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Semiconductor:

- Semiconductor intrnsecos
Los semiconductores son aqellos materiales cuyas condcutividades
elctricas se encuentran entre las de los metales altamente confuctores y
la de los aislantes, pobremente conductoes. Los semiconductores
intrincecos son semiconducrores puros cuya conductividad elctrica
esta determianda por sus propiedades conductoras innatas. Los
elementos silicio y germanio puro son materuales semiconductores
itrinsecos. Estos elementos, que estn en el grupo 4 de la tabla
periodoca, poseen la estructura cubica del diamante con enlaces
covalentes altamente direccionales

Estructura del cristal cbico de diamante. Los tomos en la estructura


estn unidos por medio de enlaces covalentes sp3. El diamante
(carbono), el silicio, el germanio y el estao gris (el estao polimorfo
estable por debajo de 13C) tienen esta estructura. Hay 8 tomos por
celda unitaria: 1/8 8 en las esquinas, 1/2 6en las caras y 4 dentro del
cubo unitario.
Los orbitales de enlace hbridos sp3 tetradricos consistentes de pares de
electrones, mantienen unidos a los tomos en una red cristalina. En esta
estructura cada tomo de silicio o germanio aporta cuatro electrones de
valencia.
La conductividad elctrica en semiconductores puros como el Si y el Ge puede
describirse cualitativamente considerad la representacin bidimensional de la
red cubica de diamante:

En esta representacin los crculos son los iones positivos de los atomos Si o
Ge, y los pares de lneas que se unen inidican electrones de valencia
enlazantes. Los electrones de enlace son incapases de moverse a travs de lka
red cristalina y de condicor la electricidad, a menos que se comunoque
suficiente energa apora exitales desde su posicin de enlace. Cuando se aplica
una cantdad cirtica de energa a un electroin de valencia para exitarle desde sui
posicin de enlace, se convierte enun electron de conduccon lirbre y deja tras
de si un hueco cargado psitivamente en la red cristalina.
Trabsoirete de caga elexctricfa en la red cristaslina del silicio puro.
En el proceso de conduccin elctrica rn un semiconductor como el silicio
puro o el germanio, ambos electrones y hucos son portsadores de carga y se
mueven enujun campo elctrico cargado. Los electrpones de cnduccion tienen
una carga negativa y son atrados al polo positivo de un circuito elecxtrico. Un
hueco tiene una cpaa positiva igual en magnitud a la caga del electron.
El movimiento de un huevi enb un campo elet4ico se representa d la siguiente
manera:

Luego con el siguiente esquema se puede suponer lo siguiente:

Suponiendoque existe un hueco en el atomo A, donde faklta un electorn de


valencia (figura a).
Cuando se aplica un campo elctrico en la posocopon mostrada de la figura se
ejerce ua fuerza sobre los electroes de valkencia del atomo B, y uno de los
electrones asociados al atomo B se libera de su orbital de enlace y va al hueco
del ornbital de enlace del atomo A. El hueco aparecer ajhora en el atomo B
cvon lo que se habr movido de A a B e loa direccin del campo elecrico
aplicadp. Por un mecansmo similar, el hueco es trasportado del atomo B al C
por un electron que se mueve de C a B (figur c).
El resultado de este proceso es que un elecron es transportado de C a A, en
sentido contrario al campo aplicado, y un hueco es transportado de A a C, en
el mismo sentido del campo aplicado. De este modo, durate el tiempo que
transdcurre la conduccin elctrica en un semconductio puro como el siulicio,
los electrones cargados negativaente se mueven con la misma direccin y
sentido opuesto al campo aplicado (flujo de corriente convencional (ley de
gauss)) y hacuie el polo positivo, mientras los huecos cargados positivamente
se mueven en la misma direccin y sentido del campo aplicado y hacia el polo
negativo.
Bandas de energa para diagrama de semiconductores elementales intrinecos
Los diagramas de bandas de energa son otro mtodo para describir la
excitacin de electrone de valencia que se vuelven electrones de conduccin
en los semiconductores. En est representacin slo est implicada la energa
que se requiere para el proceso, y no se seal ninguna imagen fsica de los
electrones que se mueven en la retcula cristalina. En el diagram de bandas de
energa para semiconductores elementales intrnsecos (por ejemplo, Si o Ge),
lo electrones de valencia de enlace del cristal ligados en forma covalente
ocupan los niveles d energa en la banda de valencia inferior, la cual est casi
llena a 20C
Sobre la banda de valencia hay una brecha de energa prohibida en la cual no
se permiten estados de energa y que es de 1.1 eV para el silicio a 20C. Arriba
de la brecha de energa hay una banda e conduccin casi vaca (a 20C). A
temperatura ambiente, la energa trmica es suficiente para excitar algunos
electrones desde la banda de valencia hasta la banda de conduccin, dejando
sitios vacantes o huecos en la banda de valencia. De este modo, cuando un
electrn se excita a travs de la brecha de energa en la banda de conduccin,
se crean dos portadores de carga, un electrn cargado negativamente y un
hueco cargado positivamente.
Ambos electrones y huecos llevan corriente elctrica.
Relaciones cuantitatias para la conduccin electroca en semiconductores
itrinsecos elementales:
Durante la conduccin electrca en semiconductores intrnsecos elemtales, la
densidad de corriente J es igual a la suma de la conduccin debida a ambos
electrones y huecos:
J =nq v n + pq v p

Donde
n = numero de electrones de conduccin por unidad de volumen
p = numero de huecs de conduccin por unidad de volumen
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q = vaolor absoluto de la carga del electron o hueco 1.6 x 10 C

Vn. Vp = velocidades de deriva de lo electrones y huecos, respectivamente.


