1.

1 SLIDOS CRISTALINOS Y AMORFOS

1.1.1 Generalidades del estado solido

El arreglo atmico tiene un papel importante en la determinacin de la microestructura y en
el comportamiento de un material solido. Los transductores cermicos capaces de detectar
tumores en el cuerpo humano se basan en un arreglo atmico que produce un
desplazamiento permanente de las cargas elctricas dentro de un material, debido a los
arreglos atmicos es posible deformar el polietileno o estirar el hule.

1.1.2 Caractersticas de los slidos cristalinos y no cristalinos

Sin considerar las imperfecciones que hay en los materiales, existen 3 niveles de arreglos
atmicos.
a) Sin orden: Los tomos no tiene orden y llenan de manera aleatoria el espacio en el
cual est el gas.
b y c)Orden de corto alcance (cermicos, polmeros): Se le llama as si el arreglo
especial de los tomos se extiende solo a los vecinos ms cercanos de dicho tomo. Los
cermicos y polmeros que tienen este orden de corto alcance son materiales amorfos y
a menudo tienen propiedades fsicas nicas
d) Orden de largo alcance (Metales, semiconductores): Los tomos forman patrones
repetitivos, regular en forma de rejilla. Los metales, semiconductores, algunos
materiales cermicos y algunos polmeros tienen estructura cristalina de corto alcance o
largo alcance; el arreglo especial se extiende por todo el material. Los tomos forman
un patrn repetitivo, regular en forma de rejilla o de red.

Celda unitaria:
Subdivisin de la red que an conserva las caractersticas generales de toda la red.

Red:
Conjunto de puntos que estn organizados siguiendo un patrn peridico de forma que el
entorno de cada punto en la red es idntico, uno o ms tomos estn asociados a cada punto
de la red.
La red difiere de un material a otro en tamao como en forma, dependiendo del tamao de
los tomos y del tipo de enlace entre ellos.

Estructura cristalina:
Arreglo regular repetible de los tomos en un material.

Parmetro de red:
Describe el tamao y la forma de la celda unitaria, incluyen las dimensiones de los costados
de la celda unitaria y los ngulos entre sus costados. En un sistema cristalino cubico,
solamente es necesario la longitud de uno de los costados del cubo para describir la celda.
La longitud medida a temperatura ambiente es el parmetro de red a o. A menudo la longitud
se da en nanmetros (nm), o en Angstroms (A)
1 nm = 1 x 10-9 m = 1 x 10-7 cm = 10 A
1 (A) = 0.1 nm = 1 x 10-10 m = 1 x 10-8 cm.

No de tomos por celda unitaria.

Cada una de las celdas unitarias se define por un nmero especifico de punto de red. Un
punto de red en la esquina de una celda unitaria estar compartida por 7 celdas unitarias
adyacentes y solo una octava parte de cada esquina corresponde a una celda en particular.
Las esquinas tienen 1/8 de pto., las caras y las posiciones en el centro contribuyen con 1.

Cubica simple (CS)

punto de

( celdaunitaria )= ( 8 esquinas )
( 18 )=1
Cubica Centrada en el cuerpo (BCC)
puntode

1
( celdaunitaria )= ( 8 esquinas )
8 ()
+(1 centro) ( 1 ) =2

Cubica Centrada en las caras (FCC)

 punto de

( celdaunitaria )= ( 8 esquinas )
( 18 )+(6 caras )( 12 )=4
Radio atmico.
Radio aparente de tomo, que por lo general se calcula a partir de las dimensiones de la
celda unitaria, utilizando direcciones compactas.

CS BCC
FCC
No de coordinacin.
No de tomos que tocan a otro en particular, numero de vecinos ms cercanos. Es una
relacin de que tan estrechamente estn empaquetados los tomos.

a) CS b) BCC
Factor de empaquetamiento:.

1.2 LEYES CRISTALOGRAFICAS

2.2.1 ngulos interfaciales (interaxiales angulos formados entre dos

vectores)
La estructura del cristal puede ser definida como una coleccin de redes espaciales y bases
donde el tamao y la forma se pueden describir por tres vectores (a, b, c) con origen en un
vrtice de la celda. Las longitudes axiales a, b, c, y los ngulos interaxiales ) , , son las
constantes de la red de la celda unitaria.

