Caso Intrnseco
Caso Extrnseco con un dopaje de tipo n y de tipo p
Marco Terico:
Densidad de Estados:
esta entrega un nmero que es el estado permitido disponible para electrones por unidad de
volumen en la energa citada.
m 2 mE
g ( E )=
2 3
Masa Efectiva:
Ec
Para esto consideremos que la energa de conduccin toma en cuenta la energa
Ev
mnima de electrn tomada de la banda de conduccin y la energa de valencia es la
energa mxima de agujero tomada de la banda de valencia. Por lo que se reemplaza
E=EE c E=E v E
para un estado en la banda de conduccin y para un estado en
la banda de valencia.
{
mn 2 mn ( EEc )
g c ( E )= E Ec
g (E ) 2 3
m p 2m p ( E v E )
gv ( E )= E Ev
2 3
EE c = A k 12 + B ( k 22 +k 32 )
As:
mij =0
Si:
2A 2A 2B
i j=>mxx1= 2
, m yy1= 2 =m zz1= 2
Dnde:
m11
: Direccin del espacio k a lo largo del eje de revolucin llamado m l masa
longitudinal efectiva
m22=m33
; Direccin perpendicular al eje de revolucin llamado m t masa transversal
efectiva
Los valores para masa efectiva del Si, Ge, GaAs se los puede obtener de las siguientes
tablas:
Banda de Conduccin:
1 /3
m n=62/ 3 ( ml mt 2 ) => Si
Banda de Valencia:
3 / 2 2/ 3
[ 3 /2
m p= ( mhh ) + ( mlh ) ] => Si
Los valores para masa efectiva del Si, Ge, GaAs se los puede obtener de las siguientes
tablas:
En base a estos datos se tiene la primera parte de nuestra simulacin la cual involucra el
siguiente contexto en Matlab:
05 eV
k =8.633310 Constante de Boltzmann
K
31
m0=9.1110 Masa del electrn
mn
=1.062 Masa efectiva relativa del electrn
m0
m p
=0.59 Masa efectiva relativa del hueco
m0
eV
k =8.63331005 Constante de Boltzmann
K
mn
=1.182 Masa efectiva relativa del electrn
m0
m p
=0.81 Masa efectiva relativa del hueco
m0
gc ( E )=
( )
m0
m 0 2 m0 ( EE c )
2 3
gv ( E )=
( )
m0
m0 2 m0 ( Ev E )
2 3
1
f ( E)= EE f
kT
1+ e
Dnde:
El valor de la funcin de Fermi Dirac puede tener diferentes valores para diferentes
temperaturas:
T = 0K.
f ( E< EF )=1
f ( E> EF )=0
Los electrones estn en el nivel ms bajo de estado posible de energa, todos los estados
E EF
bajos de la energa fermi F estn llenos y sobre estn vacos.
T > 0K.
1
f ( E=E F ) =
2
T >> 0K.
( EE f )
kT
f ( E) e Aproximacin Maxwell Boltzmann
T = 4K.
1
f ( E) Para distribucin de los electrones y huecos:
2
T = 300K
( EE f ) Eg ( E Ec )
kT 4 kT kT
f ( E) e e e Para distribucin de los electrones
( Ev E ) 3 Eg ( E v E )
kT 4 kT kT
[ 1f ( E ) ] e e e Para distribucin de los huecos
Asumiendo que la energa de Fermi est dentro del bangap, podemos decir que si
Ec E F kT EE F kT
es equivalente a de esta forma se reduce la aproximacin
de Boltzmann para la funcin de probabilidad de Fermi
( EE f )
kT
f ( E) e
Entonces:
3/ 2 ( E Ef ) ( Ec E f )
4 ( 2 mn ) 2 mn kT 3 /2
n0=
Ec h3
EE c e kT
=2
( h2 ) e kT
Asumiendo que la energa de Fermi est dentro del bangap, podemos decir que si
E< E v E FE v kT
es equivalente a de esta forma se reduce la aproximacin de
Boltzmann para la funcin de probabilidad de Fermi
( E f E)
kT
1f ( E ) e
Entonces:
3/ 2 ( Ef E ) 3 / 2 ( Ef E v )
Ev
4 ( 2m p ) 2 mp kT
p0=
h3
E v E e kT
=2
( h2 ) e kT
Caso Intrnseco
n0=ni
p0= pi
( E g)
2 kT
ni =N c N v e
mp
1 3
E Fi= ( Ec + Ev ) + kTln
2 4 m n ( )
Donde:
1 Eg
( Ec + Ev ) =
2 2
Caso Extrnseco