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Arquitetura e Organizao de

Computadores

Memria Interna
Memria Interna

Memria Voltil Memria Voltil Memria No


SRAM DRAM Voltil ROM

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CARACTERSTICAS DOS SISTEMAS DE MEMRIA
Os sistemas de memria de um computador podem ser classificados
como memria interna, que tema desta unidade, e a memria externa. Por
memria interna ns podemos entender como aquela que faz parte de um
sistema da placa me, como, por exemplo, uma memria ROM (Read Only
Memory), RAM (Random Access Memory) e tambm a memria cache,
definida mais adiante. J os sistemas de memria externa no esto
anexados diretamente na placa me, e so conhecidos como perifricos,
como, por exemplo, o disco rgido, drivers de disquetes, drivers de CD, DVD
ou Blu-Ray, fita magntica, etc.

Os sistemas de memria em geral, podem ser organizados a partir de


suas principais caractersticas, como descrito na Tabela 1.

Tabela 1: Principais caractersticas dos sistemas de memria


(STALLINGS, 2010).

Segundo William Stallings (STALLINGS, 2010) o termo localizao


indicado na Tabela 1 refere-se a onde est posicionada a memria, ou seja,
se interna ou externa ao computador. A memria interna normalmente
significa a memria principal, mas como ns exemplificamos nas figuras,
outros tipos de memria interna tambm existem e fazem
parte dessa definio.
Embora o processador seja um dispositivo avanado e de alto
desempenho, o mesmo tambm requer uma memria interna local,

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geralmente na forma de registradores como o PC, IR, IBR, AC, MQ, MAR,
MBR, etc. Alm dos registradores, a memria cache outro tipo de memria
interna rpida que d suporte ao processador.

Outra caracterstica de um sistema de memria sua capacidade.


Para a memria interna, isso normalmente expresso em termos de bytes ou
palavras, onde os tamanhos comuns de palavra so da ordem de 8, 16 e 32
bits. Um conceito relacionado a capacidade a unidade de transferncia.
Para a memria interna, a unidade de transferncia igual ao nmero de
linhas eltricas para dentro e para fora do mdulo de memria. Isso pode ser
igual ao tamanho da palavra, mas normalmente maior, da ordem de 64, 128
ou 256 bytes. Para melhor entendermos esse assunto, vamos considerar trs
conceitos relacionados a memrias internas:

1. Palavra unidade natural de organizao da memria. O


tamanho da palavra normalmente igual ao nmero de bits
usados para representar um inteiro e ao tamanho da instruo.

2. Unidades endereveis em alguns sistemas, a unidade


enderevel a palavra. Porm, muitos sistemas permitem o
endereamento no nvel de byte. De qualquer forma, o
relacionamento entre o tamanho em bits de um endereo,
definido como A, e o nmero N de unidades endereveis
expresso matematicamente como 2A=N.

3. Unidades de transferncia para a memria principal, este o


nmero de bits lidos ou escritos na memria de uma s vez. A
unidade de transferncia no precisa ser igual a uma palavra ou
uma unidade enderevel. Para a memria externa, os dados
normalmente so transferidos em unidades muitos maiores que
uma palavra e estas so chamadas de blocos.

Outra distino entre os tipos de memria o mtodo de acesso das


unidades de dados, que inclui as seguintes caractersticas:

Acesso sequencial A memria organizada em unidades de


dados chamadas registros. O acesso feito em uma sequncia
linear especfica. A informao de endereamento armazenada
usada para separar registros e auxiliar no processo de
recuperao. Um mecanismo compartilhado de leitura-escrita
usado, e este precisa ser movido do seu local atual para o local
desejado, passando e rejeitando cada registro intermedirio.

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Assim, o tempo para acessar um registro qualquer altamente
varivel. As unidades de fita magntica (memria externa), por
exemplo, so de acesso sequencial.

