ROTEIRO DA A ULA
ESCOLA POL I T CN I CA DA UNI VERSI DA DE DE S O PA ULO
Dep ar t am en t o d e En g en h ar i a Met al r g i c a e d e M at er i ai s Conceito de difuso
Algumas aplicaes
Par de difuso
Mecanismos de difuso
DI FUSO Fluxo de difuso
Difuso em estado estacionrio - Primeira lei de Fick
Difuso em estado no-estacionrio - Segunda lei de Fick
O coeficiente de difuso
PMT 2100 - Intro duo Cin cia dos Fatores que influenciam na difuso
Materiais para Engen haria Caminhos de difuso
2 sem estre de 2005 Aplicaes
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CONCEITO DE DIFUS O
Da mesma forma que a corrente eltrica est associada ao transpo rte de
cargas eltricas atravs de um fio condutor quando este est suj eito a A LGUMA S A PLICA ES
uma diferena de potencial eltrico, a DIFUSO est associada ao
transporte de massa que ocorre em um sistema quando nele existe um
gradiente de concentrao qumica.
Filtros para purificao de gases
Governada por diferentes mecanismos e manifestando -se com
magnitudes bastante distintas, a difuso ocorre no interior de slidos, Homogeneizao de ligas com segregao
lquidos e gases. Uma gota de tinta que se dilui na gua, um exemplo
Modificao superficial de peas
de difuso no interior de um lquido. O odor de um perfume que se
espalha por uma sala, um exemplo de difuso no interior de um gs. Dopagem de semicondutores
Nesta aula, nos concentraremos no estudo da difuso no interior de Processadores de microcomputadores
slidos. Sua presena em nosso cotidiano no to rotineira, mas
grande sua importncia para a fabricao de componentes ou estruturas Sinterizao
de engenharia.
No interior dos slidos, a difuso ocorre por movimentao atmi ca (no
caso de metais), de ctions e nions (no caso de cermicas) e de
macromolculas (no caso de polmeros).
Daremos aqui ateno especial ao caso da difuso em metais.
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MECA NISMOS DE DIFUS O DIFUS O POR LA CUNA S
Na DIFUSO POR LACUNAS um tomo (hospedeiro ou
De uma perspectiva atmica, a difuso a migra o passo a substitucional) se desloca de uma posio norm al da re de
passo dos tomos de determinadas posies do reticulado cristalina para um stio vago, ou lacuna, adjacente.
cristalino para outras.
J = M
At
Em metais e ligas, a difuso intersticial um mecanismo A representa a rea atravs da qual a difuso est ocorrendo e t
importante para a difuso de impurezas de raio atmico o tempo de difuso decorrido
pequeno em relao aos do hospedeiro.
Em forma diferencial,
Exemplos: hidrognio, carbono, nitrognio e oxignio no ao.
Geralmente, a difuso intersticial muito mais rpida que a J = 1 dM
A dt
difuso por lacunas.
Exemplo: No caso do Fe-a a 500C, a difus o dos tomos As unidades para J so kilogramas (ou tomos) por metro
carbono quase 10 9 vezes mais rpida do que a autodifuso quadrado por segundo (kg/m2 -s ou tomos/m2-s)
dos tomos de ferro.
PMT 2100 Intr oduo Ci ncia dos Materiais para a Engenhar ia
- 2005
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FL UXO DE DIFUS O DIFUS O EM ESTA DO ESTA CION RIO
No caso da difuso unidimensional, a concentrao C dos Quando J no varia com o tempo (C tambm no varia com o
tomos que se difundem funo da posio x no interior do tempo) e temos a DIFUSO EM ESTADO ESTACIONRIO (ou
slido e do tempo t de difuso. Assim, em geral, C= f (x, t). DIFUSO EM REGIME PERMANENTE ).
A curva ao lado, que
Para que J no varie com o tempo necessrio que J tambm
representa C em funo da
no varie com a posio. Assim,
posio x no interior de um
dC = cte C = f(x) uma funo linear de x.
slido num dado instante de dx
tempo t, denominada
PERFIL DE CONCENTRAO .
dC = DC = C A - C B
Para cada t, o fluxo de difu- dx Dx xA - xB
so num dado x propor-
cional ao valor de dC/dx em x
dC Posi o
Jx = -D
dx
x
A constante de
proporcionalidade D chamada de
COEFICIENTE DE DIFUSO , e expressa em m2 /s.
