido para darnos cuenta de que un
problema, que en principio puede parecer extremadamente simple si se
tratase de un problema de laboratorio, se complica cuando aadimos
restricciones relacionadas a las condiciones especificas del entorno del
producto.
Hemos constatado tambin que, en nuestro caso y con nuestras

restricciones, no hemos encontrado todava una solucin satisfactoria a
nuestro problema. De hecho, con nuestros conocimientos tecnolgicos
actuales, nuestro problema parece tener demasiadas restricciones.
Podemos de todas formas extraer conclusiones interesantes sobre el hecho

de que incluso si el realizar un diagnstico pilar por pilar no parece
factible, deberamos de ser capaces de hacer un diagnstico zona por zona.

22
V. Divisin en islas del Banco General para

la localizacin de una prdida de
aislamiento
Continuando con la idea anterior, vamos a separar una zona del banco de
ensayos del resto de la estructura para localizar y evaluar una eventual
prdida de aislamiento. Proponemos un mtodo que sirva para dividir en
islas el banco, aprovechando el efecto tapn de una inductancia cuando
la excitamos deforma local a una frecuencia conveniente.
Modelizacin del Banco General
En un primer momento, es sensato partir de un modelo elctrico

simplificado de la estructura del banco. Cada pilar puede ser modelizado
por un condensador en paralelo con una resistencia de fuerte valor (que
bajara en caso de aparecer un defecto de aislamiento). Adems, la ESN es
un conductor que presenta una inductancia lineal.
La medida de los valores de los diferentes parmetros que entran en juego

ha sido realizada siguiendo distintos mtodos y en vista a una futura
aplicacin numrica, lo que nos importa son los ordenes de magnitud.
Tomaremos como valores tpicos los siguientes:
- C = 0,98 nF: Del orden de nF.
- R = 10 M: buen aislamiento.
- R = 10 k: aislamiento parcialmente degradado.
- R < 1 k: prdida de aislamiento.
- L = 0,1 H/m.
La distancia media entre pilares es de varios metros (valor retenido: 10 m,

es decir, un valor de inductancia equivalente de 1 H).

23
Figura 14. Esquema, Modelizacin del banco de ensayos
Divisin en islas mediante aislamiento inductivo
El objetivo es determinar la frecuencia de excitacin que nos permitir

aislar una parte del banco del resto de la estructura. Aprovecharemos el
efecto "tapn" de una inductancia excitada a una frecuencia suficiente, ya
que su impedancia ZL = jL vara en funcin de la frecuencia.
Calculamos la frecuencia de corte a la que se obtiene el efecto de

"tapn":
A.N: El valor obtenido gracias a la frmula anterior es de unos 10 MHz si

utilizamos los parmetros retenidos.
Para lograr una frecuencia de corte inferior, nos preguntamos si sera

tcnicamente posible aadir una inductancia de valor variable en serie a la
altura de la ENS.
Tratamos de calcular el valor de esta inductancia para obtener una

frecuencia no superior a un MHz.
A.N.:

24
Figura 15. Esquema, Aislamiento inductivo
Si fuera tcnicamente posible aumentar localmente la inductancia de un

bucle de la estructura, se podra aprovechar este fenmeno para aislar no
solamente un pilar sino una zona del banco constituida de varios pilares.
Figura 16. Esquema, Aislamiento inductivo de una zona
Tambin debe considerarse en este caso que la capacidad equivalente a

por ejemplo 10 pilares en paralelo es . Esto ayuda tambin a
disminuir el valor de la frecuencia de corte .
Se consider en primer lugar, la utilizacin de un conductor "de retorno"

que uniese las bases de los pilares, justo entre la plancha de material
aislante y la tierra del edificio. El aumento de la inductancia de bucle en
este conductor no permite aislar unas zonas de otras, pero favorece el
cierre de las corrientes de fuga por la tierra.
As que es en la ENS donde ha de realizarse la divisin en islas por

aislamiento inductivo, excitando en alta frecuencia. La realizacin de
simulaciones de este mtodo ser abordada en la ltima parte de este
estudio.

25
Mtodo de localizacin de la prdida de aislamiento
Como hemos visto, es posible medir el aislamiento general del banco

gracias a un controlador de aislamiento. Es necesario trabajar en este caso
a bajas frecuencias y el banco equivale a una red de resistencias en
paralelo. Un defecto de aislamiento se caracteriza por una bajada de
resistencia local y se traduce por la medida de una corriente de fuga de un
valor a veces elevado (hasta 20 A en el banco de ensayos del A380) en la
unin del banco con la tierra del edificio.
1er mtodo
Consiste en aislar una zona del banco del resto de la estructura mediante
el mtodo descrito en el prrafo Divisin en Islas por aislamiento inductivo,
para despus realizar una medida del aislamiento global.
El resultado de esta primera etapa nos informara sobre la presencia o no

de un defecto en la zona aislada.
El problema planteado por esta estrategia es que la medicin del

controlador de aislamiento se efecta a baja frecuencia mientras que el
aislamiento inductivo local utiliza una frecuencia mucho ms grande
(del orden del MHz). La divisin en islas se puede realizar a la frecuencia
de trabajo utilizada por el controlador de aislamiento o es transparente a
baja frecuencia?
El mtodo de localizacin podra ser iterativo por divisin sucesiva del

banco en zonas cada vez ms pequeas hasta localizar con precisin la
zona de la fuga. Esta estrategia forma parte de los desarrollos propuestos
en la primera parte del estudio.