Acesso direto Assim como o acesso sequencial, o acesso


direto envolve um mecanismo compartilhado de leitura-escrita.
Porm, os blocos ou registros individuais tm um endereo
exclusivo, baseado em um local fixo. O acesso realizado para
alcanar uma vizinhana geral, mais uma busca sequencial,
contagem ou espera, at alcanar o local final. Novamente, o
tempo de acesso varivel. As unidades de disco rgido so um
exemplo de acesso direto.

Acesso aleatrio Cada local enderevel na memria tem


um mecanismo de endereamento exclusivo fisicamente
interligado. O tempo para acessar determinado local
independente da sequncia de acessos anteriores e
constante. Assim, qualquer local pode ser selecionado
aleatoriamente, e endereado e acessado diretamente. A
memria principal (memria RAM) e alguns sistemas de cach
so exemplos de acesso aleatrio.

Associativo Esse o tipo de memria aleatrio que permite


fazer uma comparao de certo nmero de bits desejados
dentro de uma palavra para uma combinao especificada, e
faz isso para todas as palavras simultaneamente. Assim, uma
palavra recuperada com base em uma parte de seu contedo,
em vez do seu endereo. Assim como a memria de acesso
aleatrio comum, cada local tem seu prprio mecanismo de
endereamento, e o tempo de recuperao constante,
independentemente do local ou padres de acesso anteriores.
Como exemplo de acesso associativo novamente podemos
incluir a memria cache.

Do ponto de vista do usurio, as duas caractersticas mais importantes


da memria so capacidade e desempenho, onde os trs parmetros de
desempenho mais utilizados so:
1. Tempo de acesso (latncia) para a memria de acesso
aleatrio, esse o tempo gasto para realizar uma operao de
leitura ou escrita, ou seja, o tempo desde o instante em que um
endereo apresentado memria at o instante em que os
dados foram armazenados ou se tornaram disponveis para

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uso. Para a memria de acesso no aleatrio, o tempo de
acesso o tempo gasto para posicionar o mecanismo de
leitura-escrita no local desejado.

2. Tempo de ciclo de memria esse conceito aplicado


principalmente memria de acesso aleatrio, e consiste no
tempo de acesso mais outro tempo que se adicione ao
processo antes que um segundo acesso possa ser iniciado.
Esse tempo adicional pode ser exigido para extino de
transientes nas linhas de sinal ou para a regenerao de dados,
se eles forem lidos destrutivamente. Observe que o tempo
gasto para posicionar o mecanismo de leitura-escrita no local
desejado.

3. Taxa de transferncia essa a taxa em que os dados podem


ser transferidos para dentro ou fora de uma unidade prxima.
Para a memria de acesso aleatrio, ela igual a 1/tempo de
ciclo. Para a memria de acesso no aleatrio, pode ser
utilizada a seguinte relao matemtica (STALLINGS, 2010):

n
TN TA (1)
R

Onde TN o tempo mdio para ler ou escrever N bits, TA o tempo de


acesso mdio, n o nmero de bits e R a taxa de transferncia em bits por
segundos (bps).

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HIERARQUIA DE MEMRIA
As restries de projeto sobre a memria de um computador podem
ser resumidas por trs questes: Quanto? Com que velocidade?
Com que custo?

A questo da quantidade , de certa forma, livre. Se houver


capacidade, as aplicaes provavelmente sero desenvolvidas para utiliz-la.
A questo da velocidade, de certa forma mais fcil de ser avaliada. Para
conseguir maior desempenho, a memria precisa ser capaz de acompanhar
a velocidade do processador. Ou seja, enquanto o processador est
executando instrues, no gostaramos que ele tivesse que parar,
aguardando por instrues ou operandos. A questo final tambm precisa ser
considerada. Para um sistema prtico, o custo da memria deve ser razovel
em relao a outros componentes.

Como se pode esperar, existe uma relao entre trs caractersticas


principais da memria, a saber: capacidade, tempo de acesso e custo.
Diversas tecnologias so usadas para implementar sistemas de memria e ,
por meio dessa caracterstica, existem as seguintes relaes:

tempo de acesso mais rpido, maior custo por bit;


maior capacidade, menor custo por bit;
maior capacidade, tempo de acesso mais lento;

Entretanto, de interesse que se utilize tecnologias de memria que


ofeream grande capacidade de memria, tanto porque a capacidade uma
necessidade importante, quanto porque o custo por bit baixo. Porm, para
atender os requisitos de desempenho, ele precisa usar memrias caras,
relativamente com menor capacidade e com menores tempos de acesso.

