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CORSO DI
FISICA DELLO STATO SOLIDO
PER GLI STUDENTI DI INGEGNERIA ELETTRONICA

1 - RETICOLI CRISTALLINI
E BANDE ELETTRONICHE

Appunti dalle lezioni del Prof. P. Calvani


A. A. 2013-14

Tratte in parte dai testi:


C. Kittel - Introduzione alla fisica dello stato solido
G. Burns- Solid State Physics
N. W. Ashcroft - N. D. Mermin - Solid State Physics
e da:
G. Bachelet - Dispense di Fisica dei solidi
M. Capizzi Dispense di Fisica dei solidi

Questi appunti sono destinati a solo uso interno e


riservati agli studenti che frequentano il corso.
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3
4

E esercitato dalla forza attrattiva tra ioni positivi e negativi, conseguente al


trasferimento di elettroni fra atomi neutri.
Ad es., la configurazione del Na 2p6 3s1; quella del Cl 3s2 3p5. La cessione
dellelettrone del na al Cl comporta i processi nella Figura a sinistra, che si risolvono
in un guadagno energetico di 5,5 eV. Si forma cos il cristallo ionico NaCl (Figure in
basso).
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Il legame covalente tiene insieme moltissimi solidi, ma soprattutto tipico degli


atomi tetravalenti come C, Si, Ge ecc. Ad es., la configurazione esterna del C 2s1
2p3; quella del Si 3s1 3p3. Lorbitale s sferico, i p sono disposti lungo 3 assi
ortogonali x, y, z. Unendosi ad altri atomi vicini di C o Si, gli elettroni si dispongono
su 4 orbitali ibridizzati (combinazioni lineari di stati s e p) disposti a circa 110 luno
dallaltro, secondo una struttura tetraedrica, detta della zncoblenda (Figura). In questo
modo ogni atomo ne coordina altri 4.

La messa a comune degli elettroni fra atomi vicini d luogo a orbitali bonding e
antibonding, a seconda dellorientazione degli spin. Un caso particolarmemnte
semplice , come gi sappiamo, quello della molecola H2.
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un solo punto reticolare. Qui accanto si vede, in 3D,


la cella primitiva e la cella unitaria di un reticolo
cubico a facce centrate (fcc, v. oltre)
8

Per esempio, nella Figura si vede la cella unitaria dellarseniuro di gallio (o di indio)
che contiene una base formata da due atomi diversi: As e Ga.
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Reticoli tridimensionali e reticoli di Bravais

Tutti i reticoli cristallini si cpossono ricondurre a 14 tipi fondamentali, detti reticoli di


Barvais. Noi nomineremo soltanto i 3 reticoli cubici: semplice (sc), a corpo centrato
(bcc) e a facce centrate (fcc), che si vedono in figura risepettivamente a sinistra, al
centro e a destra. Si riconosce che solo la cella unitaria dellsc anche una cella
primitiva, mentre le altre contengono rispettivamente 2 atomi e 4 atomi.
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Diffrazione dai piani cristallini Formula di Bragg

Usando raggi X (ma anche elettroni o neutroni, dei quali si sfruttano le propriet
ondulatorie) monocromatici, e riducendo il cristallo in polvere, si possono ottenere al
variare dellangolo picchi di intensit riflessa in corrispondenza di piani cristallini
comunque orientati e spaziati fra loro. In questo modo viene determinata la simmetria
del cristallo.
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GLI ELETTRONI NEI SOLIDI

IL MODELLO TIGHT BINDING A PRIMI VICINI


E LORIGINE DELLE BANDE ELETTRONICHE NEI SOLIDI

In un solido-modello gli atomi sono disposti nelle 3 direzioni dello spazio lungo catene lineari.
Consideriamo una di queste catene, nella direzione x, lunga L e contenente N atomi separati da un
passo reticolare a. N molto grande in un campione solido, dell'ordine di 107 o 108/cm in ogni
direzione dello spazio. Quando un'onda (come la quasi-particella elettrone) si muove lungo la
catena, i suoi possibli stati si possono contare in due modi equivalenti (Kittel p. 109-110): o
imponendo che l'onda abbia sempre due nodi a 0 e a L, causati dalle riflessioni all'interfaccia solido-
vuoto, oppure imponendo le condizioni cicliche al contorno, cio che la catena si possa
immaginare chiusa su se stessa e che la funzione d'onda dell'elettrone sia periodica con periodo L:
cio che

