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CONCEITO DE DIFUSO
ROTEIRO DA AULA Da mesm a forma que a cor rente eltrica est associada ao transporte de
car gas eltricas atravs de um fio condutor quando este est suj eito a
ES CO L A P O L I TC N I CA D A U N I V ER S I D A D E D E S O P A U L O um a diferena de potencial eltrico, a DIF USO est associada ao
D e p a r t a m e n t o d e En g e n h a r i a M e t a l r g i c a e d e M a t e r i a i s Conceito de difuso transporte de massa que ocorre em um sistem a quando nele existe um
Algumas aplicaes gr adiente de concentrao qumica.
Par de difuso Gover nada por diferentes mecanismos e manifestando -se com
Mecanismos de difuso magnitudes bastante distintas, a difuso ocorre no interior de s lidos,
Fluxo de difuso lquidos e gases. Uma gota de tinta que se dilui na gua, um exemplo
DI FUSO de difuso no interior de um lquido. O odor de um perfume que se
Difuso em estado estacionrio - Primeira lei deFick
espalha por uma sala, um exem plo de difuso no interior de um gs .
Difuso em estado no-estacionrio - Segunda lei deFick
Nesta aula, nos concentrar em os no estudo da difuso no interior de
O coeficiente de difuso slidos. Sua pr esena em nosso cotidiano no to rotineira, mas
PMT 2100 - Int rodu o Cinc ia dos Fatores que influenciam na difuso gr ande sua impor tncia para a fabr icao de com ponentes ou estru turas
Materiais para Engenharia Caminhos de difuso de engenharia.
2 semestre de 2005 Aplicaes No interior dos slidos, a difuso ocorre por movimentao atm i c a (no
caso de metais), de ctions e nions (no caso de cer m icas) e de
macr om olculas (no caso de polm er os) .
Dar em os aqui ateno especial ao caso da difuso em metais.

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PAR DE DIFUSO PAR DE DIFUSO
Uma viso idealizada do fenmeno da difuso pode ser obtida como Difuso dos tomos de Cu
ALGUMAS APLICAES auxlio do Par de Difuso. O par de difuso formado quando as
superfcies de duas barras de materiais metlicos distintos socolocadas Um par de difuso cobre -nquel aps ser
em contato ntimo. submetido a um tratamento trmico a
Cu Liga Cu -Ni Ni temperatura elevada , mostrando a zona de
Um par de difuso cobre - nquel antes de ser difuso com formao de liga.
Filtros para purificao de gases Cu Ni submetido a um tratamento trmico a tempera -
tura elevada . Difuso dos tomos de Ni
Homogeneizao de ligas com segregao
Modificao superficial de peas Representaes esquemticas das localiza -
Representaes esquemticas das localiza - es dos tomos de Cu (crculos vermelhos) e
Dopagem de semicondutores es dos tomos de Cu (crculos esquerda) e Ni (crculos amarelos) no interior do par de
Ni (crculos direita) no interior do par de difuso.
Processadores de microcomputadores difuso.
Sinterizao 100
100 Cu Ni
Grfico das concentraes do cobre e do
Cu Ni Concentraes de cobre e nquel em funo
nquel em funo da posio ao longo do par
de difuso. da posio ao longo do par de difuso.
A linha slida representa a concentrao do Cu A linha slida representa a concentrao do
e a linha pontilhada a do Ni. Cu e a linha pontilhada a do Ni.
0
0 Posio
Posio
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MECANISMOS DE DIFUSO DIFUSO POR L ACUNAS DIFUSO INTERSTICIAL
Na DIFUSO POR LACUNAS um tomo (hospedeiro ou Na DIF USO IN TER ST IC IAL tomos intersticiais migram para
De uma perspectiva atmica, a difuso a migrao passo a substitucional ) se desloca de uma posio normal da rede posies intersticiais adjacentes no ocupadas do reticulado.
passo dos tomos de determinadas posies do reticulado cristalina para um stio vago, ou lacuna, adjacente.
cristalino para outras.