Para resolver esse problema, preciso no contar com um nico


componente ou tecnologia de memria, mas empregar uma hierarquia de
memria. Uma hierarquia de memria tpica ilustrada na Figura 1, e
obedecem as seguintes caractersticas:

a) diminuio do custo por bit;


b) aumento da capacidade;
c) aumento do tempo de acesso;
d) frequncia de acesso memria pelo computador.

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Assim, memrias menores, mais caras e mais rpidas so
complementadas por memrias maiores, mais baratas e mais lentas. A chave
para o sucesso dessa organizao o item (d), ou seja, a diminuio na
frequncia de acesso (STALLINGS, 2010).

O uso de dois nveis de memria para reduzir o tempo mdio de


acesso funciona em princpio, mas somente se as condies (a) a (d) se
aplicarem. Empregando diferentes tecnologias, existe um espectro de
sistemas de memria que satisfaz as condies de (a) a (c). Felizmente, a
condio (d) tambm geralmente vlida. A base para a validade da
condio (d) um princpio conhecido como localidade de referncia.

Figura 1: Hierarquia de memria (STALLINGS, 2010).

Fique atento!
Como pudemos observar a memria pode ser definida, tecnicamente,
como qualquer forma de armazenamento em um formato eletrnico. Esse
termo usado com frequncia para identificar formas de armazenamento
rpido e temporrio, geralmente como as memrias internas, ou lentos e
definitivos, quando se trata de memrias externas. Por exemplo, se o
processador do seu computador precisasse acessar constantemente uma
memria externa como um disco rgido para recuperar todas as pores de
dados que necessitasse, com certeza operaria de forma muita lenta. Quando
a informao mantida na memria, o processador pode acessar os dados
com maior rapidez.

PRINCPIOS DE MEMRIA CACHE

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O uso da memria cache visa obter velocidade de memria prxima
das memrias mais rpidas que existem e, ao mesmo tempo, disponibilizar
uma memria de grande capacidade ao preo de memrias semicondutoras
mais baratas. Esse conceito ilustrado na Figura 2.

Figura 2: Esquema com memria cach e memria principal (STALLINGS, 2010).

Existe uma memria principal relativamente grande e lenta junto com a


memria cache, menor e mais rpida. A cache contm uma cpia de partes
da memria principal. Quando o processador tenta ler uma palavra da
memria, feita uma verificao para determinar se a palavra est na cache.
Se estiver, ela entregue ao processador. Se no, um bloco da memria
principal, consistindo em algum nmero fixo de palavras, lido para a cache
e depois a palavra fornecida ao processador. Devido ao fenmeno de
localidade de referncia, quando um bloco de dados levado para cache
para satisfazer uma nica referncia de memria, provvel que haja
referncias futuras a esse mesmo local da memria ou a outras palavras no
mesmo bloco. A Figura 3 representa o uso de mltiplos nveis de memria
cache, onde a cache L2 mais lenta e normalmente maior que a cache L1, e
a cache L3 mais lenta e normalmente maior que a cache L2.

Figura 3: Organizao de cache em trs nveis (STALLINGS, 2010).

O processo da operao de leitura da memria cache inicia quando o

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processador gera o endereo de leitura (RA read address) de uma palavra
a ser lida. Se a palavra estiver na cache, ela entregue ao processador.
Caso contrrio, o bloco contendo essa palavra carregado na cache e a
palavra entregue ao processador. A Figura 4 mostra essas duas operaes
ocorrendo em paralelo e reflete a organizao mostrada na Figura 5, que
tpica das organizaes de caches modernas.

Figura 4: Operao de leitura de cache (STALLINGS, 2010).

