Electrnica de Potencia 1

CARRERA DE INGENIERA
ELECTROMECNICA

REA DE LA ENERGIA, LAS INDUSTRIAS Y LOS

RECURSOS NATURALES NO RENOVABLES

CARRERA DE INGENIERA ELECTROMECNICA

ASIGNATURA: Electrnica de Potencia

DOCENTE: Ing. Manuel Pesantes

RESPONSABLES: Holmes Ruilova

Jefferson Coronel

TEMA: Mosfet de Potencia

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MOSFET DE POTENCIA

Un BJT es un dispositivo controlado por corriente, y requiere corriente

de base para que pase corriente en el colector. Como la corriente de
colector es independiente de la corriente de entrada (o de base), la
ganancia de corriente depende de la temperatura de la unin. Un
MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y slo
requiere una pequea corriente de entrada. La velocidad de
conmutacin es muy alta, y los tiempos de conmutacin son del
orden de nanosegundos. Los MOSFET de potencia estn encontrando
aplicaciones cada vez ms numerosas en convertidores de baja
potencia y alta frecuencia. Los MOSFET no tienen los problemas de
fenmenos de segunda avalancha, como los BJT. Sin embargo, los
MOSFET tienen los problemas de descarga electrosttica y requieren
cuidados especiales en su manejo. Adems, es relativamente difcil
protegerlos en condiciones de falla por cortocircuito.
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Los dos tipos de MOSFET son 1) MOSFET decrementales y 2) MOSFET

incrementales [6-8]. Un MOSFET de tipo decremental con canal n se
forma sobre un substrato de silicio tipo p, como se ve en la figura
4.15a, con dos regiones de silicio n + muy dopado, para formar
conexiones de baja resistencia. La compuerta est aislada del canal
por una capa muy delgada de xido. Las tres terminales son
compuerta, drenaje y fuente. En el caso normal, el substrato se
conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a fuente es V GS, Y
puede ser positivo o negativo. Si VGS es negativo, algunos de los
electrones en el rea del canal n son repelidos, y se crea una regin
de agotamiento abajo de la capa de xido, dando como resultado un
canal efectivo ms angosto y una alta resistencia del drenaje a la
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fuente RDS. Si se hace que V GS sea suficientemente negativo, el
canal se decrementa hasta desaparecer, "se agota", por completo y
presenta un valor muy alto de RDS, Y no pasa corriente del drenaje a
la fuente: IDs = O. El valor de V GS, cuando eso sucede, se llama
voltaje de estrechamiento V p. Por otra parte, si VGS se hace positivo,
el canal se incrementa hacindose ms ancho y aumenta IDs, debido
a la reduccin de RDS. Con un MOSFET de tipo decremental de canal
n, se invierten las polaridades de VDS, IDs YV GS, como se ve en la
figura 4.15b.

Un MOSFET de canal n de tipo incremental no tiene canal fsico, como

se ve en la figura 4.16a. Si VGS es positivo, un voltaje inducido atrae
a los electrones del substrato p y los acumula en la superficie, bajo la
capa de xido. Si Ves es mayor o igual a un valor llamado voltaje
umbral o voltaje de entrada, VT, se acumula una cantidad suficiente
de electrones para formar un canal n virtual, y la corriente circula del
drenaje a la fuente. Se invierten las polaridades de VDS, IDs Y Ves en
un MOSFET de tipo incremental de canal p, como se ve en la figura
4.16b. En la figura 4.17 se muestran MOSFET de potencia de diversos
tamaos. Ya que un MOSFET de decremental permanece activo con
cero voltaje de compuerta, mientras que un MOSFET de tipo
incremental permanece apagado con cero voltaje de compuerta, en
general los MOSFET de tipo incremental se usan como dispositivos de
conmutacin en la electrnica de potencia. En la figura 4.18a se ve un
corte transversal de un MOSFET de potencia, llamado MOSFET vertical
(V).
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Cuando la compuerta tiene un voltaje lo bastante positivo con

respecto a la fuente, el efecto de su campo elctrico atrae los
electrones de la capa n + hacia la capa p. Con esto se forma un canal
vecino a la compuerta, el cual a su vez permite el flujo de la corriente
del drenaje a la fuente. Hay una capa de dielctrico de xido de silicio
(SiO) entre el metal de la compuerta y la unin n + y p. El MOSFET
est muy dopado en el lado del drenaje, para formar un acoplamiento
debajo de la capa de desplazamiento n. Este acoplamiento evita que
la capa de decremental llegue al metal, distribuye el esfuerzo
dielctrico (esfuerzo por el voltaje) a travs de la capa n y tambin
reduce la cada de voltaje en sentido directo durante la conduccin.
Tambin, la capa de acoplamiento hace que sea un dispositivo
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asimtrico, con una capacidad bastante baja de voltaje en sentido
inverso.