26
2 mtodo
La segunda solucin consiste buscar localmente corrientes de fuga en el

conductor de retorno situado en paralelo con la tierra.
Excitamos localmente a la frecuencia de corte logrando as el aislamiento

inductivo de una zona del banco siguiendo el mtodo descrito en el
pargrafo Divisin en islas por aislamiento inductivo y despus medimos la
eventual corriente de fuga en el conductor de retorno.
Este mtodo no permite inicialmente detectar una fuga, en un poste de la

ESN por ejemplo, pero permite evaluar la calidad de aislamiento de los
pilares (placas aislantes de tefln).
Figura 17. Esquema, Medida de la corriente de fuga en el conductor de retorno
Precisin: Aqu se plantea el problema de la medicin de corriente que

debera ser fcil gracias a la utilizacin del conductor de retorno (en
relacin a las tentativas precedentes de medida directa en los pilares) a
pesar de que se traten de corrientes relativamente dbiles.
De hecho, para una tensin de alimentacin de 1 V y un aislamiento

degradado con una R = 1 k, hara falta por ejemplo ser capaz de medir
una corriente del orden del miliamperio.

27
Simulaciones
A partir de ahora, nos vamos a centrar en el estudio mediante

simulaciones en Matlab-Simulink del mtodo de aislamiento inductivo.
Aunque ya hemos definido el modelo de estudio en la primera parte,

hacemos un breve recordatorio:
Figura 18. Esquema, Modelizacin del banco de ensayos
La idea es excitar localmente un pilar (en nuestro ejemplo el pilar central)

y efectuar las mediciones de corriente en el resto de la estructura para
validar la hiptesis de aislamiento inductivo a la frecuencia de corte
considerada y con los parmetros retenidos.
Figura 19. Esquema, Protocolo de medida del aislamiento inductivo

28
1er Modelo: Modelo simple con un pilar
Figura 20. Esquema, Modelo simple con un pilar
Parmetros del modelo
- R = 10 M
- C = 1 nF
- Lligne = 1 H
- Inductancia tapn = 25 H, 25 mH, 1H
- Frecuencia de excitacin: f = 10 kHz-10 MHz,
- Valor cresta de la tensin de excitacin: 10V-50V
- Resistencia en serie de la alimentacin: 100
Medida de corriente en la rama del pilar (Scope) y en el resto de la

estructura que queremos aislar (Scope 1).
Comparamos los niveles de corriente para verificar la validez del efecto

tapn. Variamos el valor de la inductancia aadida y de la frecuencia de
excitacin para tener parejas de datos y poder comparar los resultados.

29
Inductancia Frecuencia Ipylne (mA) Istructure (mA)
f = 1 MHz 50 0.06
25 H
f = 10 MHz 100 1
f = 10 kHz 0.6 0.2
f = 100 kHz 6 0.015

1H
f = 1 MHz 50 1.5*10-3
= 105 rad/s 1 0.1
Tabla 4. Modelo simple con un pilar
Decidimos elegir el valor de inductancia ms elevado posible para bajar al

mximo la frecuencia de corte. El valor retenido ser entonces de 1 H,
incluso sabiendo es difcil de encontrar una inductancia de ese valor.
Para establecer la frecuencia de excitacin, simulamos una prdida de

aislamiento en un piln e intentamos detectarla midiendo la corriente que
pasa por el conductor de retorno.
Primeramente, efectuamos un pequeo estudio del Bode del sistema para

tener una idea previa del valor de la frecuencia de excitacin buscada.
Filtro LC paralelo
Frecuencia de corte:
Es posible dibujar un diagrama de Bode de este filtro. Identificamos la

frecuencia a partir de la cual obtenemos el efecto tapn. Nos situamos
en la pulsacin lo ms alta posible para tener un efecto mximo.

30
Figura 21. Bode, Filtro LC paralelo
Deseamos igualmente poder detectar una eventual prdida de aislamiento

en un pilar gracias a la medida de corriente en el conductor de retorno.
Esto es difcil si trabajamos en altas frecuencias. Tenemos la funcin de
transferencia siguiente: I= U (jC + 1/R).
A altas frecuencias, una variacin de la resistencia R no influir en el nivel

de corriente, ya que predomina el carcter capacitivo.
Cuando la pulsacin disminuye, el valor de la resistencia determina el

nivel de corriente. Hace falta encontrar un compromiso entre una
pulsacin suficientemente grande para garantizar el efecto tapn y
suficientemente pequea como para detectar una prdida de
aislamiento (cada de la resistencia del pilar).
Decidimos situarnos en distintas frecuencias para ver cual es la ms

pertinente.

