CLAUDIA RODIRGUES DE CARVALHO

APRESENTAO DE TRABALHO PUBLICADO SOBRE SENSOR

DIELTRICO BASEADO EM TUNELAMENTO DE ENERGIA
MONTADO EM SUBSTRATO INTEGRADO PARA GUIA DE ONDA

Santo Andr
2017
CLAUDIA RODIRGUES DE CARVALHO
 APRESENTAO DE TRABALHO PUBLICADO SOBRE SENSOR
DIELTRICO BASEADO EM TUNELAMENTO DE ENERGIA
MONTADO EM SUBSTRATO INTEGRADO PARA GUIA DE ONDA

Trabalho apresentado Universidade

Federal do ABC como atividade da
disciplina EEL-108 Sensores e
Dispositivos de Comunicao Sem Fio.

Professor: Dr. Michel O. S. Dantas

Santo Andr
2017
RESUMO

Este trabalho apresenta resumidamente a proposta de um sensor dieltrico baseado em

tunelamento de energia montado em substrato integrado para guia de ondas. Este sensor foi
descrito em um artigo publicado em 1 de maro de 2017 no IEEE Sensor Journal. O artigo
Energy-Tunneling Dielectric Sensor Based on Substrate Integrated Waveguides estudado para
este trabalho prope um dispositivo de deteco dieltrica baseado em guia de onda integrada
em substrato com arame-caregado (wire-loaded SIW - substrate-integrated-waveguide)
estrutura que suporta o fenmeno de tunelamento de energia. Campos eletromagnticos
extremamente intensos so criados em torno do arame e podem ser explorados em projetos de
sensores dieltricos altamente sensveis.

SUMRIO
I. INTRODUO 5

II PROJETO DE GUIA DE ONDA INTEGRADO

EM SUBSTRATO (SIW) PARA TUNELAMENTO DE ENERGIA 6

III. ANLISE DE SENSIBILIDADE 9

IV UM SENSOR DIELETRICO BASEADO EM SIW PRTICO 13

V. CONCLUSO 14

VI BIBLIOGRAFIA 16

I INTRODUO
O artigo Energy-Tunneling Dielectric Sensor Based on Substrate Integrated Waveguides
estudado para este trabalho prope um dispositivo de deteco dieltrica baseado em guia de
onda integrada em substrato com arame-caregado (wire-loaded SIW - substrate-integrated-
waveguide) estrutura que suporta o fenmeno de tunelamento de energia. Campos
eletromagnticos extremamente intensos so criados em torno do arame e podem ser
explorados em projetos de sensores dieltricos altamente sensveis.

mostrado que ao se construir dois SIWs ligados atravs de um fio metlico fino, sensveis
mudanas na constante diletrica de slidos, bem como em lquidos colocados em pontos de
alta energia podem ser detectados observando-se o deslocamento da frequncia de
ressonncia. Quando estes fios metlicos que so extremamente finos so carregados com
amostras solidas e liquidas as respectivas ressonncias mudam de 0,2 a 1 Ghz e so medidas.

Baseando-se nas estruturas de tunelamento SIW proposto, uma nova classe de sensores de alta
sensibilidade, baixo custo e robustos podem ser projetados apropriadamente para aplicaes
biomdicas e forenses.

O tunelamento de energia eletromagntica relatado em estruturas de microondas guiadas

carregadas com psilon-near- zero (ENZ) ou materiais metlicos de ressonncia de meio
comprimento de onda.

O tunelamento de energia um fenmeno de seletividade de alta frequncia que envolve

propagao de energia eletromagntica atravs de curvas estreitas e canais com eficincias de
transmisso perfeita.

Este Espremer de energia em caminhos estreitos causa dramticas melhorias no campo

eltrico dentro dos canais de tunelamento de energia. Portanto um dispositivo de tunelamento
de energia capaz de detectar mudanas dieltricas em partculas infinitesimais posicionadas
dentro de regies de alto campo.

Nas estruturas de tunelamento de energia de fio carregado, campos de alta intensidade so

localizados perto do fio de tunelamento onde, uma pequena perturbao no material dieltrico
causa considerveis mudanas de frequncia. Consequentemente as configuraes de
tunelamento de energia baseadas em guias de onda e geometrias de microstrip tem sido
empregadas como sensores dieltricos altamente sensveis.