(x) = (x + L)

2
Infatti, nel caso semplice di un'onda piana di vettore d'onda k dove la lunghezza d'onda

dell'elettrone, dalla

e ikx = e ik(x +L ) = e ik(x +Na ) segue e ikNa= 1 = e i2 m



Quindi il vettore d'onda quantizzato in N stati
2 m
km = m = 0,1,2,... N /2
a N
Questo lo stesso risultato che si ottiene contando le possibili onde stazionarie che si possono
sistemare in una catena di N atomi con nodi agli estremi. Poich nello spazio k vi uno stato ogni
intervallo 2 /Na , la densit degli stati nello spazio k dei vettori d'onda , in una dimensione,

Na L
(k) = =
2 2

e in tre dimensioni, se V il volume del campione,


V
(k) =
(2 ) 3

IL TEOREMA DI BLOCH
Le energie degli elettroni che si propagano in un cristallo si possono calcolare con due modelli
semplificativi ma opposti: quello dell'elettrone quasi libero e quello del legame forte: nel primo
caso il potenziale periodico creato dagli ioni del cristallo una perturbazione sull'energia di un
elettrone che si propaga liberamente nel vuoto; nel secondo caso una perturbazione sull'energia
degli elettroni che orbitano nei loro atomi.
In entrambi i casi le funzioni donda delle particelle che si propagano nel reticolo
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devono soddisfare il seguente teorema di Bloch:

Gli autostati dellHamiltoniana di una particella che si propaga



nel cristallo

(cio in un potenziale periodico tale che U( r + R) = U(r ) se R un qualunque
vettore del reticolo) sono della forma


= e ik r uk ( r )
k ( r ) (1)


dove anche uk ( r ) ha la periodicit del reticolo:

u k ( r + R) = uk ( r )
Questo enunciato equivalente a dire che


k ( r + R ) = e ik R
k (r ) (2)




Infatti k ( r + R) = e ik ( r + R )uk ( r + R) = e ik R e ik r uk ( r ) = e ik R k ( r ) se e solo se uk ( r ) periodica.

E immediato verificare che gli stati LCAO k verificano la (2) e quindi il teorema di Bloch. Infatti

nella catena R = p a con p intero e, dato che gli orbitali atomici sono

tutti uguali,


e
ik(n + p )a
n + p = e ikpa e ikna n
n n
Perdimostrare il teorema ricordiamo che se TR un operatore di traslazione del reticolo le

autofunzioni di H sono anche autofunzioni di TR con certi autovalori c( R) :

TR = c( R)


Possiamo sempre porre c( R) nella forma


c( R) = e i (3)

con reale. Inoltre, poich
TR TR ' = TR + R '


c( R) c( R') = c( R + R') (4)

Quindi


c( R) = e ik R

Infatti questa forma verifica la (4). Inoltre k un vettore che pu essere espresso con coefficienti
reali nella base del reticolo reciproco, e quindi un vettore donda:


k = x1b 1 + x 2 b2 + x 3b 3 (5)

Infatti sapendo che a sua volta R si pu esprimere nella base del reticolo diretto

R = y1a1 + y 2 a2 + y 3 a3
e che


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bi a j = 2ij
si ottiene che

c( R) = e ik R = e i2 (x1 y1 +x 2 y 2 +x 3 y 3 )

verifica la (3). Quindi, come dovevasi dimostrare,



TR ( r ) = ( r + R) = e ik R ( r )

Dimostrazioni alternative del teorema di Bloch si trovano sullAshcroft.