31
Distinguimos dos casos:
o Buen aislamiento (R = 10 M)
Frecuencia Ipylne (mA) Istructure (mA)
= 2.105 rad/s 2 0.05
= 9.104 rad/s 0.9 0.1
= 105 rad/s 1.2 0.1
Tabla 5. Buen aislamiento
o Prdida de aislamiento (10 )
= 2.105 rad/s 90 5.10-3
= 9.104 rad/s 90 0.01
= 105 rad/s 90 0.01
Tabla 6. Prdida de aislamiento
Finalmente, la pulsacin = 105 rad/s parece presentar el mejor

compromiso entre efecto tapn y detencin de una prdida de
aislamiento en un pilar.
Aislamiento degradado de un pilar, la resistencia baja de 10 M a 10 k.
= 105 rad/s 1.2 0.1
Tabla 7. Aislamiento degradado

32
Efecto tapn con un factor 10.
Detencin de la prdida de aislamiento difcil (diferencia entre

corrientes de fuga de 0.2 mA).
Aislamiento de un pilar perdido, la resistencia baja de 10 M a 10 .
= 105 rad/s 90 0.05
Tabla 8. Aislamiento perdido
Efecto tapn reforzado.
Detencin de la prdida de aislamiento posible (corriente de fuga

de 90 mA).
2 Modelo: Modelizacin de la tierra
Figura 22. Esquema, Modelizacin de la tierra

33
Aadimos resistencias de pequeo valor para modelizar la tierra del

edificio.
Vamos a seguir un mtodo de anlisis similar al anterior.
Probamos primero la posibilidad de realizar el aislamiento inductivo

aprovechando slo la inductancia de lnea entre los pilares (L= 5 H).
f = 1 MHz 25 10
f = 10 MHz 100 5
Tabla 9. Inductancia de lnea
Tenemos un efecto tapn de relacin 2 a 1 MHz y una relacin de 20 a

10 MHz.
Hacemos seguidamente variar la calidad del aislamiento con una

frecuencia de excitacin de 10 MHz. Aislamiento correcto (10M),
degradado (10k) y perdido (10).
Aislamiento Ipylne (mA) Istructure (mA)
10 M 100 5
10 k 100 5
10 90 2.5
Tabla 10. Frecuencia de 10 MHz
Con un aislamiento perdido (paso de 10 M 10 ), deberamos detectar

normalmente una cada de corriente de 10 mA.

34
Conclusin
La frecuencia de trabajo es relativamente alta (10 MHz), pero el mayor

problema es que este mtodo de aislamiento y de detencin de corrientes
de fuga slo concierne en cada ensayo a un solo pilar y no a una zona de la
estructura.
Por otra parte, la prdida de aislamiento no siempre se produce en un

pilar sino que tambin puede ser que se d en la propia estructura, es
decir, en la misma ENS (escalera apoyada sobre un poste por ejemplo).
Modelizamos este defecto con una resistencia de valor similar a la Rsource.
Defecto en un pilar (antes del aislamiento):
Figura 23. Esquema, Defecto antes del aislamiento
Aislamiento Ipylne (mA) Istructure (mA) Idfaut (mA)
10 M 90 4 6
10 k 90 4 6
10 100 2.5 3
Tabla 11. Defecto antes del aislamiento

35
Nos damos cuenta que en el caso del defecto resistivo en la estructura de

la ESN o de un pilar (pero antes del aislamiento), la corriente de fuga es
dbil y el efecto tapn se mantiene.
3er Modelo: Modelo con tres pilares
Scope
i
+
-
Current Measurement
L Ligne1 L Ligne
Scope1
AC Voltage Source
-
Pylne1 i Current Measurement1 Pylne
+
R Source
Pylne d'essai
Conducteur de retour
R Terre R Terre1 R T erre2
Figura 24. Esquema, Modelo con tres pilares
Medimos la corriente que atraviesa el pilar de ensayo y la que atraviesa el

resto de la estructura para verificar el efecto tapn para los distintos
niveles de calidad aislante. La inductancia entre pilares es siempre de 1 H
y la frecuencia de excitacin de 1 MHz
Aislante Ipylne (mA) Istructure (mA)
10 M 175 90
10 k 120 90
10 90 6
Tabla 12. Modelo con tres pilares

36
A la frecuencia f = 1 MHZ, es posible detectar la diferencia de corriente

que circula por un pilar que tiene una fuga (del orden de 80 mA).
Es difcil de explicar la bajada de corriente que se produce entre el
aislamiento de calidad y la prdida de aislamiento. Podramos justificar
esta medida como consecuencia de un fenmeno de resonancia alrededor
de la frecuencia de excitacin.
El efecto tapn no es tan marcado (relacin de 2)
Decidimos entonces aadir en serie una inductancia (L = 1 Hz) en la ESN

para disminuir la frecuencia de corte y para poder aislar una zona entera
de la estructura como veremos ms adelante.
Colocamos la medicin de corriente en serie con la fuente de excitacin

local, cerca del pilar de ensayo. La medida de corriente debe hacerse en la
zona aislada por las inductancias en serie.
Defecto resistivo en la estructura
Figura 25. Esquema, Defecto resistivo