Antes da Depois da
Para ocorrer a movimentao de tomos so necessrias duas Antes da Depois da difuso
Lacuna difuso
condies: difuso difuso
(1) deve existir um espao livre adjacente ao tomo; Lacuna
(2) o tomo deve possuir energia suficiente para quebrar as
ligaes qumicas que o une a seus tomos vizinhos e ento Em metais e ligas, a difuso intersticial um mecanismo
causar uma distoro no reticulado cristalino durante seu importante para a difuso de impurezas de raio atmico
deslocam ento. A movimentao dos tomos ocorre em uma direo e a das
lacunas ocorre na direo contrria. pequeno em relao aos do hospedeiro.
Foram propostos vrios mecanismos diferentes para explicar o Exemplos: hidrognio, car bono, nitrognio e oxignio no ao.
A extenso segundo a qual a difuso por lacunas pode ocorrer
movimento atmico durante a difuso; deles, dois so funo da concentrao de lacunas presente no metal. Geralmente, a difuso intersticial muito mais rpida que a
dominantes para a difuso em metais, a DIFUSO POR LACUNAS A concentrao de lacunas aumenta com a temperatura. difuso por lacunas.
(ou DIFUSO SUBSTITUCIONAL ) e a DIFUSO INTERSTICIAL . Quando tomos hospedeiros se difundem, ocorre o processo de Exemplo: No caso do Fe-a a 500C, a difus o dos tom os
AUTODIFUSO e quando tomos de impurezas substitucionais car bono quase 10 9 vezes mais rpida do que a autodifuso
se difundem, ocorre o processo de INTERDIFUS O. dos tomos de ferro.
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FL UXO DE DIFUSO FL UXO DE DIFUSO DIFUSO EM ESTADO ESTACIONRIO
Para quantificar a rapidez com que o fenmeno da difuso se No caso da difuso unidimensional, a concentrao C dos Quando J no varia com o tempo (C tambm no varia com o
processa no tempo usamos oFLU XO D E DIF USO (J). tomos que se difundem funo da posio x no interior do tempo) e temos a DIF USO EM ESTAD O ESTAC ION R IO (ou
O Fluxo de Difuso definido como sendo a massa (ou, de slido e do tempo t de difuso. Assim, em geral, C = f (x, t). DIF USO EM R EGIME PERMAN EN TE ).
forma equivalente, o nmero de tomos) M que se difunde por A curva ao lado, que
Para que J no varie com o tempo necessrio que J tambm
unidade de tempo atravs de uma rea unitria perpendicular representa C em funo da no varie com a posio. Assim,
direo do movimento da massa, posio x no interior de um
dC
slido num dado instante de = cte C = f(x) uma funo linear de x.
M dx
J = tempo t, denominada
At
PERFIL D E CON CEN TRA O .
A representa a rea atravs da qual a difuso est ocorrendo e t dC DC C - CB
Para cada t, o fluxo de difu- = = A
dx Dx xA - xB
o tempo de difuso decorrido so num dado x propor-
Em forma diferencial, cional ao valor dedC/dx em x

J = 1 dM dC Posi o
A dt Jx = -D
dx
x
As unidades para J so kilogramas (ou tomos) por metro A constante de proporcionalidade D chamada de
quadrado por segundo (kg/m2-s ou tomos/m2-s) COEFIC IENTE DE DIF USO , e expressa em m2 /s.

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PRIMEIRA LEI DE FICK DIFUSO EM ESTADO NO -ESTACIONRIO SEGUNDA LEI DE FICK
Para processos de difuso em estado estacionrio, a equao A maioria das situaes prticas envolvendo difuso ocorre em Para descrever a difuso em estado no-estacionrio,
que correlaciona o fluxo de difuso J com o gradiente de condies de ESTAD O NO -ESTAC ION R IO (ou REGIME utilizada a equao diferencial parcial
TRAN SITR IO ou CON DI ES TRAN SIEN TES ).
concentrao dC /dx chamada de PR IMEIRA LEI D E FIC K , C = D C
Na difuso em estado no-estacionrio tanto o fluxo de difuso, t x x
J = - D dC quanto o gradiente de concentrao, numa dada posio x,
dx variam com o tempo t. Como resultado, ocorre um acmulo ou conhecida por SEGU NDA LEI D E FIC K .
esgotamento lquido do componente que se encontra em
O sinal negativo na equao acima indica que o fluxo ocorre na Se o coeficiente de difuso no depende da composio
difuso.
direo contrria do gradiente de concentrao, isto , no (portanto, da posio), a segunda lei deFick se simplifica para
sentido das concentraes altas para as concentraes baixas.
C = D 2 C
Na primeira lei de Fick, o POTEN CIAL TER MOD IN M IC O ou t x2
Perfis de concentrao em trs
FOR A MOT RIZ (DRIVIN G FOR CE ) para que ocorra o fenmeno
instantes de tempo diferentes do
de difuso, o gradiente de concentrao. Quando so especificadas condies de contorno que possuem
pr ocesso de difuso.
um sentido fsico, possvel obter-se solues para segunda lei
de Fick. Essas solues so funes C = f(x,t) que representam
as concentraes em termos tanto da posio quanto do tempo.