Los MOSFET requieren poca energa de compuerta, y tienen una

velocidad muy grande de conmutacin, y bajas prdidas por
conmutacin. La resistencia de entrada es muy alta, de 109 a 1011 O.
Sin embargo, la desventaja de los MOSFET es su alta resistencia en
sentido directo en estado activo, como se ve en la figura 4.18b, y por
consiguiente grandes prdidas en estado activo; eso los hace menos
atractivos como dispositivos de potencia, aunque son excelentes
como dispositivos amplificadores de compuerta para tiristores.
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CARACTERSTICAS EN ESTADO PERMANENTE

Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una

impedancia de entrada muy alta. La compuerta toma una corriente de
fuga muy pequea, del orden de los nanoamperes. La ganancia de
corriente, que es la relacin entre la corriente de drenaje ID y la
corriente de compuerta IG suele ser del orden de 109 Sin embargo,
la ganancia de corriente no es un parmetro importante. La
transconductancia, que es la relacin de la corriente de drenaje al
voltaje de compuerta, define a las caractersticas de transferencia, y
es un parmetro muy importante. En la figura 4.19 se muestran las
caractersticas de transferencia de MOSFET de canal n y de canal p.
La figura 4.20 muestra las caractersticas de salida de un MOSFET de
canal n incremental. Hay tres regiones de operacin: 1) la regin de
corte, donde VGS sVT; 2) la regin de estrechamiento o saturacin,
donde VDS = V GS - V T, Y3) la regin lineal, donde VDS :s; V GS - V T
La regin de estrechamiento se presenta en VDS = V GS - V T. En la
regin lineal, la corriente de drenaje ID vara en proporcin con el
voltaje de drenaje a fuente, VDS. Debido a la gran corriente de
drenaje y al bajo voltaje de drenaje, los MOSFET se operan en la
regin lineal, para las acciones de conmutacin. En la regin de
saturacin la corriente de drenaje permanece casi constante para
cualquier aumento en el valor de VDS, Yen esta regin se usan los
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transistores para amplificar voltaje. Se debe notar que la saturacin
tiene el significado opuesto al de los transistores bipolares. El modelo
de estado permanente, igual para los MOSFET tipo decremental y tipo
incremental, se ve en la figura 4.21. La transconductancia gm se
define como
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y en el caso normal es muy alta en la regin de estrechamiento, del

orden de los megaohms, y en la regin lineal es muy pequea,
normalmente del orden de los miliohms. Para los MOSFET de tipo de
decremental, el voltaje de compuerta (o de entrada) podra ser
positivo o negativo. Sin embargo, los MOSFET de tipo de incremental
responden slo a un voltaje de compuerta positivo. En general, los
MOSFET de potencia son del tipo de incremental. Sin embargo, los de
tipo decremental tendran ventajas y simplifican el diseo lgico en
algunas aplicaciones que requieren alguna forma de interruptor de
lgica compatible para cd o ea que permaneciera cerrado cuando la
fuente de potencia falla y VGS se vuelve cero. Ya no se describirn
ms las caractersticas de los MOSFET de tipo de decremental.

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)

As como podemos decir que el transistor bipolar se controla por

corriente, los MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello de
debe al aislamiento (xido de Silicio) de la puerta respecto al resto del
dispositivo. Existen dos tipos bsicos de MOSFET, los de canal n y los
de canal p, si bien en Electrnica de Potencia los ms comunes son
los primeros, por presentar menores prdidas y mayor velocidad de
conmutacin, debido a la mayor movilidad de los electrones con
relacin a los agujeros.
La figura 2.21 muestra un recordatorio de los smbolos utilizados para
estos dispositivos.
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Si bien el TBP fue inventado a finales de los aos 40, ya en 1925 fue
registrada una patente que se refera a un mtodo y un dispositivo
para controlar el flujo de una corriente elctrica entre dos terminales
de un slido conductor. As mismo, tal patente, que se puede
considerar como la precursora de los Transistores de Efecto de
Campo, no redund en un componente prctico, puesto que entonces
no haba tecnologa que permitiese la construccin de los dispositivos.
Esto se modific en los aos 60, cuando surgieron los primeros FETs,
pero an con limitaciones importantes con respecto a las
caractersticas de conmutacin. En los aos 80, con la tecnologa
MOS, fue posible construir dispositivos capaces de conmutar valores
significativos de corriente y tensin, con velocidad superior al que se
obtena con los bipolares.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO Y ESTRUCTURA.