37
Un solo aparato de medida de corriente en serie con la fuente podra ser

suficiente, como veremos luego, pero queremos obtener la mxima
informacin para deducir correctamente el comportamiento del banco.
El valor de nuestra resistencia de defecto es siempre similar al de Rsource.
Simulacin de un defecto resistivo con aislamiento de calidad (10 M)
Isource (mA) Ipylone (mA) Idefaut (mA) Istructure (mA)
Sin defecto 10 10 0 0.01
Con defecto 34 6.6 33 0.006
Tabla 13. Defecto con aislamiento de calidad
Detectamos la presencia de un defecto resistivo franco gracias a la

diferencia de corriente de la fuente entre un estado de banco sano y otro
con defecto (diferencia de 20 mA).
Simulacin de un defecto con aislamiento perdido (10 )
Isource (mA) Ipylone (mA) Idefaut (mA) Istructure (mA)
Sin defecto 91 91 0 0.001
Con defecto 91 87 4 9 * 10-4
Tabla 14. Defecto con aislamiento perdido
Aplicamos el mismo mtodo que en el caso de prdida de aislamiento en

el pilar de ensayo. Medimos en este caso unas corrientes mayores.

38
Conclusin
Distinguimos dos tipos de defectos:
- Defecto de aislamiento de un pilar con la tierra.

- Defecto franco resistivo en la estructura de la ESN.
Para detectar un defecto de aislamiento en un pilar, aislamos zona por

zona y procedemos a medir la corriente interna a la zona. Hemos pensado
hacer la medicin de esta corriente en la rama de la fuente de excitacin,
correspondiente a la suma de las corrientes de retorno.
El mtodo de medida anterior nos permite tambin detectar un defecto

resistivo franco en la estructura de la ESN al medir el aumento de la
corriente fuente en relacin a la corriente observada en un banco sano.
Simulacin de un defecto resistivo de diferentes valores
Ahora vamos a centrarnos en el estudio de un defecto resistivo de

diferentes valores, conservando un buen aislamiento en el pilar de ensayo,
ya que es un caso ms probable que la prdida de aislamiento en un pilar.
Consideramos tres casos posibles: 10k, 100 et 10.
Rdfaut Isource (mA) Ipylone (mA) Idefaut (mA) Istructure (mA)
10 62 4 62 4 * 10-3
100 40 6 40 6 * 10-3
900 13 9 9.5 10-5
10 k 10 10 1 10-2
Infinito
10 10 0 10-2
(banco sano)
Tabla 15.Defecto resistivo con aislamiento de calidad

39
Constatamos que para pequeos valores de resistencia de defecto casi toda

la corriente de la fuente se escapa por el defecto, provocando un aumento
considerable (y por lo tanto medible) de la corriente proporcionada por la
fuente. A partir de varios k, la corriente que pasa por el defecto es
despreciable con respecto a las corrientes de la fuente y del pilar.
En el caso intermediario de 900 , donde la corriente del pilar y la

corriente del defecto son similares, tenemos un aumento del 30% de la
corriente de la fuente.
Hasta aqu hemos aadido una inductancia en serie de valor muy elevado
(1 H) para ser capaces de detectar una prdida de aislamiento en un piln,
pero ahora ya slo nos interesamos por los defectos resistivos. Este hecho
nos permite disminuir el valor de la inductancia serie y de llevarlo a
valores ms prximos de la realidad (algunos mH).
Figure 26. Esquema, Inductancia serie de 10 mH
Continuamos con el mismo esquema de simulacin (mismos valores de

resistencias, frecuencia de excitacin) haciendo variar solamente el valor
de la inductancia serie (10 mH en vez de 1 H).

40
Rdfaut Isource (mA) Ipylone (mA) Idefaut (mA) Istructure (mA)
10 62.5 4 62.5 4.2
100 40 6 40 0.7
900 12 9 9.5 1
10 k 8 10 1 1.1
Infinito 7.7 10 0 1.1
Tabla 16. Inductancia serie de 10 mH
Conclusin
o Tenemos todava el efecto tapn deseado (de un factor 7
aproximadamente).
o Cuando la corriente de defecto toma valores considerables (para el

caso de un valor de resistencia de 900 y menos) la fuente
proporciona una corriente 60% ms fuerte que cuando no hay
defecto. Esta diferencia de corriente nos permite detectar y localizar
nuestro defecto.