Dal teorema di Bloch segue che anche lo spazio k periodico. Infatti, poich



k ( r + R) = e ik R k ( r )

posto k '= k + G con G = m1b1 + m2b2 + m3b3 vettore del reticolo reciproco (mi interi), si ha

e ik ' R = e i( k +G ) R = e ik R e 2 i = e ik R
Quindi gli stati

k ' e k sono del tutto equivalenti: tutti i valori indipendenti di k si trovano nella

prima zona di Brillouin che in 1D si estende da a + . Essa ha per infinite repliche, modulo
a a
un vettore
del reticolo reciproco, come mostrato nella Figura. In 1D essa si ripete modulo 2 /a .



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IL MODELLO DELLELETTRONE QUASI-LIBERO


Lapprossimazione opposta al modello tight-binding quella dellelettrone quasi-libero. Qui la gap
tra le bande non nasce dalla separazione in energia degli orbitali atomici, ma da effetti di diffrazione
a bordo zona. Consideriamo unautofunzione di Bloch della forma pi semplice: unonda piana

k ( r ) = e ik r

Fisicamente, questo equivale ad assumere che lelettrone totalmente libero: non avverte il
potenziale periodico del reticolo, ad esempio perch gli ioni positivi sono schermati
elettrostaticamente da tutti gli altrielettroni che, come lui, si muovono liberamente nel cristallo.
Quindi la sua energia
2k 2
E(k) = (1)
2m

dove m la massa. La banda (1), proiettata in ognuna delle 3 dimensioni, ha la forma di una
parabola (v. Fig. a p. 9).
per la quale lelettrone subisce una riflessione elastica di Bragg dai
Ora cerchiamo la condizione
piani cristallini, come
accade ai raggi
X o ai neutroni. In base al criterio di Laue, se la riflessione
lo porta dallo stato k in uno stato k ', deve aversi

k = k'; k ' k = G (2)
Quindi 2
k = k'2 = k + G = k 2 + 2 k G + G G = k 2 + G (2 k + G)
2

Di qui si ricava

G
2k + G = 0 ovvero k =
2
G G
Quindi, se il k dellelettrone al bordo della zona di Brilluoin, che si estende da a (in 1
2 2


dim. da a ) viene riflesso. In base alla (2) finisce al bordo opposto della zona e cos via: le
a a

riflessioni lo trasformano in unonda stazionaria che non pu propagarsi. La sua autofunzione sar

perci la somma algebrica di 2 onde che si propagano con uguale ampiezza in direzioni opposte:
[e e ]
1 i( / a )x i( / a )x
(x) =
2
Le corrispondenti densit elettroniche sono
+ (x) = + (x) = 2cos 2 ( /a)x
2

(x) = (x) = 2sin 2 ( /a)x


2

Come mostra la Fig. a p. 22, i massimi di + cadono a x = na; quindi pongono gli elettroni sugli
ioni positivi raggiungendo la condizione di minima energia potenziale; quelli di cadono a x =
(2n+1)a/2, cio a met tra uno ione e laltro. Questa la situazione di massima energia potenziale.

In questo modo si crea una gap a bordo zona tra la fine della banda della prima zona (banda di

valenza) e linizio della banda della seconda zona (banda di conduzione), come mostra la Figura.
seguente si dimostra
Questultima si pu riflettere specularmente nella prima zona. Nella pagina
che la gap uguale allampiezza del potenziale periodico.
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Infatti, sia U(x) = U cos(2 /a)x il potenziale periodico. Poich a bordo zona londa stazionaria,
lenergia puramente potenziale e la differenza tra i suoi due valori

1 a * 1 a *
E G = U U + = (x)U(x) (x)dx + (x)U(x) + (x)dx
a 0 a 0
Sostituendo , + ,U e usando in successione le posizioni y = x /a e z = 2y , otteniamo

cos2y (sin2 y cos2 y )dy =


2 Ua 2U
EG =
a
cos2y (cos2y )dy =
0 0
2
U U
= cos2 zdz = (z + senz cos z) 0 = U
2

0 2


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LA MASSA EFFICACE DELLELETTRONE

