INFORME

CIRCUITOS ELECTRONICOS II

TRANSISTOR EN ALTA
FRECUENCIA

I. INTRODUCCION
Hemos visto que el comportamiento en baja frecuencia del circuito con transistores est determinado
por los condensadores externos que son utilizados para acoplar y desacoplar el emisor.

Consideramos los transistores de las siguientes figuras:

Cuando el colector est polarizado negativamente con respecto a la base. Los electrones de la base y
los huecos del colector se separan de la unin base-colector, formndose una regin de
empobrecimiento. La longitud efectiva l de la regio de empobrecimiento se hace cada vez ms grande
cuando aumenta la tensin inversa. Como los electrones y los huecos se han separado de la unin, la
regin de empobrecimiento de la base llega a cargarse positivamente y la de colector negativamente.
Cb ' c
Por tanto, la unin se comporta como un condensador cuya capacidad varia inversamente a la
VCB
potencia de exponente 1/2 1/3 de . Esta capacidad es pequea y vara desde 30 pF en los
transistores de baja potencia hasta menos de 1 pF en los transistores de alta frecuencia.

Adems, existe una capacidad de difusin en la unin base-emisor que es el retarde del tiempo que
ocurre cuando un hueco se mueve desde el emisor al colector por difusin a travs de la base.
vi
Consideramos un hueco que se mueve a travs de la base debido a la seal . Si se invierte la seal
antes que el hueco cruce la regin de base, el hueco tender a volver al emisor y el colector no
registrara este cambio de la corriente. Por lo tanto, el tiempo para cruzar la base ser pequeo

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comparado con el periodo de la seal. Cuando la frecuencia aumenta, la corriente de colector se

disminuye debido a que algunas cargas son atrapadas en la base, es el mismo efecto de un
Cb ' e
condensador localizado . Esta capacidad depende del nmero de cargas en la regin y aumenta
I EQ Cb ' e Cb 'c
linealmente con la corriente esttica del emisor . Usualmente es mucho mayor que .
Los valores estn entre 50 y 5000 pF.

II. CIRCUITO HIBRIDO EN PI EQUIVALENTE

B'
El modelo de transistor a alta frecuencia ms til es el llamado hibrido en pi, El smbolo
representa la unin de base y B representa el terminal de base. Entre ellos la resistencia de
rbb '
base , que usualmente se considera constante en el margen de 10 a 50 , pero los
rbb '
transistores a alta frecuencia tienen una ms pequea (debido a su anchura de base). La
rb ' e 0, 025h fe / I EQ
resistencia es la resistencia de la unin base emisor ( a temperatura
ambiente).

0, 025h fe
hie rbb ' rb ' e rbb '
I EQ
T = 300 K

1/ hoe
La impedancia de salida suele ser despreciada en altas frecuencias porque
RL
generalmente es mucho mayor que la impedancia de carga externa .
Frecuencia de corte. El efecto de los condensadores en altas frecuencias suele darse en
, f vce 0
trminos de frecuencia de corte . Sea , entonces el modelo hibrido se reduce a
la forma representada en la siguiente figura.
En este la ganancia de corriente en cortocircuito caer 3 dB en una frecuencia.

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1 1
f
2 rb ' e (Cb 'e Cb ' c ) 2 rb ' eCb ' e

La ganancia de corriente de cortocircuito del amplificador ideal representado en la figura es

io h fe

ii 1 j /

fT
El lmite superior de frecuencia de un transistor se define en trminos de en el que la
ganancia de corriente es la unidad.

f fT f h 2 fe 1 f h fe

fT
La frecuencia suele denominarse producto ganancia-ancho de banda del amplificador.
Si consideramos la configuracin en base comn a frecuencias medias y luego incluimos la
capacidad base-emisor y la capacidad colector-base, se obtiene un modelo de alta
frecuencia.
La ganancia de corriente de cortocircuito es:

isc h fb
Ai
ii 1 j / h fe vcb 0
,

f
Y el ancho de banda de 3 dB de este amplificador se designa por

f h fe f

f f T
Comparando se observa que . Realmente este resultado no es correcto porque el
fT
circuito no es vlido en . Se puede demostrar que la frecuencia de corte es:

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f (1 ) fT (1 )h fe f

Donde est comprendido entre 0,2 y 1. Un valor tpico es 0,4.

vb ' e
Cuando se utiliza el circuito equivalente suele ser ms fcil la tensin que la corriente
ib rb ' e h fe ib
que circula por . La fuente de salida se puede transformar en una de corriente
g m vb ' e
controlada por tensin donde:

vb ' e
h fe ib h fe g m vb 'e
rb ' e

h fe I EQ
gm rb ' e
40 I EQ
0, 025
en T = 300K

gm 1/ hib
Observamos que es aproximadamente igual a . A fin de emplear notaciones
iguales para el transistor y el FET.

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EJEMPLO:
Las especificaciones del fabricante para un transistor de silicio 2N3647 son, en
I CQ 150mA VCEQ 1V
, :

fT 350MHz h fe 150 hoe 0,1mS Cob 4 F

De estos datos, deducir los valores de los componentes en el circuito equivalente de alta
I CQ 300mA
frecuencia si el transistor funciona con

SOLUCION:

h fe 150
rb ' e 12,5
40 I CQ (40)(300)(103 )

rbb '
Como no se da , le damos un valor de 10

h fe 150 g m (40)(0,3) 12 S hoe 0, 2mS

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gm 12
Cb ' e 5450 F
T 2 (350)(106 ) Cb ' c Cob 4 F