41
VI. Mtodo de detencin de defectos de

aislamiento por medicin de tensin
Anlisis frecuencial
Vamos a intentar trazar el diagrama de Bode de la funcin de

transferencia entre la tensin de excitacin y la tensin en los extremos de
la resistencia de defecto. El objetivo de este estudio es encontrar la
frecuencia de corte. As podremos excitar el sistema a una frecuencia tal
que nos permita limitar nuestra zona de estudio (en un primer momento,
un solo pilar).
El esquema utilizado para nuestro estudio es el siguiente:
L Ligne1 L Ligne2
Pylne d'essai
+
Controlled Voltage Source

Pylne2 R dfaut
s
Voltage Measurement3
Out1
+
1 v
-
R Source
In1
1
Figura 27. Esquema para hacer el anlisis frecuencial
Hemos calculado con la ayuda de Matlab la funcin de transferencia y

hemos trazado los diagramas de Bode y de respuesta del sistema a un
escaln.

42
Bode Diagram
0
-20
Magnitude (dB)
-40
-60
-80
-100
-120
0
Phase (deg)
-90
-180
-270
5 6 7 8 9
10 10 10 10 10
Frequency (rad/sec)
Figura 28. Bode, Anlisis frecuencial
Step Response
0.7
0.6
0.5
0.4
Amplitude
0.3
0.2
0.1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
-6
Time (sec) x 10
Figura 29. Respuesta a un escaln

43
Ahora obtenemos, gracias al anlisis lineal de Matlab, las siguientes

figuras que nos permiten verificar nuestros clculos precedentes:
Figura 30. Bode
Figura 31. Respuesta a un escaln
Hallamos una frecuencia de corte de 10 MHz aproximadamente, con una

resonancia importante.
El rgimen transitorio tiene un rebasamiento admisible y un tiempo de

primer mximo pequeo.
Para poder delimitar las distintas zonas de estudio, tenemos necesidad de

excitar a una frecuencia verdaderamente elevada. Por esta razn,
decidimos aumentar artificialmente un poco el valor de ciertas
inductancias de lnea para conseguir delimitar las diferentes zonas.

44
En el siguiente ejemplo, el valor de la inductancia de lnea 1 ha sido

modificado de 10uH a 10mH.
Queremos demostrar que si existe un defecto resistivo fuera de la zona de

estudio no tiene demasiada influencia dentro de esta zona.
Bode Diagram
0
-50
Magnitude (dB)
-100
-150
-200
0
Phase (deg)
-90
-180
-270
3 4 5 6 7 8 9
10 10 10 10 10 10 10
Frequency (rad/sec)
Figura 32. Bode, Presencia de defecto
Step Response
0.5
0.45
0.4
0.35
0.3
Amplitude
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
-4
Time (sec) x 10
Figura 33. Respuesta a escaln con defecto

45
Conclusin
Con una inductancia de valor elevado, pero real, conseguimos delimitar

distintas zonas y trabajar con una frecuencia de excitacin del orden de 10
MHz, teniendo una ganancia negativa suficiente como para no tener en
cuenta la influencia de un defecto lejano de nuestra zona de estudio.
El rgimen transitorio tiende a tener la forma tpica de un sistema de

primer orden, permitiendo diferenciarlo mejor del estado de banco sano,
donde encontramos una curva de este tipo:
Step Response
2
1.8
1.6
1.4
1.2
Amplitude
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
Time (sec) -3
x 10
Figura 34. Respuesta a un escaln del banco sano

46
Simulaciones de defecto resistivo
En este caso, vamos a estudiar la posibilidad de localizar un defecto

resistivo en una zona concreta gracias al estudio de la tensin.
El esquema propuesto para este estudio es el siguiente:
Figura 35. Esquema con tres posibles posiciones del defecto
Vemos, en el centro del esquema, nuestra zona de estudio compuesta por

dos pilares separados entre ellos por una inductancia de lnea (10 H). En
los lados, encontramos dos pilares que modelizan el resto de la estructura.
Para delimitar nuestra zona de estudio, aumentamos la inductancia de
lnea hasta un valor de algunos mH. La fuente de tensin utilizada genera
una tensin sinusoidal de amplitud 1 V y de frecuencia 1 MHz.
Las tres posiciones en las que colocaremos la resistencia de defecto estn

marcadas en rojo en nuestro esquema. El mtodo a seguir es comparar los
niveles de tensin en la zona de estudio cuando no hay defecto (banco
sano) y cuando lo haya (bien sea en la misma zona [2], bien sea en el resto
de la estructura [1] y [3]).

