Anda di halaman 1dari 5

MODUL 2 : KARAKTERISTIK BJT f

Daniel Fernando Purba (14S14020)


Asisten: PandapotanSiagian
TanggalPercobaan: 22/03/2016
ELS2203 -Praktikum Elektronika I
Laboratorium Dasar Teknik ElektroInstitut Teknologi DEL

Abstrak 2.2 KURVA KARAKTERISTIK IC-VBE


Praktikum kali ini akan menunjukkan Karena:
karakteristik transistor BJT dan teknik V BE
bias dengan rangkaian diskrit dan I C = I ES e kT

sumber arus konstan.


Maka kurva yang terbentuk:
Kata kunci: BJT, karakteristik, transistor.

1. PENDAHULUAN
Tujuan praktikum kali ini adalah untuk
memahami karakteristik transistor BJT, teknik
bias dengan rangkaian diskrit dan teknis bias
dengan sumber arus konstan. Percobaan
dilakukan dengan rangkaian yang telah
Gambar3: Kurva karakteristik IC-VBE
ditentukan menggunakan kit praktikum.
Transkonduktansi dari transistor merupakan
2. STUDIPUSTAKA kemurungan kurca.
IC
2.1 TRANSISTOR BJT gm=
V BE
Ada dua jenis transistor: bipolar dan unipolar.
Pada praktikum ini akan digunakan transistor
bipolar. Simbol hubungan antara arus dan 2.3 KURVA KARAKTERISTIK IC-VCE
tegangan dalam transistor ditunjukkan Titik kerja transistor dibagi 3: daerah aktif,
sebagai berikut. saturasi, dan cut-of. Kondisinya sebagai
berikut:

Mode IC VCE VBE VCB Bias B- Bias B-


Kerja C E

Aktif
I B V BE +V0.7
CB V
0 Reverse Forward

Gambar1: Transistor BJT NPN


Satura
si
Max
0V 0.7 V 0.7<V CE < 0
Forward Forward

Cut-Of
0A 0 0

Kurva karaktaresitiknya ditunjukkan seperti


berikut:

Gambar2: Transistor BJT PNP


Hubungan matematis antara besarnya arus
kolektor (IC), arus basis (IB), arus emitter (IE):
IC IC
= dan =
IB IE
Gambar4: Kurva karakteristik IC-VCE
= =
+1 1
LaporanPraktikum - LaboratoriumDasarTeknikElektro IT DEL 1
3. METODOLOGI Susun
Plot grafik
Pilih dua titik linear.
Alat dan Komponen rangkaian f
IB-VCE Tentukan
seperti pada
berbeda. perpotongann
DC power supply gambar 6.
ya.
Kit Percobaan Karakteristik &
Rangkaian Bias
Sumber arus konstan Susun
Lakukan
rangkaian
seperti
Multimeter 4 buah seperti
sebelumnya.
gambar 7.
Osiloskop
Bagan 3: Percobaan 3
Generator sinyal
Karakteristik Input Transtistor IB-VBE

Susun rangkaian
seperti gambar 5.
Potensio RB2 pada Ubah-ubah RB2
posisi minimum. VCC
= 10.

Catat setiap nilai IB Gambar6: Pembiasan dengan arus konstan


dan IC

Bagan 1: Percobaan 1

Gambar7: Pembiasan diskrit


Pengaruh Bias pada Kerja Transistor
Atur VCE dan IC
agar transistor
Susun rangkaian berkerja pada
seperti gambar 8. daerah aktif,
Gambar5: Percobaan 1 saturasi dan cut-
of.
Karakteristik Output Transistor IC-VCE

Susun Dari arus IB = Catat IC. Ulangi


rangkaian Sambungkan VIN
0, ubah-ubah untuk IB yang ke generator
seperti pada
VCE. lain. sinyal f = 1 kHz
gambar 6. VPP= 50mV. VOUT ke
osiloskop.

