Anda di halaman 1dari 5

Jurnal Sains Materi Indonesia Edisi Khusus Desember 2008, hal : 260 - 264

Indonesian Journal of Materials Science ISSN : 1411-1098


Akreditasi LIPI Nomor : 536/D/2007
Tanggal 26 Juni 2007

KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS


SILIKON AMORF TERHIDROGENASI UNTUK
MENENTUKAN ENERGI CELAH PITA OPTIK (Eg)

SyahfandiAhda dan Mardiyanto


Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir (PTBIN) - BATAN
Kawasan Puspiptek, Serpong 15314, Tangerang

ABSTRAK
KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI UNTUK
MENENTUKAN ENERGI CELAH PITA OPTIK (Eg). Dewasa ini silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) telah
dikaji oleh para peneliti untuk digunakan dalam berbagai bahan semikonduktor. Telah dilakukan studi-studi
aplikasi pada elektronika maupun optoelektronik, antara lain photoreceptor, transistor lapisan tipis atau
sel surya. Lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) telah berhasil ditumbuhkan dengan metode
Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (HWPECVD). Sesuatu yang penting untuk
mengindikasikan sifat semikonduktor ini ditunjukkan pada sifat pita celah optik (bandgap). Dari pengukuran
dengan metode Taucs Plot terhadap data-data absorpsi spektrum UV-Vis sebagai fungsi panjang gelombang
dapat diperoleh energi celah pita optik dari lapisan tipis itu sendiri. Hasil pengukuran pada lapisan tipis a-Si:H
menunjukkan bahwa energi celah pita optik berkisar antara 1,6 eV hingga 1,7 eV, baik lapisan pada variasi suhu
substrat atau laju aliran gas silan.

Kata kunci : Metode TaucPlot, Celah pita optik, a-Si:H

ABSTRACT
CHARACTERIZATION OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON THIN FILM FOR
DETERMINATION OF OPTICAL BANDGAP ENERGY (Eg). Currently Characterization of an hydrogenated
amorphous silicon (a-Si:H) which is used in semiconductor materials such as study on application of electronics,
optoelectronics like photoreceptor, thin film transistor or solar cell have been done by researchers. Thin Film
of an hydrogenated amorphous silicon was successfully deposited by Hot Wire Plasma Enhanced Chemical
Vapour Deposition (HWPECVD) method. One of important things in semiconductor properties is indicated
by its optical bandgap. From data absorbtion measurement of UV-Vis spectrum as a function of wavelength
optical bandgap energy of thin film can be obtained using Taucs Plot method. The result of a-Si:H thin film
exhibited optical bandgap energy of 1.6 - 1.7 eV at variation of temperature substrate and gas flow of silane.

Key words : Taucs plot method, Optical bandgap, a-Si:H

PENDAHULUAN
Semenjak awal tahun 1970-an, studi material ini. Penelitian ini sangat menarik untuk lebih
pengembangan semikonduktor kristal ke amorf telah jauh dikembangkan, disebabkan adanya beberapa hal
banyak dilakukan oleh para peneliti, ditandai dengan keunggulan material a-Si:H dibandingkan dengan kristal
studi silikon amorf terhidrogenisasi, a-Si:H, yang silikon. Keunggulan tersebut antara lain energi bandgap
bersifat semikonduktif. Sebagai contoh aplikasi dari mudah dikontrol (1,65 - 1,8 eV), suhu penumbuhan
divais a-Si:H adalah sel surya [1], fotovoltaik, sensor relatif rendah dibawah 500 oC (untuk penumbuhan kristal
warna, transistor lapisan tipis (TFT) [2,3] dan lain ~1450 oC) dan absorpsi cahaya cukup tinggi. Pengaruh
sebagainya. Perkembangan ini diikuti juga dengan kandungan hidrogen dalam proses penumbuhan,
pengembangan teknologi divais elektronika itu sendiri, mengakibatkan tingkat kecacatan bergerak masuk ke pita
yang diakibatkan dari berbagai kajian material dasar konduksi dan valensi, sehingga kerapatan keadaan (state
pembentuknya density) berkurang secara tajam, sebagaimana terlihat
Studi tentang a-Si:H dalam proses penumbuhan pada Gambar 1 [4]. Untuk itu energi bandgap sangat
masih terus dilakukan, secara eksperimental, dalam dipengaruhi oleh kandungan hidrogen dan keberadaan
rangka pengoptimalisasian unjuk kerja divais berbasis defek pada lapisan tipis a-Si:H [5]

