Diseo de un regulador elevador (Boost). Universidad de Cundinamarca.

Becerra Prez Yoan, Jimenez Merchan Alex 1

Camilo, Martnez Vargas Steven.

Diseo de un regulador elevador (Boost)

Becerra Prez. Yoan, Jimenez Merchan. Alex Camilo, y Martnez Vargas. Steven.

a emplear, segn la corriente y el voltaje que deben

Abstract this report explains the procedure for the design soportar.
of a boost regulator, as well as the proper selection of the
necessary components for proper operation. The regulation is
usually obtained by a PWM signal, which can be implemented
by operational amplifiers, microcontrollers or signal
II. CRITERIOS DE DISEO
generators. Because of its stability and precision was Para el desarrollo de este informe, deben considerarse
determined using a signal generator, preconfigured with the ciertos parmetros de entrada al momento de disear el
control signal for operating the boost regulator. Moreover, this convertidor Boost, que son los siguientes:
report describes the design process for a snubber network in
order to protect the circuit.
Voltaje de entrada = 12 Voltios
Resumen Este informe explica el procedimiento para Voltaje de salida = 50 Voltios +/- 1% (porcentaje
realizar el diseo de un regulador elevador (ms conocido rizado)
como boost), as como, la seleccin adecuada de los Frecuencia de conmutacin = 50 KHz
componentes necesarios para su correcto funcionamiento. La Potencia = 20 Watts +/- 5%
regulacin suele obtenerse gracias a una seal PWM, que
puede ser implementada mediante amplificadores
La Figura 1 muestra el diagrama esquemtico de un
operacionales, microcontroladores o generadores de seal. En
razn a su estabilidad y precisin, se determin el uso de un regulador Boost, el cual se trabajar en este informe.
generador de seal previamente configurado con la seal de
control para el funcionamiento del regulador elevador.
Adems, este informe descibe el proceso de diseo para una
red Snubber con el fin de proteger el circuito.

ndice de trminosCiclo de Trabajo, Convertidor CC-CC,

Eficiencia, Regulador-elevador, Seal de disparo.

I. INTRODUCTION

L OS convertidores DC-DC son circuitos electrnicos de

potencia que convierten un valor de voltaje DC en otro
nivel de voltaje, tambin en DC. Se emplean ampliamente
Fig. 1. Diagrama esquemtico del convertidor Boost a disear e
implementar.
Fuente. Autores.

en sistemas de suministro de energa de corriente continua

regulados de modo de conmutacin. Se aplican A. Ciclo til de la seal de control
fundamentalmente en el control de dispositivos que
Para el clculo del ciclo til, se debe empezar por la
requieren un consumo de energa considerable.
siguiente formula:
En el presente trabajo se tratar principalmente el
funcionamiento de un convertidor Boost (Regulador-
Elevador), as como su correspondiente proceso de diseo, (1)
teniendo en cuenta una seleccin detallada de los materiales
Despejando D de (1) se obtiene el ciclo til de trabajo de
la seal de control del transistor:
Informe recibido Mayo 24, 2013. Diseo de un regulador elevador
(Boost).
B. P. Yoan es estudiante de la Universidad de Cundinamarca sede
Fusagasug; (e-mail: elyowart@hotmail.com). (2)
J. M. Alex Camilo es estudiante de la Universidad de Cundinamarca
sede Fusagasug; (e-mail: alexjm_lib11@hotmail.com).
M. V. Steven es estudiante de la Universidad de Cundinamarca sede
Fusgasug; (stv.2001@hotmail.com).
Diseo de un regulador elevador (Boost). Universidad de Cundinamarca. Becerra Prez Yoan, Jimenez Merchan Alex 2
Camilo, Martnez Vargas Steven.