Consideriamo il caso di un elettrone libero di massa m che si muove in una


2 2
dimensione. La sua energia E(k) = k ha la forma di una parabola nello spazio k, la
2m
2 E 2
cui curvatura 2 = fissata dalla massa dellelettrone:
k m

2
m= 2
E
k 2

Si pu pensare di generalizzare questa relazione ad un elettrone interagente con il


reticolo, e quindi a una banda E(k)
di forma qualunque, in un punto qualunque dello
spazio k. Si definisce in questo modo una massa efficace

2
m* =
2E
k 2

che pu avere, in base alla curvatura della banda in quel punto, valore positivi,

negativi o anche nulli. Normalmente m* non viene misurata in kg, ma in termini della
massa dellelettrone libero: m*/m. Questa rinormalizzazione della massa
dellelettrone dovuta alle interazioni con il reticolo (ma anche con gli altri elettroni)
fornisce una misura della forza dellinterazione. Ad esempio, un elettrone poco
mobile, o fortemente localizzato, potr anche avere una m* pari a molte decine o
addirittura centinaia di masse elettroniche. Daltra parte, sono anche frequenti in
molti solidi (come i semiconduttori) valori m*/m < 1.

d 1 dE
Si noti che, essendo la velocit di gruppo dellelettrone v g = = ,
dk dk

dv g
= *
dk m

Quindi, nel modello dellelettrone


quasi-libero, a bordo zona la massa efficace
infinita, coerentemente con la presenza di onde stazionarie. Infine si pu notare che la
definizione di m* coerente con il II principio della dinamica:

v g 1 2 E 1 2 E k k F
a= = = = * =
t kt k t m t m*
2


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LAPPROSSIMAZIONE A LEGAME FORTE

En

fig. 1

Il modello opposto a quello dellelettrone quasi-libero lapprossimazione a legame forte (tight


binding), che basata sulla combinazione lineare di orbitali atomici. Il potenziale periodico del
reticolo, che presenta una "buca" attrattiva per l'elettrone in prossimit di ogni ione di carica Z+,
(fig. 1), anzich essere trattato come una perturbazione dellenergia di una particella libera, diventa
una piccola perturbazione sullHamiltoniana dell'elettrone nel suo orbitale atomico, Hat:

H = H at + U( r )
dove Hat soddisfa l'equazione di Schrdinger

H at n ( r ) = E n n ( r ) .


Se non ci fosse sovrapposizione fra le funzioni donda n ( r ) di atomi vicini, cio se questi fossero
isolati fra loro, ogni livello atomico En si ripresenterebbe N volte (se N il numero di atomi).

Linterazione elettromagnetica tra gli orbitali degli atomi vicini invece trasforma questi N livelli

degeneri in una banda elettronica che dipende da k (v. fig. 2), e le funzioni donda atomiche n ( r )

diventano nk ( r ) . Bisogna calcolare nk ( r ) e la banda Enk o, come si scrive meglio, la funzione
E(k).

Enk

fig. 2
Per il teorema di Bloch,


nk ( r + R) = e ik R nk ( r )


21

Questa equazione certamente soddisfatta dalla combinazione lineare di orbitali atomici (LCAO)


nk ( r ) = e ik R n ( r R)

R


dove R la posizione di un generico atomo nel reticolo. Infatti



nk ( r + R) = e ik R n ( r R + R) = e ik R e ik ( R R ) n [ r ( R R)] = e ik R n ( r )