260
Karakterisasi Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi untuk Menentukan Energi Celah Pita Optik (Eg) (Syahfandi Ahda)
(HWPECVD konvensional) [7], masih belum dapat
meningkatkan konduktivitas lapisan secara berarti,
bilamana dibandingkan dengan sistem PECVD biasa.
Suatu metode baru yang sedang dikembangkan di
lingkungan Laboratorium Fisika Material dan Elektronika,
Fisika-ITB, berupa perbaikan metode HWPEVD
konvensional, dengan menempatkan filamen sebagai hot
wire berbentuk gulungan (coil) didepan substrat dan
diluar daerah plasma
Sumber gas yang digunakan dalam percobaan
ini adalah gas silan (SiH4) dengan konsentrasi 10 % dalam
hidrogen (H2), dilewatkan pada tengah koil filamen
(tungsten) dan diteruskan mengalir antar dua elektroda.
Pada percobaan ini lapisan tipis a-Si:H ditumbuhkan di
Gambar 1. Pengaruh kandungan hidrogen dalam silikon atas substrat gelas corning 7059 dalam sistem reaktor
amorf terhadap rapat keadaan [4]. HWPECVD seperti terlihat pada Gambar 2.
Disamping itu penumbuhan lapisan tipis a-Si:H
juga dapat dilakukan dengan mendeposisi ke berbagai
jenis substrat. Suhu rendah dan kemudahan memilih
jenis substrat merupakan faktor yang menjadikan proses
penumbuhan relatif murah.
Metode penumbuhan telah banyak diteliti, agar
mendapatkan lapisan tipis berkualitas seperti, Vacuum
Evaporation Method, Sputtering Method, Chemical
Vapour Deposition (CVD), Plasma Enhanced Chemical
Vapour Deposition (PECVD). Metoda PECVD
menggunakan frekuensi radio (rf) sebagai sumber
pembangkit daya discharge menjadi populer dikalangan
peneliti dan industriawan. Lapisan-lapisan tipis amorf
yang dihasilkan ditumbuhkan pada suhu substrat di
bawah 550 oC [3,6]. Untuk deposisi bersuhu rendah ini Gambar 2. Skema dari sistem penumbuhan dengan
HWPECVD
membutuhkan sumber energi pendeposisian molekul gas
silan (SiH4) dalam bentuk plasma. Belakangan ini banyak Proses penumbuhan diawali dengan pemanasan
peneliti mengembangkan penumbuhan dengan PECVD substrat hingga mencapai suhu yang diinginkan, sambil
menjadi HWPECVD dengan cara penambahan suhu awal gas silane dilewatkan pada filamen bersuhu 800 oC pada
sebelum gas silan diproses menjadi plasma. tegangan 3 Volt. Dengan menvariasi parameter tekanan
Sifat-sifat optoelektronik dari suatu bahan yang chamber dan daya frekwensi radio sampai terbentuknya
ditumbuhkan dengan HWPECVD dapat dilihat dari plasma, kemudian diset kembali ke parameter
karakteristik celah pita optik (optical bandgap). Metode penumbuhan. Proses penumbuhan dimulai dengan
yang sangat populer dalam bahan amorf lapisan tipis membuka shutter substrat.
untuk menentukan pita celah optik adalah menggunakan Parameter penumbuhan selama eksperimen
metoda Taucs Plot dari spektrum UV-Vis. Sifat optik ini dilakukan pada tekanan chamber 900 mTorr, frekuensi
akan dapat dilihat terhadap sampel-sampel yang radio 13,10 MHz berdaya 50 Watt, tegangan filamen
bervariasi terhadap parameter penumbuhan lapisan tipis 3 Volt dan lama penumbuhan 2 jam. Sedangkan laju aliran
seperti variasi laju gas silan dan suhu substrat lapisan. gas silan divariasikan dari 40 Sccm hingga 80 Sccm pada
Dalam percobaan ini, akan dipelajari secara awal suhu substrat 200 oC. Begitu juga dengan keadaan variasi
perubahan variasi parameter penumbuhan terhadap suhue substrat (175 oC hingga 275 oC) dengan
perubahan celah pita optik yang dihasilkan. Hal ini memberikan laju aliran gas optimum.
dikarenakan dengan metode penumbuhan dengan Pita celah optik lapisan tipis ini ditentukan dari
HWPECVD dapat menumbuhkan a-Si:H dengan jumlah absorpsi spectrum UV-Vis sebagai fungsi panjang
kandungan hidrogen yang bervariasi, selain cacat gelombang . Metode Taucs Plot, sebagaimana banyak
lapisan tipis yang dihasilkan. digunakan dalam bahan semikonduktor amorf, dapat
menentukan bandgap atau celah pita optik (Eg) dengan
METODE PERCOBAAN melalui grafik antara ( h )1/2 dengan h (energi) [4].
Lapisan tipis a-Si:H dikarakterisasi dengan alat
Pengembangan PECVD dengan menempatkan DEKTAK IIA untuk pengukuran ketebalan atau laju
filamen membentang diatas substrat pada daerah plasma penumbuhan.