47
Figura 36. Banco sano
Nos encontramos con un valor de 1 V en la zona de estudio y un valor

mucho ms pequeo en el resto de la estructura. Estos resultados nos van
a servir como referencia para las siguientes simulaciones.
Defecto en nuestra zona de estudio
Aadimos una resistencia de defecto (100 ohm) en la posicin [2]
Figura 37. Defecto en la posicin [2]

48
Vemos que la tensin observada es dos veces ms pequea que la del

banco sano. Este hecho es debido a la modelizacin de la resistencia
interna de la fuente mediante una resistencia de valor de 100 ohms.
Podemos percibir sin problemas esta diferencia de tensin en relacin al

valor del banco sano, por lo que podemos concluir que hay un defecto en
la zona estudiada.
Defecto fuera de nuestra zona de estudio
Ahora verificamos la influencia de un defecto resistivo, situado en el resto

de la estructura, en la tensin de la zona de estudio. Si encontramos una
tensin similar a la que tenamos con el banco sano, podremos afirmar que
no hay ningn defecto en la zona estudiada.
Defecto resistivo en la posicin [1]
Figura 38. Defecto resistivo en la posicin [1]

49
Defecto resistivo en la posicin [3]
Figura 39. Defecto resistivo en la posicin [3]
Conclusin
La influencia de un defecto resistivo fuera de la zona de estudio es nula.
Un defecto resistivo dentro de la zona estudiada provoca una variacin de

tensin suficientemente importante como para permitir su deteccin.
Mtodo de detencin mediante impulsiones de tensin
Otra pista para librarse de las limitaciones del mtodo anterior consiste en
utilizar un mtodo de detencin de defecto de aislamiento a partir de una
medicin de tensin.
Este mtodo se inspira en las tcnicas de la ecometra utilizada para la
bsqueda de defectos en las lneas y los cables elctricos. Se trata de
estudiar la propagacin de impulsiones de tensin en la estructura y
observar los niveles de tensin, los retardos y las deformaciones de la
seal en distintos puntos de la red.

50
De este modo procederemos a excitar localmente mediante impulsiones de

tensin y observamos la forma de las seales en las proximidades de la
zona excitada.
Simularemos defectos de aislamiento resistivos francos en la estructura de

la ESN (se puede tratar por ejemplo de una escalera apoyada en la
estructura de la ESN). Observaremos despus la forma de las seales cerca
del defecto para poder estudiar su influencia en trminos de nivel de
tensin, de retardos, de oscilaciones
El modelo Simulink
Modelo con 3 pilares (banco sano)
Figura 40. Esquema, Modelo Simulink con 3 pilares Banco sano
Parmetros del modelo
Pilar modelizado por un dipolo RC paralelo (R=10 M, C=1nF)
Lligne = 10 H
Rsource = 100

51
Excitamos con un impulso de tensin de amplitud unitaria (Signal

Builder + Source de tension) en el pilar central.
Observamos la impulsin despus de la propagacin por la estructura

(Voltage measurement) en el banco sano.
Figura 41. Banco sano
Podemos constatar que por los valores de los parmetros retenidos

(principalmente Lligne = 10H) y excitando como hemos excitado con una
impulsin de tensin, no hay ninguna deformacin en la seal propagada.

52
Introduccin de un defecto resistivo
Introducimos un defecto resistivo entre dos pilares, en la estructura del

banco de ensayos.
Figura 42. Defecto resistivo
Probamos con varios valores de Rdfaut: 1M, 1k, 10

53
Nos fijamos en las tensiones en los extremos de los pilares del banco.
Figura 43. R = 1 M
No observamos ni tensiones altas ni tensiones bajas significativas.
Figura 44. R = 1 k

54
Se empieza a ver una divisin de tensin en el extremo de cada pilar.
Figura 45. R = 10
Se observa un divisor de tensin significativo, siguiendo la expresin:
Rdfaut / (Rsource + Rdfaut)
Excitando con una impulsin de tensin (es decir a frecuencia nula una
vez que se llega al rgimen permanente), el dipolo RC paralelo que
modeliza un pilar equivale solamente a la resistencia R. Como hemos
elegido un valor de R grande (R = 10 M) para modelizar un aislamiento
de los pilares de calidad, la cada de tensin en los extremos de los pilares
aislados es casi nula. El fenmeno observado es por lo tanto una simple
divisin de tensin asociada a oscilaciones transitorias.
Se observa un segundo fenmeno relacionado con el comportamiento

resonante de una parte de la estructura.
Por la parte del pilar1, tenemos un comportamiento RLC resonante y se

observa una sobre tensin transitoria cuando empieza y termina la
corriente.
Por la parte del defecto resistivo y del pilar2, el comportamiento es el de

un circuito RL serie. La sobre tensin es menos marcada, se observa
solamente un retardo a la hora de llegar al rgimen permanente.

55
Al comienzo
Figura 46. Al comienzo
En el retorno a cero
Figura 47. Retorno a cero

56
Conclusin
Descripcin del mtodo:
- Se excita en el pilar de ensayo.
- Se trazan las grficas para un banco sano en los pilares vecinos.
- La aparicin de un defecto resistivo es detectable por una bajada

del nivel de tensin (comn a todos los pilones de nuestro ejemplo).
- La localizacin del defecto podra hacerse observando la forma de

las seales al observar comportamientos resonantes y
amortiguados.
Estudio del rgimen transitorio
Continuamos nuestro estudio del rgimen transitorio del establecimiento

de la tensin que nos puede permitir de distinguir pilares sanos y pilares
prximos a un defecto.
De hecho, como hemos visto antes, si la estructura de la ESN se supone

equipotencial, entonces el rgimen permanente de la tensin nos permite
detectar un defecto gracias a una bajada el nivel de tensin pero no nos
permite localizarlo.
Nos situamos en un modelo de 4 pilares.
- Un pilar de ensayo donde colocamos la fuente de excitacin

local.
- Un pilar en el lado sano de la fuente y dos pilares prximos a

un defecto resistivo franco entre la ESN y la referencia de
tensin.