Dividiendo ambos miembros por el campo elctrico E y usando la ecuacin
J=E
J nq v n pq v p
= = +
E E E

Las cantidades vn/E y vp/E son llamadas movilidades del electron y del hueco,
dado que miden la velocidad de deriva de los electrones y huecos en
semiconducorws en un campo elctrico aplicado. Los smbolos
n y p se usan para las movilidades de electron y hueco, respectivamente.
La situacin de las movilidades por vn/E y vp/E en la ecuacin anterior permite
que la continuidad elctrica de un semiconductir se exprese como
=nq n + pq p

Las unidades para lamovilidad son


m
v s m2
= =
E V V .s
m

En semiconductores intrnsecos elementales, electrones y huecos se crean por


parejas, y de este modo el numero de electrones de conduccin iguala al
numero de huecos producidos, de forma que
n=p=ni

Donde n= concentracin delportador intrnseco, portadores/unidad de volumen


Entonces tenemos :
=ni q( n+ p)

La siguiente tabla no da la lista de las propiedades importantes de silicio y


germanio intrnsecos a 300K
Las movilidades de electrones son siempre mayores que las de los huecos.
Efecto de la temperatura en semiconductores intrnsecos
A 0 K, las bandas de valencia de semiconductoes intinsecos como silicio y
germanio estn competamente llenas, y sus bandas de conduccin
completamenta vacias. A temperatura sobre 0 K, algunos de los electrones de
valencia son acrivados trmicamente y excitados a travs de la brecha de
energa en la banda de conduccin, crendo pares electron-hueco. A diferencia
de lo ue ocurre con los metales, cuyas conuctivifades disminuyen con el
aumento de la temperatura, las conductividades en los seminconductoes
aumentan al aumentar la temperatura pra el rango de temperaturas en que
este proceso predomina.
Puesto que los electrones se activan trmicamente en la banda de conduccin
de los semicnoductes, la concentracin de dichos electrones muestra una
dependecia de la temperatura siilar a la de muchos otros procesos tericamente.
La concentracin de electrones con energiua trmica suficiente para entrar en
la banda de cinduccon (y crear asi la misma concentracin de huecos en la
banda de valencia), ni, varia segn la formula
ni e( E E
g av )/ KT

Donde:
Eg = banda de vacio de la energa
Eav = energa media a travez de la banda de vacio
K= constante de boltzmann
T= temperatura K
Para semicnoductores tales como silicio puro y germanio, Eav se encuentra a
mitad de camno de la brecha, o Eg/2. Asi lka ecuacin se concvierte en
ni e( E E /2)/ KT
g g

E g /2 KT
ni e

Como la conductividad elctrica de de un semiconductor intrnseco es


proporcional a la concentracin de portadores de carga elctrica, ni, la
ecuciaon anterior se puede expresar como:
E g/2 kT
= 0 e

O tambin:
Eg
ln =ln 0
2 kT

Donde 0 es una consatante que depende fundamentalmente de las movilidads


de electrones y huexos.

Semiconductores Extrinsecos
Los semiconductores extrnsecos son slouciones solidas substitucinales muy
diluidas en las que los atomos de las impurezas soluto poseen caacteristicas de
valencia diferentes de lared atmica que actua como disolvente. Las
concentraciones de atomos de impureaas aadidos a estro semiconductes se
encuentra normalmente entre 100 y 100 ppm
Semiconductores extrnsecos tipo n (tipo negativo)
Considerando el enlace covalente del cristal de silicio mostrado en la figura a.
Si un atomo impureza del grupo VA, por ejemplo, el fosforo, sustituyw a un
atomo de silicio que e sun atomo del grupo IVA, habr un electron de as que
no es necesario para foirmar el enlace covalete tetraedrciop del cristaol de
silicio. Este electro extra esta unido ligeramente por el nucle de fosforo
cargado positivamente .
Cuando bajo la accin de uun campo elctrico, el electron extra se convierte
en un electron libre valido para la conduccin, el atomo de fosforo remanente
se ioniza y adquiere una xcarga positiva (figura b)
a) La adicin de un tomo de impureza de fsforo pentavalente a la red de
silicio tetravalente proporciona un quinto electrn que est unido
dbilmente al tomo de fsforo base. Slo una pequea cantidad de
energa (0.044 eV) hace que este electrn sea mvil y conductor. b)
Bajo un campo elctrico aplicado el electrn de exceso se vuelve
conductivo y es atrado a la terminal positiva del circuito elctrico. Con
la prdida del electrn adicional, el tomo de fsforo se ioniza y
adquiere una carga +1

