Captulo 41:

Conduo de Eletricidade nos

Slidos
 Cap. 41:
Sumrio

Propriedades eltricas dos Slidos;

Nveis de Energia de um Slido Cristalino;
Isolantes;
Metais;
Semicondutores;
Semicondutores Dopados;
A Juno p-n;
O Diodo Retificador;
O Diodo Emissor de Luz (LED);
O Transistor;
 Cap. 41:
Propriedades Eltricas dos Slidos

Grandezas fsicas que permitem a classificao dos slidos, do ponto de

vista eltrico.

L
A resistividade: (.m) E J R
A

O coeficiente de temperatura da resistividade: (K-1)

1 d
0 0 (T T0 )
0 dT

A concentrao de portadores (m-1): Nmero de portadores de carga

por metro cbico
 Cap. 41:
Propriedades Eltricas dos Slidos
 Cap. 41:
Propriedades Eltricas dos Slidos

A figura (a) representa uma clula unitria de cobre denominada de Cbica de Faces
Centradas FCC (Face Centered Cubic). Em (B) temos a ilustrao da estrutura cristalina
do Slicio, uma estrutura cbica de faces centradas com mas quatro tomos nas
regies internas.
 Cap. 41:
Nvel de Energia em um Slido Cristalino
Dois tomos que esto separados por uma distncia
muito grande no interagem.
No caso do Cobre que possui 29 eltron por tomo,
a subcamada 4s compe a camada de valncia e
encontra-se parcialmente preenchida com 1 eltron.

Quando analisamos o comportamento de uma liga,

percebemos mudanas. Por exemplo, na figura (a), a
distncia de separao entre dois tomos de cobre
tal que permite uma sobreposio das funes de
onda dos tomos, se sendo assim no podemos
mais falar em tomos independentes. Teremos
ento um sistema de 2 tomos, cada um
contribuindo com 29 eltrons (Cobre).

Devido o princpio de excluso de Pauli, cada um

dos 58 eltrons deve ocupar estados qunticos
diferentes, e sendo assim, cada nvel de energia do
tomos isolado se desdobrar em 2 nveis.
 Cap. 41:
Nvel de Energia em um Slido Cristalino

Se ao invs de dois tomos, reunirmos um arranjo

peridico de N tomos, como no caso dos slidos
cristalinos, cada nvel de energia do tomo isolado
de cobre se desdobrar em N nveis, formando uma
banda de energia.

Para cada nvel de energia do tomo isolado

teremos uma banda de energia.

Para uma amostra de N = 1024 tomos, os nveis de

energia no interior da banda esto muito prximos,
e sendo assim, podemos considerar a banda
praticamente contnua.
 Cap. 41:
Isolantes

Nos Isolantes a Banda responsvel pela conduo est vazia, sendo que a energia
necessria para promover a transferncia de eltrons de uma banda para outra muito
grande. Para o diamante temos Eg = 5,5 eV, 140 vezes a energia trmica do eltrons a
temperatura ambiente.
 Cap. 41:
Isolantes

Exemplo 41 .1) pg. 281

Estime qual a probabilidade de um eltron que popula o ultimo nvel de energia da
ltima banda ocupada, sofra uma transio e passe a ocupar o primeiro nvel da primeira
banda de energia desocupada. Suponha que a temperatura seja ambiente e que o
material seja diamante com diferena de energia entre bandas Eg = 5,5 eV.

N x N 0e ( Ex E0 ) / kT

Ex E0 Eg 5,5eV 8,81J Eg
213
23 kT
k 1,38110 J /K
Nx
P e ( Ex E0 ) / kT 3 1093
N0
Cap. 41:
Metais

Para os condutores metlicos, o nvel de energia mais alto

est no meio de uma banda de energias permitida.
Quando aplicamos uma diferena de potencial, eltrons
so transferidos para estados de energias ligeiramente
mais altas, (cada estado corresponde a um tomo!),
produzindo uma corrente eltrica.

Convencionamos que o nvel mais baixo de energia da

banda de conduo possui energia potencial eltrica nula,
assim como energia cintica nula.

A Energia de Fermi define a energia do nvel mais alto de

energia ocupado por um eltron em temperatura de 0 K.
(Para o Cobre EF = 7,0 eV).

Portanto eltrons contidos na banda de conduo,

mesmo em 0 K, se movimentam com velocidade vF ~
1,6x106 m/s
Cap. 41:
Metais

Quantos eltrons possui a Banda de Conduo?