Sensores de tunelamento baseados em guias de ondas so geralmente volumosos e oferecem

limitaes, portanto, so difceis de integrar com geometrias planares. Por outro lado as
configuraes em microstrips so estruturas abertas com fios metlicos embutidos e
consequente propensas a grandes perdas de radiao.

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II PROJETO DE GUIA DE ONDA INTEGRADO EM SUBSTRATO (SIW) PARA
TUNELAMENTO DE ENERGIA
Observando-se a fig 1. nota-se que cada um dos SIWs alimentado por uma linha de
transmisso microstrip com seo cnica de larguras inicial e final dada por 'w 50' e 'Wt'
respectivamente. O afunilamento microstrip permite que os campos eletromagnticos de
propagao transitem do microstrip para o modo guia de onda.
As paredes laterais condutoras e a extremidade em curto-circuito da SIW nica so
construdas ligando a camada condutora superior e inferior atravs de um arranjo de vias (via-
array) peridico com uma periodicidade de p e atravs do dimetro de d.

O SIW suporta apenas os modos TEm0 devido sua geometria especfica que envolve um
substrato que muito mais fino do que mais largo (h << a).
Os modos TM, se gerados, so convertidos em modos com vazamento atravs de janelas .
A periodicidade do SIW atravs da matriz (p) e o dimetro da via (d) so os parmetros fsicos
importantes do projeto SIW. Com o aumento na periodicidade, os campos eletromagnticos
podem no ficar confinados no substrato, aumentando assim o vazamento de onda levando a
perdas de radiao. Uma vez que o SIW uma estrutura peridica, existem intervalos de
banda associados com a propagao de onda com largura de banda dependente dos dimetros
da via.
As duas restries de projeto a seguir asseguram a propagao livre do intervalo de banda
com baixas perdas de radiao dentro das freqncias de interesse.

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Onde c o comprimento de onda de corte. Para p / d > 2, a atenuao aumenta a constante,
levando a aumentar as perdas por vazamento.
Para os prottipos SIW deste trabalho, o perodo entre via e o seu dimetro so dados por 1,5
mm e 1 mm, respectivamente.
Para assegurar a propagao do modo TEm0 idntico propaga-se no SIW e seu equivalente de
guia de onda retangular, a largura eq do SIW deve ser mantida como:

Onde rec a largura da guia de onda retangular e r a permissividade relativa do

substrato. A largura de SIW total, i.e.

Uma via central para o outro ento dada por :

Para o projeto SIW aqui apresentado, um substrato com permissividade de 10,2 utilizado e a
frequncia de corte considerada como sendo 4.15 GHz. Portanto, empregando (1) - (4), a
espessura SIW equivalente eq dada por 11,3 mm. Finalmente, para integrar o SIW com a
linha microstrip de 50 conectada ao cabo coaxial de alimentao, a transio de microstrip
cnica de comprimento Lt e largura Wt necessria.
Em particular, importante projetar corretamente a largura da seo cnica W t devido sua
contribuio na fixao da propagao do modo TE 10 no SIW as duas equaes seguintes
Pode ser resolvido para estimar valores aproximados de Lt e Wt.

Onde g o comprimento de onda guiado obtido pela diviso do comprimento de onda

operacional pela raiz quadrada da constante dieltrica e o fator exponencial E dado por:
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As equaes (5) - (7) fornecem os valores iniciais de projeto. O desenho final da linha cnica
foi feito por meio de otimizao numrica posterior usando simulador de campo
eletromagntico de onda completa Ansoft HFSS (High Frequency Electromagnetic Field
Simulation) para a faixa de frequncia de 8 a 12GHz. O comprimento do fio de tunelamento
(2l) selecionado de tal modo que seja igual a metade do comprimento de onda de
ressonncia desejado aproximado. Os parmetros de projetos da estrutura SIW da Fig. 1 esto
resumidas na Tabela 1. Para validar o projeto de tunelamento de energia, a configurao bi-
camada do SIW da Fig. 1 simulada no HFSS. A forte distribuio do campo eltrico
ressonante resulta regio que rodeia o fio metlico, como ilustrado na Fig. 2 tambm
observado nas configuraes anteriores do tunelamento de energia ET para consideraes
prticas, a amostra dieltrica colocada em uma cavidade que construda perto do fio
metlico no topo SIW, como mostrado na Fig. 1 (b) e (c). Na fig. 2c, o campo resultante
mostrado para ser restringido dentro da amostra. amplos deslocamentos de ressonncias so
antecipadas se a constante dieltrica da amostra dentro da cavidade variada; um
comportamento que pode ser exploradas para fins de sensoriamento .