2.2.2 Racionalidad de los ndices

Los ndices o direcciones equivalentes sirven para indicar las
direcciones de las aristas del cubo. Son los componentes del
vector de direccin descompuesto sobre cada eje de
coordenadas y reducido a minimos enteros.

2.2.3 Simetra
Se pueden construir celdillas unidad de diferentes tipos. Los cristalgrafos mostraron que
solo se necesitan siete sistemas cristalinos para describir todas las posibles redes.
La mayora de los metales puros (90 % aprox.) cristalizan al solidificarse en tres estructuras
BCC, FCC, HCP. La estructura HCP es una modificacin ms densa de la hexagonal simple

Bravais mostro 14 celdillas unidad estndar

El actual conocimiento de las estructuras cristalinas se ha obtenido principalmente por
tcnicas de difraccin de rayos X que son de la misma longitud de onda que la distancia
interplanar de la red cristalina en cuestin. Los rayos X utilizados son de ondas
electromagnticas con longitud de onda de 0.1592 a 0.25 nm. (.5 a 2.5 A). Para obtener
rayos X para difraccin se suministra un voltaje de alrededor de 35 kv entre un ctodo
emisor de electrones y una nodo metlico o blanco ambos en vacio, cuando se calienta el
filamento de tungsteno del ctodo, se liberan electrones y son acelerados a travs del vaco
por una diferencia de potencial, cuando los electrones golpean el metal (blanco) se emiten
rayos X, pero como la mayor parte de energa se libera en forma de calor, el metal se debe
enfriar extremadamente.

1.4.2 METODO DE BRAGG

Cuando un haz monocromtico (una sola longitud de onda) del mismo orden y de magnitud
que el espaciamiento atmico del material que lo golpea, los rayos X se dispersan en todas
direcciones, la mayor parte de la radiacin dispersa por una tomo anula la dispersada por
 otros tomos, sin embargo los rayos X que golpean ciertos planos cristalogrficos en
ngulos especficos, se ven reforzados en vez de eliminados, este fenmeno se conoce
como difraccin y se dice que ha sido difractado o el haz ha sido reforzado cuando las
condiciones satisfacen la ley de Bragg
n
sen=
2 d hkl

n=1 1er orden

n=2 2o orden
: mitad del Angulo entre el haz difractado y la direccin original del haz.
: longitud de onda de rayos.
dhkl: distancia interplanar entre los planos que causan el refuerzo constructivo.

Nota: Solo para el sistema cubico, los ndices de una direccin perpendicular a un plano
cristalino son iguales a los ndices de Miller de ese plano.

Reglas para la determinar los planos de difraccin {hkl} en los cristales

Redes de Bravais Reflexiones presentes Reflexiones ausentes
2 2 2
BCC (h +k +l ) = pares (h,k,l) = impar
FCC (h,k,l) = todos pares o todos impares (h,k,l) = no todos pares, ni todos impares
Nota: el cero se considera como un nmero par.

A partir de los datos de difraccin de rayos X se puede obtener valores experimentales de

2 para una serie de planos difractantes {h,k,l}, puesto que la longitud de onda de la
radiacin emitida y la cte de red a son ctes, podemos eliminarlos calculando la relacin
de dos valores de sen2.

h A + k
2 2
+l2A
A

2 2 2
h +k +l B
B B
2
sen A
2
=
sen B

donde A y B son ngulos de difraccin asociados con los planos principales.

Para BCC las dos primeras series de planos difractantes son los planos {110} y {200}
sustituyendo los ndices de Miller

sen2 A 12 +12 +02

= =0.5
sen 2 B 22 +02 +02

Para FCC las dos primeras series de planos difractantes son los planos {111} y {200}
 2
sen A 12 +12 +12
2
= 2 2 2 =0.75
sen B 2 +0 +0

