Anda di halaman 1dari 15

UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS


(Universidad del Per, Decana de Amrica)

FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELECTRCA

CONFIGURACIN DARLINGTON

Curso : Laboratorio de circuitos electrnicos 2

Profesor : Gernimo Huamn, Celso

Alumno : Lpez Paniora, Pedro Daniel 12190188

2015
CONFIGURACIN DARLINGTON

1. Materiales
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

- Resistencia.
- Transistor 2N2222
- fuente DC.
- Conectores.
- Protoboard.
- Condensadores electroliticos
- Multmetro.

RESISTENCIA
Oposicin que presenta un material al ser atravesado por una
corriente elctrica.

TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de
transfer resistor ("resistencia de transferencia").

CONECTORES
Conectores comunes de entrada cocodrilo- cocodrilo los cuales
permiten la conexin entre los diferentes elementos del circuito.

PROTOBOARD
Es una placa de uso genrico reutilizable o semi
permanente, usado para construir prototipos de circuitos
electrnicos con o sin soldadura. Normalmente se utilizan
para la realizacin de pruebas experimentales.

FUENTE DC

Una fuente de alimentacin es un dispositivo que


convierte las tensiones alternas de la red de suministro, en
una o varias tensiones, prcticamente continuas, que
alimentan los distintos circuitos del aparato electrnico

MULTIMETRO

Un multmetro, tambin denominado polmetro,


tester o multitester, es un instrumento elctrico porttil
para medir directamente magnitudes elctricas activas
como corriente y potenciales (tensiones). Las medidas
pueden realizarse para corriente continua o alterna y en

FIEE - UNMSM 2
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

varios mrgenes de medida cada una

CONDENSADOR ELECTROLITICO

Un condensador (en ingls, capacitor, nombre por el cual se le conoce


frecuentemente en el mbito de la electrnica y otras ramas de la fsica
aplicada), es un dispositivo pasivo, utilizado en electricidad y electrnica,
capaz de almacenar energa sustentando un campo elctrico.

2. Objetivos

- Determinar las caractersticas de operacin de un amplificador de corriente.

- Poder comprender el uso de la configuracin Darlington.

3. Marco terico

Transistor Darlington

Estructura interna, configuracin de patillas, ganancia de corriente

El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de
corriente.

Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Ver la
figura.

El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.

La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es: IE= x IB (Corriente de colector es igual a


beta por la corriente de base).

Entonces analizando el grfico:

FIEE - UNMSM 3
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1)) se obtiene la ecuacin
final de ganancia del transistor Darlington.

Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un
transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. (la ganancias se
multiplican).

Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 ( = 100) conectados como un transistor
Darlington y se utilizara la frmula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x 1 = 100 x 100 =
10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor.

Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con


corrientes muy pequeas.

Muy importante:
La cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios que resulta
de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y
base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).

Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de
corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales

FIEE - UNMSM 4
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los


transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior.
Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah
que pueda convertirse fcilmente en inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la
suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de
un transistor o par Darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. La
intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.

Si 1 y 2son suficientemente grandes, se da que:

Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de tensin. Ya que hay


dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor
equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:

Para la tecnologa basada en silicio, en la que cada V BEi es de aproximadamente 0,65


V cuando el dispositivo est funcionando en la regin activa o saturada, la tensin
base-emisor necesaria de la pareja es de 1,4 V.

Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensin de saturacin. El


transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unin base-colector debe
permanecer polarizada en inversa), ya que su tensin colector-emisor es ahora igual a
la suma de su propia tensin base-emisor y la tensin colector-emisor del primer
transistor, ambas positivas en condiciones de funcionamiento normal. (En
ecuaciones, , as siempre.) Por lo tanto,
la tensin de saturacin de un transistor Darlington es un V BE (alrededor de 0,65 V en
silicio) ms alto que la tensin de saturacin de un solo transistor, que es
normalmente 0,1 - 0,2 V en el silicio. Para corrientes de colector iguales, este
inconveniente se traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor
Darlington comparado con un nico transistor.

Otro problema es la reduccin de la velocidad de conmutacin, ya que el primer


transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda, haciendo
al dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo transistor suele tener
una resistencia de cientos de ohmios conectada entre su base y emisor. Esta
resistencia permite una va de descarga de baja impedancia para la carga acumulada
en la unin base-emisor, permitiendo un rpido apagado .

Algunas aplicaciones

En la interfase para conectar la EVM con cualquier equipo de radio, la interfase consta de
dos integrados Darlington ULN2803 que sirven para incrementar la intensidad de las
seales TTL que les llegan, y otros elementos ms.
Cuando se quiere controlar un motor o un rel, necesitas emplear un dispositivo que sea
capaz de suministrar esta corriente. Este dispositivo puede ser un circuito Darlington

FIEE - UNMSM 5
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

Para alimentar una carga como un pequeo motor de corriente continua.


Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide impulsada y luces
intermitentes en las mquinas de pinball electromecnico. Una seal de la lgica de unos
pocos miliamperios de un microprocesador, amplificada por un transistor de Darlington,
fcilmente cambia un amperio o ms a 50 V en una escala de tiempo medido en
milisegundos, segn sea necesario para el accionamiento de un solenoide o una lmpara
de tungsteno
En resumen se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeas.
Algunos cdigos de circuitos integrados con configuracin Darlington son:
NTE2077, NTE2078, NTE2084, NTE2079, NTE2082, NTE2083, NTE2087 y NTE2088.

El TIP120 es un ejemplo de par Darlington, tiene un encapsulado del tipo TO220 como el de la
figura.

FIEE - UNMSM 6
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

La ganancia de corriente segn las especificaciones del fabricante es de 1000, y la mxima


corriente que puede circular por el colector es de 5 A.

Adems de los dos transistores propios del par Darlington, este dispositivo, lleva un diodo
adicional y un par de resistencias con fines de proteccin.

3. CIRCUITO

IMPLEMENTAMOS EL CIRCUITO EN EL PROTOBOARD

FIEE - UNMSM 7
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

PROCEDIMIENTO

- Mostraremos a continuacin los datos tericos:

VA VCE1
Hallamos que se nos pide que equivale a hallar el

re1 re 2
Hallamos ahora y usando = 100 para ambos transistores

Ahora hallamos el Zi terico

FIEE - UNMSM 8
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

Ahora hallamos la ganancia de voltaje terico

Ahora hallaremos la ganancia de corriente:

2.re 2
2. 1.ib1 . 1 . R 2 || R1 || R E || R L
R3
i0 R L .( R1 R 2 R E )
Ai
if 2.re 2 1
ib1 . 1. 2.
R3 1. 2
2.re 2
1 . R 2 || R1 || R E || R L
R3
Ai 598.7
2.re 2 1
R L .( R1 R 2 R E ).
R3 1. 2

Ahora la impedancia Zo que viene a ser la impedancia de salida:

FIEE - UNMSM 9
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

CUESTIONARIO FINAL

CUADRO COMPARATIVO DE DATOS OBTENIDOS EN LABORATORIO Y


TEORICAMENTE

DATOS VA VCE1 Zi Ai Av
o
Laboratorio 6.55 V 7.25M ohm 5.0232 0.867

Tericos 6.53 V 7.26M ohm 598.7 0.99

Estos datos son los que necesitamos comparar ya que son los mas importantes, pero se
obtuvieron mas datos que a continuacin mostraremos:

Datos VB VC VCC VAC VO Vg If IO

9.11 V 5.42 V 15.0 V 1.15 V 3.12 V 3.60 V 4.3x105 2.16 x104


A A

Luego vemos los siguientes graficos:

FIEE - UNMSM 10
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

En
el

canal 1 tenemos la seal de entrada que nos indica el voltaje de entrada en el circuito representado
por el Vg que viene a ser el grafico amarillo.

En el canal 2 tenemos la seal de salida que nos indica el voltaje de salida en el circuito
representado por el Vo que viene a ser el grafico azul.

Notamos que estamos trabajando con una frecuencia de un 1k Hz.

FIEE - UNMSM 11
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

RECOMENDACIONES

- Los valores hallados en un simulador al ponerlos en experimentacin pues pueden variar


debido a los dispositivos electrnicos que se usen.

- Comprar dispositivos electrnicos de buena calidad ayudaran a que lo experimental se


asemeje mas a lo medido en el simulador.

- Fijarse que los instrumentos de medicin estn bien calibrados para a la hora de las
mediciones todo este correctamente medido.

- No alarmarse si los datos obtenidos varian demasiado ya que debido a los dispositivos que
se usen esto puede suceder.

- Seguir al pie de la letra el circuito sino no se lograra la configuracin darlington como se


quiere, es indispensable el uso de los transistores correctamente (emisor, colector y base).

CONCLUSIONES

- Vemos que no hay una ganancia de voltaje considerable ya que el circuito se basa en
ganancia de corriente.

- Notamos que los valores tericos difieren de los experimentales debido a que los
dispositivos tienen un margen de error.

- La configuracin darlington es tanto para ganar voltaje como para ganar corriente.

BIBLIOGRAFIA

- www.wikipedia.com/configuracin darlington

- www.monografias.com/configuraciondarlington

- www.slideshare.com/circuitodarlingtonejemplos

FIEE - UNMSM 12
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

Datasheet

FIEE - UNMSM 13
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

FIEE - UNMSM 14
de enero
INFORME FINAL CONFIGURACIN DARLINGTON
de 2015

FIEE - UNMSM 15

Anda mungkin juga menyukai