1
Propriedades eltricas dos slidos
Sero considerados aqui somente slidos cristalinos
(tomos dispostos em estrutura peridica regular 3D
chamada de rede cristalina)
Clula unitria: unidade bsica da rede cristalina:
a @361 pm
3
(Os nmeros no canto inferior esquerdo so as densidades em g/cm3 a 293 K)
Os slidos cristalinos:
Exemplos em uma pequena janela
Cristal de Si
Fsforo
Alumnio Silcio
4
A diversidade das ligas
As
Glio Germnio Arsnio
Ga
5
Propriedades eltricas dos slidos
!
R=
1. Resistividade r temperatura ambiente: A
Unidade SI: W 1 )
m (r o inverso da condutividade s: =
2. Coeficiente de temperatura da resistividade a:
Unidade SI: K-1 1 d
=
Se afr positivo, a resistividade aumenta com a dT
temperatura (ou seja, a condutividade diminui); se fr
negativo, a resistividade diminui com a temperatura (ou
seja, a condutividade aumenta).
3. Concentrao de portadores de carga n = nmero de
portadores de carga por unidade de volume
Unidade SI: m-3
6
Classificao de slidos segundo suas
caractersticas de condutividade eltrica:
7
Alguns valores caractersticos:
Coeficiente de
Concentrao de
Resistividade temperatura da
Material portadores de carga
r(W m) resistividade
n (m-3)
(K-1)
Isolante ~ 104 1018 -- --
Negativo e
Semicondutor intermedirio elevado Si: 11016
(Si: -7010-3)
8
Teoria de bandas
A teoria de bandas teve um importante sucesso inicial
para explicar de maneira simples esse comportamento
muito diferente dos slidos no tocante
condutividade eltrica (condutores, semicondutores
e isolantes).
Potencial coulombiano
Energia
10
Formao de bandas de energia em um
slido cristalino - 2
Vimos que para um tomo isolado:
Energia
Pauli.
eltron
11
Formao de bandas de energia em um slido
cristalino - 3
12
Formao de bandas de energia em um slido
cristalino - 4
Agora vamos aproximar os dois tomos...
13
Formao de bandas de energia em um slido
cristalino - 5
E se tivermos muitos tomos prximos..., digamos N
tomos, como na rede cristalina do cobre slido, cada nvel
do tomo isolado se desdobrar em N nveis!
bandas
15
Formao de bandas de energia em um
slido cristalino - 7
Nveis Bandas
de de
energia energia
16
Nveis (ou bandas) de energia
Exemplo: sdio Na (Z=11)
1
Banda 3s meio cheia
6 banda proibida
2 Banda 2p cheia
Banda 2s cheia
Energia
2
Banda 1s cheia
tomos de Na tomos de Na
isolados em Na metlico
Banda de
Primeira
banda Banda de
Conduo
Conduo
desocupada
Eg
Energia
ltima Banda de
Banda de
Valncia
banda Valncia
ocupada
Isolantes eV Semicondutores eV
Diamante 5,33 Silcio 1,14
xido de zinco 3,2 Germnio 0,67
Cloreto de prata 3,2 Telrio 0,23
19
Importante distinguimos :
Banda de valncia: os eltrons que eram os das
ltimas camadas dos tomos individuais agora
no pertencem mais a um nico tomo e
ocupam a banda de valncia;
Banda de conduo
Banda de valncia
21
Metais e Isolantes
Para haver uma corrente eltrica com cargas se movendo em uma dada
direo, precisamos excitar eltrons para estados de energia maior. Se no h
estados prximos acessveis (desocupados) para os eltrons mais energticos
ocuparem, ento no haver corrente! Este o caso dos isolantes.
Nos metais, os eltrons na banda de valncia podem facilmente ocupar nveis
mais energticos desocupados. Esses eltrons na banda de conduo podem
ganhar energia e se mover livremente atravs do metal, como o fazem as
molculas de um gs.
Estados desocupados
Energia de Fermi EF
Estados ocupados
Isolante Metal
22
Propriedades de transporte (por exemplo, a
condutividade eltrica e trmica) dependem de...
