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Resistores

Um resistor ou resistncia um dispositivo eltrico muito utilizado em


eletrnica, com a finalidade de transformar energia eltrica em energia
trmica a partir do material empregado.

Resistores so componentes que tm por finalidade oferecer uma


oposio passagem de corrente eltrica, atravs de seu material. A
essa oposio damos o nome de resistncia eltrica, que possui como
unidade ohm.

Resistores de Metal filme

Resistores de filme metal so usados quando uma tolerncia mais


precisa requerida . Eles so muito mais precisos em relao aos
resistores de filme de carbono. Eles tm tolerncia de 0.05% .
Eu no uso nenhum resistor de tolerncia to precisa em meus
circuitos. Resistores com aproximadamente 1% so mais que
suficiente.O material utilizado na fabricao do resistor de metal
filme o Ni-Cr (Niquel chromo). O resistor de filme metal usado
para circuitos de ponte, circuitos de filtro, circuitos analgicos de
preciso e baixo-barulho.

Caractersticas Fsicas
Potencia Dimetro Comprimento
(W) (mm) (mm)
1/8 2 3
De Cima para baixo temos: 1/4 2 6
1/8W (tolerncia1%) 1 3.5 12
1/4W (tolerncia 1%)
1W (tolerncia 5%) 2 5 15
2W (tolerncia 5%)

Capacitores

Capacitores so dispositivos cuja funo armazenar carga em forma


de energia eltrica.
Consiste de duas placas condutoras, colocadas lado a lado, separados
por um material ou meio isolante chamado dieltrico.

A propriedade que estes dispositivos tm de armazenar energia eltrica


sob a forma de um campo eletrosttico chamado de capacitncia C.

A capacitncia medida pelo quociente da quantidade de carga (q)


armazenada pela diferena de potencial ou voltagem (v) que existe
entre as placas:

C=Q/V

Pelo sistema internacional (si), um capacitor tem a capacitncia de um


Farad (f) quando um Coulomb de carga causa uma diferena de
potencial de um volt entre as placas.

O Farad uma unidade de medida considerada muito grande para


circuitos prticos, por isso, so utilizados os submltiplos: " microfarad
(uF), nanofarad (nF) ou picofarad (pf).

Microfarad (uF) = 0,0000001 Farad ou 1. 10-6 F.


Nanofarad (nF) = 0,000000001 Farad ou 1. 10-9 F.
Picofarad (pf) = 0,000000000001 Farad ou 10-12 F.

Capacitores de cermica

So capacitores destinados a uso em altas freqncias, normalmente


com o dieltrico cermico. Reduz a indutncia parasita, elevada, no caso
dos capacitores de folhas de alumnio enroladas e separadas por filme
dieltrico.
Capacitores de tntalo

Nestes capacitores o xido de tntalo usado como dieltrico. Possuem


uma capacitncia muito elevada em relao ao seu tamanho reduzido.

Diodos e Leds

O LED um diodo semicondutor que quando energizado emite luz visvel


por isso LED (Diodo Emissor de Luz). A luz no monocromtica (como
em um laser), mas consiste de uma banda espectral relativamente
estreita e produzida pelas interaes energticas do eltron. O
processo de emisso de luz pela aplicao de uma fonte eltrica de
energia chamado eletroluminescncia. Em qualquer juno P-N
polarizada diretamente, dentro da estrutura, prximo juno, ocorrem
recombinaes de lacunas e eltrons. Essa recombinao exige que a
energia possuda por esse eltron, que at ento era livre, seja liberada,
o que ocorre na forma de calor ou ftons de luz.

No silcio e no germnio, que so os elementos bsicos dos diodos e


transistores, entre outros componentes eletrnicos, a maior parte da
energia liberada na forma de calor, sendo insignificante a luz emitida
(devido a opacidade do material), e os componentes que trabalham com
maior capacidade de corrente chegam a precisar de irradiadores de calor
(dissipadores) para ajudar na manuteno dessa temperatura em um
patamar tolervel.

J em outros materiais, como o arseneto de glio (GaAs) ou o fosfeto de


glio (GaP), o nmero de ftons de luz emitido suficiente para
constituir fontes de luz bastante eficientes.

A forma simplificada de uma juno P-N de um led demonstra seu


processo de eletroluminescncia. O material dopante de uma rea do
semicondutor contm tomos com um eltron a menos na banda de
valncia em relao ao material semicondutor. Na ligao, os ons desse
material dopante (ons "aceitadores") removem eltrons de valncia do
semicondutor, deixando "lacunas" (ou buracos), portanto, o
semicondutor torna-se do tipo P. Na outra rea do semicondutor, o
material dopante contm tomos com um eltron a mais do que o
semicondutor puro em sua faixa de valncia. Portanto, na ligao esse
eltron fica disponvel sob a forma de eltron livre, formando o
semicondutor do tipo N.

Os semicondutores tambm podem ser do tipo compensados, isto ,


possuem ambos os dopantes (P e N). Neste caso, o dopante em maior
concentrao determinar a que tipo pertence o semicondutor. Por
exemplo, se existem mais dopantes que levariam ao P do que do tipo N,
o semicondutor ser do tipo P. Isso implicar, contudo, na reduo da
Mobilidade dos Portadores.

A Mobilidade dos Portadores a facilidade com que cargas n e p


(eltrons e buracos) atravessam a estrutura cristalina do material sem
colidir com a vibrao da estrutura. Quanto maior a mobilidade dos
portadores, menor ser a perda de energia, portanto mais baixa ser a
resistividade.

Na regio de contato das reas, eltrons e lacunas se recombinam,


criando uma fina camada praticamente isenta de portadores de carga, a
chamada barreira de potencial, onde temos apenas os ons "doadores"
da regio N e os ons "aceitadores" da regio P, que por no
apresentarem portadores de carga "isolam" as demais lacunas do
material P dos outros eltrons livres do material N.
Um eltron livre ou uma lacuna s pode atravessar a barreira de
potencial mediante a aplicao de energia externa (polarizao direta da
juno). Aqui preciso ressaltar um fato fsico do semicondutor: nesses
materiais, os eltrons s podem assumir determinados nveis de energia
(nveis discretos), sendo as bandas de valncia e de conduo as de
maiores nveis energticos para os eltrons ocuparem.

A regio compreendida entre o topo da de valncia e a parte inferior da


de conduo a chamada "banda proibida". Se o material semicondutor
for puro, no ter eltrons nessa banda (da ser chamada "proibida"). A
recombinao entre eltrons e lacunas, que ocorre depois de vencida a
barreira de potencial, pode acontecer na banda de valncia ou na
proibida. A possibilidade dessa recombinao ocorrer na banda proibida
se deve criao de estados eletrnicos de energia nessa rea pela
introduo de outras impurezas no material.

Como a recombinao ocorre mais facilmente no nvel de energia mais


prximo da banda de conduo, pode-se escolher adequadamente as
impurezas para a confeco dos leds, de modo a exibirem bandas
adequadas para a emisso da cor de luz desejada (comprimento de
onda especfico).
ANLISE
DE CIRCUITOS
Resistores

Resistores de Metal filme

Capacitores

Capacitores de cermica
Capacitores de tntalo

Diodos e Leds

NOME: DAVID AZEVEDO DE SOUZA

PS-MDIO: MANH

ESCOLA ELECTRA-2009