R R

Sostituiamo questa funzione d'onda nell'equazione di Schrdinger



H ( r ) = ( H at + U( r )) ( r ) = E( k ) ( r )

e limitiamo l'interazioneai primi


vicini,che per definizione si trovano tutti alla stessa distanza
dallatomo, sostituendo R con Rm (m = 1, ... n dove n il numero dei primi vicini: 6 nel cubico

semplice, 8 nel bcc, 12 nellfcc). Svolgendo i calcoli si ricava

E( k ) = E n e ik R m
m
dove la correzione a En causata dall'interazione coi primi vicini, e , il termine di hopping,
proporzionale alla probabilit che l'elettrone possa saltare da un atomo all'altro, propagandosi nel
cristallo. Nell'esercizio che segue sono riportati semplici esempi di calcolo di questa formulea. Essi
mostrano come le bande che nella fig. 2 si mostravano come livelli allargati, in un grafico E(k)

diventano funzioni periodiche di k. Nella fig. 3 sono mostratequelle vere del Silicio: W la
larghezza di banda. Ogni banda fatta di N stati discreti, ma poich N 10 22 viene rappresentata
con una linea continua. Gli stati possono essere vuoti o occupati da elettroni, e questo determina le
propriet elettriche del cristallo come vedremo fra poco.

fig. 3
Esempio.
Calcolare E(k) per un reticolo cubico semplice di lato a, combinando solo orbitali di tipo s.
Perci qui il generico n sostituito da s. Nella formula
22


E( k ) = E s e ik R m
m

R
in base alle coordinate dei primi vicini di un atomo qualunque, il vettore m pu assumere i valori
(a,0,0),(0,a,0),(0,0,a) . Quindi

[
E( k ) = E s e + e
ikx a ikx a ik a ik a
]
+ e y + e y + e ikz a + e ikz a =

[ ]
= E s 2 cos kx a + cos k y a + cos k z a

Perci in questo caso semplice la banda ha un andamento sinusoidale. Si noti che ogni volta che k
viene incrementato di 2 /a l'energia riprende lo stesso valore (periodicit nel reticolo reciproco).

BANDE PIENE E SEMIPIENE



In base al principio di Pauli non possono esistere in uno stesso sistema due elettroni con tutti i
numeri quantici uguali. Poich una banda pu ospitare N diversi valori di k, e gli stati di spin
dell'elettrone sono 2, i posti liberi sono 2N. Se ogni atomo pu mettere a disposizione 2 elettroni di
valenza (cio nell'orbitale pi esterno) per ogni sito, si former nel solido una banda di valenza
completamente piena. Il solido a T = 0 sar un isolante, perch sotto l'azione del campo elettrico
l'elettrone, per potersi muovere, deve poter cambiare il suo vettore d'onda k; ma siccome tutti gli
stati con k diversi sono pieni, ci non potr avvenire. La banda vuota superiore infatti (banda di
conduzione) si trova al di l di una gap di stati proibiti. Se per la gap relativamente piccola, a
temperatura finita le eccitazioni termiche possono promuovere nella banda superiore elettroni che a
quel punto trovano un'abbondanza di stati vuoti e possono condurre. Un tale sistema un
semiconduttore.
Se gli atomi del cristallo sono monovalenti, come nei metalli alcalini, solo N stati possono venire
riempiti e si former una banda semipiena. A T= 0, per il principio di Pauli, tutti gli stati vengono
riempiti a coppie fino a un'energia massima che si chiama energia di Fermi EF. Al di sopra di EF gli
stati sono tutti vuoti e gli elettroni possono cambiare a piacimento il loro vettore d'onda sotto
l'azione del campo elettrico e delle collisioni all'interno del reticolo: il solido un metallo. Infine,
se il minimo della banda di energia superiore pi basso del massimo della banda di energia
inferiore, anche in una diversa direzione dello spazio reciproco, gli elettroni si possono distribuire
fra le due bande, che diventano entrambe parzialmente piene, dando luogo a un semimetallo.
Considerando solo la met destra della zona di Brillouin (assumendo che la met sinistra sia uguale
per riflessione) potranno dunque aversi le tre situazioni mostrate nelle figure qui sotto.
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I METALLI IN UN CAMPO ELETTRICO