25
Como fica P(E) para temperaturas
acima do zero absoluto?
P(E) dado pela distribuio de Fermi Dirac:
1
P( E ) = ( E E F ) k BT
1+ e
kT ~0,025 eV para temperatura T = 300 K
kT ~0,086 eV para temperatura T = 1000 K !
(k = constante de Boltzmann = 8,62 10-5 eV/K)
26
Ao aplicarmos uma ddp, surge corrente eltrica se
eltrons puderem aumentar sua energia cintica...
*Obs.: por isso mesmo que a condutividade do semicondutor aumenta com o aumento da 27
temperatura.
Excitando um eltron em um metal e em um
semicondutor....
Semicondutor
Metal
O eltron sobe para um nvel
com maior energia, deixando
eltron seu estado anterior vazio: ficou
EF eltron um buraco. Este buraco
buraco
tambm vai participar da
condutividade eltrica, e se
buraco
comportar como uma carga +e.
28
Densidade de portadores
T=0K T muito alta:
todos os eltrons na alguns eltrons na
camada de valncia camada de conduo
Semicondutor
Banda de Banda de Banda de
conduo conduo conduo
Metal
No zero Alguns eltrons Alta
absoluto T=0 K tm E > EF temperatura
Nvel de
eltron Fermi
1
P( E ) = ( E E F ) / k BT
1+ e
1
Def. de EF P( E = E F ) = = 50% 30
2
Metal
Densidade de estados ocupados: N 0 ( E ) = N ( E ) P( E )
P(E)
N(E)
=
Energia (eV)
Muitos estados
disponveis
Poucos estados Alta probabilidade
disponveis de ocupao
Poucos estados 31
ocupados
Metal
Densidade de estados ocupados: N 0 ( E ) = N ( E ) P( E )
8 2 m 3 / 2
N( E ) = E1 / 2
h3
2/3
Portanto, em T = 0 K: 3 h 2 2 / 3 0.121h 2 2 / 3
EF = n n
16 2 m m 32
Ex. 1) Qual a energia de Fermi do ouro, um metal monovalente com massa molar de
197 g/mol e densidade de 19,3 g/cm3?
Dados: hc = 1240 keV.pm, meltron = 511 keV/c, NA = 6,021023 mol-1
[Halliday, 41.10 (7 ed.), 12 (8 ed.), 28 (9 ed.)]
33
Ex. 1) Qual a energia de Fermi do ouro, um metal monovalente com massa molar de
197 g/mol e densidade de 19,3 g/cm3?
Dados: hc = 1240 keV.pm, meltron = 511 keV/c, NA = 6,021023 mol-1
[Halliday, 41.10 (7 ed.), 12 (8 ed.), 28 (9 ed.)]
Resposta: 2/3 2
3 h 2/3
Energia de Fermi de um metal: EF = n
16 2 m
Nmero de eltrons de conduo por unidade de volume do metal: n = nt nel.val., onde nt o
nmero de tomos do metal por unidade de volume e nel.val. o nmero de eltrons de valncia.
Metal monovalente nel.val. = 1 eltron/tomo
Massa do eltron: m @9,10910-31 kg
3
eltron 19,3g / cm 23 tomos eltrons 8 eltrons
n = 1
6,02 10 5,90 10 22 = 5,90 10
tomo 197 g / mol mol cm 3 pm 3
2/ 3
3 h2 2 / 3
E F = n 5,53 eV 34
16 2 m
Ex. 2) O zinco um metal bivalente. Para esse elemento, calcule:
a) a concentrao de eltrons de conduo;
b) a energia de Fermi;
c) a velocidade de Fermi;
d) o comprimento de onda de de Broglie correspondente velocidade determinada no
item (c).
Dados do zinco: Densidade 7,133 g/cm, massa molar 65,37 g/mol
[Halliday, 41.22 (7 ed.), 25 (8 ed.), 27 (9 ed.)]
