I.

TEMA : RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE

UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA

II. OBJETIVOS

Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de

audio.

III. INTRODUCCIN TERICA

En el extremo de alta frecuencia, existen dos

factores que definen el punto de -3 dB: la
capacitancia de la red (parsita e introducida) y la

dependencia a la frecuencia de h fe () .

En la regin de alta frecuencia, la red RC de

inters cuenta con la configuracin que aparece en
la figura. Para frecuencias crecientes, la reactancia
XC disminuye en magnitud, con lo que se ocasiona
un efecto de corto a travs de la salida y una
disminucin de la ganancia. La deduccin que lleva a la frecuencia de
esquina para esta configuracin RC sigue una lnea similar a la encontrada
para la regin de baja frecuencia. La principal diferencia es la forma general
de Av que aparece a continuacin:

1
A v=
1+ j(f / f 2)

La cual genera una grfica de magnitud como se muestra en la figura, que

tiene una cada en 6 dB/octava ante el incremento en la frecuencia. Observe
que f2 se encuentra en el denominador de la relacin de frecuencia en lugar
de en el numerador, como ocurre para f1.
En la figura se incluyen las
distintas capacitancias
parsitas (Cbe, Cbc, Cce)
del transistor junto con las
capacitancias de cableado
(CWi, CWo) que se
insertaron durante la
construccin.

El modelo equivalente para

alta frecuencia de la red de
la figura se muestra a
continuacin. Observe la
ausencia de los capacitores
Cs, CC y CE, los cuales se
asume que se encuentran
en el estado de corto
circuito para estas frecuencias. La capacitancia Ci incluye a la capacitancia
de cableado de entrada CWi, la capacitancia de transicin Cbe, y la
capacitancia Miller de entrada CMi. La capacitancia Co incluye a la
capacitancia de cableado de salida CWo, la capacitancia parsita Cce y la
capacitancia Miller de salida CMo. En general, la capacitancia Cbe es la
mayor de las capacitancias parsitas siendo Cce la menor. De hecho, la
mayora de las hojas de especificaciones proporcionan los niveles de Cbe y
Cbc y no incluyen a Cce a menos que sta afecte la respuesta de un tipo
particular de transistor en un rea especfica de aplicacin.
Al determinar el circuito equivalente de Thvenin para las redes de entrada
y de salida de la figura 11.49 se obtendrn las configuraciones de la figura
11.50. Para la red de entrada, la frecuencia de _3 dB est definida por

1
f Hi=
2 RThi Ci

IV. I
N F
ORME PREVIO

1. Definir rbb , rbe, rbc, rce, cbe, cbc, gm, f,ft.

rbb: resistencia de dispersin de base

rbe: resistencia que representa el efecto de recombinacin de los

portadores minoritarios en la base

rbc: Resistencia de retroalimentacin. Resistencia debido al efecto early o

modulacin del ancho de base.

Rce: resistencia entre colector y emisor salida.

cbe y cbc; son las capacitancias parasitas del transistor. cbc es la

capacitancia de la unin colector-base a pesar de que es una capacitancia
variable, suele considerarse constante en una regin de operacin particular
del transistor. La capacitancia cbe, la cual es capacitor base- emisor. El
valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como Cib. Esta
capacitancia es la suma de la capacitancia de difusin del emisor y la
capacitancia de la unin del emisor. Debido a que el primer capacitor es el
ms grande de los dos, cbe es aproximadamente iguala la capacitancia de
difusin (conocida tambin como capacitancia de carga de la base).

f y ft : son frecuencias caractersticas, f B es la frecuencia para cuando el

factor de ganancia del transistor empieza a variar. Ft es la frecuencia
mxima de operacin del transistor se da cuando la ganancia es igual a
cero.
 2. En el circuito del experimento, de acuerdo al modelo del
transistor en altas frecuencias, encontrar una expresin para
fb/ft.

56k 1.5k

C4

22F
R4 C3
V1
1k 12 V
22F

XFG1 C1
100F 10k
12k 0.68k

Para hallar una expresin para fb/ft analizamos el circuito en CD y en su

modelo hibrido

Anlisis en DC

V BB + I B r bb+ V be + I E R E=0

V bbV be 2.188 V 0.7

IC = = =1.944 mA
r bb 9.88 x 103
RE+ 680+
200

I C 1.944 mA
I B= = =9.72 A
200

I C RC +V CE + I E RE =12

R
( C + R E )
V CE =12I C

V CE =7.762V

Hallando los parmetros

 I EQ
gm= =77.76 m
VT

h fe h 200
r be = = fe = =2572
40 I EQ g m 77.76 m

hfe 40 I EQ
Cbe = =
w t r be wt

Hallamos la ganancia de corriente del modelo hibrido

1+ jwrb e(Cb e+ Cb c )
Ib e
Ic hfeIb e
Ai= =
Ib

hfe
Ai ( jw)=
(1+ jwrb e (Cb e+ Cb c ) )

La frecuencia de corte ser:

1 1
W B= f B=
rb e ( Cb e+Cb c ) 2 rb e ( Cb e +Cb c )

Calculando la frecuencia mxima de trabajo

1+w 2( rb e ( Cb e+Cb c )2)

hfe
Ai

hfe
Ai

2
wT
(1+ 2
)
wB
 w T= hfe1
( rb e ( Cb e+Cb c ))

f T= hfe1
2 ( rb e ( Cb e+Cb c ))

Relacionando
fT y
fB

fB 1
=
f T hfe

3. Considerando que cbc <0.1-50p F>, cbe<100-1000p F> rb

e=VThfe/IEQ, encontrar el punto de corte superior aproximado
en nuestro circuito.