Donde:

(6)

B. Resistencia de carga Donde:

(3)

2) Segundo Caso
Usando la resistencia mxima (R1)

(4)
Donde:
(8)

(9)

Lo anterior, define el rango de valores que debe tener la

Donde:
carga para un correcto funcionamiento del circuito. Cabe
anotar que la potencia de disipacin de la carga, debe estar
entre el rango de tolerancia de la potencia, que fue definida
en los parmetros de entrada.
Ya que el valor de inductancia mnima es mayor en el
C. Valores de capacitancia e inductancia segundo caso, se opt por elegir los valores obtenidos en
Como se tienen dos valores de resistencia de carga (R1 y este caso, para calcular los valores de voltaje y corriente
R2), se establecern dos posibles casos para encontrar el que se describen en el literal D de esta seccin:
valor mnimo de inductancia y capacitancia acordes al
circuito. Este proceso se menciona a continuacin:

1) Primer Caso
Usando la resistencia mnima (R2)

Donde:

(5)

Para el caso del capacitor, se escogi uno de valor

comercial cercano al valor calculado, que para este caso es
Diseo de un regulador elevador (Boost). Universidad de Cundinamarca. Becerra Prez Yoan, Jimenez Merchan Alex 3
Camilo, Martnez Vargas Steven.

de 15 F a 100 voltios, mientras que para el inductor, se

decidi elaborar una con ncleo toroidal de acuerdo a las (10)
siguientes caractersticas:
El periodo de conmutacin Ts se define como el inverso
de la frecuencia de conmutacin:
3) Elaboracin del inductor
Se prefiri el ncleo toroidal a otros elementos porque su
factor de calidad es mayor que el de una bobina
(11)
convencional, y tambin porque se logran inductancias muy
compactas y de menor tamao. Lo datos del ncleo toroidal
son los que se encuentran registrados en la Tabla 1:

TABLA I
DATOS DEL NUCLEO TOROIDAL
Unidad de (12)
Item Valor
medida
Dimetro exterior 2.5 cm
Dimetro interior 1.5 cm
Seccin horizontal 0.5 cm (13)
Altura del ncleo 1.1 cm
Longitud de cada 3.2 cm
espira (14)
Dimetro del hilo 50.820 mils
0.129 cm

Fuente: Autores

De acuerdo con los datos obtenidos anteriormente, se

pudo establecer qu el ncleo toroidal con el que se estaba
(15)
trabajando corresponda a un T-106 (vase Figura 2), cuyas
medidas son similares a las obtenidas en la Tabla 1.
Donde:

Imax = mxima corriente que circular por el inductor

Imin = mnima corriente que circular por el inductor
ILrms = corriente que debe soportar el inductor

E. Seleccin del transistor

Para la seleccin del transistor Q se debe tener en cuenta

el periodo de conmutacin, y la corriente mxima y mnima
que circular por el inductor. La Figura 3 ilustra el
comportamiento de la corriente del transistor en el circuito.

Fig. 2. Medidas para diferentes toroides. (16)

Fuente. Ifastnet. Nucleos Toroidales

D. Calculo de la Corriente para cada elemento

La corriente que debe soportar la carga se calcula con la
siguiente formula:
Diseo de un regulador elevador (Boost). Universidad de Cundinamarca. Becerra Prez Yoan, Jimenez Merchan Alex 4
Camilo, Martnez Vargas Steven.

presenta alta eficiencia si se utiliza en convertidores DC-

DC, UPS y control de motores. En el Anexo 1 se muestran
las especificaciones ms importantes de este transistor

F. Seleccin del diodo

El comportamiento de la corriente del diodo en el circuito
convertidor elevador es opuesto al del transistor, es decir,
cuando el transistor conduce, el diodo se comporta como un
circuito abierto, y viceversa (vease Figura 4).

Fig. 3. Corriente del transistor como una funcin del periodo de

conmutacin.
Fuente. Autores.

De acuerdo con la Figura 3, se puede determinar la

funcin de la corriente instantnea del transistor:

Fig. 4. Corriente del diodo como una funcin del periodo de

(17) conmutacin.
Fuente. Autores.
La corriente rms del transistor de calcula de la siguiente
forma:
Acorde con la Figura 4, se puede determinar la funcin
de la corriente instantnea del diodo:

(19)
(18)
Para encontrar B, se reemplazan los valores de id(t) y t,
Donde: los cuales salen de la forma de onda de la Figura 4

(20)

La tensin mxima que debe soportar el transistor es Sustituyendo la ecuacin 20 en 19, queda:
equivalente al voltaje de la fuente, es decir 12 Voltios
(21)
Este anlisis determina las condiciones que se deben
tener en cuenta al momento de elegir el transistor a utilizar
Para encontrar la corriente rms del diodo se utiliza la
en el circuito. Debido a que la frecuencia de conmutacin es
ecuacin 18, pero los intervalos a evaluar son diferentes:
alta, los transistores MOSFET son los ms indicados por su
velocidad de operacin, no poseen corriente de compuerta,
lo que evita problemas en el convertidor Boost.