35
Ex. 2) O zinco um metal bivalente. Para esse elemento, calcule:
a) a concentrao de eltrons de conduo;
b) a energia de Fermi;
c) a velocidade de Fermi;
d) o comprimento de onda de de Broglie correspondente velocidade determinada no
item (c).
Dados do zinco: Densidade 7,133 g/cm, massa molar 65,37 g/mol
[Halliday, 41.22 (7 ed.), 25 (8 ed.), 27 (9 ed.)]
Respostas:
Metal bivalente nel.val. = 2 eltrons/tomo
me v F2 2EF 2EF 6
c) EF = vF = = 2
c 0 ,0061c ou 1,82 10 m/s
2 me me c
d) h h hc
= = = 0 ,40 nm
p mel v F v
( )
mel c 2 F 36
c
Concentrao de portadores nos semicondutores
Agitao trmica faz com que alguns poucos eltrons da banda de
valncia (BV) adquiram energia para passar para a banda de conduo
(BC)
Buracos: estados desocupados deixados na BV oferecem espao
para eltrons da BV se locomoverem
Recombinao: quando um eltron da BC encontra um buraco da BV
Portadores de carga: buracos da BV (cargas +e) e eltrons da BC
eltron
Banda de
conduo
Banda de conduo
Banda de
valncia
buraco
Banda de valncia
37
Semicondutor
Densidade de portadores
Em metais: n no varia com T
qualquer perturbao faz as cargas se deslocarem
Em semicondutores: n varia com T
os portadores precisam ser criados com um
gasto finito de energia
Isolantes e semicondutores
( aumento do nmero de portadores )
condutividade
Metais ( nmero de
portadores constante
com T & colises mais
frequentes com os
Temperatura ons da rede) 38
Conditividade de semicondutores
Eltrons & buracos so responsveis pela
condutividade intrnseca dos semicondutores.
Por isso, quanto maior T, mais portadores de
carga teremos e maior ser a condutividade.
39
Dopagem de semicondutores
Semicondutores tipo n
Semicondutores tipo p
40
Semicondutor dopado tipo n
Como aumentar o nmero Cristal de Si
de portadores de carga em 4+
semicondutores ?
5+
Eltron extra
P : [Ne] 3s2 3p3
Si: [Ne] 3s2 3p2
P
Si:
41
Semicondutor dopado tipo n
Silcio: [Ne] 3s2 3p2
Banda de valncia: 4 eltrons, que participam de ligaes covalentes com
tomos vizinhos valncia 4
Ao fornecer energia Egap para um eltron da BV, ele passar para a banda
de conduo e poder vagar pelo material p. ex. se houver uma ddp)
Dopagem: adio de impurezas (1 em ~107 tomos da rede
cristalina) em um semicondutor
1. tomo doador: possui valncia maior do que os tomos da rede
Os eltrons excedentes no formam nenhuma ligao
Os eltrons excedentes so fracamente ligados ao doador tipo n
N eltrons na BC > n buracos na BV Banda de conduo
Portadores em maioria: eltrons
Portadores em minoria: buracos
Semicondutor dopado tipo n (n: negativo)
Nvel de energia dos
eltrons doados fica muito 42
prximo da BC Banda de valncia
Nveis de dopantes doadores Ed
Os eltrons doados (sobrando )
Tipo n
esto em um nvel bem prximo do
Banda de conduo fundo da banda de conduo e
podem facilmente passar para a
banda de conduo p. ex. bastando
apenas que a temperatura seja
suficientemente alta. Uma vez l,
tm muitos estados sua
Banda de valncia disposio !
43
Falamos agora em condutividade extrnseca!
