INGENIERA ELCTRICA
Electrnica Industrial
Equipo: 5
1.- INTRODUCCIN
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea
transistor bipolar de puerta de salida
2.- Smbolo
Smbolo del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E)
3.- La estructura bsica
Por otro lado, la adicin de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor parsito
que con el NPN inherente a la estructura de un MOSFET, conforma un Tiristor
parsito, el cul en caso de ser activado puede destruir al IGBT.
4.- CIRCUITO EQUIVALENTE
a)
b)
(El IGBT cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C))
El IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido
a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4V. Arriba de este valor el voltaje
VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V y la
corriente IC se auto limita.
6.- Aplicaciones del IGBT
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga
en corriente de los transistores bipolares, trabaja con tensin, tiempos de conmutacin
bajos, disipacin mucho mayor (como los bipolares).
Aplicaciones tpicas:
Control de motores
Sistemas de soldadura
Aplicaciones Generales:
capacidad
de velocidad de
dispositivo potencia conmutacin
BJT/MD media media
MOSFET Baja rpida
GTO Alta lenta
IGBT media media
MCT media media
Tabla 1 comparacin de dispositivos
VCES
Dispositivo (V) IC (A)
CM50DY-24H 1200 50
CM150DY-24H 1200 150
IRG4PC50U 600 55
BSM25GD120DN2 600 200
BSM25GD120DN2E3224 1700 800
Tabla 2 capacidades de IGBT `s
Materiales:
1 circuito 555
2 capacitores de 0.1 F
2 resistencias de 1K
1 IGBT
3 diodos 1N5408
1 potencimetro
1 motor de CD
1 resistencia de 4.7 K
Conclusin
PRCTICA PROPUESTA
2 resistencias de 1k
1 capacitor de 470 f
2 diodos 1N4009
3 inductores de 1mH
1 osciloscopio
CIRCUITO A ARMAR
OPERACIN BUCK
OPERACIN BOOST
CONCLUSIONES
Muhammad h. Rashid
1995
Electrnica de potencia circuito dispositivo y aplicaciones
Prentice Hall
Segunda edicin
16 captulos
Mxico
702 Pg.
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Tiristores-Especiales.php, 06//09/13
9.- Qu es conmutacin?
a) b)
a) Circuito equivalente completo: incluye el transistor parsito NPN formado
por la fuente del MOSFET del tipo n+, la regin del cuerpo del tipo-p y la
regin n de la deriva.
b) Circuito equivalente aproximando para condiciones normales de operacin.
R=El dispositivo funciona como un interruptor, el cual nos abrir o cerrar por
pulsos de onda cuadrada.
R= Aplicaciones tpicas:
Control de motores
Sistema de alimentacin interrumpida
Sistema de soldadura
Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia.
Aplicaciones Generales:
Se utilizan para activar o desactivar los pixeles en las pantallas tctiles de nueva
generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin
telefnica.
R= En promedio los costos van desde los $14.50 a los $1450.00, dependiendo el
uso que se le vaya a dar.
8.- Con qu frecuencia y a qu niveles de voltaje trabaja el IGBT?
R= La frecuencia con la que opera va desde la baja frecuencia hasta los 100 KHz.
Y puede trabajar en media y alta tensin. (desde los 12 V hasta 1KV)
9.- Qu es conmutacin?