Fig. 2. (a) E-field distribution on resonant wire. (b) E-field distribution in SIW-1 without dielectric sample. (c) E-field distribution in SIW-1
with dielectric sample of r = 10.

Fig 1b

Fig 1c

III. ANLISE DE SENSIBILIDADE

O SIW bi-camada (sensor ET) atua como dispositivo seletor com uma ressonncia que
depende do comprimento do fio de Tunelamento.
Considere na Fig. 3a os coeficientes de transmisso e reflexo obtidos pelo simulador de onda
completa HFSS para diferentes comprimentos de fio.

A transmisso completa de energia significa o comportamento de tunelamento de energia sob

condies sem perdas pode ser observada nas frequncias de ressonncia. Comparando com a
geometria baseada em microstrip similar que sofreu uma perda de 3dB, o sensor ET de bi-
camada SIW proposto oferece uma transmisso sem radiao.
O fenmeno de tunelamento de energia tambm pode ser explicado em termos de uma
condio de casamento de impedncia quando a energia acoplada de uma guia de onda para
outra. Portanto, perdas de retorno extremamente baixas (quase zero) so observadas na Fig. 3.

Fig 3 - Os coeficientes de transmisso e reflexo que mostram a diminuio Freqncia de tunelamento com aumento no
comprimento (2l) do fio de 4mm a 4,8mm.

Numericamente, esta condio foi previamente obtida para guias de ondas retangulares e
podem ser prontamente estendidas para sistemas baseados em SIW com uma escolha
diferente da funo de Dyadic Green G (r | r) e a densidade de corrente:

Onde S0 a superfcie do fio dentro do guia de ondas. Com o aumento no comprimento do

fio, a ressonncia muda para frequncias mais baixas, um comportamento que pode ser
explorado para construir estruturas SIW ajustveis. O comprimento efetivo do fio tambm
pode ser mudado alterando o dieltrico em torno do fio, um comportamento que explorado
em sensoriamento dieltrico.

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FIG. 4. Os grficos do coeficiente de transmisso (S21) que mostram a
A largura de banda aumenta quando a permissividade da amostra ou a tangente da perda so variado. As curvas slidas representam
simulaes sem perda e as curvas pontilhadas Simbolizam os coeficientes de transmisso para as amostras de permissividade com tan =
0,1. A insero na figura mostra a localizao da amostra em relao fio.

Como mostrado na figura 4 (Curvas slidas), mudanas detectveis na frequncia de

ressonncia podem ser observada quando as amostras dieltricas nas cavidades prximas ao
fio de tunelamento (Fig. 1b) variado de 1 a 10. Para mostrar que o mtodo de sensoriamento
proposto tambm pode ser implementado para estimativas de perda de tangente, as perdas nas
amostras dieltricas so Introduzidas no SIW bi-camada. Como resultado, perdas de
transmisso juntamente com o aumento na largura de banda de transmisso (ou diminuio do
fator Q) pode ser observado na Fig. 4 (curvas pontilhadas). A sensibilidade de deteco do
sensor ET depende criticamente da localizao da amostra devido variao da intensidade
do campo eltrico, mais alta na vizinhana do fio de tunelamento.
Um aumento considervel no deslocamento da ressonncia relativa podem ser observados na
fig. 5 quando amostras de mesma permissividade so movidas para um local de campo alto ao
redor do fio onde so perturbados por campos mais intensos. Devido a razo idntica, uma
queda significativa no fator Q (ou aumento na largura de banda) observado na Fig. 5 para
localizao da segunda amostra.

Para fins prticos, as curvas de calibrao podem ser geradas a partir da frequncia de
ressonncia e da informao do fator Q contidas na Fig. 4 e 5 e simulaes HFSS idnticas
para mais amostras.

FIG. 5. Coeficiente de transmisso (S21) quando a amostra movida para um local Ao redor do fio (mostrado na insero). Mudanas mais
significativas na Turnos e Q-fatores so observados quando a amostra peneirada para um local Em torno do fio de tunelamento.
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FIG. 6 - fornece uma tal curva de calibrao para a mudana de ressonncia mostrando o aumento da sensibilidade de deteco para a
amostra colocada ao redor do fio.
Curvas de calibrao do factor Q semelhantes so apresentadas na Fig. 7 que comparam a sensibilidade para os dois locais quando a perda da
amostra Tangente aumentada de 0 para 0,4.