Il modello di Drude

Prima che fosse nota la meccanica quantistica e l'esistenza delle bande nei solidi, il trasporto della
corrente nei metalli veniva spiegato con un modello classico, il modello di Drude.
Nel modello di Drude le cariche positive (ioni) sono fisse e quelle negative sono completamente

libere
come in un gas perfetto. La velocit termica media < v >= 0 ma il campo elettrico

E accelera gli elettroni a una velocit media di deriva < v deriva > finch dopo un tempo medio non
subiscono casualmente un urto con gli ioni in cui perdono memoria dello stato precedente (diremmo
che la funzione di autocorrelazione delle velocit siannulla dopo ).
La forza
dv
eE = m = m v deriva /
dt

Se n la densit di elettroni, la densit di corrente (carica totale che passa per una sezione di area
unitaria del conduttore nellunit di tempo) , se A larea della sezione del conduttore e
cariche che la possono attraversare nel tempo ,
V = A v deriva il volume delle

q enA v deriva e
j= = = en v = en E
A A deriva
m
Per la legge di Ohm,
j =E
e quindi la conducibilit elettrica


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= ne 2 /m = ne
dove
e
=
m
la mobilit degli elettroni.
Conoscendo e, m e valutando n dalla densit del metallo d e il suo peso atomico dellelemento A e
la sua valenza Z si ottiene la densit di elettroni
d
n= Z
A
Di qui, misurando la resistivit del metallo
m
= 2
ne

e ricavando n dal numero di elettroni di valenza e dalla densit del metallo, si ricava il tempo di
rilassamento o tempo medio fra urti che risulta dellordine di 10-14 o 10-15 s.
Drude immaginava c he gli elettroniurtassero gli ioni del reticolo. Questo assunto per sbagliato,
perch gli elettroni, essendo onde, si muovono imperturbati in un potenziale periodico mentre
possono essere scatterati solo dalle impurezze presenti nel cristallo e dai fononi ((i quanti di
vibrazione del reticolo, vedi Parte 4). Infatti, se fosse vero il modello di Drude, la resistivit sarebbe
indipendente dalla temperatura mentre si osserva che cresce come T5 a bassa T e come T ad alta T
(proprio a causa dellaumento con T della densit dei fononi). Laccordo qualitativo del modello di
Drude con alcuni dati sperimentali derivava in realt da una fortunata eliminazione reciproca di
errori.

La sfera di Fermi

Nel 1927 Sommerfeld modific il modello di Drude per renderlo compatibile con la meccanica
quantistica e introdusse il concetto di densit degli stati. Successivamente, il modello fu
completato con l'introduzione della statistica di Fermi.
Come abbiamo visto, l'imposizione delle condizioni cicliche al contorno alla catena di N atomi
lunga L quantizza il vettore d'onda k. Entro l'intervallo 2 /a ci sono N stati; quindi c' uno stato
possibile per l'elettrone ogni intervallo

2 2
=
aN L
Perci la densit degli stati k in una dimensione

L
(k) =
2


25

In 2 dimensioni la distribuzione degli stati presentata in Figura. Passando a 3 dimensioni, nella


zona di B. di un cristallo cubico semplice c' uno stato k in un volumetto

2 3

L

Supponiamo che anche il solido sia un cubo di volume V = L3 . Allora la densit degli stati nello
spazio k
V
( k ) =
(2 ) 3

Perci, considerando anche lo spin, se N il numero totale di elettroni disponibili, il massimo


vettore d'onda kF che in ogni direzione dello spazio isotropo k corrisponde a uno stato pieno a T = 0,
fissato dalla condizione

V V
2 (4 /3)kF = 2 kF = N
3 3

(2 ) 3
3

La sfera di raggio kF si chiama sfera di Fermi e la sua superficie, superficie di Fermi.