Nessa organizao, a cache se conecta ao processador por meio de


linhas de dados, controle e endereo. As linhas de dados e endereos
tambm se conectam a buffers de dados e endereos, que se conectam a um
barramento do sistema, do qual a memria principal acessada. Quando
ocorre um acerto de cache (cache hit), os buffers de dados e endereo so
desativados e a comunicao apenas entre o processador e a memria
cache, sem trfego no barramento do sistema. Quando ocorre uma falha de
cache (cache miss), o endereo desejado carregado no barramento do
sistema e os dados so transferidos atravs do buffer de dados para a cache
e para o processador. Em outras organizaes, a cache fisicamente
interposta entre o processador e a memria principal para todas as linhas de
dados, endereo e controle ligados a cach. Nesse ltimo caso, para uma
falha de cache, a palavra desejada primeiro lida para a cache e depois
transferida da cache para o processador.

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Figura 5: Organizao tpica de memria cache (STALLINGS, 2010)

MEMRIAS DINMICAS (DRAM) E ESTTICAS (SRAM)

As memrias do tipo DRAM e SRAM so caracterizadas por serem do


tipo de acesso aleatrio, ou seja, palavras individuais da memria so
acessadas diretamente por meio da lgica de endereamento interno.

Nos primeiros computadores, a forma mais comum de armazenamento


de acesso aleatrio para a memria principal do computador empregava uma
matriz de materiais ferromagnticos em formato de anel, chamados de
ncleos. Logo, a memria principal normalmente era chamada de ncleo ou
core, um termo que ainda utilizado nos dias de hoje. Atualmente todas as
memrias so fabricadas por algum material semicondutor, geralmente o
silcio.

O elemento bsico de uma memria semicondutora a clula de


memria, que apresentam as seguintes propriedades funcionais
(STALLINGS, 2010):

apresentam dois estados estveis, que podem ser usados para


representar o binrio zero e um;
so capazes de ser escritas pelo menos uma vez para definir o
estado (0 ou 1);
so capazes de ser lidas para verificar o estado.

A Figura 6 representa a operao de uma clula da memria.


Normalmente a clula possui trs terminais funcionais, capazes de

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transportar um sinal eltrico. O terminal de seleo tem a funo de
selecionar uma clula de memria para uma operao de leitura ou escrita. O
terminal de controle indica leitura ou escrita. Para a escrita, o outro terminal
fornece um sinal eltrico que define o estado da clula como 1 ou 0. Para o
processo de leitura, o terminal usado para a sada do estado da clula.

Figura 6: Operao da clula de memria (STALLINGS, 2010).

Todos os tipos de memria que abordaremos nessa unidade so de


acesso aleatrio, ou seja, palavras individuais da memria so acessadas
diretamente por meio da lgica de endereamento interna. A Tabela 2 faz um
resumo dos principais tipos de memrias semicondutoras.

Uma caracterstica distinta da memria RAM a possibilidade de ler


dados da memria e escrever novos dados na memria de modo fcil e
rpido. Tanto a leitura quanto a escrita so realizadas por meio de sinais
eltricos. Outra caracterstica distinta da memria RAM que ela voltil, ou
seja, seus estados so apagados sempre que um corte de energia eltrica
ocorrer, como o desligamento de um computador. Dessa forma uma RAM
precisa receber uma fonte de alimentao constante para manter seus
estados 0s ou 1s. assim, a memria RAM s pode ser usada como
armazenamento temporrio da informao.

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Tabela 2: Principais tipos de memria semicondutora (STALLINGS, 2010).

Os dois formatos mais tradicionais de memrias RAM utilizadas nos


computadores so a DRAM e a SRAM.

A RAM dinmica, ou DRAM dividida em duas tecnologias: dinmica


e esttica. Uma RAM dinmica feita com clulas que armazenam dados
como carga em capacitores. A presena ou ausncia de carga em um
capacitor interpretada como um binrio 1 ou 0. Como os capacitores
possuem uma tendncia natural para descarga, as RAM dinmicas exigem
recarga peridica, conhecida como refresh de memria, para manter o dado
armazenado. Uma memria DRAM tpica visualizada na Figura 7.