Bagan 4: Percobaan 4
Susun
Lakukan rangkaian
seperti seperti
sebelumnya. gambar 7. VCC
= 10.
Bagan 2: Percobaan 2
Early Effect

Gambar8: Percobaan 4

LaporanPraktikum - LaboratoriumDasarTeknikElektro IT DEL 2


4. HASILDANANALISIS IC
Karakteristik Input Transistor IB-VBE IB f
V
= IB IB IB IB IB
CE

VBE (V) IB (mA) IC (mA) = = = = =


0 0.2 0.4 0.8 1.2 1.6
0 0 0.1 0 0 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1
0
0.2 0 0.1 , 25, 36, 46, 50,
1 0 56 81 6 7 44
0.4 0 0.1 0
, 47, 99, 17 24 30
0.5 0 0.1 3 0 3 2 7 8 1,6
0
0.54 0 0.13 , 52, 10 19 26 32
5 0 9 0,6 5,1 9,3 3
0.58 0 0.72 54, 10 20 29 36
1 0 9 3,7 6,2 3,9 0,2
0.62 0.035 2 11 21 32 39
2 0 57 1,2 7,8 1 5,2
0.66 0.25 2.01 60, 12
5 0 5 6,7
0.70 0.75 2.02 Tabel2: Hasil percobaan 2 dengan sumber
arus konstan
0.72 1.25 2.02
500
Tabel1: Hasil Percobaan 1 400
300 IB = 0
200
100 IB = 0.2
IB (mA) 0
IB = 0.4
1.4 IB = 0.8
1.2 IB = 1.2
1 IB = 1.6
0.8 IB (mA)
0.6
0.4
0.2 Gambar10: Kurva Karakteristik IC-VCE
0
Grafik agak kaku karena dibuat dengan MS-
Excel.
Pada percobaan yang ini, ada beberapa kali
penggantian multimeter dan satu kali
Gambar9: Grafik Percobaan 1 penggantian transistor. Penggantian
Kurva hubungan IB-VBE eksponensial. Ini multimeter tidak terlalu mempengaruhi data,
disebabkan hubungan antara IB-IC yang linear tetapi penggantian transistor mungkin
I C =I B sehingga apabila IC berubah mempengaruhi. Transistor diganti dari
2n2222 ke KSP2222A. Keduanya sama-sama
secara ekponensial terhadap VBE, maka IB
transistor BJT NPN, tetapi memiliki nilai
juga berubah secara ekponensial terhadap
breakdown berbeda, dan sedikit perbedaan
VBE.
pada titik kerja.
Apabila percobaan terus dilakukan dengan
Dari grafik bisa dilihat ketiga daerah kerja
tegangan yang lebih besar, maka arus I B akan
transistor: daerah aktif, daerah saturasi, dan
naik jauh lebih besar lagi.
daerah aktif. Saat IB mendekati 0, arus tidak
Karakteristik Output Transistor IC-VCE akan mengalir dari IC, seberapapun besarnya
VCE. Pada bagian ini, transistor berada pada
A. Pembiasan dengan arus konstan
kondisi cut-of; tidak ada arus yang lewat.
Mempertimbangkan titik breakdown
Daerah saturasi adalah daerah dimana
transistor, pada VCE = 5 V tidak semua
hubungan antara IC dengan VCE mendekati
kondisi IB dicoba. Ini disebabkan apabila
linear. Daerah saturasi dan cut-of digunakan
daya berlebih melalui transistor,
transistor yang dimanfaatkan sebagai switch.
transistor akan rusak.

LaporanPraktikum - LaboratoriumDasarTeknikElektro IT DEL 3


Daerah aktif adalah daerah yang penguatan 0.05 0.1
IC mendekati linear terhadap IB, tetapi nyaris 5 14,63 35 f
tidak dipengaruhi VCE. Pada bagian ini,
transistor bisa digunakan sebagai amplifier. 10 161,9 164,9
Tabel4: Percobaan 3 dengan sumber arus
Ini sesuai dengan konsep transistor yang bisa konstan
digunakan sebagai switch atau amplifier
tergantung rangkaian yang dibuat.

