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Cap 8 ) Famlias Lgicas e Circuitos Integrados

Estudaremos o funcionamento
interno dos dispositivos de cada
Famlia Lgica

Os CIs so constitudos pelo

conjunto de diversas portas digitais
integradas em uma mesmo pastilha
de silcio.

SSI Pequena escala de integrao At 12 portas por chip

MSI - Mdia escala de integrao De 12 a 99 portas por chip
LSI Larga escala de integrao UFJF FABRICIO Mais
CAMPOS
de dezenas de milhares
 Cap 8 ) Famlias Lgicas e Circuitos Integrados

Motivos para usar circuitos integrados:

Contm mais circuitos em um pequeno encapsulamento

Reduo de tamanho
Custo reduzido devido produo em grandes escalas
Torna os sistemas mais confiveis (reduo de conexes)
Reduo de potncia eltrica consumida (simplifica as fontes)

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 Cap 8 ) Famlias Lgicas e Circuitos Integrados

Limitaes e Problemas

No suportam correntes ou
tenses elevadas

O calor gerado em um espao

pequeno pode elevar a
temperatura

No podem ser construdos

indutores, transformadores ou
grandes capacitores

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 Cap 8 ) Famlias Lgicas e Circuitos Integrados
VDEO:
Como se produz Wafers de Silcio e Chips de Computadores

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais

VOH(min) Tenso de sada em nvel alto

VOL(mx) Tenso de sada em nvel baixo
VIH(min) Tenso de entrada em nvel alto
VIL(mx) Tenso de entrada em nvel baixo

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais

IOH Corrente de sada em nvel alto

IOL Corrente de sada em nvel baixo
IIH Corrente de entrada em nvel alto
IIL Corrente de entrada em nvel baixo

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais
FAN-OUT
Limite de carregamento.
definido como o nmero mximo de entradas lgicas que uma
sada pode acionar com segurana para uma determinada famlia
lgica

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais
FAN-OUT

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais
ATRASO DE PROPAGAO:
tPLH Tempo de atraso de nvel baixo para alto
tPHL Tempo de atraso de nvel alto para baixo

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais
POTNCIA:
O terminal de alimentao consome uma determinada potencia da
fonte de alimentao
P(med)=ICC(med)VCC
ICCH + ICCL
ICC a corrente consumida ICC(med) =
2

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais
IMUNIDADE AO RUDO:
Margem de rudo para estado alto
VNH=VOH(min)-VIH(min)
Margem de rudo para estado baixo
VNL=VIL(mx)-VOL(mx)

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais
Determinar a maior amplitude de interferncia de um rudo quando a
sada est em nvel ALTO e BAIXO, a partir dos dados do fabricante
Parmetro Min(V) Tpico (V) Mx(V)
VOH 2,4 3,4
VOL 0,2 0,4
VIH 2,0
VIL 0,8

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais
FORNECIMENTO DE CORRENTE X ABSORO DE CORRENTE

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais
ENCAPSULAMENTO DE CIS

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais
DIP (Dual in line Package)
Chanfro indica pino 1
Contagem no sentido anti-horrio

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 8.1) Terminologia de CIs Digitais

QFP PLCC

LQFP UFJF FABRICIO CAMPOS SOIC

 8.2) Famlia lgica TTL
Reviso:
Diodo
LED
Zener
Diodo Schottky
Transistor Bipolar de Juno (BJT)

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 8.2) Famlia lgica TTL
TTL TRANSISTOR-TRANSISTOR LOGIC
uma classe de circuitos digitais construdos de transistores de
juno bipolar (BJT).
Criada em 1962 pela Texas Instruments (7400)

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 8.2) Famlia lgica TTL
NAND TTL: Entrada 1 e 1 sada 0

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 8.2) Famlia lgica TTL
NAND TTL: Entrada 1 e 0 sada 1

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 8.2) Famlia lgica TTL
SADA TOTEM-POLE

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 8.2) Famlia lgica TTL
SADA TOTEM-POLE:
Reduz consumo de corrente
Sada Baixo: Com Q3 OFF no tem corrente por R4
Sada Alto: Q3 atua como seguidor de emissor
Desvantagem: Na transio de baixo para alto, Q4 para de conduzir
mais lentamente do que Q3 passa a conduzir. Este curto
momentneo aumenta o consumo.