Figura 7: Memria DRAM


(Fonte: http://codecatcher.blogspot.com.br/2011/09/differences-between-
sdram-and-ddr-ram.html. Acesso: 06/07/2013).

A RAM esttica, ou SRAM um dispositivo que usa os mesmos


elementos lgicos usados no processador. Em uma SRAM, os valores
binrios so armazenados por meio de configuraes das portas lgicas de
um flip-flop tradicional. Uma RAM esttica manter seus dados enquanto

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houver energia fornecida a ela. Podemos visualizar uma memria do tipo
SRAM na Figura 8.

Figura 8: Memria SRAM (Fonte:


http://www.visengi.com/products/zbt_sram_controller. Acesso em:
06/07/2013).

Semicondutores
Materiais semicondutores so slidos cristalinos, que possuem uma
condutividade eltrica intermediria aos condutores (metais) e isolantes
(vidros e outros). Outra caracterstica dos semicondutores que, se
colocados em baixas temperaturas, passam a ser isolantes eltricos, e o
inverso tambm verdadeiro, quando elevado a altas temperaturas aumenta
sua condutividade. Alguns exemplos de materiais semicondutores so o
Silcio, Germnio, Arsnio, entre outros (Fonte:
http://aquarius.ime.eb.br/~aecc/FundEngEle/Semicondutores.pdf. Acesso em:
06/07/2013).

MEMRIA ROM
Uma memria do tipo ROM (Read Only Memory memria somente
de leitura) contm um padro permanente de dados, que no pode ser
modificado. Uma ROM no voltil, ou seja, nenhuma fonte de energia
necessria para manter os valores dos bits na memria. Embora seja
possvel ler uma ROM, no possvel escrever algo novo nela.

Uma aplicao importante das memrias ROM so:

bibliotecas de funes de uso frequente;


programas do sistema (BIOS);
tabelas de funo;
Para um requisito de tamanho moderado, a vantagem da ROM que

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os dados ou programa esto permanentemente na memria principal e nunca
precisam ser carregados de um dispositivo de armazenamento secundrio.
Uma memria ROM criada como qualquer outro chip de circuito integrado,
com os dados realmente gravados fisicamente no chip como parte do
processo de fabricao. Isso, entretanto, pode gerar dois problemas:

a etapa de insero dos dados inclui um custo fixo


relativamente grande, no importa se so fabricadas uma ou
milhares de cpias de determinada ROM;

no se pode errar durante o processo de escrita da ROM. Se


um bit estiver errado, o lote inteiro precisar ser descartado.

Quando apenas um pequeno nmero de ROM com determinado


contedo de memria necessrio, uma alternativa mais barata a ROM
programvel ou PROM.

Assim como a ROM, a PROM no voltil e pode ser escrita apenas


uma vez. Para a PROM, o processo de escrita realizado eletricamente, e
pode ser realizado por um fornecedor ou cliente aps a fabricao original do
chip. Um equipamento especial necessrio para o processo de escrita ou
programao da memria. As memrias PROMs continuam sendo atraentes
para a produo em grandes volumes devido ao seu baixo
custo de fabricao.

Outra variao na memria somente de leitura a memria EPROM,


que til para aplicaes em que operaes de leitura so muito mais
frequentes do que operaes de escrita, mas para as quais o
armazenamento no voltil necessrio. Existem trs formas de memria
principalmente de leitura: EPROM, EEPROM e memria flash.

A memria somente de leitura programvel e apagvel (EPROM)


lida e escrita eletricamente, assim como a PROM. Porm, antes de uma
operao de escrita, todas as clulas de armazenamento precisam ser
apagadas para retornar ao mesmo estado inicial, pela exposio do chip
empacotado radiao ultravioleta. A Figura 8 mostra uma memria
EPROM. O apagamento feito pela exposio do chip de memria, que
contm uma janela, luz ultravioleta intensa. Esse processo de apagamento
pode ser realizado repetidamente. Cada apagamento pode levar at 20
minutos para ser realizado. Assim, a EPROM pode ser alterada mltiplas
vezes e, como a ROM e a PROM, mantm seus dados quase
indefinidamente. Para quantidades comparveis de armazenamento, a

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EPROM mais cara que a PROM, mas tem a vantagem da capacidade de
mltiplas atualizaes.