B. Pembiasan Diskrit

IC
VC IB
E = IB = IB = IB = IB = IB =
Gambar12: Grafik percobaan 4 dengan
0 0.2 0.4 0.8 1.2 1.6
sumber arus konstan
0 0 1,72 1,73 1,74 1,74 1,75
0, Dari grafik, perpotongan antara kedua
1 0 28,8 57,6 46,6 50,7 44 garis berada pada VCE = 7 V. Seharusnya,
0, perpotongan berada pada VCE yang lebih
3 0 33 85,7 kecil dari 0. Ini karena gradien garis
0, keduanya seharusnya tidak terlalu jauh
5 0 37,6 88 pada daerah aktif. Kesalahan bisa terjadi
1 0 38,6 89,1 pada saat pengukuran.
2 0 39,3 93,8 B. Pembiasan Diskrit
5 0 43
VCE IC
Tabel3: Hasil percobaan 2 dengan pembiasan
diskrit IB = IB =
0.05 0.1
500
400 5 12.8 31.8
300 IB = 0 7,5 32.3
200
100 IB = 0.2 8,7 14.8
0
IB = 0.4 Tabel5: Percobaan 3 dengan pembiasan
IB = 0.8 diskrit

IB = 1.2
IB = 1.6

Gambar11: Kurva karakteristik IC-VCE


Data tidak bisa didapatkan secara lengkap
karena potensiometer pada kit memiliki
batas. Potensiometer mencapai maksimum.
VCE maksimum yang bisa didapat berubah- Gambar13: Percobaan 3 dengan pembiasan
ubah setiap karena untuk merubah IB juga diskrit
menggunakan potensiometer.
Karena masalah yang sama dengan
Dari data yang ada, bisa dilihat bahwa percobaan 2B, data yang didapat
daerah kerja yang didapat hampir sama. tidak menggunakan titik VCE yang
Perbedaannya ada pada besar arus IC yang sama.
masuk transistor. Ini disebabkan arus I C yang
masuk merupakan hasil dari pembagian arus Early voltage yang didapat adalah
dengan IB. sekitar 165 V.
Early Effect Seharusnya, bentuk grafik yang
terjadi seperti berikut[3].
A. Pembiasan dengan sumber arus
konstan
VCE IC
IB = IB =

LaporanPraktikum - LaboratoriumDasarTeknikElektro IT DEL 4


kecil (mendekati 0. Skala garis kuning
50uV/div dan merah 20V/div). Selain itu,
f
pada daerah cut-of, saat tegangan input
negatif, arus tidak mengalir.
Pada daerah saturasi, seberapapun besarnya
input, tegangan output yang dihasilkan tetap
sama (Skala garis kuning 50mV/div dan
merah 20V/div). Pada kondisi ini, tegangan
Gambar14: Grafik early effect yang pada output cukup terlihat.
seharusnya
Pada daerah aktif, seberapapun besarnya
Pengaruh Bias pada Kerja Transistor tegangan input, tegangan outputnya akan
Karena waktu tidak cukup, percobaan 5 tetap sama dengan VCE.
dilakukan dengan simulasi pada EWB.
5. KESIMPULAN
VIN dan VOUT
Hubungan antara IB-VBE eksponensial,
Daerah Cut-
sama dengan hubungan IC-VBE karena
Of IB-IC linear.
IB = 0,2 mA Ada 3 daerah kerja transistor: daerah
IC = 0,1 mA aktif, saturasi, dan cut-of.
VCE = 0 V Pada daerah aktif, terjadi penguatan
VBE = 0 V arus.
Pada daerah saturasi, hubungan IC-VCE
Daerah Aktif
mendekati linear.
IB = 0,4 mA
Pada daerah cur-of, hampir tidak ada
IC = 126,7 mA
arus yang mengalir pada IC.
VCE = 5 V
VBE = 0 V DAFTARPUSTAKA
[1] Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith,
Daerah
Saturasi Microelectronic Circuits, ed 5, Hal.
236-261, Oxford University Press,
IB = 0,2 mA
USA, 2004.
IC = 25,56 mA
VCE = 0,1 V
[2] Mervin T. Hutabarat, Modul
Praktikum Elektronika, Hal. 15-
VBE = 0 V
26,Penerbit ITB, Bandung, 2012
Tabel6: Tabel grafik VIN (merah) dan VOUT
(kuning). [3] http://en.wikipedia.org/wiki/Early_e
ffect, 21 Februari 2012, 16:07.
Pada daerah cut-of, output frekuensinya
sama dengan input dan tegangannya sangat

LaporanPraktikum - LaboratoriumDasarTeknikElektro IT DEL 5