Anda di halaman 1dari 10

PAPER PENGANTAR FISIKA ZAT PADAT

BAB VI
SEMIKONDUKTOR

Disusun oleh :
Taufan Padmo W (140310100017)
Didi Sapdiana (140310100019)
Siti Masitoh (140310100033)

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS PADJADJARAN
2013
A. Band Gap pada Bahan Semikonduktor
Definisi 1 : Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis () antara konduktor dan
isolator yakni sebesar 10-6s.d. 104ohm.m
Definisi 2 : Bahan yang memiliki pita terlarang (forbidden band) atau energy gap
(Eg) yang relatif kecil kira-kira sebesar 1 eV. [1]
Atom-atom bahan semi konduktor membentuk kristal dengan struktur tetrahedral,
dengan ikatan kovalen. Bahan semi konduktor yang banyak dipakai dalam elektkronika
adalah silikon (Si) dan Germanium (Ge). Pada 0K SI mempunyai lebar pita terlarang
(energy gap) 0,785 eV, sedang untuk Ge 1,21 eV. [2]
Pita energi adalah kumpulan garis pada tingkat energi yang sama akan
saling berimpit. Berdasarkan pengisian elektron, pita energi dapat dibedakan menjadai dua
jenis, yaitu pita valensi dan pita konduksi. Pita valensi adalah pita energi teratas yang
terisi penuh oleh elektron, sedangkan pita konduksi adalah pita energi yang berada di atas
pita valensi yang terisi oleh sebagian atau tidak terisi sama sekali oleh elektron. Pada
umumnya diantara pita valensi dan pita konduksi terdapat suatu celah yang disebut dengan
celah energi (hole). Energi celah pita atau yang sering juga disebut dengan Energi gap (Eg)
dapat dihitung dengan persamaan :
Eg = hv
dimana h adalah konstanta Planck.

Gambar. 1 Tingkat energi (a) pada atom tunggal dan (b) pita energi pada Kristal.

Penentuan pita energi secara rinci dibahas dalam fisika kuantum, namun secara
sederhana, akan ditunjukan sebagai contoh penentuan struktur pita energi pada bahan
padat kristal. Pada gambar 2 dibawah ini dapat dilihat ilustrasi pita energi untuk
Kristal semikonduktor. pada keadaan kesetimbangan (equilibrium), pita energi terbagi
menjadi dua bagian dan dipisahkan oleh daerah dimana elektron tidak bisa bergerak
atau beroperasi, daerah ini disebut daerah terlarang (forbidden gap atau band gap). Pita
atas dinamakan pita konduksi, dan pita bagian bawah dinamakan pita valensi. [3]

Gambar. 2 Perbandingan pita energi pada bahan konduktor, semikonduktor dan isolator

Ikatan pada bahan-bahan Semikonduktor :


TRIVALENT: logam-logam yang memiliki atom-atom dengan jumlah elektron
terluar3 buah seperti Boron (B), Gallium (Ga), dan Indium (In)
TETRAVALENT: logam-logam yang memiliki atom-atom dengan jumlah elektron
terluar 4 buah seperti Silikon (Si) dan Germanium (Ge).
PENTAVALENT: logam-logam yang memiliki atom-atom dengan jumlah elektron
terluar 5 buah seperti Fosfor (P), Arsenikum (As), dan Antimon (Sb)
Si maupun Ge mempunyai elektron valensi 4. Ada 2 jenis bahan semikonduktor
yaitu semikonduktor intrinsik (murni) dan semi konduktor ekstrinsik (tidak murni). Untuk
semikonduktor ekstrinsik ada 2 tipe yaitu tipa P (donor) dan tipe N (akseptor)
Semikonduktor instrinsik (murni) adalah semi konduktor yang tidak ataupun belum
terkotori oleh atom-atom asing. [1]
Gambar. 3 visualisasi ikatan pada semikonduktor murni (Si)
Dimensi Struktur kristal Si : pengulangan secara teratur satuan sel 3 dimensi berbentuk
tetrahedral.
Semikonduktor intrinsik pada suhu yang sangat rendah :
- Semua elektron berada pada ikatan kovalen
- Tidak ada elektron bebas atau tidak ada pembawa muatan sehingga bersifat sebagai
isolator.
Semikonduktor intrinsik pada suhu kamar :
- Agitasi termal menyebabkan beberapa elektron valensi keluar dari ikatan kovalen
menjadi elektron bebas sebagai pembawa muatan negatif
- Munculnya elektron bebas diikuti dengan terbentuknya hole (lubang) sebagai
pembawa muatan positif, peristiwanya disebut pembangkitan (generation)
- Jika dipasang beda potensial, terjadi aliran arus (sebagai konduktor dengan
konduktansi rendah).[1]