 Cap. 41:
Metais

Exemplo 41 .2) pg. 283

Quantos eltrons de conduo existem em um cubo de magnsio com volume de 2x10-6 m3?
Os tomos de magnsio so divalentes. Dados = 1,738x103 kg/m3, M = 24,312x10-3 Kg/mol .

Calcular o nmero de tomos:

m V
N 8,6110 22 tomos
M M
NA NA

Temos 2 eltrons por tomo:

n 2 N 8,611022 (2) 1,72 1023 eltrons

 Cap. 41:
Metais: A Densidade de Estados
Quantos estados qunticos existem, por unidade de volume, no intervalo de energia
entre E e E + dE?
N(E) dE o nmero de estados entre E e E+dE.
3
8 2m 2 1
N (E) E 2
h3
Densidade de Estados

m = me = 9,11x10-31 kg
No SI N(E) = [Estados/Jm3]

A Densidade de Estados cresce com a energia.

A funo N(E) apresenta apenas o nmero de estados disponveis. Estes estados

podem estar parcialmente preenchidos.
 Cap. 41:
Metais: A Densidade de Estados
Exemplo 41-3) pg. 284
a) Com base na figura abaixo, determine o nmero de estados por eV, na energia de E
= 7 eV, para uma amostra de 2x10-9 m3.

N estados/ eV N ( E )V

Do grfico: N (7eV ) 1,8 1028 eV 1m3

N estados/ eV 3,6 1019 eV 1

b) Determinar o nmero N de estados em um pequeno intervalo de energia E = 0,003

eV, com centro em 7 eV.

N estados N ( E )E (3,6 1019 )(0,003) 1,11017 estados

 Cap. 41:
Metais: A Probabilidade de Ocupao
Qual a Probabilidade de que um nvel de energia E esteja ocupado por um
eltron?

Na temperatura T = 0 K, todos estados abaixo de EF esto ocupados (P(E) = 1).

Acima de EF nenhum estado est ocupado (P(E) = 0).
Para uma temperatura T, a agitao trmica faz com que alguns poucos eltrons
sejam excitados para estados com energias ligeiramente maiores que EF . Para energia
igual a EF: P(EF) = 0,5.

1
Definio da Probabilidade de Ocupao P( E ) ( E EF )
e kT
1
 Cap. 41:
Metais: A Probabilidade de Ocupao
Exemplo 41-4) pg. 285
a) Qual a probabilidade de que um estado quntico com energia 0,1 eV maior que a
energia de Fermi esteja ocupado por um eltron? A temperatura da amostra de 800
K.
1 1
P( E ) ( E EF )
( 0,1)1, 61019
e kT
1 e 1, 381023 (800)
1
P( E ) 0,19
b) Qual a probabilidade de ocupao de um estado quntico com energia 0,1 eV
menor que a energia de Fermi?

1 1
P( E ) ( E EF )
( 0 ,1)1, 61019
e kT
1 e 1, 381023 (800)
1
P( E ) 0,81
 Cap. 41:
Metais: Densidade de Ocupao

N O ( E ) N ( E ) P( E ) NO(E) o nmero de estados ocupados por

metro cbico por unidade de energia (eV ou J).
Densidade de Estados Ocupados
 Cap. 41:
Metais: Densidade de Ocupao
Exemplo 41-5) pg. 286
Em uma amostra de cobre, cuja EF = 7 eV, quantos estados ocupados por eltron-volt
existe em um pequeno intervalo de energias nas vizinhanas de 7 eV?

N ( E ) 1,8 1028 estados /(eVm 3 )

1 1
P( EF ) ( EF EF )

e kT
1 2

NO ( E ) 0,9 1028 1 / eVm 3

Considerando o volume da amostra como V = 2x10-9 m3

NO ( E ) / eV 1,8 1019 eV 1
 Cap. 41:
Metais: Energia de Fermi
Considerando um Metal em T = 0 K, todos os estados estaro ocupados.
EF

n NO ( E )dE
Nmero de eltrons de conduo por
unidade de volume.
0

8 2m3 / 2 1/ 2
EF EF

n N ( E ) P( E )dE 3
E (1)dE
0 0
h
16 2m3 / 2 3 / 2
n 3
E
3h
A energia de Frmi:

2/3
3 h2n2 / 3
EF
16 2 m
 Cap. 41:
Metais: Energia de Fermi
41-17) pg. 300
A prata um metal monovalente. Calcular:
a) A concentrao de eltrons de conduo; b) A energia de Fermi; c) A velocidade de
Fermi; d) O comprimento de onda de Broglie para o item c. Dados: = 107.870 g/mol;
M = 10.49 g/cm3
a) A concentrao de eltrons de conduo.
10,49 103 28 3
n 5, 28 10 m
M / N A 0,10787 / 6,02 10 23

b) A energia de Fermi.
2/3
3 h2n2 / 3
EF 8.80 10-19 J 5.49eV
16 2 me
c) A velocidade de Fermi. d) O comprimento de onda de Broglie para
2
o item c.
mv
EF e F h
2 me vF 5,22 1010 m

vF 1,39 106 m / s
 Cap. 41:
Semicondutores
Egisolante >> Egsemicondutor
Isolante T=0 Semicondutor T=0
E E

Eg Banda de Conduo
EF
Eg EF

Banda de Valncia

Nos semicondutores a variao de energia E entre a energia da banda de valncia e da

banda de conduo pequena, fazendo com que eltrons sejam promovidos da banda de
valncia para a banda de conduo por meio da agitao trmica. A conduo ocorre tanto
nos buracos da banda de Valncia assim como por meio dos eltrons promovidos para a
banda de conduo.
 Cap. 41:
Semicondutores

Nos semicondutores o coeficiente de temperatura da resistividade, , negativo, ou

seja, a resistividade aumenta com a diminuio da temperatura (a resistividade
aumenta com T nos metais).
1 d

dT
A densidade de portadores de carga que participam da conduo muito maior nos
condutores que nos semicondutores. Dessa forma a resistividade nos semicondutores
principalmente afetada pela pelo nmero de eltrons de conduo que diminui
com T. A agitao trmica desempenha papel secundrio no comportamento da
resistividade nos semicondutores.
 Cap. 41:
Semicondutores
Silcio Puro:

1s 2
2s 2 2 p 6
3s 2 3 p 2 Banda de Valncia

Quatro eltrons na banda de valncia, formando

ligaes covalentes com os tomos vizinhos (Regra
do Octeto).

Ligao covalente aquela na qual dois tomos compartilham eltrons.

Para que um eltron participe do processo de conduo, deve ser fornecido a ele
uma energia mnima Eg, para que possa ser promovido da banda de valncia para a
banda de conduo.
 Cap. 41:
Semicondutores Dopados: Tipo n

Silcio Dopado com Fsforo

Um tomo de Silcio, com valncia 4 foi substitudo
por um tomo de Fsforo, com valncia 5.

Esse quinto eltrons fica fracamente ligado ao

ncleo de fsforo, com energia Ed muito prxima da
energia da banda de conduo.
Esse quinto eltron do dopante necessita de menos
energia para ser promovido para a banda de conduo
que um eltron da banda de valncia do silcio.
Nesta situao, o elemento dopante conhecido
como tomo doador, j que pode doar eltrons para a
banda de conduo.
Nos semicondutores do tipo n os portadores de
cargas so negativos, (eltrons existentes + eltrons
dos tomos doadores) mais nmeros que os buracos
na banda de conduo.
 Cap. 41:
Semicondutores Dopados: Tipo p

Silcio Dopado com Alumnio

Um tomo de Silcio, com valncia 4 foi substitudo
por um tomo de Alumnio, com valncia 3.
Nesse processo de dopagem, o alumnio gera novos
estados com energia Ea muito prximos da banda de
valncia que podem acomodar eltrons, aumentando
o nmero de buracos na banda de valncia.
Esse buraco pode ser facilmente preenchido por um
eltron de uma ligao covalente proveniente de um
tomo vizinho.

Nesta situao, o elemento dopante conhecido

como tomo aceitador, j que pode aceitar eltrons
de ligaes covalentes.
Nos semicondutores do tipo p a conduo ocorre
devido aos buracos na banda de valncia (positivos),
vinculados aos tomos dopantes.
 Cap. 41:
Semicondutores Dopados: Tipo n e p
 Cap. 41:
Semicondutores Dopados: Tipo n e p
Exemplo 41 .6) pg. 291
A concentrao n0 de eltrons de conduo no silcio puro temperatura ambiente
aproximadamente 1016 m-3. Supomos que ao doparmos o silcio com fsforo, estejamos
interessados em multiplicar esse nmero por 106. Que frao dos tomos de silcio devemos
substituir por tomos de fsforo? ( temperatura ambiente a agitao trmica suficiente
para transferir todos os eltrons a mais dos tomos doadores para a banda de conduo).
Concentrao de tomos de Fsforo:

106 n0 n0 n p n p 106 n0 n0 106 n0 1022 m3

Concentrao de tomos de Silcio:
2330kg / m3
m V N Si
N Si nSi M 0,0281kg / mol
M / NA M / NA V M / NA
N A 6,02 10 23 mol 1
nSi 5 1028 m3

nSi 5 10 28 Devemos adicionar 1 tomo de Fsforo para cada 5x106

5 10 6
tomos de Silcio.
np 10 22
 Cap. 41:
Semicondutores: Juno p-n

Quando uma juno entre dois tipos de semicondutores feita, eltrons do lado n
se difundiro nas vizinhanas da juno do lado p (que por consequncia geram
buracos no lado n). Essa difuso gera uma corrente eltrica Idif, que balanceada por
uma diferena de potencial, V0, devido s cargas associadas aos ncleos atmicos. A
diferena de potencial V0, est associada corrente de deriva, Ider.
Em uma juno no polarizada, a corrente Idif igual a corrente Ider.
Em uma juno real, os limites da zona de depleo (difuso de eltrons e buracos
nas proximidades da juno) no so bem definidos, de modo que a curva de
potencial torna-se mais suave que a apresentada acima.
 Cap. 41:
Semicondutores: Diodo Retificador

Polarizao direta:
A diferena de potencial aumenta a corrente de
difuso (eltrons do Lado n fluindo para o lado p).
Como consequncia, surge uma corrente direta ID.
Polarizao invesa:
A diferena de potencial diminui a corrente de
difuso, aumenta a zona de depleo. Como
consequncia surge uma pequena corrente inversa, II.
 Cap. 41:
Semicondutores: Diodo Retificador

O uso de um diodo retificador em um

circuito de corrente alternada permite a
passagem da corrente em apenas um dos
sentidos! (sentido direto de polarizao).
 Cap. 41:
Semicondutores: LED

Um Diodo Emissor de Luz, LED (Light Emitting Diode), consiste em uma juno p-n
polarizada diretamente. A polarizao direta aumenta o nmero de Eltrons (lado n) e
buracos (lado p), de forma que os eltrons da banda de conduo presentes no lado n
decaem em nveis de energias mais baixos (buracos na banda de valncia) emitindo
ftons de comprimentos de onda proporcionais a variao de energia entre as bandas
de valncia e conduo.
hc E
g
 Cap. 41:
Semicondutores

Fotodiodo
Da mesma forma como um LED pode emitir luz por meio de uma corrente eltrica
no sentido de polarizao, a absoro de ftons com energia igual a Eg gera uma
corrente eltrica entre os semicondutores do tipo n e p.

Laser Semicondutor
Em uma juno do tipo p n, fortemente polarizada no sentido direto, muitos
eltrons so excitados para a banda de conduo no lado n, enquanto que muitos
buracos so gerados no lado p. Essa situao corresponde a uma inverso de
populao, condio necessria mas no suficiente para que o dispositivo funcione
como laser. Quando um eltron da banda de conduo decai para a banda de valncia
ocorre a emisso de um fton. Este fton pode estimular um segundo eltron a passar
para a banda de valncia, produzindo um segundo fton por emisso estimulada.
Se a corrente na juno for suficientemente elevada, e se as faces da juno forem
planas e paralelas (permitindo varias reflexes dos ftons na zona de depleo), o
dispositivo se comportar como um laser.
 Cap. 41:
Semicondutores: Transistor

Um transistor um dispositivo semicondutor com trs terminais, utilizado para

amplificar sinais eltricos.

Esquemas de funcionamento de um transistor do tipo MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-

Field-Effect Transistor).

A corrente eltrica IDF que atravessa o dispositivo pode ser controlada por meio da
diferena de potencial VPF, aumentando ou diminuindo o nmero de eltrons
disponveis para a conduo no canal.
 Captulo 41:
Semicondutores

Exemplo 41-7) pg. 296

Um LED apresenta uma variao de 1,9 eV entre os nveis de energia mais elevados da
banda de valncia e os nveis mais baixos da banda de conduo. Qual o comprimento
de onda da luz emitida?

hc E
g

650nm
 Captulo 41:
Conduo de Eletricidade nos
Slidos
Lista de Exerccios

5, 9, 13, 16, 17, 18, 21, 25, 29, 33, 35,

37, 39, 41, 42, 44, 47.