Hallando el punto de corte superior

fB considerando:

Cb c=50 pF

Cb e=1000 pF

1 1
f B= = =0.058933 MHz
2 rb e ( Cb e +Cb c ) 2 (2572 )(50 pF+1000 pF)

Hallando el punto de corte superior

fB considerando:

Cb c=0.1 pF

Cb e=100 pF

1 1
f B= = =0.6182 MHz
2 rb e ( Cb e +Cb c ) 2 (2572 )(0.1 pF+100 pF)

4. En altas frecuencias Cul de las configuraciones de

transistor ser ms conveniente? por qu?
Ser ms conveniente usar el modelo pi de un transistor debido que ah se
puede visualizar mejor los efectos de la alta frecuencia en la red como las
capacitancias parasitas.

V. MATERIALES

1 transistor 2N2222

Resistores (1/4 W): 56k, 12k, 10k, 1.5k, 0.68k, 1k

Condensadores: 2(22uf), 100uf

1 Multmetro digital

1 Generador de seales

Osciloscopio

Fuente DC

VI. PROCEDIMIENTO

1. Implementamos el siguiente circuito.

56k 1.5k

C4

22F
R4 C3
V1
1k 12 V
22F

XFG1 C1
100F 10k
12k 0.68k

2. Sin aplicar la seal a medir:

V CE =7.37 V I CQ =2.1 mA

3. Encontrar la mxima seal de salida sin distorsin.

Vo=27omV Vi=8mV f=1KHz

4. Llenar la siguiente tabla. Note que el punto de corte superior

se encuentra a una frecuencia en que Vo es 0.707 de su valor.

En nuestra experiencia tomamos 5 cuadriculas del osciloscopio.

En 3.5 cuadriculas seria la frecuencia de corte.

| A|=20 log ( VoVi ) Vi=8 mV

F(KH 1 5 24 249 310 429 540 560 600
z)
Vo(m 270 270 270 243 216 189 162 135 107.
V) 9
Vo/Vi 30.5 30.5 30.5 29.6 28.6 27.4 26.1 24.5 22.6
(db) 7 7 7 5 3 8 3 5

Experimentalmente la frecuencia de corte es 429 KHz con una tensin de

189V

Tericamente para la frecuencia de corte le corresponde un voltaje:

0.707(216V)=190.89V

Polarizando para 5mV le corresponde una frecuencia de 12.096MHz. La

frecuencia de trabajo est cerca de los 12MHz

VII. DATOS OBTENIDOS

Valor terico Valor experimental

V CE 7.762V 7.37V
IC 1.944mA 2.1mA
Ib 9.72uA 10uA
fB 0.6182MHz 0.429 MHz
fT 11.78 MHz 12.098 MHz

La variacin entre la frecuencia de corte experimental y terica es porque

se consider que cbc <0.1-50p F>, cbe<100-1000p F> .
 VIII. CUESTIONARIO FINAL

1. Grafique en el papel semilogaritmico (segn la tabla) la

ganancia de voltaje (expresada en d B) vs frecuencia.

De los datos obtenidos y usando Excel graficamos la ganancia de voltaje vs

frecuencia:

F Av
1 30.57
5 30.57
24 30.57
249 29.65
310 28.63
429 27.48
540 26.13
560 24.55
600 22.6

Av
32

30

28

26

24

22

20
1 10 100 1000

2. Comentario del grfico.

Vemos que a partir de una frecuencia de aproximada de 300 KHz la
ganancia tiende a disminuir. Existen dos factores que definen el punto de -3
dB: la capacitancia de la red (parsita e introducida) y la dependencia a la

frecuencia de h fe () .

3. De acuerdo a su grafico encontrar fb y con este dato calcular

(Cbe + Cbc(1+AvRL)) y verificar la aproximacin de la
pregunta 3 del informe previo.

Tomando del grafico Fb=300KHz

RL=10k

rb e =2572, I EQ=1.944 mA

| A|=20 log ( VoVi ) , Vi=8 mV ,

hfe 40 I EQ 40( 1.944 m)

Cb ' e= = = 6
=1.031 x 109 F
w t r be 2 f t 2 12 x 10

1 1 1
f B= Cb e+ Cb c= = =1.86 x 109
2 rb e ( Cb e +Cb c ) 2 rb e f B 2 (2572)(300 K)

Cb e+Cb c=2 x 1010

10 10
Cb c=2 x 10 Cb e=8.31 x 10

Cbe + Cbc(1+AvRL)= Cbe + Cbc + AvRkL(Cbc)

2 x 1010+ 8.31 x 1010 ( 1+30.57 ( 10 k ) ) =2.55 x 104

4. Que conclusin obtuvo del experimento

Cuando se analiza una red de alta frecuencia hay que trabajar con el
modelo hibrido del transistor para tener en cuenta las capacitancias
parasitas del transistor cbe, cbc, Cce. Estas influyen en la salida de la
seal.
La frecuencia de corte es en 0.707 el valor de la seal. Es a partir de ah que
al aumentar la frecuencia la seal disminuye hasta un valor casi nulo, donde
se puede aproximar la frecuencia de trabajo.

La variacin entre los valores tericos y prcticos es debido a las

condiciones en que se realiz el experimento como por ejemplo no se
consider la resistencia de los cables adems se considero que cbc <0.1-
50p F>, cbe<100-1000p F>.