Segn el voltaje (12 V) y la corriente hallada en las

ecuacin 21 se determin que el MOSFET apropiado para
realizar el convertidor Boost es el IRF540, ya que soporta
voltajes entre drenaje y fuente de hasta 100 V y corriente (22)
mxima de drenaje de 22. Asimismo, este transistor
Diseo de un regulador elevador (Boost). Universidad de Cundinamarca. Becerra Prez Yoan, Jimenez Merchan Alex 5
Camilo, Martnez Vargas Steven.

Donde: inductor conectado en el drenaje del transistor MOSFET

cuando se comporta como interruptor abierto. De no
hacerse esto, se presentaran fallas en el transistor al
momento de cambiar de un estado a otro. La Figura 6
muestra la configuracin push-pull utilizada en el circuito.

Similar al caso del transistor, la seleccin del diodo debe

ser la adecuada, ya que parmetros como frecuencia de
conmutacin y corriente rms del diodo son importantes a la
hora de escoger un diodo. Por ello se escogi el diodo de Q1
IRFP150N
conmutacin rpida UF5404, que soporta hasta 280 voltios Q3
2N3904
y corrientes pico de 125 amperios. En el Anexo 2 se
encuentran las especificaciones relevantes del diodo.
R7 R4
2k 33

G. Seal de control del transistor Q2

2N3906

De acuerdo con la ecuacin 2, la seal de control que R6

2k
debe llegar al transistor, debe tener un ciclo de trabajo del
76% con una frecuencia de operacin de 50 kHz. Esta seal
(que por lo general es PWM) puede generarse mediante Fig. 6. Circuito de disparo para el transistor MOSFET.
amplificadores operacionales, microcontrolador o generador Fuente. Autores.

de seal.
Por cuestiones de eficiencia y precisin, se decidi elegir
el generador de seal como el medio para crear la seal de
control PWM que llegar al transistor MOSFET. La Figura
5 muestra la seal PWM que pondr a conmutar al
transistor.
I. Diseo de la red snubber
Se realizara una red Snubber con el fin de proteger el
transistor de sobrepicos de corriente y voltaje. Para ello se
tuvieron en cuenta los siguientes parmetros:
Caractersticas transistor

4.5 Tiempo de cada (tf) = 40 nS (vase anexo 1)

4
Corriente transistor (iQ(rms)) = 1.338 A (ecuacin 18)
3.5
Voltaje salida (Vo) = 50 V
3

2.5

2
(23)
1.5

1 (24)
0.5

0
3 4 5 6
(25)
-4
x 10
Fig. 5. Seal PWM con ciclo util de 50%.
Fuente. Autores. (26)

J. Lista de materiales
H. Circuito de disparo Luego de realizar los pasos anteriores, se procede a
En la figura 1, se puede observar que el transistor mencionar cada uno de los materiales necesarios para la
MOSFET est conectado directamente a la referencia del construccin del convertidor Boost, que son los siguientes:
circuito, lo que facilita la realizacin de un circuito de
disparo. Para disparar el MOSFET correctamente, se Resistencia de 120 a 18 W
decidi utilizar una configuracin de transistores en push- Capacitor de 16 F
pull que ayuda a descargar la corriente almacenada en el Inductor de 72 H
Diseo de un regulador elevador (Boost). Universidad de Cundinamarca. Becerra Prez Yoan, Jimenez Merchan Alex 6
Camilo, Martnez Vargas Steven.