Planos h2+k2+l2 (h2+k2+l2) Planos de difraccin del cubo

cbicos (hkl) {hkl}
FCC BCC
{100} 12+02+02 1
{110} 12+12+02 2 110
{111} 12+12+12 3 111
{200} 22+02+02 4 200 200
{210} 22+12+02 5
{211} 22+12+12 6 211
. 7
{220} 22+22+02 8 220 220
{221} 22+22+12 9
{310} 32+12+02 10 310
{311} 32+12+12 11 311
{222} 22+22+22 12 222 222
{320} 32+22+02 13
{321} 32+22+12 14 321
. 15
{400} 42+02+02 16 400 400

1.4.3 APLICACIONES DE LA ECUACION DE BRAGG

1.5 SISTEMA CUBICO HEXAGONAL

La estructura ms comn en los metales es la HCP, los metales no cristalizan en forma HC
porque su factor de empaquetamiento atmico (FEA o APF) es demasiado bajo.
En la figura c, los tomos marcados con 1 contribuyen con 1/6 y los tomos marcados con 2
1 1
contribuyen con 1/12 por lo tanto
4
6 () ( )
+4
12
=1
El tomo 3 est en el centro por lo

tanto hay 2 tomos.

La relacin entre la altura c del prisma de la estructura y la arista de la base a es una
relacin c/a, siendo la relacin mxima de 1.63
1.5.1 INDICES DE WEISS Y DE MILLER
La notacin llamada ndices de Miller es la convencin ms comn para describir puntos,
direcciones y planos especficos en los sistemas de red cristalina. Con la notacin de
ndices de Miller no slo se simplifica la descripcin de las direcciones, sino que tambin
se pueden usar operaciones vectoriales simples, como producto punto y cruz.

Puntos, Direcciones y Planos en la celda unitaria

Coordenadas
Se pueden localizar puntos con el mismo principio del plano cartesiano, las coordenadas se
expresan con tres distancias X, Y, Z separadas por comas. El primer paso para describir las
estructuras cristalinas es seleccionar un sistema de coordenadas, el siguiente paso es
orientar el sistema de coordenadas en la celda unitaria, la orientacin ms comn es alinear
los tres ejes con las aristas de la celda unitaria con el origen en un vrtice de la celda. La
eleccin de un origen es arbitraria y es asunto de comodidad en cada problema que se
emplee.

Direcciones en la celda unitaria

Algunas direcciones son importantes, los metales se deforman en las direcciones a lo largo
de las cuales los tomos estn en contacto ms estrecho.

ndices para direcciones:

Son notaciones abreviadas de las direcciones y se determinan de la siguiente manera.
1. Utilizando un sistema de direcciones, se determinan las coordenadas de dos puntos
que estn en esa direccin.
2. Despus de obtener las direcciones, a las coordenadas finales se le restan la iniciales
para obtener el numero de parmetros de red recorridos en la direccin de cada eje.
3. Reducir las fracciones o resultados obtenidos de la resta a mnimos enteros.
 4. Se encierran los nmeros entre corchetes [ ], si se obtuvo un signo negativo, se
representara con una barra sobre el numero y no lleva comas.

Nota sobre direcciones:

Dado que son vectores, una direccin y su negativo no son idnticos [1 0 0]
0]
[ 10 .
Una direccin y su mltiplo son idnticos en esa direccin [1 0 0 ] y [2 0 0].
Ciertos grupo de direcciones son equivalentes, sus ndices dependen de cmo se
construyan las coordenadas.
Se puede referir a grupos de direcciones equivalentes como familia de direcciones
con parntesis.

Planos en la celda unitaria

Se utilizan los ndices de Miller como notaciones abreviadas para identificar los planos y el
procedimiento es el siguiente.
1. Se identifican los puntos donde el plano intersecta los ejes X, Y, Z. Si el plano pasa
a travs del origen, debern moverse los ejes.
2. Se procede a tomar los recprocos de esta interseccin.
3. Se eliminan las fracciones sin reducir a mnimos enteros.
4. Se encierran los nmeros entre parntesis ( ) y si son nmeros negativos, se pondr
una barra encima del numero.

