Circuitos electrónicos de potencia

ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESPECIALIDAD:
TCNICO EN INGENIERA ELCTRICA
MATERIAL DE APOYO PARA EL DESARROLLO DEL MDULO:
CONSTRUCCIN DE CIRCUITOS DE
CONTROL ELECTRNICO DE POTENCIA
ESTUDIANTE:______________________________________________
Santa Tecla, febrero de 2016

ITCA FEPADE CONSTRUCCIN DE CIRCUITOS DE
COMPETENCIAS ESPERADAS AL FINALIZAR ESTE MDULO
LISTA DE COTEJO
Determina el valor de una resistencia utilizando un tester . SI NO

Determina el valor de una resistencia por medio del
Cdigo de colores. SI NO
Identifica por medio de su smbolo:
resistencias, capacitores, diodos, transistores, Tiristores
e Ics, en un diagrama esquemtico. SI NO
Prueba en forma esttica: Diodos y transistores. SI NO
Prueba en forma dinmica: Transistores, Tiristores, LDR
y optpinterruptor . SI NO
Prueba el funcionamiento de un IC: Compuerta, 555 741 SI NO
Selecciona los componentes de un circuito a partir de un
diagrama esquemtico . SI NO
Calcula el valor de las resistencias para la polarizacin
de LEDs SI NO
Conecta un BJT para que opere como interruptor SI NO
Calcula la potencia que debe disipar un elemento de un
circuito. SI NO
Arma un circuito en breadborad conforme a un diagrama. SI NO
Prueba el funcionamiento de un circuito armado
en breadboard. SI NO
Mide el voltaje y la corriente en un elemento de un circuito. SI NO
En todos los montajes es ordenado, limpio y clasifica
los desechos. SI NO
TCNICO EN INGENIERIA ELCTRICA 2

CONTENIDO
Pag.
Resistencias . 4
Circuito serie ... 14
Circuito paralelo . 15
El transformador . 18
Diodos ............................................................................. 23
Transistores...................................................................... 52
Circuitos integrados. ........................................................ 61
Tiristores.......................................................................... 83
Sensores......................................................................... 91
Circuitos de control electrnico........................................ 98
APNDICE
Teora del error aplicada a las prcticas de laboratorio 105
Procedimiento establecido para el montaje de componentes
de un circuito armado en breadboard 106
Circuitos de aplicacin 107
Grado de proteccin IP (Equipo elctrico y electrnico) 111
BIBLIOGRAFA................................................................. 113

INTRODUCCIN
En la actualidad, la mayor parte de los procesos de control se realizan por
medio de dispositivos electrnicos; en el campo de la ingeniera elctrica, la
electrnica de potencia se relaciona con los dispositivos electrnicos que
manejan cargas con corrientes relativamente altas, y por lo tanto, se hace
necesario el estudio de estos dispositivos, para desarrollar el criterio y
comprender el funcionamiento de los sistemas automatizados.
Para comprender el funcionamiento de un sistema, es necesario:
1 estudiar las caractersticas y el funcionamiento de cada uno de los
elementos que lo conforman.
2 Analizar como interactan los elementos entre s.
En este mdulo, se estudiar primero las caractersticas y el funcionamiento
de cada dispositivo electrnico en forma individual, para luego analizar, como
la interconexin entre algunos de ellos, puede realizar una funcin especfica
en un sistema de control.
1 RESISTENCIAS
Son fabricadas de alambre de diferentes metales o de carbn segn la

aplicacin. La resistencia elctrica se representa por R r y su unidad
de medida es el ohmio . Segn su aplicacin se especifican de la
siguiente manera:
SMBOLO ESPECIFICACIONES (DATOS DE PLACA)

Para circuitos de control Como calentadores
Su valor en ohmios () Voltaje de operacin en voltio (V)
La potencia mxima en watt (W) que La potencia en watt (W) que
puede disipar en forma de calor disipar como calor, a ese voltaje
dependiendo del tipo de resistencia, los datos pueden venir impresos

sobre ella o como en el caso de las resistencias de carbn, que su valor
se expresa a travs de un cdigo de colores y la potencia normalmente
viene dada en el empaque; sin embargo, por su tamao tambin puede
estimarse la potencia ya que se fabrican en valores estndar de 1/8 W,
W; W; 1W etc. y por lo general, cuando la potencia es mayor de
1W, este valor, viene impreso sobre la resistencia.

1.1 TIPOS DE RESISTENCIAS
Fig. 1

1.2 VALORES COMERCIALES DE LAS RESISTENCIAS
Los valores de resistencia que se obtienen por medio de un clculo terico

generalmente no existen en el mercado y por tal razn se deber tomar el
valor ms prximo de las que se fabrican.
No se fabrican resistores de todos los valores posibles por

razones obvias de economa. Adems sera absurdo, ya
que, por ejemplo, en un resistor de 100 y 10 % de
tolerancia, el fabricante nos garantiza que su valor est
comprendido entre 90 y 110 , por lo tanto no tiene
objeto alguno fabricar resistores de valores comprendidos
entre estos dos ltimos.
Hay tolerancias del 1 por mil, del 1 %, 5 %, 10 % y 20 %.