261
Jurnal Sains Materi Indonesia Edisi Khusus Desember 2008, hal : 260 - 264
Indonesian Journal of Materials Science ISSN : 1411-1098
HASIL DAN PEMBAHASAN secara cepat dari 200 oC hingga 225 oC, kemudian relatif
stabil diatas suhu 225 oC. Perubahan laju gas alir tidak
Kondisi percobaan yang dilakukan saat ini, posisi berpengaruh pada perubahan laju penumbuhan yang
filamen berada diluar daerah terbentuknya plasma dan relatif stabil disekitar 0,7 /s hingga 0,8 /s.
paralel terhadap gas yang maasuk dan berjarak 1 cm dari Masing-masing parameter penumbuhan
tempat susbstrat. Optimasi parameter deposisi adalah tentunya akan memegang peranan dalam membentuk
laju aliran gas silane dan suhu substrat . Laju aliran gas kualitas hasil deposisi dari sistem penumbuhan
silan berpengaruh pada waktu keberadaan gas di HWPECVD ini.
chamber, dan berakibat juga pada lamanya gas silan atau Spektroskopi absorpsi UV-Vis adalah merupakan
radikal-radikalnya sampai ke daerah terbentuknya suatu prosedur rutin untuk penentuan konsentrasi suatu
plasma. Begitu juga tekanan gas chamber diset konstan, unsur logam dalam suatu larutan, baik terkonyugasi
yang memberikan kontribusi pada jalan bebas rata-rata maupun tidak. Panjang gelombang terhadap transmisi
(mean free path) setiap partikel menjadi tetap. spektrum absorpsi yang diukur dengan alat UV-Vis
Lapisan tipis yang terbentuk dengan metode dapat juga digunakan sebagai pengukuran awal untuk
HWPECVD ini kemudian diukur ketebalannya dengan menentukan besaran celah pita optik
menggunakan DETAK II. Dari ketebalan yang terukur Pengukuran spektrum absorpsi UV-Vis antara
inilah didapatkan laju deposisi untuk setiap sampel. Laju Transmisi (T) dengan panjang gelombang ( ) yang
penumbuhan untuk berbagai variasi parameter diaplikasikan untuk menentukan besaran dari pita
penumbuhan ditampilkan pada Tabel 1. Ketebalan ini celah optik itu dengan cara menggunakan metode
sangat penting diketahui, karena merupakan bagian Taucs Plot [4,8,9]. Gambar 4 menampilkan pengukuran
parameter dalam menentukan energi celah pita optik (Eg). UV-Vis terhadap sampel hasil deposisi dari sistem
Tabel 1. Laju deposisi penumbuhan lapisan tipis a-Si:H dengan HWPECVD dengan berbagai variasi parameter
variasi parameter suhu substrat dan laju aliran gas. penumbuhan laju aliran gas silan dan suhu substrat
Suhu Substrat Laju deposisi Laju Aliran Laju deposisi sebagai sampel.
No
(C) (/S) Gas (Sccm) ( /S)
40 40
1 175 0,624 40 0.719 40 s ccm 175
2 200 1,162 50 0,819 50 s ccm 225
60 s ccm 250 C
3 225 0,573 60 0,785 80 s ccm 30
30
275
4 250 0,568 70 0,789
5 275 0,569

Laju deposisi yang cukup cepat 1,162 /s terjadi 20 20

pada 200 oC (variasi suhu substrat), begitu juga untuk


laju deposisi optimal 0,819 /s berada pada 50 sccm
(variasi laju gas alir). Tabel diatas dapat menunjukkan 10 10
laju penumbuhan terhadap berbagai variasi suhu dan
laju penumbuhan sebagaimana terlihat pada Gambar 3.
Perubahan suhu substrat dari 175 oC hingga 200 oC (a) (b)
0 0
menampilkan kenaikan laju penumbuhan yang turun 500 550 600 650 520 570 620
[ nm ] [nm]
Gambar 4. Spektrum absorpsi UV-Vis pada lapisan tipis
a-Si:H dengan variasi parameter penumbuhan untuk laju :
(a). gas alir dan (b). suhu substrat.

