Dispositivos Eletrnicos
Semicondutores: fundamentos
Prof. Carlos Reis
Sala-705-1-A
Estrutura do tomo
Um tomo a menor partcula de um elemento que mantm as
caractersticas deste elemento.
Cada um dos conhecidos 109 elementos possui tomos que so diferentes
dos tomos de todos os outros elementos. Isso d a cada elemento uma
estrutura atmica nica. De acordo com a modelo clssico de Bohr, os
tomos tm uma estrutura do tipo planetria que consiste de um ncleo
central rodeado por eltrons em rbita.
Energia
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on positivo
eltron livre
Nmero de eltrons em uma camada atmica
O nmero mximo de eltrons (Ne) que pode existir em um camada de um
tomo um fato da natureza e pode ser calculado pela seguinte frmula:
Ne 2n2
Onde n o nmero que indica a posio da camada, lembrando que n=1
indica a camada mais prxima do ncleo.
Assim, cabem, no mximo:
K
L
M
2 6 10 14
K
L
M
N
Exerccio:
Determine quantos eltrons ocupam a camada de valncia de cada um
dos elementos Germnio e Silcio. 11
UFABC Dispositivos Eletrnicos
Da tabela peridica temos os nmeros atmicos destes elementos:
Germnio = 32 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p2 K=2, L=8, M=18 e N=4
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Silcio=14 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 K=2, L=8, M=4 Camada de
valncia
Bandas de energia
Quando os tomos no esto isolados, mas juntos em um material slido,
como o caso de um cristal, as foras de interao entre eles so muito
intensas, provocando alteraes nos nveis de energia. Estas modificaes no
so significativas para as camadas mais prximas do ncleo, que se
encontram completamente preenchidas de eltrons.
Mas, no caso das camadas mais externas, principalmente a camada de
valncia, estas alteraes so expressivas porque os eltrons so
compartilhados por muitos tomos vizinhos.
Devido influncia do intenso campo eltrico entre os ncleos dos tomos e
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r=Od (>> Oa)
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r=Oc
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Ob<r<Oc
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Como N um nmero muito grande (~1029 tomos/m3) e a energia de cada
nvel da ordem de poucos eV, os nveis que resultam deste espalhamento
esto muito prximos um do outro - da ordem de ~10-23 eV para um cristal
de 1 cm3.
Esta coleo de nveis de energia muito prximos um do outro que
chamada de banda de energia.
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R=Oa
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Material Isolante, Semicondutor e Condutor
Todos os materiais so feitos de tomos e estes tomos contribuem para as
propriedades eltricas destes materiais, inclusive a habilidade de conduzir a
corrente eltrica.
Para discutir o problema da condutividade eltrica, um tomo pode ser
representado pela camada de valncia e uma parte central que inclui todas as
camadas internas e o ncleo. Este conceito mostrado abaixo para o caso de
um tomo de Carbono.
centro
Isolante
Um isolante um material que no conduz a corrente eltrica em condies
normais. Os bons isolantes so geralmente compostos e no materiais de um
nico elemento. Seus eltrons de valncia esto fortemente ligados aos
correspondentes tomos. Consequentemente, h poucos eltrons livres em
um material isolante.
Banda de conduo
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Material Condutor
No diagrama de bandas mostrado abaixo, a banda de conduo est apenas
parcialmente preenchida com eltrons. Deste modo, com pouca energia
adicional, eltrons podem migrar para nveis superiores que estejam vazios,
viabilizando a conduo eltrica.
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Na estrutura de bandas abaixo, as bandas de conduo e de valncia se
sobrepem parcialmente. Isto ocorre porque os nveis mais baixos da banda
de conduo podem ser ocupados por eltrons que tenham menos energia do
que requerem os nveis mais altos da banda de valncia.