Cuando se adicionan aotmos de imprezas del grup VA como P. As, y Sb, al


silicio o germanio,Puestio qye estos atimios de impurezas del grupo VA
dondna enlectrnes de cinduciion en presencia de silicio o germanio, d conoce
con la denominacin de atomos de impurezas donandoras. Los
semicnoductrres de slicio o germanio que contienen atomos del grupo V como
impurexzas reciben el nombre de semiconductores extrnsecos tipo n
(negativos)
Bandas de energa para el silicio
El elexctron extra del atomo impureza del grupo9 VA ocupa un nivl de energa
en el intrvalo de energa prohibida ajustadamente por debajo de la banda vacia
de conduccin.
Este nivel se llama donante,ya que ha sido proporconado por un aromo de
energa donador. Un atomo donate del grup VA
Niveles de energa de atomos donadres

Semiconductores extrnsecos tipo P (tipo positivo)


Cuando un elemento trivalente del grupo IIIA tal cmo boro es introducido enla
estructura tetradrica del silicio, se pierde uno de los orbtales de enlace y
aparece un hueco (figura a). Si se aplica un campo elctrico externo al cruistal
de silicio, uno de los electroes vecinos del otro enlace y moverse al enlacew
perdido (hueco) del atomo de boro (figra b). Cuando el hueco asociado con el
atomo deboro se ioniza y adquiere una carga negativa (-1).

La energa de enlace asociada con la eliminacin de un electron del atomo de


slici, por el cual se crea un hueco,y la subsiguiente transeferencia de un
electron al atomo de boro es solamente de 0.045eV. Esta cantidad de energa
es pequea comparada con los 1.1eV requwridos para transferir u electron
desde la banda de vlencia a la banda de conduccin. En presencia de un atomo
de boro se comporta como portador de carga positiva y migra hacia la terminal
negativo de la red de silicio.
En trminos del diagrama de bandas de energa, el atomo de boro aporta un
nivel de energa denominado nivel aceptor el cual es ligeramente mas alto
(0.045eV) que el nivel superior de la bada de valencia completa del silicio.
Cuando un electron de valencuia de un atomo de silicio prximo a un atomo
de boro llena el hueco elecrtronico que falta en la banda de valencia boro-
silicio, ese electron es elevado al nivel aceptor u crea im ion boro negativo. En
este proceso se crea un hueco electronco en la red del silicio, el cual actua
como portador de carga positiva.
En vista de que la mayotria de los portadorws en estos semiconductores
extrnsecos son huecos en la estructoura de enlance de valncia , se denominan
semiconductores extrnsecos tipo p (tipo portadores positivos).
Dopado de un material semiconductor de silicio extrnseco
El proceso de agregar pequeas cantidades de tomos de impureza
sustitucionales al silicio para producir material semiconductor de silicio
extrnseco se denomina impurificacin, en tanto que los propios tomos de
impurezas reciben el nombre de impurificadores. El mtodo de impurificacin
de semiconductores de silicio que se usa ms comnmente es el proceso de
plano. En ste, los tomos impurificadores se introducen en reas
seleccionadas de silicio desde una superficie para formar regiones de material
tipo p o tipo n. Las obleas suelen medir alrededor de 4 pulgadas (10 cm) de
dimetro y casi unos cuantos cientos de micrmetros de espesor.
En el proceso de difusin para impurificar obleas de silicio, los tomos
impurificadores se depositan por lo comn sobre o cerca de la superficie de la
oblea mediante un depsito gaseoso, seguido por una difusin hacia el interior
que dispersa a los tomos donadores dentro de la oblea. Se requiere una alta
temperatura de casi 1100C en este proceso de difusin.
Efecto del dopado sobre las concentraciones de portadores en los
semiconductores de silicio
La ley accin de masas: En semiconductores como el silicio y el germanio, los
electrones y huecos mviles se generan y recombinan de manera constante. A
temperatura constante en condiciones de equilibrio el producto de los
electrones libres negativos y las concentraciones de huecos positivos es una
constante. La relacin general es
n p = ni
donde ni es la concentracin intrnseca de portadores en un semiconductor y
es una constante a una temperatura dada. Esta relacin es vlida tanto para
semiconductores intrnsecos como extrnsecos. En un semiconductor
extrnseco el aumento en un tipo de portador (n o p) reduce la concentracin
del otro mediante recombinacin, de manera que el producto de los dos (n y p)
es una constante a cualquier temperatura dada.
Los portadores cuya concentracin en semiconductores extrnsecos es la
mayor, se denominan portadores mayoritarios, y aquellos cuya concentracin
es la ms pe quea reciben el nombre de portadores minoritarios. La con
centracin de electrones en un semiconductor tipo n se denota mediante nn, y
la de huecos en un material tipo n, por medio de pn. De modo similar, la
concentracin de huecos en un semiconductor tipo p est dada por pp y la de
electrones en el material tipo p por np