Fuente de voltaje de 12 VDC

Transistor MOSFET IRF540 90

Diodo Ultra Fast Recovery UF5404 80

Transistor BJT 2N3904, 2N3906 o TIP31C, TIP131 70

60

50

III. ANLISIS DE RESULTADOS 40

30
En esta seccin se muestran los comportamientos de
20
voltaje y corriente en cada uno de los elementos
10
seleccionados, con el nimo de observar la respuesta del
0
circuito tanto a la entrada como a la salida y posteriormente -10
determinar su eficiencia.
0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018

Fig. 9. Voltaje de salida del convertidor Boost.

Las figuras 7-16 muestran la respuesta del circuito en
Fuente. Autores.
cada uno de los elementos que en el intervienen. Cabe
anotar que dichas respuestas, fueron obtenidas mediante el
25
software de simulacin Simulink de Matlab.
20

13

12.8 15

12.6
10
12.4

12.2
5
12

11.8
0
11.6

11.4 -5
1 2 3 4 5 6
11.2
-3
x 10
11
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.01 Fig. 10. Corriente de salida del convertidor Boost.
Fig. 7. Voltaje de entrada del convertidor Boost. Fuente. Autores.
Fuente. Autores.
Las figuras 9 y 10 describen la forma de onda del voltaje
25 y la corriente que llega a la carga. Similar al caso de la
Figura 8, presentan un sobreimpulso en un tiempo corto,
20 pero despus se mantiene en 50 voltios y 1.75 amperios
aproximadamente. El voltaje de salida coincide con el
15 criterio de diseo de voltaje de salida, al igual que la
corriente que se calcul en la ecuacin 10.
10

0
5

-20
0

1 2 3 4 5 6 7 -40
-3
x 10
Fig. 8. Corriente de entrada del convertidor Boost. -60
Fuente. Autores.
-80
En la Figura 7 se observa el valor de Vs que corresponde
a 12 V, mientras que en la figura 8 se tiene la corriente de -100

entrada del convertidor (es la misma corriente del inductor), 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
que presenta un sobreimpulso en un pequeo instante de x 10
-3

tiempo, pero despus se mantiene en un rango de valores Fig. 11. Voltaje en el inductor.
Fuente. Autores.
constante
El voltaje en el inductor de la Figura 11 vara
Diseo de un regulador elevador (Boost). Universidad de Cundinamarca. Becerra Prez Yoan, Jimenez Merchan Alex 7
Camilo, Martnez Vargas Steven.

constantemente alcanzando un valor pico de 12 voltios.

Para la Figura 8, se observa que la corriente del inductor
despus de cierto tiempo se mantiene entre un valor mayor 20
que cero y un valor cercano a 3 amperios, entendindose
as, que los valores de Imax e Imin encontrados en las
15
ecuaciones 13 y 14 respectivamente, coinciden con lo que
se obtiene en dicha seal.
10

25

20

0 1 2 3 4 5 6 7
15
-3
x 10
Fig. 14. Corriente en el diodo de conmutacin rpida.
10 Fuente. Autores.

5 La corriente en el diodo (Figura 14) es similar a la

corriente en el transistor MOSFET y presenta un rango de
0 valores constantes entre 0 y aproximadamente 2 amperios,
0 1 2 3 4 5 que se asemeja a lo descrito en las figuras 3 y 4.
-3
x 10
Fig. 12. Corriente en el capacitor.
Fuente. Autores. Luego de que el circuito estuviese listo para ser utilizado,
se procedi a realizar mediciones de voltaje y corriente
(tanto de entrada como de salida), para compararlos con los
resultados obtenidos analticamente y calcular la potencia
0
de entrada y salida, y a su vez, la eficiencia del convertidor
Boost. Los resultados fueron los siguientes
-20

