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3UREOHPD

D En el circuito amplificador de la figura, calcular la impedancia de entrada ZIN y la


ganancia de tensin AV=VO/VS expresada en dB, teniendo en cuenta que E=50.
E Si la amplitud mxima de la seal vbe es de 5mV, cul es el valor mximo de seal
aplicable a la entrada del amplificador?. Cul es el correspondiente valor de seal
a la salida del amplificador?.

V CC= 5 V

R E= 3 .3 k:
f
vo
R S = 1 0 0 k: io
R L = 1 k:

ii

vS +
-

V EE= - 5 V

3UREOHPD
D En el circuito amplificador de la figura, la fuente de seal vS se acopla directamente

de la corriente de emisor en continua IE, teniendo en cuenta que E=120.


a la base del transistor. Si la componente de continua de vS es cero, hallar el valor

E Calcular la impedancia de entrada ZIN y la impedancia de salida ZOUT, as como la


ganancia de tensin AV=VO/VS, expresada en dB.
9&& 9

56 N:

f
YR

Y6
5( N: 5/ N:
+
-

9(( 9
3UREOHPD
En el circuito amplificador de la figura, el transistor bipolar utilizado tiene un valor de E
comprendido en el rango 20 d E d 200. Calcular, para los valores extremos de E (E=20
y E=200):
D El valor de IE, VE y VB.
E La impedancia de entrada ZIN.
F La ganancia de tensin AV=VO/VS, expresada en dB.
V CC= 9 V

R B= 1 0 0 k:

R S = 1 0 k: f
vo

vS 
- R E= 1 k: R L = 1 k:

3UREOHPD

D Ganancias de tensin AV1=VO/VI y AV2=VO/VS, expresadas en dB.


En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condicin de pequea seal:

E Impedancia de entrada ZIN.


F Ganancia de corriente AI=IO/II, expresadas en dB.
G Impedancia de salida ZOUT.

RL=33k:, siendo la E del transistor bipolar utilizado de valor 222.


Considerar que VCC=12V, RB1=150k:, RB2=39k:, RE=1k:, RC=2.7k:, RS=600: y

V CC= 1 2 V

RC
f
io
R B2
vo

RL

f
RS


+

f R B1 RE
ii
vS
vi -


3UREOHPD
En el amplificador de la figura, calcular la impedancia de entrada ZIN y la impedancia

AV=VO/VS expresadas en dB, teniendo en cuenta que la E del transistor bipolar utilizado
de salida ZOUT, as como la ganancia de corriente AI=IO/II y la ganancia de tensin

es 100. Explicar el porqu del valor de ganancia de tensin AV obtenido, y cmo se


podra aumentar.
9&& 9

5% N:
Z out
56 :
f

LR
LL f
YR
Z in

Y6 
- 5% N: 5( N: 5/ :

3UREOHPD

D Ganancia de tensin AV=VO/VS, expresada en dB.


En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condicin de pequea seal:

E Impedancia de entrada ZIN.


F Ganancia de corriente AI=IO/II, expresada en dB.
G Impedancia de salida ZOUT.

RS=100: y RL=1k:, siendo la E del transistor bipolar utilizado 330.


Considerar que VCC=12V, RB1=115k:, RB2=27k:, RC=1.8k:, RE1=22:, RE2=470:,

V CC= 1 2 V

RC
f
io
R B1
vo

f
RS
RL

ii

R E1
+
vS R B2
-

f
R E2


3UREOHPD
Disear un amplificador de una nica etapa que cumpla las siguientes

c Impedancia de entrada ZIN=25k:.


especificaciones:

d Impedancia de salida ZOUT=600:.


e Mdulo de la ganancia de tensin en circuito abierto AV0=13.98dB.
f Margen dinmico, sobre una carga RL=600:, de 3Vp (limitado por el corte del
transistor).

E=330.
En el diseo del amplificador se utilizar VCC=14V y un transistor bipolar NPN de

3UREOHPD
En el circuito amplificador de la figura, calcular el punto de trabajo de cada transistor,

cuenta que en ambos transistores E=100, VBE=0.7 e IB |0.


la ganancia de tensin AV=VO/VS expresada en dB, y el margen dinmico, teniendo en

V CC = 9 V

R C2 = 1 .3 k:
R C1 = 2 .2 k: f
vo

R S= 2 0 0 :
f Q2
Q1

R E1 = 1 .8 k :
ii


vS
-
f

R E2 = 6 0 0 :

3UREOHPD
Hallar el circuito equivalente del amplificador de la figura.
V &&

5&
LR
5 f YR

56
f 5/

LL
f
+

 YL
Y6 5 5( f