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 8.2) Famlia lgica TTL
ABSORO E FORNECIMENTO DE CORRENTE

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 8.3) Especificaes Tcnicas TTL
FAIXAS DE TENSO DE ALIMENTAO E DE TEMPERATURA

Famlia Tenso Temperatura

74ALS 4,5V~5,5V 0~+70
54ALS 4,5V~5,5V -55~+125

54ALS Mais cara, confivel sob extrema faixa de condies

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MANUAL

FOLHA DE
DADOS

DATA-SHEET

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 8.3) Especificaes Tcnicas TTL
Dissipao de potncia
Exemplo: Calcular a Potncia dissipada pelo CI 74ALS00

ICCH=0,85mA ; ICCL=3mA

ICCH + ICCL
ICC(med) = = 1,93mA
2
PD(med) = ICC(med) VCC
PD(med) = 1,93mA 5,5V = 10, 45mW

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 8.3) Especificaes Tcnicas
PILHAS E BATERIAS
Bateria moeda CR2032 225mAh em 3V 674mWh R$3,00
Pilha palito Alcalina AAA 1200mAh em 1,5V 1800mWh R$4,00
Pilha pequena Alcalina AA 2700 mAh em 1,5V 4050mWh R$3,25
Bateria 9V Alcalina 580 mAh em 9V, 5220mWh R$9,00

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 8.4) Caractersticas da Srie TTL
Existem diversas subfamlias com diferentes
caractersticas de capacidade, velocidade e potncia

TTL PADRO, 74
No so mais indicados, outros dispositivos tm
desempenho melhor a um custo menor

TTL SCHOTTKY, 74S

A velocidade limitada pelo chaveamento na famlia 74
A 74S usa diodos de barreira schottky para aumentar a
velocidade de chaveamento

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8.4) Caractersticas da Srie TTL
Exemplo famlia 74S

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 8.4) Caractersticas da Srie TTL
TTL SHOTTKY DE BAIXA POTNCIA, 74LS
Menor consumo de potencia e menor velocidade do que a
74S

TTL SCHOTTKY AVANADA, 74AS

74AS maior velocidade do que a 74S
Maior fan-out

TTL SCHOTTKY AVANADA DE BAIXA

POTENCIA, 74ALS
74ALS melhor velocidade e consumo do que 74LS

TTL FAST, 74F

Atraso de propagao reduzido
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8.4) Caractersticas da Srie TTL

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 8.5) Fan-out e acionamento de carga
Estado Baixo: IOL pode aumentar a tenso em Q4 alterando VOL

Estado Alto: IOH pode aumentar a tenso em R2, Q3 e D1 mudando VOH

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 8.5) Fan-out e acionamento de carga
Exemplo:
Quantas portas NAND 74ALS00 podem ser acionadas pela sada
de uma porta NAND 74ALS00 ?

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 8.5) Fan-out e acionamento de carga
Exemplo:
Quantas portas NAND 74ALS00 podem ser acionadas pela sada
de uma porta NAND 74ALS00 ?

IOL(max ) = 8mA IOH(max ) = 0, 4mA

I IL(max ) = 0,1mA I IH(max ) = 20 A

IOL(max ) 8mA
Fan out( BAIXO ) = = = 80
I IL(max ) 0,1mA
IOH(max ) 400 A
Fan out( ALTO ) = = = 20
I IH(max ) 20 A

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 8.6) Outras Caractersticas da Srie TTL
ENTRADA DESCONECTADA (FLUTUANDO)
Para circuitos TTL, uma entrada aberta atua exatamente como o
nvel lgico 1.
Entretanto no recomendado.
COLOCANDO ENTRADAS TTL EM NVEL BAIXO
Mantendo a entrada normalmente em baixo.

EXEMPLO:
Considere um circuito da famlia
74LS com IIL=0,4mA. Determine
R.

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