Pengukuran spektrum transmisi (T) UV-Vis


terhadap panjang gelombang ( ) dari sampel hasil
lapisan tipis a-Si:H menampilkan profil yang hampir sama
untuk sample-sampel dengan variasi suhu substrat pada
daerah dibawah 580 nm, sedangkan untuk variasi laju
gas alir menunjukkan perbedaaan yang nyata bagi
daerah panjang gelombang dibawah 580 nm. Perbedaan
yang jelas ini memberikan kontribusi pada celah pita optik
yang cukup berbeda.
Analisa selanjutnya dari spektrum UV-Vis di atas
akan memberikan koefisien absorpsi yang merupakan
Gambar 3. Laju deposisi terhadap perubahan paremeter
fungsi panjang gelombang . Dari pengaruh atenuasi
penumbuhan laju aliran gas dan suhu substrat. transmisi, maka sebanding dengan ln T( )/d, dimana

262
Karakterisasi Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi untuk Menentukan Energi Celah Pita Optik (Eg) (Syahfandi Ahda)
0.25 0.25
250 C 1 .7 6
60 Sccm
50 Sccm 275 C

40 Sccm 225 C
1 .7 2
0.2 80 Sccm 0.2 175C
S 60 S175
S 50 1 .6 8
S250
S 40
S275
0.15 S 80 0.15
S225
1 .6 4

0.1 0.1 1 .6 0
30 50 70 90
L a ju A lir a n G a s ( s c c m )

0.05 0.05
1.72

(a) (b)
0 0 1.7
1.62 1.87 2.12 2.37 1.68 1.93 2.18 2.43
h [eV]
h [eV] 1.68

Gambar 5. Metode penentuan energi celah pita optik (E g) 1.66


dari silikon amorf terhidrogenasi dengan berbagai variasi
parameter penumbuhan : (a) laju gas alir dan (b) suhu substrat,
1.64
dimana tanda s menampilkan regresi linear. 150 200 250 300
Suhu [C]
d merupakan ketebalan sampel. Kalkulasi ( h )1/2 dalam
metode Taucs Plot menjadikan hubungan linier terhadap Gambar 6. Grafik energi celah pita optik untuk berbagai
sampel lapisan tipis a-Si:H sebagai fungsi parameter
energi E = h dimana adalah frekwensi UV-Vis
penumbuh laju gas alir dan suhu substrat
Fungsi ( E)1/2 = B(E - Eg) yang dikembangkan
dalam metode Taucs Plot memotong sumbu h pada Eg, Energi celah pita optik yang semakin rendah
dimana B merupakan slope fungsi. Secara statistik dapat ditunjukkan dengan konsentrasi ikatan hidrogen
data-data grafik Taucs Plot dapat difitkan menggunakan yang rendah pada lapisan itu [4], akan tetapi parameter
regresi linier, untuk mendapatkan harga Eg. dari proses penumbuhan tentunya akan berkontribusi
Linieritas yang cukup baik terjadi pada dalam kandungan hidrogen. Secara umum harga E g
energi tinggi sebagaimana terlihat pada Gambar 5. untuk lapisan a-Si:H seperti yang dikembangkan
Harga Eg atau energi celah pita optik dari lapisan akan untuk sel surya adalah antara 1,65 eV hingga 1,8 eV [4].
ditentukan dengan perpotongan fungsi linear terhadap Hal ini ditunjukkan juga dari hasil-hasil karakterisasi Eg
sumbu absis sebesar Eg. Pada Tabel 2 ditampilkan bentuk ini yang dimungkinkan bahwa lapisan tipis merupakan
statistik dan fungsi dari hasil regresi, dimana ( h )1/2 amorfus.
sebagai y dan h sebagai x.
Faktor korelasi dari regresi linier sebagaimana KESIMPULAN
terlihat pada tabel di atas menunjukkan hampir mendekati
0,999 atau dalam kata lain fitting dari fungsi dengan Telah dilakukan penumbuhan lapisan tipis
data-data yang diperoleh ini sangat baik. Sebagaimana silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) dengan metoda
faktor korelasi itu sendiri akan memberikan fitting yang Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Deposition
sempurna bilamana harga mendekati satu. Hasil dari Eg (HWPECVD) dengan variasi parameter penumbuhan
pada fungsi linier ini dapat ditampilkan dalam bentuk untuk laju gas alir silan dan suhu substrat.
grafik (Gambar 6). Sedangkan Eg untuk suhu 200 oC dan Metode Taucs Plot merupakan salah satu metode
70 sccm telah dikarakterisasi peneliti sebelumnya [10]. untuk menentukan energi celah pita optik (E g) pada
Energi celah pita optik (bandgap, Eg) minimum lapisan amorf. Salah satu parameter yang penting
sebesar 1,65 eV terjadi pada sampel dengan laju aliran adalah menentukan koefisien absorpsi dan ketebalan
gas 60 sccm, sedangkan untuk Eg minimum lainnya dari sampel, agar dapat menunjang metode Taucs Plot.
sebesar 1,66 eV pada suhu 200 oC. Telah diperoleh energi celah pita optik minimum sebesar

