BAB I

PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang Masalah

Dalam kehidupan manusia, dikenal berbagai jenis-jenis material. Material
tersebut sering dimanfaatkan sebagai penunjang kebutuhan hidup kita sehari-hari.
Material merupakan zat yang tersusun atas atom-atom yang memiliki sistem
kestabilan tersendiri. Menurut sifat konduktivitasnya, material terbagi menjadi
beberapa jenis yaitu isolator, konduktor, dan semikonduktor.
Material konduktor memiliki konduktivitas listrik yang baik karena hambatan
listriknya kecil. Akan tetapi, ketika suhu material tersebut semakin tinggi,
semakin besar pula hambatan listriknya. Berbeda dengan semikonduktor,
bertambahnya suhu akan menaikkan daya hantar listriknya. Pada bahan isolator
berlaku sifat yang sama seperti semikonduktor dalam hal pengaruh suhu terhadap
hambatan listriknya. Perbedaan terletak pada suhu yang jauh lebih tinggi karena
jarak celah energi isolator yang cukup besar.
Piranti elektronik sejak diperkenalkan pertama kali terus mengalami
perkembangan pesat dan sekarang merupakan salah satu industri terbesar di dunia.
Hal yang paling mendasar dari industri elektronik adalah peralatan
semikonduktor. Dalam rangka memenuhi permintaan yang sangat banyak dari
industri ini, bidang semikonduktor terus dikembangkan dan mengalami
peningkatan yang sangat pesat. Dikarenakan alasan tersebut maka saat ini dapat
dijumpai berbagai komponen semikonduktor seperti dioda penyearah, transistor,
dan lainnya. Peningkatan dari segi peralatan, proses, dan sistem fabrikasi berperan
besar pada perkembangan pembuatan semikonduktor. Peningkatan tersebut
misalnya seperti pengenalan proses implantasi ion sebagai proses utamanya.
Seperti ditunjukkan pada Gambar 1.1.

1
 2

Gambar 1.1 Proses pengembangan semikonduktor melalui pengenalan

implantasi ion (Tsukamoto dkk, 2010)

Ada dua jenis bahan semikonduktor, yaitu semikonduktor murni (intrinsik)

dan tak murni (ekstrinsik). Bila ditinjau dari ikatan atomnya dalam kristal,
perbedaan mendasar antara keduanya adalah pemberian atom pengotor (doping)
pada semikonduktor ekstrinsik. Teknik doping yaitu mendifusikan atom-atom
pengotor ke dalam bahan. Hal tersebut dimaksudkan untuk menimbulkan medan
listrik internal akibat terbentuknya semikonduktor tipe-p dan tipe-n (Kusminarto,
2011).
Doping dapat dilakukan dengan dua cara yaitu difusi atau implantasi ion,
dengan masing-masing kelebihan dan kekurangannya. Pada proses difusi, wafer
harus dijaga pada suhu tinggi dan lamanya proses difusi berpengaruh terhadap
pemberian konsentrasi yang diberikan. Pemberian konsentrasi pengotor pada cara
implantasi ion dikontrol melalui energi awal ion serta jangkauan kedalamannya.
Proses tersebut dianggap cukup mudah dikontrol, sehingga lebih banyak
digunakan pada produksi masal semikonduktor.
Implantasi ion dapat dikaji melalui interaksi ion pada bahan. Stopping and
Range of Ions in Matter (SRIM) adalah salah satu perangkat lunak komputer yang
mampu mengkalkulasi interaksi tersebut dengan pendekatan metode Monte-Carlo.
SRIM merupakan perangkat lunak yang populer pada penelitian implantasi ion
 3

serta digunakan secara luas pada cabang ilmu radiasi material. Pada penelitian ini,
penggunaan SRIM dimaksudkan agar hasilnya dapat dievaluasi serta
dibandingkan dengan fabrikasi semikonduktor standar pabrik. Hasil tersebut
diharapkan dapat digunakan sebagai acuan untuk membuat semikonduktor dengan
kemampuan yang lebih baik di masa mendatang.

1.2 Perumusan Masalah

Penelitian yang dilakukan akan terfokus ke beberapa hal, yaitu menerapkan
implantasi ion sebagai doping ke dalam bahan semikonduktor. Karena sifat atom
dari elemen yang berbeda-beda, maka perlu diketahui energi ion yang dibutuhkan
untuk mencapai kedalaman tertentu dari bahan semikonduktor. Hal tersebut dapat
diwakili oleh profil kedalaman masing-masing ion pada tiap bahan. Profil tersebut
dapat berupa dosis ion ataupun konsentrasinya. Profil kedalaman berguna sebagai
indikator banyaknya ion di tiap kedalaman tertentu.

1.3 Batasan Masalah

Karena cakupan penelitian semikonduktor yang amat luas, maka penelitian
ini dibatasi oleh beberapa hal. Fokus penelitian adalah pada penggunaan piranti
lunak SRIM sebagai simulasi Monte-Carlo untuk melakukan metode implantasi
ion sebagai cara pemberian doping pada semikonduktor. Simulasi ini dilakukan
tanpa menghitung pengaruh perubahan suhu yang terjadi pada bahan. Selain itu
juga jenis kristal tidak diperhitungkan. Jenis bahan semikonduktor yang
digunakan yakni senyawa gallium arsenik (GaAs) dan kadmium telluride (CdTe)
dengan ketebalan 5000 . Sedangkan ion penembak yaitu elemen dari masing-
masing golongan IIB hingga VB; boron (B3+), fosfor (P3+), silikon (Si4+),
tellurium (Te2-), dan zinc (Zn2+).

1.4 Tujuan Penelitian

1. Menentukan hubungan energi implantasi ion terhadap jarak yang dapat
ditembus pada suatu lapisan bahan.
2. Mengkaji hasil simulasi implantasi ion.
 4

1.5 Manfaat Penelitian

Manfaat yang diharapkan dari hasil penelitian ini adalah mengetahui beberapa
jenis ion beserta energinya yang dapat digunakan untuk doping semikonduktor
dengan metode implantasi. Selain itu juga diharapkan di masa yang mendatang
penelitian ini dapat digunakan sebagai acuan dalam proses fabrikasi
semikonduktor.

1.6 Sistematika Penulisan

Penulisan skripsi ini terdiri dari enam bab yang secara umum dapat
dikemukakan penjelasan tiap bab sebagai berikut :
1. Bab I menjelaskan latar belakang penelitian, perumusan masalah, batasan
masalah, tujuan penelitian, manfaat penelitian, dan sistematika penulisan.
2. Bab II menjelaskan tinjauan pustaka.
3. Bab III menjelaskan dasar teori yang mencakup tentang teori dasar
semikonduktor dan metode komputasi yang digunakan.
4. Bab IV menjelaskan metode penelitian yang dilakukan untuk memperoleh
hasil yang diinginkan.
5. Bab V menjelaskan hasil dan pembahasan.
6. Bab VI berisi kesimpulan dan saran.
7. Daftar pustaka mencantumkan seluruh pustaka yang diacu dan lampiran
berisi data-data yang diperoleh dalam penelitian.