Semicondutor dopado tipo p
Cristal de Si
Como produzir buracos ? 4+
3+
Buraco extra
Al: [Ne] 3s2 3p1
Si: [Ne] 3s2 3p2
Si:
Al
44
Semicondutor dopado tipo p
Silcio: [Ne] 3s2 3p2 valncia 4
Dopagem:
2. tomo aceitador: possui valncia menor do que os tomos da rede
Surgem lacunas (buracos) nas ligaes covalentes impurezarede
Basta um pequeno ganho de energia para um eltron preencher o buraco
Um novo buraco criado, ou seja, como se o buraco se movesse
n buracos na BV > n eltrons na BC
Portadores em maioria: buracos
tipo p
Portadores em minoria: eltrons
Semicondutor dopado tipo p (p: positivo)
Falamos agora em
condutividade
Nvel aceitador,
extrnseca! muito prximo da 45
BV
Nveis de dopantes aceitadores Ea
Tipo p H nveis de energia disponveis
para eltrons bem prximo do topo
Banda de conduo da banda de valncia. Eltrons
podem facilmente passar para esse
nvel, p. ex. bastando que a
temperatura seja suficientemente
alta. Isso acontecendo, deixam
Banda de valncia
tambm buracos na banda de
valncia!
46
Exemplos de dopagem em Ge
Tipo n Tipo p
Ev
Banda de valncia Banda de valncia
- EF
+
EF Aps dopagem:
-
nova energia de Fermi
+
(o valor exato depende de T!)
Nvel do doador
49
Semicondutores dopados
Concentrao de portadores de carga em
semicondutores intrnsecos (no-dopados): ~ 1016 m-3
Ainda assim
~ 1/10.000
do cobre !
(~1029 m-3)
50
O que acontece se pusermos um semicondutor tipo p
em contato com um semicondutor tipo n?
Semicondutor p Semicondutor n
-
+
Eltron
Buraco -
+
51
Juno pn
Inicialmente, assim que os dois
semicondutores (um p e um n) so postos
em contato, aparecero correntes que
causaro a formao de uma carga espacial
nos dois lados do plano da juno.
Semicondutor n
-
-
+
+
Barreira para os portadores
majoritrios
Facilita movimentao dos
portadores minoritrios
Corrente de deriva
Quando no h ddp aplicada, as duas correntes so iguais. 53
Juno pn
Movimento dos portadores em maioria
Semicondutor p
Corrente de difuso do lado p para n:
Eltrons do lado n prximos da juno tendem a Semicondutor n
passar para o lado p, onde h poucos eltrons
O inverso ocorre com os buracos do lado p
Carga espacial: -
Quando eltron sai do lado n, deixa a impureza -
+
doadora (tomo preso rede) positivamente +
carregada
Ao chegar no lado p, recombina-se com um
buraco, deixando a impureza aceitadora
negativamente carregada
O inverso ocorre com os buracos.
As regies que surgem formam a zona de
depleo (= reduo do nmero de
54
portadores de carga mveis).
Juno pn quando sujeita a uma ddp
voltagem
Fotodiodo
Laser semicondutor
Transistor (juno
pnp ou npn): funciona
como amplificador.
57
Ex. 3) A funo probabilidade de ocupao P(E) abaixo pode ser aplicada tanto a metais
como a semicondutores. Nos semicondutores, a energia de Fermi est praticamente a
meio caminho entre a banda de valncia e a banda de conduo. No caso do germnio,
a distncia entre a banda de conduo e a banda de valncia 0,67 eV. Supondo que T =
290 K, determine a probabilidade:
a) de que um estado na extremidade inferior da banda de conduo esteja ocupado;
b) de que um estado na extremidade superior da banda de valncia esteja ocupado.
Dados: kB = 8,6210-5 eV/K, P(E ) =
1
( E E F ) k BT
e +1
[Halliday, 41.29 (7 ed.), 33 (8 e 9 eds.)]
58
Ex. 3) A funo probabilidade de ocupao P(E) abaixo pode ser aplicada tanto a metais
como a semicondutores. Nos semicondutores, a energia de Fermi est praticamente a
meio caminho entre a banda de valncia e a banda de conduo. No caso do germnio,
a distncia entre a banda de conduo e a banda de valncia 0,67 eV. Supondo que T =
290 K, determine a probabilidade:
a) de que um estado na extremidade inferior da banda de conduo esteja ocupado;
b) de que um estado na extremidade superior da banda de valncia esteja ocupado.