El terminal de puerta G (Gate) est aislado del semiconductor por

xido de silicio (SiO2). La unin PN define un diodo entre la Fuente S
(Source) y el Drenador D (Drain), el cual conduce cuando VDS < 0. El
funcionamiento como transistor ocurre cuando VDS > 0. La figura
2.22 muestra la estructura bsica del transistor.
Cuando una tensin VGS > 0 es aplicada, el potencial positivo en la
puerta repele los agujeros en la regin P, dejando una carga negativa,
pero sin portadores libres. Cuando esta tensin alcanza un cierto
valor umbral (VT), electrones libres (generados principalmente por
efecto trmico) presentes en la regin P son atrados y forman un
canal N dentro de la regin P, por el cual se hace posible la circulacin
de corriente entre D y S. Aumentando VGS, ms portadores son
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atrados, ampliando el canal, reduciendo su resistencia (RDS),
permitiendo el aumento de ID. Este comportamiento caracteriza la
llamada regin hmica.

La circulacin de ID por el canal produce una cada de tensin que

produce un efecto embudo, o sea, el canal es ms ancho en la
frontera con la regin N+ que cuando se conecta a la regin N-. Un
aumento de ID lleva a una mayor cada de tensin en el canal y a un
mayor efecto embudo, lo que conducira a su colapso y a la
extincin de la corriente. Obviamente el fenmeno tiende a un punto
de equilibrio, en el cual la corriente ID se mantiene constante para
cualquier VDS, caracterizando una regin activa o de saturacin del
MOSFET. La figura 2.23 muestra la caracterstica esttica del MOSFET
de potencia.

Una pequea corriente de puerta es necesaria apenas para cargar y

descargar las capacidades de entrada del transistor. La resistencia de
entrada es del orden de 1012 Ohms. De forma anloga a los
bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo bien
diferenciadas:
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- Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que
una determinada tensin umbral (VT), con lo que el dispositivo se
comporta como un interruptor abierto.

- hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es

suficientemente grande y la tensin entre el drenador y la fuente es
pequea, el transistor se comporta como un interruptor cerrado,
modelado por una resistencia, denominada RON.

- Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una tensin

drenador-surtidor elevada, ste se comporta como una fuente de
corriente constante, controlada por la tensin entre la puerta y el
surtidor. La disipacin de potencia en este caso puede ser elevada
dado que el producto tensin-corriente es alto.

Obviamente, en Electrnica de Potencia nos interesa que un MOSFET

trabaje en corte o en hmica (interruptor abierto o cerrado). Atencin
con los nombres de las zonas de trabajo, que pueda causar confusin
al lector cuando se habla de un bipolar y de un MOSFET.
Observar que la zona de saturacin de un BJT corresponde a la zona
hmica del MOSFET y que la zona de saturacin de ste corresponde
a la zona activa del BJT.
Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la
potencia que pueden manejar es bastante reducida. Para grandes
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potencias es inviable el uso de estos dispositivos, en general, por la
limitacin de tensin. Sin embargo, son los transistores ms rpidos
que existen, con lo cual se utilizan en aplicaciones donde es necesario
altas velocidades de conmutacin (se pueden llegar a tener
aplicaciones que trabajan a 1MHz, algo impensable para los
bipolares).
Otro de los inconvenientes de este tipo de transistores es que la
resistencia en conduccin RON vara mucho con la temperatura y con
la corriente que circula, con lo que no se tiene un comportamiento de
interruptor casi ideal como en el caso de los bipolares. Sin embargo,
su ventaja ms relevante es la facilidad de control gracias al
aislamiento de la puerta. El consumo de corriente de puerta es
pequeo y se simplifica el diseo del circuito de disparo (driver) y
control correspondiente.
Dispositivos de Electrnica de Potencia
Para evitar los inconvenientes del MOSFET y del bipolar y aprovechar
las ventajas de ambos, los fabricantes han introducido un dispositivo
nuevo, denominado IGBT que se describe en el siguiente apartado.

CIRCUITO EQUIVALENTE DEL MOSFET