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SEGUNDA LEI DE FICK SEGUNDA LEI DE FICK
Para descrever a difuso em estado no-estacionrio, Uma soluo da segunda lei de Fick C = f(x,t) importante na
utilizada a equao diferencial parcial prtica aquela para um slido semi -infinito* em que a
concentrao do soluto CS na superfcie mantida constante
C = D C durante a difuso. Assume -se tambm que os tomos do soluto
t x x presentes no interior do slido, antes do processo de difuso,
esto uniformemente distribudos com concentrao C0.
conhecida por SEGUNDA LEI DE FICK .
Tomando x = 0 na superfcie e x > 0 no interior do slido e
Se o coeficiente de difuso no depende da composio considerando t = 0 o instante de tempo imediatamente anterior
(portanto, da posio), a segunda lei de Fick se simplifica para ao incio do processo de difuso, as condies de contorno
acima podem ser representadas por:
C = D 2 C
t x2 Para t = 0, C = f(x,0) = C0 em 0 = x = 8 .
Para t > 0, C = f(0,t) = CS.
Quando so especificadas condies de contorno que possuem Para t = 0, C = f(t,x) = C0 em x = 8 .
um sentido fsico, possvel obter-se solues para segunda lei * Uma barra slida considerada semi-infinita se nenhum dos tomos em
de Fick. Essas solues so funes C = f(x,t) que representam difuso ca p a z de atingir a extremidade oposta da barra durante o tempo de
as concentraes em termos tanto da posio quanto do tempo. procedimento da difuso . Uma barra de comprimento L pode se r considerada
semi -infinita na prtica quando L > 1 0 ( Dt)1/2 .
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SEGUNDA LEI DE FICK DIST NCIA S DE DIFUS O
Com as condies de contorno consideradas na transparncia Consideremos a soluo da segunda lei deFick
anterior, a soluo da segunda lei deFick resulta
Cx - C0 x
x = 1 - erf
C x - C0 Cs - C0 2 Dt
= 1 - erf , onde Cx = C = f(x,t).
C s - C0 2 Dt
e suponhamos que desejamos atingir uma determinada
concentrao de soluto C1, em uma liga.
A funo erf(z) representa a Funo Erro de Gauss e dada por
Para Cx = C 1 = cte,
2 z - y2
erf (z) = e dy . C1 - C0 x
p 0 = cte = cte x a Dt .
Cs - C0 2 Dt
A soluo acima se aplica, por exemplo,
para processos de cementao (ou Se C 1=(C s + C0) / 2,
carbonetao) de chapas de ao (ou x
C1 - C 0 1 1 x
seja, chapas de ligas ferro-carbono). = erf = @ 0, 5
Processos de cementao so utilizados Cs - C0 2 2 Dt 2 2 Dt
para endurecer as superfcies de peas
de aos. Corte de um a engrena- portanto, x @ Dt .
gem cem entada
EXEMPLO : CEMENTA O DE A O 19 20
EFEITO DA TEMPERA TURA A TIVA O TRMIC A
Consideremos uma pea de ao com concentrao superficial de
carbono inicial CO = 0,25% (porcentagem mssica de C). Em um
tratamento de cementao, a concentrao de C na superfcie ( CS ) foi
subitamente aumentada para 1,20%, e mantida nesse valor. Depois de
quanto tempo a concentrao de C atingir um valor de 0,80% numa
posio situada a 0,5mm abaixo da superfcie?
Dado : O coeficiente de difuso do carbono no ferro D considerado
constante na temperatura de tratamento, e vale 1,6 x 10 -11 m2/s
Tabela da
Funo Erro de
G auss
DG
D = D 0 exp - d
RT
consideramos
DG d 1
ln D = lnD 0 -
R T
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CA MIN HOS PA RA DIFUS O A PLICA O : SINTERIZA O
SINTERIZAO o estabelecimento de junes entre
A movimentao de tomos pode ocorrer: partculas submetidas a altas temperaturas por meio da
1) No volume do material difuso em volume e em superfcie.
2) Ao longo de defeitos lineares: discordncias
3) Ao longo de defeitos bidimensionais: contornos de gro,
superfcies externas.
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Cap tulos do Callister tratad os nesta aula
DOPA GEM D E Si COM B
Captulo 5 do Callister completo.
Etapa 1: Deposio de uma camada rica em B na superfcie Aplicaes :
A aplicao sinterizao mencionada no item 14.15 .
do cristal de Si por meio de um vapor de B 2 O3 ou BCl3 por A s transparncias referentes produo de circuitos integrados no se
alguns minutos a 1100 C. encontram no Callister .