Dados: kB = 8,6210-5 eV/K, P(E ) =
1
( E E F ) k BT
e +1
[Halliday, 41.29 (7 ed.), 33 (8 e 9 eds.)]
Respostas: BC
Germnio:
Eg = 0,67 eV
EF = Eg/2 = 0,335 eV
BV
60
Ex. 4) No silcio puro temperatura ambiente, a concentrao de eltrons na banda de
conduo 51015 m-3 e a concentrao de buracos na banda de valncia tem o mesmo
valor. Suponha que 1 em cada 107 tomos de silcio seja substitudo por um tomo de
fsforo.
a) Que tipo de semicondutor o novo material: n ou p?
b) A concentrao de que tipo de portador aumenta com esse tipo de dopagem?
c) Qual razo entre a concentrao de portadores de carga (eltrons e buracos) no
material dopado e a concentrao no material no dopado?
Dados do silcio: massa molar 28,086 g/mol, massa especfica 2,33 g/cm
[Halliday, 41.32 (7 ed.), 36 (8 ed.), 38 (9 ed.)]
Respostas:
a) Valncia do Si = +4 O semicondutor ser tipo n, pois P tem 1 eltron a mais que o Si.
Valncia do P = +5
b) O dopante do tipo doador a concentrao de eltrons aumenta no material
c) Concentrao de eltrons vindos do dopante:
Probabilidade de ocupao: 1
P(E ) =
e ( E E F ) k BT + 1
Densidade de estados: 8 2me E
3
n de eltrons por unidade de
N (E ) = volume, por unidade de energia
h3
Densidade de estados
ocupados:
n N (E F )P(E F )E
n 3k BT
3
8 2me E F
N (E F ) =
h 3 frac =
1 n 2E F
P(E F ) =
2
E 2k B T EF = 5,5 eV e T = 1234,15 K
3 => a frao de eltrons de conduo
EF 8 2me 2 E F3 / 2 62
n= N (E )dE = com E > EF aproximadamente 0,029
0 h3 3
Ex. 5) A prata funde a 961 C. No ponto de fuso, que frao dos eltrons de conduo
est em estados com energias maiores que a energia de Fermi, que 5,5 eV?
Dados: kB = 8,6210-5 eV/K, [K] = [C] + 273,15
[Halliday, 41.42 (7 ed.), 46 (8 ed.), 50 (9 ed.)]
Resposta: (Clculo aproximado)
A frao de eltrons de conduo em um metal com energia maior que a energia de Fermi igual
rea sob a parte da curva P(E)N(E) acima de EF dividida pela rea sob a curva inteira (problema
41.24 [7 ed.], 27 [8 ed.], 21 [9 ed.]):
Probabilidade de ocupao: 1
P(E ) =
e ( E E F ) k BT + 1
Densidade de estados: 8 2me E
3
n de eltrons por unidade de
N (E ) = volume, por unidade de energia
h3
Densidade de estados
ocupados:
n N (E F )P(E F )E
n 3k BT
3
8 2me E F
N (E F ) =
h 3 frac =
1 n 2E F
P(E F ) =
2
E 2k B T EF = 5,5 eV e T = 1234,15 K
3 => a frao de eltrons de conduo
EF 8 2me 2 E F3 / 2 63
n= N (E )dE = com E > EF aproximadamente 0,029
0 h3 3
Clculo exato : integrao numrica
E
N (E )dE
0 ( E E F ) k BT
dE
N (E > E F ) EF e EF +1
frac = 0 = =
N 0 (E > 0)
E
N 0 (E )dE
0
e(
0
E E F ) k BT
+1
dE
frac @0,020 => somente 2,0% dos eltrons de conduo possuem energia maior que a
energia de Fermi quando a prata funde
64
Resumo:
Estruturas cristalinas
Nveis de energia em um slido
cristalino: bandas
Banda de valncia, banda de conduo,
banda proibida;
Metais, isolantes, semicondutores;
Energia de Fermi;
Semicondutores dopados (tipo n e p);
Aplicaes da juno pn: diodo
retificador, diodo emissor de luz (LED),
transistores, diodo de tunelamento, ...
65