Gambar. 4 Pengaruh temperatur pada semikonduktor


Pada 0K pita valensi penuh, pita konduksi kosong sehingga bersifat sebagai isolator.
Pada suhu yang lebih tinggi misal pada suhu kamar ada elektron pada pita valensi yang
energinya melebihi energi gap sehingga dapat meloncat dari pita valensi ke pita konduksi
menjadi elektron bebas dengan meninggalkan kekosongan pada pita valensi. Kekosongan
ini disebut hole (lubang) dan dianggap bermuatan positif sebesar muatan elektron. Pada
suhu agak tinggi bersifat sebagai konduktor karena adanya pembentukan pasangan-
pasangan eletron bebas hole yang keduanya berlaku sebagai pembawa ikatan.[2]

B. Proses Transport dalam Bahan Semikonduktor


Dalam semikonduktor intrinsik dikenal dengan adanya arus drift, yang
menyatakan Peristiwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat adanya dua
partikel masing-masing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan arah yang
berlawanan akibat adanya pengaruh medan listrik.
Akibat adanya dua pembawa muatan tersebut, besarnya rapat arus dinyatakan
sebagai:

J npqn p ,

dimana n dan p = konnsentrasi elektron dan lubang (m-3)


n dan p = mobilitas elektron dan lubang (m2 V-1 s-1)

n p q n p = konduktivitas (S cm-1)
Karena timbulnya lubang dan elektron terjadi secara serentak, maka pada
semikonduktor murni, jumlah lubang sama dengan jumlah elektron atau dituliskan sebagai
i n p n, dimana i n disebut sebagai konsentrasi intrinsik.
Yang apabila kita turunkan lagi akan mendapatkan

Dan kita juga dapat mendapatkan persamaan


Jadi dari persamaan di atas dapat diartikan massa elektron dan hole bila sama untuk
semikonduktor intrinsik, posisi energi Fermi tepat berada di tengah-tengah anatara ujung-
ujung pita valensi dan konduksi atau berada di tengah-tengah celah energi. [4]

Ketika diberi potensial : adanya sedikit tempat kosong pada pita valensi
memungkinkan elektron-elektron pada pita valensi untuk bergerak meskipun tidak
sebebas gerakan elektron-elektron pada pita konduksi. Dapat bergeraknya elektron pada
pita konduksi dan pita valensi memungkinkan semikonduktor menghantarkan arus listrik
pada temperatur ruang.[5]

Pembawa Muatan Pada Semikonduktor Intrinsik :

Gambar. 5 Proses Rekombinasi elektron dan hole

Jumlah elektron pada pita konduksi walaupun dapat bergerak bebas tetapi jumlahnya
sangat sedikit akibatnya daya hantar listrik semikonduktor intrinsik selalu lebih rendah
dibanding daya hantar listrik logam. Semikonduktor intrinsik atau semikonduktor tipe-i
merupakan semikonduktor murni dimana pada kondisi kesetimbangan termal kerapatan
atau jumlah lubang (hole) pada pita valensi dan kerapatan atau jumlah elwktron pada pita
konduksi adalah sama. Pada waktu terjadi hantaran listrik pada semikonduktor dapat
dianggap terjadi migrasi elektron menuju kutub positif dan migrasi hole menuju kutub
negatif.[5]
Eksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi disebabkan pula oleh energi foton dari
sinar yang mengenai permukaan semikonduktor. Dapatnya elektron-elektron tereksitasi
dari pita valensi ke pita konduksi akibat energi foton yang mengenai permukaan
semikonduktor memungkinkan semikonduktor digunakan untuk membuat foto sel (photo
cell) misalnya fotosel CdS.[5]
Karena temperatur dapat menambah jumlah elektron yang tereksitasi dari pita vaensi
ke pita konduksi sehingga daya hantar listrik semikonduktor bertambah besar. Banyaknya
elektron yang tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi dapat diperkirakan berdasarkan
distribusi Boltzmann.[5]

C. Tipe tipe Semikonduktor Ekstrinsik


Semikonduktor dapat dibedakan berdasarkan penggolongan sebagai berikut :

Semi konduktor ekstrinsik adalah semikonduktor instrinsik yang mendapat pengotoran