Tabel 2. Fungsi statistik dari regresi linier pada data-data Tauc's Plot.

Variasi suhu Faktor Variasi laju Faktor


N0 Fungsi linear Fungsi
substrat korelasi, R2 gas korelasi, R2
1 175 oC y = 0,3307x- 0,5638 0,9987 40 sccm Y= 0,3219x- 0,5522 0,9996
2 225 oC Y= 0,3147- 0,5324 0,999 50 sccm Y= 0,3081x- 0,5187 0,9973
3 250oC Y= 0,313x- 0,5269 0,9996 60 sccm Y= 0,3472x- 0,5712 0,9994
4 275oC Y= 0,3121x- 0,512 0,9996 80 sccm Y= 0,3555x- 0,6035 0,9997

263
Jurnal Sains Materi Indonesia Edisi Khusus Desember 2008, hal : 260 - 264
Indonesian Journal of Materials Science ISSN : 1411-1098
1,65 eV pada parameter penumbuh 60 sccm, begitu
juga pada suhu substrat 200 oC yang menghasilkan
Eg hampir sama.
Fungsi-fungsi keakuratan dari metode ini
dapat direpresentasikan dari faktor korelasi dari
masing-masing sampel terhadap fungsi kelinieritasan
yang mencapai R2 = 0,999.

UCAPAN TERIMAKASIH
Penulis mengucapkan terimakasih banyak kepada
kepala Laboratorium PECVD, Fisika-ITB, atas diizinkan
menggunakan alat PECVD dan material-material yang
digunakan. Begitu juga kepada kepala PTBIN-BATAN,
Pusdiklat-BATAN dan ketua Jurusan Ilmu dan Teknik
Material-ITB yang telah memberikan dorongan dan
kebijaksanaan untuk memperlancar jalannya
percobaan ini.

DAFTAR ACUAN
[1]. SPEAR. W.E dan LECOMBER, G, Solid State
Comunication, 17 (1975) 1193
[2]. CARLSON, D,E, Wronski, C,R, Appl. Phys. Lett.,
29 (1976) 602
[3]. STREET, R,A Hydrogenated Amorphous Silicon,
Cambridge, (1991)
[4]. TAKAHASHI, K dan Konagai, M, Amorpous
Silicon Solar Cell, North Oxford Academic,
London, (1986)
[5]. KNIGHTS, J,C and LUCOVSKY, G, CRC Critical
Review in Solid State and Materials Science,
21 (1980 ) 211
[6]. CHITTICK, R, C, ALEXANDER, J,H dan
STERLING, H,F, J. Electrocemical Soc., 77 (1969)
1116
[7]. SYAMSU, Thesis S-2, Fisika, ITB, (2000)
[8]. SHOUNAK MISHRA, Schottky Diodes from
Cadmium Sulfide (CdS) Nanowires Deposited in
Porous Alumina Templates, Thesis, December
(2007)
[9]. I.USMAN,AMIRUDDIN ,S, MURSAL, SUKIRNO,
WINATA,T, BARMAWI, M, Analisis Sifat-sifat
Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf
Terhidogenisasi yang ditumbuhkan dengan Teknik
VHF-PECVD pada Variasi Daya RF, Jurnal
Matematika dan Sains, 10 (2) (2005) 63
[10]. S.AHDA, Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H
dengan Metode HWPECVD dan Aplikasinya pada
TFT, Thesis S-2, ITB

264