57
Estudiamos el rgimen transitorio de la tensin en los extremos de estos

pilares.
Figura 48. Esquema, Rgimen transitorio
Parmetros:
- Rsource = 50
- Tsimulation = 3 ms
- Rdfaut = 10
Figura 49. Rgimen transitorio
Tenemos un rgimen transitorio con un rebasamiento importante (sobre

tensin debida al comportamiento resonante) en el lado sano y un
comportamiento ms prximo a un circuito de primer orden del lado del
defecto.

58
En otra configuracin
Figura 50. Esquema, Otra configuracin
Figura 51. Otra configuracin
Se observa bien la diferencia entre un comportamiento puramente

inductivo (con un fuerte rebasamiento) y el comportamiento RL (sin
rebasamiento) bajo la influencia de la Rdfaut.

59
Figura 52. Esquema, Rdfaut = 1 k
Figura 53. Rdfaut = 1 k
La identificacin del defecto en rgimen permanente es muy difcil (bajada

de la tensin poco significativa) y slo el rgimen transitorio puede darnos
alguna informacin.
Aumento artificial de la inductancia de lnea
Como en la identificacin de defectos mediante la medida de corriente,

podemos estudiar la influencia del aumento de la inductancia de lnea
para separar zonas y facilitar la identificacin de seales.

60
Excitando con una tensin continua, no obtendremos como con altas

frecuencias el aislamiento inductivo. Sin embargo, debera ser ms fcil
analizar las seales del lado sano y del lado del defecto, los fenmenos
transitorios seran ms largos y ms marcados con una inductancia
aumentada.
Con una inductancia Lligne1 = 10 mH en el lado del defecto.
Figura 54. Esquema, Modelo con 4 pilares con un defecto resistivo
Con una inductancia Lligne1 = 10 mH en el lado del defecto.

61
Figura 55. Modelo con 4 pilares con un defecto resistivo
Se observa ms claramente la diferencia de curvas entre las seales del

lado sano y del lado del defecto resistivo.
Tenemos en el lado sano un fenmeno de resonancia correspondiente a la

frecuencia calculada en el anlisis frecuencial y en el lado del defecto
resistivo un rgimen de primer orden sin rebasamiento (RL serie).

62
Para una inductancia aumentada en el lado sano Lligne = 1 mH
Figura 56. Lligne = 1 mH
Se observa un rgimen oscilatorio amortiguado siguiendo exp (-L/R) en el

lado sano.
La distincin entre las seales del lado sano y las del lado del defecto est
facilitada.

63
VII. Conclusin
Conclusiones sobre la metodologa
Despus de haber identificado diferentes pistas de investigacin, hemos

definido modelos del Banco General y hemos realizado una aproximacin
mediante simulaciones en Matlab-Simulink a partir de esos modelos.
Todo ello nos a llevado a eludir ciertos problemas debidos a la realizacin

prctica e industrial para poder concentrarnos en la validez de los
modelos y el estudio de estrategias de localizacin de los defectos
considerados.
Conclusiones sobre los resultados
Hemos llevado finalmente a buen trmino dos estrategias distintas gracias

a las cuales es posible no solamente detectar pero sobretodo localizar un
defecto resistivo en la estructura, ya que es el tipo de defecto que ms nos
interesa.
Un primer mtodo consiste en excitar a alta frecuencia y realizar una

divisin en islas del Banco General aprovechando el aislamiento
inductivo. Una medicin de corriente o de tensin permite entonces
detectar un eventual defecto en la zona de estudio, definiendo un valor en
las medidas que separe el estado de banco sano y de defecto.
La principal dificultad de implementacin industrial que se nos plantea

consiste en prever en la concepcin del banco de ensayos la divisin en
zonas mediante el empleo de inductancias integradas en la estructura del
Banco General.
El segundo mtodo consiste en detectar y localizar el defecto mediante

impulsiones de tensin. La medida del nivel de tensin en rgimen
permanente nos informa sobre la presencia de un eventual defecto. No
obstante, slo el estudio del rgimen transitorio en respuesta a una

64
impulsin de tensin nos puede aportar informacin sobre la localizacin

del defecto resistivo.
Esta vez, es la realizacin industrial de las medidas y de las observaciones

lo que nos plantea dudas. Supone disponer de aparatos de medicin
suficientemente potentes y definir unos lmites a partir de los cuales se
pueda concluir que hay cerca un defecto. Seria necesario realizar ensayos
prcticos mientras se construye el Banco General A350 o incluso
realizarlos en el actual Banco General A380.