Figura 9: Memria EPROM (Fonte: http://www.conrad-


uk.com/ce/en/product/161381/27C512-Memory-IC-DIP28-512-K-64-K-x-8-
150-ns. Acesso em: 06/07/2013).

Outra forma atraente de memria, principalmente de leitura, a


memria somente de leitura programvel e apagvel eletricamente
(EEPROM). Essa a memria, principalmente de leitura, que pode ser
escrita a qualquer momento sem apagar o contedo anterior e somente os
bytes endereados so atualizados. A operao de escrita leva muito mais
tempo do que a operao de leitura, na ordem de muitas centenas de
microsegundos por byte (x10-6segundos). A EEPROM combina a vantagem
da no volatilidade com a flexibilidade de ser atualizvel no local, usando as
linhas de controle, endereo e dados do barramento. A EEPROM mais cara
que a EPROM e tambm menos densa, admitindo menos bits por chip.

Finalmente, outro formato de memria semicondutora a memria


flash, que leva esse nome devido velocidade com que pode ser
reprogramada. Introduzida inicialmente na dcada de 1980, a memria flash
intermediria entre a EPROM e a EEPROM, tanto no custo quanto na
funcionalidade. Assim como a EEPROM, a memria flash usa uma tecnologia
eltrica de apagamento. Uma memria flash inteira pode ser apagada em um
ou alguns segundos, o que muito mais rpido que a EPROM. Alm disso,
possvel apagar apenas blocos de memria, ao invs de um chip inteiro.

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Vimos nesta unidade que a memria de um computador organizada
em um sistema de hierarquia, onde elementos como desempenho e
capacidade so levados em considerao, assim como o preo e o tamanho.
A medida que descemos na hierarquia da memria, encontramos custo por
bit menor, capacidade maior e tempo de acesso mais lento. Tambm vimos
que as memrias so separadas em categorias como volteis e no volteis.

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BIBLIOGRAFIA BSICA
STALLINGS, W. Arquitetura e Organizao de Computadores. 8. ed. So
Paulo: Prentice-Hall, 2010.

MONTEIRO, M. Introduo Organizao de Computadores. 5. ed. Rio


de Janeiro: Livros Tcnicos e Cientficos - LTC, 2007.

WEBER, R. F. Fundamentos de Arquitetura de Computadores. 2. Ed.


Porto Alegre: Sagra Luzzatto, 2001.

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Books, 2000.

HENNESSY, J. L.; PATTERSON, D. A. Organizao de Computadores: a


interface hardware e software. 2. ed. Rio de Janeiro: Livros Tcnicos e
Cientficos - LTC, 2000.

PATTERSON, D. A. Computer Architecture a Quantitative Approach. 3.


ed. Estados Unidos: Morgan Kaufmann Publishers, 1996.

TANENBAUM, A. S. Organizao Estruturada de Computadores. 3. ed.


Rio de Janeiro: Livros Tcnicos e Cientficos - LTC, 2000.

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Estados Unidos, Electronics Magazine, Vol. 38, n. 8, April, pp 114, 1965.

NULL, Linda. Arquitetura e Organizao de Computadores. 2. ed. Porto


Alegre: Bookman, 2010.

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http://codecatcher.blogspot.com.br/2011/09/differences-between-sdram-and-
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SRAM Controler. Disponvel em:


http://www.visengi.com/products/zbt_sram_controller. Acesso em:
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uk.com/ce/en/product/161381/27C512-Memory-IC-DIP28-512-K-64-K-x-8-
150-ns. Acesso em: 18/06/2013.

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http://aquarius.ime.eb.br/~aecc/FundEngEle/Semicondutores.pdf. Acesso em:
18/06/2013.

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