DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

ELECTRNICA DE POTENCIA
Nombre: Santiago Grijalva
NRC: 2276
Fecha: 15 de noviembre de 2016
Diodos Schottky de Potencia
As como la necesidad de diodos de seal de muy alta velocidad ha llevado al desarrollo de
diodos Schottky con tiempos de recuperacin del orden de los 0.1 ns, en la Electrnica de
Potencia las fuentes conmutadas de alta corriente y baja tensin, principalmente, han
impulsado la bsqueda de diodos que anen baja cada de tensin en conduccin y
recuperacin rpida, habindose desarrollado para ello diodos Schottky que llegan a 160 A
y 100 V con 800 pF de capacidad entre terminales con silicio y a 20 A y 1200 V con 61 nC
de carga capacitiva con carburo de silicio.
Los diodos Schottky se basan en el efecto de rectificador que tiene lugar en una unin
metal-semiconductor gracias a la barrera de potencial que se establece. Los bordes de la
barrera muestran anomalas estructurales y baja tensin de ruptura, por lo que se pasivan
mediante un semiconductor de guarda. El potencial a vencer para establecer conduccin
es de unos 0.25 V en los diodos Schottky de silicio (y es algo mayor en los de carburo de
silicio Fig. 1) frente a 0.7 V en el diodo de unin de silicio.

Figura 1. a) Disposicin fsica de una de las variadas modalidades de diodo Schottky de potencia. b)
Caracterstica de un diodo Schottky de potencia comparada con la de un diodo de unin.
La conduccin es a cargo de portadores que siempre actan como mayoritarios,
contrariamente al diodo de unin, por lo que no se da el fenmeno de recuperacin inversa
all ocasionado por la necesidad de eliminar los portadores que en conduccin han invadido
una capa como minoritarios. El lmite de la velocidad de paso del estado de conduccin al
de bloqueo y viceversa lo marca principalmente la capacidad parsita entre las capas de
semiconductor y metal, muy pequea, por lo que se llega a frecuencias de conmutacin
que superan la centena de kHz. La intensidad de fugas en bloqueo es, no obstante, mayor
que en un diodo de unin de silicio de la misma intensidad y tensin.

Bibliografa

Salvador Martnez Garca, J. A. (2006). Electrnica de Potencia. Componentes, topologas

y equipos. Madrid: Thomson Ediciones Paraninfo, S.A.