(doping) atom atom asing. [2]
Tujuan doping : meningkatkan konduktivitas semikonduktor, dan memperoleh
semikonduktor dengan hanya satu pembawa muatan (elektron atau hole) saja.[1]
Konsentrasi pengotoran ini sangat kecil, dengan perbandingan atom pengotor (asing)
dengan atom asli berkisar antara 1 : 100 juta sampai dengan 1 : 1 juta.[2]
Dopant adalah atom pengotor. Atom-atom dopant pada semikonduktor tipe-N adalah atom-
atom pentavalent dan dinamakan atom donor, sedangkan pada semikonduktor tipe-P
trivalent dan dinamakan atom akseptor. [2]

Semikonduktor Tipe Donor (tipe-N)


Semikonduktor tipe N ialah semikonduktor eksintrik, yang diperoleh dari
semikonduktor intrinsik yang dikotori dengan atom asing yang bervalensi 5 seperti
As, Pb, P. Karena perbandingan atom pengotor dengan atom asli sangat kecil, maka
setiap atom pengotor (asing) dikelilingi oleh atom-atom asli. Elektron valensi yang
ke 5 dari atom pengotor tidak terikat dalam ikatan kovalen sehingga menjadi
elektron bebas. Dengan demikian pada bahan ini jumlah elektron bebas akan
meningkat sesuai jumlahatom pengotornya sehingga elektron bebas menjadi
pembawa muatan mayoritas dan hole (yang terbentuk akibat suhu) menjadi pembawa
muatan minoritas. Karena pembawa muatan mayoritasnya adalah elektron bebas,
sedang elektron bebas bermuatan negatif, maka semikonduktor yang terbentuk diberi
nama semi konduktor tipe N. dalam hal ini N kependekan dari kata Negatif, yakni
jenis muatan mayoritasnya. Jadi tidak berarti bahwa semikonduktor ini bermuatan
negatif. Semikonduktor ini tetap netral.
Karena atom pengotor memberikan kelebihan elektron-elektron dalam ikatan
kovalen, maka disebut donor (atom donor). Setelah donor memberikan kelebihan
elektronnya, maka akan menjadi ion positif. [2]

Gambar. 6 Semikonduktor tipe-N (donor) dan energinya

Elektron bebas sebagian besar terjadi karena doping, dan sebagian kecil lainnya
bersama hole karena generation akibat agitasi termal. Elektron bebas menjadi
pembawa muatan mayoritas dan hole sebagai pembawa muatan minoritas.[1]
Semikonduktor Tipe Akseptor (tipe-P)
Semikonduktor ini diperoleh dari semikonduktor intrinsik yang dikotori
dengan atom asing yang bervalensi 3, misalnya Al, atau Ga. Karena perbandingan
atom pengotor dengan atom asli sangat kecil, maka setiap atom pengotor hanya
bervalensi 3 maka hanya menyediakan 3 elektron dalam ikatan kovalen, sehingga
ada kekurangan (kekosongan = lubang = hole). Dengan demikian pengotoran ini
menyebabkan meningkatnya jumlah hole atau dengan kata lain hole sebagai
pembawa muatan mayoritas. Sedang pembawa muatan moniritasnya adalah elektron
bebas yang terbentuk adalah elektron bebas yang terbentuk akibat suhu. Karena
pembawa muatan mayoritasnya hole, sedang hole bermuatan positif maka
semikonduktor yang terbentuk disebut semikonduktor tipe P. dalam hal ini P
kependekan dari kata positif, yakni jenis muatan mayoritasnya. Jadi bukan berarti
semikonduktor ini bermuatan positif, tetapi semikonduktor ini tetap netral, seperti
halnya semikonduktor tipe N. karena atom pengotor menyediakan kekurangan, maka
disebut aseptor (atom aseptor). Hole mudah diisi oleh elektron dan elektron yang
mengisi meninggalkan hole baru dan seterusnya sehingga ada gerakan hole. Setelah
hole diisi oleh elektron, aseptor akan menjadi ion negatif.[2]

Gambar. 6 Semikonduktor tipe-P (akseptor) dan energinya

Hole sebagian besar terjadi karena doping, dan sebagian kecil lainnya bersama
electron bebas karena generation akibat agitasi termal. Hole menjadi pembawa
muatan mayoritas dan electron bebas sebagai pembawa muatan minoritas.[1]
DAFTAR PUSTAKA

1) 5 semikonduktor. pdf http://blog.unsri.ac.id/userfiles/5%20-


%20Semikonduktor.pdf diakses pada 22 April 2013
2) bahan semikonduktor pdf diakses pada 22 April 2013
3) http://blog.umy.ac.id/clasiccboy/2012/04/23/semikonduktor/ diakses pada 22 April
2013
4) http://www.scribd.com/doc/92414554/SEMIKONDUKTOR diakses pada 22 April
2013
5) http://wanibesak.wordpress.com/tag/semikonduktor-tipe-n/ diakses pada 22 April
2013