Nota:
Los planos no llevan comas.
La familias de planos se encierran entre llaves { }

1.5.2 FAMILIAS DE DIRECCIONES Y PLANOS

Familias de direcciones
<1 0 0>
[ 100 ] , [ 1 00 ]
[ 010 ] , [ 0 1 0 ]
[ 001 ] , [ 00 1 ]

<1 1 0>
[ 110 ] , [ 1 1 0 ] , 110
, [ 1 1 0 ]

[ 101 ] , [ 10 1 ] , [ 101 ] , [ 10 1 ]
[ 011 ] , [ 01 1 ] , [ 0 1 1 ] , [ 0 1 1 ]

<1 1 1>
 [ 111 ] , [ 1 11 ] , [ 1 1 1 ] , [ 11 1 ]
[ 1 1 1 ] , [ 1 1 1 ] , [ 1 1 1 ] , [ 1 1 1 ]

Familias de planos
{1 0 0}
( 100 ) , ( 1 00 )

( 010 ) , ( 0 10 )

( 001 ) , ( 00 1 )

{1 1 0}
[ 110 ] , [ 1 1 0 ] , 110
, [ 1 1 0 ]

[ 101 ] , [ 10 1 ] , [ 101 ] , [ 10 1 ]
[ 011 ] , [ 01 1 ] , [ 0 1 1 ] , [ 0 1 1 ]

{1 1 1}
[ 111 ] , [ 1 11 ] , [ 1 1 1 ] , [ 11 1 ]
[ 1 1 1 ] , [ 1 1 1 ] , [ 1 1 1 ] , [ 1 1 1 ]

1.5.3 DETERMINACION DE DISTANCIA INTERPLANAR, TIPO DE

CELDA, RADIO ATOMICO, DENSIDAD ENTRE OTRAS

1.6 TEORIA DE BANDAS

Cuando se unen N tomos para producir un slido, el Principio de Pauli requiere que solo 2
electrones en todo el slido tengan la misma energa, cada nivel de energa se ensancha en
una banda, en consecuencia en un slido en la banda 2S contiene N niveles de energa y 2N
electrones (2 en cada nivel de energa), cada uno de los niveles 2P contiene N niveles de
energa y 2N electrones, debido a que las 3 bandas de energa se enciman entre s, es
posible describir una banda ancha nica 2P que contenga 3N niveles de energa y 6
electrones.

Banda de energa para metales

El modelo de bandas de energa aplicado a slidos metlicos, permite comprender el
mecanismo de la conductividad elctrica en metales.

En un bloque slido de metal los tomos estn muy juntos y en contacto mutuo. Los
electrones de valencia que no estn localizados (figura 2.6 a) interactan e interpenetran a
cada uno de los dems de manera que sus niveles de energa atmica originales se amplan
hacia regiones ms anchas conocidas como bandas de energa (figura 2.6b). Los electrones
internos, puesto que estn protegidos de los electrones de valencia, no forman bandas

a) Electrones de valencia en el sodio

b) Niveles de energa en un boque de metal de sodio.

Sodio (11Na) IA 1s22s22p63s1

1
El electrn externo 3s puede formar un enlace con otros tomos y se conoce como electrn
de valencia. Las bandas de energa 3s y 3p se superponen, peo como hay solo un electrn
3s por tomo, esta banda (3s) est parcialmente ocupada y se necesita poca energa para
excitar los electrones siendo un buen conductor.

Magnesio (12Mg) IIA 1s22s22p63s2

Los estados 3s estn llenos, la banda 3s se superpone con la 3p crendose una banda
combinada 3sp parcialmente ocupada, a pesar que la banda 3s esta llena, el magnesio es un
buen conductor.

Aluminio (13Al) IIIA 1s22s22p63s23p1

La banda 3p esta parcialmente ocupada y se superpone a la banda 3s llena, siendo un buen
conductor.

a) Sodio 3s1, banda 3s semiocupada.

b) Magnesio 3s2 llena y se superpone a la banda 3p vaca.
c) Aluminio 3s23p1, banda 3s2 llena y se superpone a la banda 3p1 semiocupada.

Banda de energa para aislante (Eg)

Los electrones se encuentran fuertemente sujetos a los tomos mediante enlaces inicos o
covalentes y no estn libres para conducir electricidad. El modelo de bandas de energa
consiste en una banda de energa inferior llena y una banda de conduccin de mayor
energa vaca, ambas estn separadas por un salto de energa elevado
Eg = 6 a 7 eV

Banda de energa para semiconductores intrnsecos y extrnsecos.