65
VIII. Bibliografa
[BONA09] BONAFOS B., Systme lectrique avion, Service

Conception lectrique moyens dessais, Airbus. 2009.
[ESCA97] ESCAN J.M., Rseaux dnergie lectrique, Modlisation:

Lignes, cbles, Eyrolles. 1997.
[FAVR04] FAVRE E., TEPPAN W., Capteurs de Courant : chacun

son argument !, Revue Scientifique Mesures N 763. 2004.
[HAYT07] HAYT W., Anlisis de Circuitos en Ingeniera, McGraw-

Hill, 7a Edicin. 2007.
[KUZY06] KUZYK H., Cbles dnergie : recherche et identification de

dfauts, Techniques de lingnieur. 2006.
[KUZY06] KUZYK H., Cbles dnergie : prlocalisation des dfauts

par chomtrie, Techniques de lingnieur. 2006.
[KUZY06] KUZYK H., Cbles dnergie : thorie de lchomtrie,

Techniques de lingnieur. 2006.
[LECO00] LECONTE A., Mesures lectriques, Instrumentation :

Appareils de mesures de contrle en lectrotechnique. 2000.
[SE-Y94] SE-YUEN M., The RCL circuit and the determination of

inductance, Phys. Educ. 29. 1994.

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UNIVERSIDAD PONTIFICIA COMILLAS

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIERA (ICAI)

PROYECTO FIN DE CARRERA

PROTOCOLO DE MEDIDAS DEL

AUTOR: TOMS ALONSO MARTNEZ

MADRID, Junio de 2009

I. Introduccin y planteamiento ...................................................................1

II. Descripcin de las tecnologas ..............................................................2

El Banco General ...............................................................................................2

Red de masa del Banco General......................................................................3

III. Modelizacin de la red de masa............................................................6

Modelo elctrico ................................................................................................6

Valores de los parmetros del modelo...........................................................8

Simulaciones realizadas a partir del modelo ..............................................10

IV. Mtodos de detencin de defectos de

Medida global del aislamiento ......................................................................11

Localizacin de una fuga local ......................................................................12

V. Divisin en islas del Banco General para la

Modelizacin del Banco General ..................................................................22

Divisin en islas mediante aislamiento inductivo ...............................23

Mtodo de localizacin de la prdida de aislamiento ...............................25

VI. Mtodo de detencin de defectos de

Anlisis frecuencial .........................................................................................41

Simulaciones de defecto resistivo .................................................................46

Mtodo de detencin mediante impulsiones de tensin...........................49

Conclusiones sobre la metodologa..............................................................63

Conclusiones sobre los resultados................................................................63

VIII. Bibliografa .........................................................................................65

La concepcin de los bancos de ensayo de aviones requiere en ciertas

Si bien se puede conseguir un buen aislamiento, es difcil mantenerlo en el

En un primer momento, nos interesaremos por estudiar el contexto de este

En un segundo instante, estudiaremos los distintos mtodos de

En ltimo lugar, inspirndonos en la teora de localizacin de defectos

Finalmente, concluiremos este proyecto proponiendo posibles desarrollos

Protocolo de medidas del aislamiento del Banco General A350

II. Descripcin de las tecnologas

El Banco General (BG), tambin llamado Iron Bird, es un banco de

Figura 1. Imagen, Banco General A380

Protocolo de medidas del aislamiento del Banco General A350

En el marco de nuestro estudio, nos interesaremos en el futuro Banco

Concretamente nos proponemos estudiar el aislamiento de la tierra del

El objetivo ser de proponer un protocolo de medidas del aislamiento del

Red de masa del Banco General

El futuro Banco General del A350 presenta exigencias particulares en

Figura 2. Imagen, Visin general de la red de masa

Protocolo de medidas del aislamiento del Banco General A350

En el futuro Banco General A350, la ESN, formada por los caminos de

La ESN sirve como referencia de tensin, participa adems en el retorno

La estructura metlica del banco participa igualmente en el retorno de

Figura 3. Imagen, Estructura de la red de masa

El BG deber por lo tanto presentar un aislamiento de calidad para tener

Protocolo de medidas del aislamiento del Banco General A350

A continuacin hacemos referencia a las especificaciones relativas a la

Tener una red de neutro en el Banco General A350 que respete la

Simular las interacciones electromagnticas entre los cables sistema

Tener una red de neutro en el Banco General A350 aislada de la

El punto de partida del estudio ser definir un modelo de la futura red de

La modelizacin de la red de masa A350 ser el objeto de la primera parte

Protocolo de medidas del aislamiento del Banco General A350

III. Modelizacin de la red de masa

Buscamos realizar una modelizacin elctrica relativamente simple de la

De esta manera nos situaremos en la gama de frecuencia [0, 10 kHz]

Representamos a continuacin un breve recapitulativo de los esquemas