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SEGUNDA LEI DE FICK SEGUNDA LEI DE FICK DISTNCIAS DE DIFUSO
Uma soluo da segunda lei deFick C = f(x,t) importante na Com as condies de contorno consideradas na transparncia Consideremos a soluo da segunda lei deFick
prtica aquela para um slido semi-infinito* em que a anterior, a soluo da segunda lei deFick resulta
Cx - C0
concentrao do soluto CS na superfcie mantida constante
x = 1 - erf x
durante a difuso. Assume-se tambm que os tomos do soluto Cx - C 0 Cs - C0 2 Dt
= 1 - erf , onde Cx = C = f(x,t).
presentes no interior do slido, antes do processo de difuso, Cs - C 0 2 Dt
e suponhamos que desejamos atingir uma determinada
esto uniformemente distribudoscom concentrao C 0. concentrao de soluto C1, em uma liga.
Tomando x = 0 na superfcie e x > 0 no interior do slido e A funo erf(z) representa a Funo Erro de Gauss e dada por
considerando t = 0 o instante de tempo imediatamente anterior Para Cx = C1 = cte,
2 z 2
ao incio do processo de difuso, as condies de contorno erf ( z ) = e - y dy . C1 - C0 x
acima podemser representadas por: p 0 = cte = cte x a Dt .
Cs - C0 2 Dt
Para t = 0, C = f(x,0) = C 0 em 0 = x = 8 . A soluo acima se aplica, por exemplo,
Para t > 0, C = f(0,t) =CS. para processos de cementao (ou Se C1=(Cs + C0) / 2,
Para t = 0, C = f(t,x) = C0 em x = 8 . carbonetao) de chapas de ao (ou
C1 - C0 1 x 1 x
* Uma barra slida considerada semi -infinita se nenhum dos tomos em seja, chapas de ligas ferro-carbono). = erf = @ 0,5
Processos de cementao so utilizados Cs - C0 2 2 Dt 2 2 Dt
difuso ca p a z de atingir a extremidade oposta da barra durante o tempo de
procedimento da difuso . Uma barra de comprimento L pode ser considerada para endurecer as superfcies de peas
semi -infinita na prtica quando L > 10 (Dt)1/2 . de aos. Corte de um a engrena- portanto, x @ Dt .
gem cem entada
 EXEMPLO : CEMENTAO DE AO 19 20 21
EFEITO DA TEMPERATURA ATIVAO TRMICA EFEITO DA TEMPERATURA ATIVAO TRMICA
Considerem os um a pea de ao com concentrao super ficial de
car bono inicial C O = 0,25% (porcentagem mssica de C). Em um
tratam ento de cem entao, a concentrao de C na super fcie ( C S ) foi
subitam ente aumentada para 1,20% , e mantida nesse valor. Depois de
quanto tempo a concentrao de C atingir um valor de 0,80% numa Para linearizar
posio situada a 0,5m m abaixo da super fcie?
Dad o : O coeficiente de difuso do car bono no ferro D considerado DG
D = D 0 exp - d
constante na temperatur a de tr atam ento, e vale 1,6 x 10 -11 m 2/s
RT

Tabela da consideramos
Funo Erro de
Gauss DG d 1
DG lnD = ln D0 -
D = D 0 exp - d R T
RT

onde: Do , uma constante (m2/s); DG d, energia de ativao para

difuso (J/mol); R, constante universal dos gases (8,31 J/mol.K); e
T, temperatura absoluta (K).
Para a resoluo desse exemplo com os dados apresentados, nece ssrio
saber a temperatura em que acontece o tratamento? Onde ela con siderada?
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COEFICIENTE DE DIFUSO CAMINHOS PARA DIFUSO APLICAO : SINTERIZAO
Os fatores que influenciamo coeficiente de difuso so: SINTER IZ A O o estabelecimento de junes entre
Espcie que se difunde A movimentao de tomos pode ocorrer: partculas submetidas a altas temperaturas por meio da
Meio onde ocorre a difuso difuso em volume e em superfcie.
1) No volume do material
Temperatura 2) Ao longo de defeitos lineares: discordncias
3) Ao longo de defeitos bidimensionais: contornos de gro,
superfcies externas.

A movimentao de tomos pelos defeitos cristalinos muito mais

rpida que pelo volume

Em alguns casos, a contribuio do fluxo de tomos atravs dos

defeitos cristalinos insignificante (a seo transversal dassuas
reas bem pequena comparada com o interior do material)

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SINTERIZAO
APLICA O:
DOPAGEM DE Si COM B
A sinterizao utilizada para a
fabricao de peas em cermica PRODU O DE CIRCUITOS INTEGRADOS
ou de peas metlicas de formas Etapa 1: Deposio de uma camada rica em B na superfcie
complexas. do cristal de Si por meio de um vapor de B 2 O3 ou BCl3 por
Jun o tipo n: Si4+ + (P 5+ ou As 5+ ou Sb5+) alguns minutos a 1100 C.
Jun o tipo p: Si4+ + (Al 3+ ou B3+ ou Ga3+)
Etapa 2: Difuso do B para dentro do Si por 80 minutos a
1200 C.

Para evitar a perda de B pela superfcie, o tratamento de

difuso efetuado em uma atmosfera oxidante. Uma
camada de SiO 2 se forma, bloqueando a perda de B pela
superfcie.
ESQUE MA DA CO NE XO ENTRE DUA S JUNES
E UMA CO NE XO ME T LICA

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Captulos do Callister tratad os nesta aula
Captulo 5 do Callister completo.
Aplicaes :
A aplicao sinterizao mencionada no item 14.15 .
As transparncias referentes produo de circuitos integrados no se
encontram no Callister.

Outras referncias importantes

Van Vlack, L. - Pr incpios de Cincia dos Mater iais, 3 a ed.
Captulo 4 : itens 4-10 a 4 - 14
Sinterizao : item 13 - 6

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