Los semiconductores son aquellos cuya conductividad elctrica est comprendida entre las
de los metales (muy conductores) y la de los aislantes (poco conductores).

1.6.1 CONDUCTORES, SEMICONDUCTORES, AISLANTES Y

SUPERCONDUCTORES
Conductores
En los slidos metlicos los tomos estn distribuidos en una estructura cristalina (FCC,
BCC, HCP) y estn ligados mediante sus electrones de valencia exteriores por medio de
enlaces metlicos. Los enlaces metlicos hacen posible el movimiento libre de los
electrones de valencia puesto que estos son compartidos por muchos tomos y no estn
ligados a ninguno en particular.
Semiconductores intrnsecos (puros)
Su conductividad est determinada por sus propiedades conductoras inherentes (silicio,
germanio, IVA), los electrones son incapaces de moverse, a menos que se suministre
suficiente energa para excitarlos pasando a ser un electrn de conduccin libre y dejar tras
de s un hueco cargado positivamente. Los electrones (carga negativa) y huecos (carga
positiva) son portadores de carga y se mueven en un campo elctrico

Ilustracin del movimiento de huecos y electrones en un semiconductor de silicio puro

Por encima de la banda de valencia hay un intervalo de energa prohibida en la que no estn
permitidos niveles de energa y es de 1.1 eV para el silicio a 20 C, a temperatura ambiente
la energa trmica suficiente para excitar algunos electrones desde la banda de valencia a la
banda de conduccin dejando lugares vacantes o huecos en la banda de valencia.
Silicio Eg = 1.1 eV
Germanio Eg = 0.67 eV

Semiconductores extrnsecos
Son soluciones solidas sustitucionales muy diluidas en las que los tomos de las impurezas
(solutos) posen caractersticas de valencia diferentes de las del disolvente que constituye la
red atmica. La concentracin de los tomos de impureza estn en el rango de 100 a 1000
partes por milln (ppm)

a) Tipo n (negativo)
tomos de impureza del grupo VA (P, As, Sb) se aaden al silicio o germanio
proporcionndole electrones para la conduccin elctrica.
b) Tipo p (positivo)
tomos del grupo IIIA (B, Al, Ga) suministran niveles aceptores en la estructura de
silicio y se denominan tomos aceptores, ay que la mayora de los portadores de
carga son huecos en la estructura de enlace de valencia.

Aislantes
En los aislantes, los electrones estn ligados firmemente a sus tomos de enlace mediante
enlaces inicos o covalentes y no tienen libertad para conducir electricidad a menos que se
energicen en forma considerable. El modelo de bandas de energa para aislantes consiste en
una banda de valencia llena inferior y una banda de conduccin vaca superior, estas bandas
estn separadas por una brecha de energa relativamente grande Eg. Para liberar un electrn
de conduccin, la partcula debe energizarse hasta brincar la brecha, la cual puede tener un
valor tan grande como de 6 a 7 eV. En el diamante puro los electrones estn firmemente
ligados mediante enlaces covalentes tetradricos.
Superconductores
La resistividad elctrica de un metal normal como el cobre disminuye de manera uniforme
cuando se reduce la temperatura y se alcanza un valor residual bajo cercano a 0K. En
contraste, cuando la temperatura disminuye (4.2 K), la resistividad elctrica del mercurio
puro decrece repentinamente hasta un valor inmensurablemente pequeo y recibe el
nombre de superconductividad y al material que muestra este comportamiento se
denomina superconductor, alrededor de 26 metales son superconductores, as como cientos
de aleaciones y compuestos.
La temperatura por debajo de la cual la resistividad elctrica de un material tiende a cero
recibe el nombre de temperatura critica Tc. Arriba de esta temperatura el material se
denomina normal, y debajo de Tc se dice que es superconductivo o superconductor. Adems
de la temperatura, el estado superconductor depende tambin de otras variables como el
campo magntico B, la densidad de corriente J y para cada material superconductor existe
una superficie crtica en el espacio T, B, J.
A continuacin se en lista algunos materiales.