FIG. 7. Variao do fator de qualidade versus tangente de perda variando de 0 a 0,4

Quando a cavidade da amostra cheia com ar (r = 1).

FIG. 8. Fotografia do sensor de bases montado SIW, insero mostra o topo

E PCBs de camada inferior simples que so aparafusados juntos para fazer o SIW.

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IV. UM SENSOR DIELETRICO BASEADO EM SIW PRTICO

Para validar o sensoriamento de tunelamento de baseada em SIW bi-camada da Fig. 1

fabricado usando a maquina fresadora AUTOLAB (MITS) PCB

FIG. 9. A simulao resulta quando a cavidade da amostra preenchida com ar (r = 1), Rogers (r = 10,2) e dieltrico de r = 80 (gua).

FIG. 10. Resultados experimentais quando a cavidade da amostra preenchida com ar (r = 1), Rogers (r = 10,2) e gua inserida dentro do
tubo capilar (r = 80).

O orifcio de passagem da matriz de vias implementada perfurando buracos usando a

mquina de perfurao NC. Os segmentos de fio de cobre de 1mm de dimetro foram
inseridos nos furos de passagem e soldados manualmente em ambos os lados para imitar as
vias do orifcio de passagem.
O sensor utilizado neste arranjo de medidas retrado na Fig. 8. Um furo de 1mm para
colocar a amostra dieltrica perfurado prximo ao fio de tunelamento, quando nenhuma
amostra dieltrica colocada, naturalmente, a cavidade cheia de ar. Portanto, com cavidade
cheia de ar (r = 1), a frequncia de tunelamento observada de 9,85 GHz, ambas em
simulao e experincia, como mostrado nas Figs. 9 e 10.
Uma perda de 2dB na simulao observada com a introduo da cavidade que era esperada
em funo de uma assimetria na localizao do buraco. Em seguida a cavidade preenchida
com a forma em p de material dielctrico Rogers RO3010 com uma permissividade de 10,2.
Um deslocamento significativo de 200 MHz simulado e medido observado o que demostra a
alta sensibilidade do sensor proposto. Finalmente, para mostrar que o sensor de tunelamento
de energia proposto tambm pode funcionar com amostras liquidas foi introduzido um tubo
capilar cheio de gua na cavidade de amostras. A resposta de transmisso medida e simulada
mostra um deslocamento de ressonncia muito grande de mais de 1 GHz. Consequentemente
o sensor de tunelamento de energia baseado em SIW pode funcionar com amostras lquidas e
pode ser usado como sensor de umidade para deferentes aplicaes industriais e alimentares.
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Olhando para as curvas de simulaes e medidas, pode-se observar que as frequncias de
ressonncia combinam muito bem.

O desacordo entre simulao e curvas medidas atribuda principalmente a tolerncia de

fabricao e imprecises introduzido manualmente atravs de enchimento e soldagem.
No caso da amostra de gua, h uma diferena aparente dos formatos das ressonncias
simuladas e experimentadas, resultado da natureza polar e dispersiva da gua, o que no
levada em considerao na simulao.

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V. CONCLUSO

Um sensor dieltrico de tunelamento de energia e umidade fabricado usando tecnologia de

guia de onda integrado em substrato (SIW). Foi demonstrado em simulao e experincia que
o sensor proposto capaz de detectar um tamanho extremamente pequeno de 1,9 mm3
amostra causando um deslocamento de 200MHz da ressonncia de tunelamento.
Com uma amostra lquida do mesmo volume, a frequncia de 1 GHz de deslocamento
detectado. Da a proposta de sensor de tunelamento de energia de baixa perda.pode ser
potencialmente usado em importantes aplicaes bio-mdicas e anlise forense.

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VI - BIBLIOGRAFIA

Energy-Tunneling Dielectric Sensor Based on Substrate Integrated Waveguides ,

Autores: Rashad Ramzan, Senior Member, IEEE, Muhammad Omar, and Omar F. Siddiqui
disponvel no IEEE Sensores Journal, vol 17, no. 5, March 1, 2017

Tunelamento quantico
https://pequenoplanetaazul.wordpress.com/tag/tunelamento-quantico/
Autores: Luciano Infanti de Paula, Rodrigo Brasil, Grabriel

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