TIRISTORES
CICLO :V
SECCIN : N
ALUMNOS :
2017 I
TIRISTORES
I. OBJETIVOS:
IV. PROCEDIMIENTO
A. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO
Smbolo:
Fabricante: AEIGIS
0.443
Observaciones:
El diodo A1A:22.12 se observ que estuvo operativo y en buen estado
de funcionamiento.
Conclusiones:
Que el diodo solo deja pasar la corriente de nodo a ctodo, midiendo con la
pinza roja en el nodo y la negra en el ctodo.
Smbolo:
6. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el
manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor.):
Fabricante: SEMIKROS
Operativo: ok
In operativo: no
Observaciones:
Conclusiones:
TRANSISTOR N 1
Tipo de Transistor:
NPN
Smbolo:
Fabricante: MOSPEC
Ic Mximo: IC 15
Operativo: SI
Inoperativo: NO
Observaciones:
El diodo 2N3055 es diferente que al anterior teniendo B, E en
sus patas y C en una de sus aletas la ms grande.
Conclusiones:
Smbolo:
Fabricante: IOR
S G 0
Operativo: SI
Inoperativo: NO
Observaciones:
Tipo de Transistor: IR
Cdigo Elctrico de
identificacin: G4PSC71
U
Smbolo:
Fabricante: IOR
Ic Mximo: IC 60 A
Inoperativo: No
Observaciones:
No se puede terminar solo con voltmetro, se requiere utilizar
otros dispositivos.
Conclusiones:
buscar el dispositivo que lo puede analizar
D.-PRUEBA DE TRANSISTORES
21. Implemente el siguiente circuito usando para
ello:
Una fuente de voltaje continuo
Una tarjeta de Proyectos
Potencimetro de 10 kOhms
Resistencias de 15 Ohms / 20 W
100 Ohms
Multmetro digital
Cable
Esquema virtual.
TRANSISTOR BIPOLAR
22. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente
manera:
T1 Colector
T2 Base
T3 Emisor
15 295.409 mV
12 301.406 mV
10 306.712 mV
8 313.746 mV
6 324.653 mV
4 342.122 mV
2 978.64 mV
1 10.08 V
0.5 15 V
0 15 V
Conclusiones y Observaciones:
Nos resulta un poco ms complicado regular el voltaje con el
potencimetro y cmo podemos apreciar tiene un amplio campo de
saturacin.
Con 15 V. Con 10 V
Con 8V Con 6 V
Con 4 V Con 0.5 V
TRANSISTOR MOSFET
25. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente
manera:
T1 Drenador
T2 Gate
T3 Surtidor
15 6.54 mV
12 6.875 mV
10 7.276 mV
8 8.054 mV
6 10.211 mV
4 48.968 mV
2 15 V
1 15 V
0.5 15 V
0 15 V
A 15v.
A 12 V.
A 10V.
A
8V.
A
6V.
A
4V.
A 2V.
A 1V.
A 0.5 V.
TRANSISTOR IGBT
28. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente
manera:
T1 Drenador
T2 Gate
T3 Surtidor
15 974.97 mV
12 1V
10 1.037 V
8 1.145 V
6 13.599 V
4 15 V
2 15 V
1 15 V
0.5 15 V
0 15 V
A
15V.
A
12V.
A
10V.
A 8V.
A 6V.
A 4V.
T.
MOSFET: x
T. IGBT:
Conclusiones y Observaciones:
El transistor IGBT no se utiliz en laboratorio para realizar la prueba debido que en el
programa de simulacin no se encuentra, lo cual se utiliz para realizar la prueba un
IRG4BC40W el cual presenta un amplio campo de corte debido a que la puerta GATE
est aislada de los dems.
V. CONCLUSIONES.
Al encenderse el SCR, no es necesario que la compuerta siga recibiendo
corriente, est seguir conduciendo hasta que el voltaje disminuya a tal
punto que se desactive.
Los SCR nos permiten controlar el paso de corriente a determinadas
ramas de un circuito previniendo daos.
Segn la referencia del SCR estos pueden controlar diferentes tipos de
voltajes.
El tiristor puede ser utilizado como interruptor de tipo electrnico por
consecuencia, los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de
potencia, en el campo del control.
La corriente que activa el SCR puede ser de bajo valor, pues con solo un
pulso de corriente este quedar activo.