-40
Voltaje de entrada (Vin) = 11.19 V
Corriente de entrada (Iin) = 2.68 A
-60 Potencia de entrada (Pin) = Vin*Iin = 29.9892 W
Voltaje de salida (Vout) = 50 V
-80 Corriente de salida (Iout) = 0.42 A
Potencia de salida (Pout) = Vout*Iout = 21 W
-100
0.5 1 1.5 2 2.5 3
Eficiencia = (Pout/Pin)*100 = 70%
-3
x 10
Fig. 13. Voltaje en el diodo de conmutacin rpida.
Fuente. Autores. IV. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Segn la Figura 13, El voltaje en el diodo tiene un Algunos componentes elctricos y electrnicos presentan
comportamiento parecido al voltaje en el inductor, con la algunas prdidas por temperatura, disipacin de calor, entre
diferencia de que el valor pico que presenta el voltaje del otros, algo que influye en el ptimo desempeo de un
diodo es cero, mientras que en el inductor este valor es de circuito.
12 voltios.
La red Snubber es un circuito activo o pasivo que mejora
el rendimiento del elemento en donde est conectada la red.
Una ventaja de la red Snubber consiste en hacer trabajar los
elementos de conmutacin en zonas seguras, es decir, no
exponindolos a su lmite; por tanto su vida til aumenta y
el sistema funciona mejor.

La generacin de la seal de disparo para el transistor se

iba a realizar mediante microcontrolador (PIC), pero se
requera de un optoacoplador a la salida de este para
prevenir algn dao en l. Como la seal que se generaba
Diseo de un regulador elevador (Boost). Universidad de Cundinamarca. Becerra Prez Yoan, Jimenez Merchan Alex 8
Camilo, Martnez Vargas Steven.

en el PIC era de una frecuencia alta (100 kHz), al pasar por

el optoacoplador se perda, entendindose as que el
optoacoplador no funciona a frecuencias altas. Otra posible
solucin consisti en conectar el PIC directamente al
circuito de disparo, pero este se reiniciaba constantemente
porque la corriente que solicitaba el circuito de disparo era
mayor a la q entregaba el PIC. Finalmente se opt por
utilizar un generador de seal, que es muy preciso, fiable y
adems entrega la seal deseada al circuito de disparo.

La funcin primordial de un convertidor DC-DC (sea

elevador o reductor), consiste en conservar la potencia tanto
en la entrada como en la salida. En el caso del reductor, se
sacrifica voltaje para aumentar corriente y as mantener la
misma potencia y una eficiencia cercana o igual al 100%.
Este aspecto es lo que diferencia a un circuito convertidor
de otros circuitos que reducen o elevan voltaje, pero que
presentan prdidas significativas de potencia.

REFERENCIAS
1. HART, Daniel W. Electrnica de potencia. PRENTICE HALL, Madrid
2001. 472 p.
2. IFASTNET. Nucleos toroidales. [En lnea]. Disponible en:
<http://slalen.ifastnet.com/electronica/datos/nucleos_toroidales.pdf>.
[Consultado el 20 de mayo de 2013].
3. INTERNATIONAL RECTIFIER. IR2110. [En lnea]. Disponible en:
<http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2110.pdf>.
[Consultado el 20 de mayo de 2013].
4. INTERNATIONAL RECTIFIER. IRF540. [En lnea]. Disponible en: <
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf>.
[Consultado el 20 de mayo de 2013].
5. JGD. UF5400 Series. [En lnea]. Disponible en:
<http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/GeneralSemiconductor/m
Xuqtxx.pdf>. [Consultado el 20 de mayo de 2013].
6. MOHAN, Ned. Electrnica de potencia: convertidores, aplicaciones y
diseo Tercera Edicin. MC GRAW HILL, Mxico 2005.
7. RASHID, Muhammad. Electrnica de potencia: circuitos dispositivos y
aplicaciones Tercera Edicin. PEARSON EDUCATION, Mxico
2004. 904 p.

Becerra Prez. Yoan

Jimenez Merchan Alex Camilo
Martnez Vargas Steven

Estudiantes IX Semestre
Ingeniera Electrnica
Universidad de Cundinamarca
Diseo de un regulador elevador (Boost). Universidad de Cundinamarca. Becerra Prez Yoan, Jimenez Merchan Alex 9
Camilo, Martnez Vargas Steven.

ANEXOS
ANEXO 1
ESPECIFICACIONES DEL TRANSISTOR IRF540N

Fuente: INTERNATIONAL RECTIFIER. IRF540.

ANEXO 2
ESPECIFICACIONES DEL DIODO UF5404

Fuente: JGD. UF5400 Series.