Naturalmente, in reticoli con simmetrie pi complesse la superficie di Fermi pu assumere forme
molto pi complicate.
Di qui si ottiene per il vettore d'onda di Fermi
1
3 2 N 3
kF =
V

e poich l'energia di Fermi


2 2
EF = kF
2m

si ricava
2
2 3 2 N 3
EF =
2m V

Infine la velocit di Fermi, cio la velocit di un elettrone che si muove sulla superficie di Fermi,

26

1
k 3 2 N 3
vF = F =
m m V

Poich gli elettroni eccitabili dal campo sono quelli che hanno velocit prossime a vF, il cammino
libero medio degli elettroni fra un urto e laltro

vF

Dallespressione di EF possiamo anche ricavare il numero N degli stati che si trovano al di sotto di
una generica energia E

3
V 2mE 2
N = 2 2
3

e quindi la densit degli stati per unit di energia


3
V 2m 2
1
dN
(E) = = 2 2 E2
dE 2

Come noto, a temperature T > 0 la probabilit di occupazione di uno stato fermionico data
dalla funzione di Fermi

1
f (T) =
E
exp +1
kB T

dove il potenziale chimico. A E = la probabilit di occupazione 1/2 a ogni T. Allo zero


assoluto coincide con l'energia di Fermi. Infatti a T =0 f (T) una funzione gradino con la

discontinuit a . I grafici mostrano l'andamento di f (T) (curva rossa) a diverse temperature per una
energia di Fermi di 5 eV.


27

Per gli elettroni di un metallo in banda semipiena, la conducibilit si pu ancora calcolare con il
modello di Drude, solo che ora l'effetto del campo elettrico per un tempo t si pu vedere nello
spazio k: a spostarsi di una quantit k = eEt / l'intera sfera di Fermi, come mostra la Figura qui
sotto.

In condizioni stazionarie, quando gli elettroni fluiscono con una velocit di deriva
< v deriva >= eE /m, k = eE / . Nel modello quantistico resta valida lespressione della
conducibilit elettrica

ne 2
= ne =
m*


28


dove n ancora il numero totale di elettroni, ma ora = , con = cammino libero medio degli
vF
elettroni e v F = velocit di Fermi. Infatti gli elettroni che subiscono la diffusione (scattering) ad
opera delle impurezze del reticolo o delle vibrazioni reticolari (v. Parte 4) sono essenzialmente
quelli vicini alla superficie di Fermi.


I METALLI IN UN CAMPO MAGNETICO: LEFFETTO HALL

Leffetto Hall un potente mezzo per la misura diretta della densit n di portatori in un metallo.


E +++++++++++++++++++

e-
Ey

--------------------------------
Sezione orizzontale del campione

Un campo E diretto lungo x genera nel metallo una corrente j x . Un campo magnetico B diretto
lungo z . La forza risultante sugli elettroni

d 1 1
F = + k =
e E + v B
dt c

dove k lo spostamento della sfera di Fermi indotto dal campo. Nello stato stazionario, la velocit
di deriva


k 1
v = = e E + v B
m m c

Eseguendo il prodotto vettoriale si trova, lungo y,


e e e
vy =
m
Ey
mc
( v x B) = E y + cv x
m

eB
dove c = la frequenza di ciclotrone. La componente vy acquistata dagli elettroni carica
mc

negativamente la faccia anteriore e positivamente quella posteriore, come mostrato nella figura. Il
processo termina quando il campo Ey generato da questo doppio strato annulla la forza di Lorentz e
si ha vy = 0. Pertanto dall'ultima e penultima equazione si ricava

m
Ey = c v = cE x
e x
o anche


29

eB
Ey = E
mc x
Si definisce angolo di Hall il rapporto

Ey eB B
H = = = e
Ex mc c
dove e la mobilit egli elettroni, e costante di Hall il rapporto

Ey Ey 1
RH = = =
Bj x Bnee E x nec

Si vede dunque che dalla misura d ei campi e della densit di corrente si ottiene direttamente la
densit dei portatori (diversamente da quanto consente una misura di resistivit).
Nel Sistema Internazionale la costante di Hall si scrive invece

1
RH =
ne