Para la serie de resistores que se fabrican con una
tolerancia del 10 % que es la ms utilizada, los valores
comerciales son:
10 18 33 56
12 22 39 68
15 27 47 82
y los mismos seguidos de ceros.
Resistores de valores muy pequeos no son comunes, por

la dificultad que entraa ajustar su valor. Resistores de
valores muy grandes son difciles de conseguir, porque en
ellos comienza a tener importancia fenmenos como la
resistencia superficial, condiciones ambientales, etc. y
tampoco es normal su uso.
Por ejemplo:
En la serie de resistores con tolerancia del 10 % el valor

ms pequeo es de 4,7 y el mayor de 22 M. En la serie
del 5 % los valores extremos son 0,33 y 10 M .
Lecciones de Electrnica 20/mayo/2003
http://www.ifent.org/lecciones/electrodinamica/eldinami33.htm

1.3 USO DEL MULTMETRO (TESTER) PARA LA MEDICIN DE

RESISTENCIA.
Multmetro es el nombre que se le da a un instrumento con el cual se

pueden medir diferentes parmetros elctricos, algunas veces se utiliza
la palabra tester o probador. Los Multmetros, pueden ser anlogos o
digitales como los que se muestran en la figura 2.
Multmetro Analgico Multmetro Digital

Fig. 2
Para medir el valor en Ohmios que tiene una resistencia, puede seguir el
proceso que se describe a continuacin:
a) Si el multmetro es digital.
1- Conecte los terminales de prueba (el negro en COM y el rojo en ).

2- Seleccione la escala mas baja del multmetro y pruebe su
funcionamiento cortocircuitando los terminales de prueba; el
resultado esperado al estar los terminales en cortocircuito, es un
valor de 0 y al separar los terminales debe marcar l
OL ; esto significa, que el circuito esta abierto, o que el valor es
mayor que el mximo que indica la escala seleccionada (esta fuera
de rango).

3- Toque con las puntas del multmetro el elemento a probar y tome

la lectura (Fig. 3). Si la lectura indicada fuera OL mueva el
selector de rango a la escala inmediata superior hasta lograr leer el
valor de resistencia.
Fig. 3
b) Si el multmetro es analgico.
1- Conecte los terminales de prueba (el negro en COM y el rojo en ).
2- Seleccione la escala mas baja del multmetro y pruebe su

funcionamiento cortocircuitando los terminales de prueba; el
resultado esperado al estar los terminales en cortocircuito es un
valor de 0 (ajuste el cero si es necesario) y al separar los
terminales debe marcar indeterminado ( ); esto significa, que el
circuito esta abierto, o que el valor es mayor que el mximo que
indica la escala seleccionada (esta fuera de rango).
3- Toque con las puntas del multmetro el elemento a probar y lea el

valor indicado en la escala. Si la aguja no se mueve (o sea que
marca como circuito abierto ), mueva el selector de rango a
una escala mayor hasta poder leer el valor.
Nota: Al mover el selector de rango, se hace necesario verificar el

ajuste del cero .

1.4 LECTURA DE ESCALAS EN UN INSTRUMENTO DE MEDICIN

ANALGICO.
Para leer escalas analgicas homogneas, se debe determinar en

primer lugar, el valor de las divisiones y subdivisiones que sta tenga.
Observe la escala superior de la Fig. 4.
Fig. 4
La escala vara de 0 10 unidades y las divisiones primarias estn

marcadas por cada unidad (aunque la numeracin esta de 2 en 2) o
sea que las divisiones primarias valen una unidad.
Para determinar el valor de las subdivisiones (o divisiones

secundarias), como la escala es homognea, puede tomarse de
referencia, cualquiera de dos marcas primarias consecutivas y contar el
nmero de divisiones secundarias (espacios que hay las dos marcas
primarias); luego, se divide el valor en unidades de la divisin
primaria, entre el nmero de divisiones secundarias as:
Valor de la divisin secundaria = Valor de la divisin primaria

N de div. Secundarias
= 1 / 5 Unidades
De manera que la divisin menor de esa escala (o sea en este caso la

divisin secundaria) vale:
0.2 del valor de la unidad de medida que tenga esa escala.

Para efectuar una lectura en un instrumento anlogo, debe haberse

hecho previamente este clculo del valor de cada divisin y subdivisin
que tenga la escala, ejemplo: Efectuar la lectura indicada en la Fig. 5.
Fig. 5
1 Valor en la divisin primaria: 7 unidades

2 Valor en la divisin secundaria: 0.4 unidades
3 Fraccin estimada: 0.1 unidades
Lectura: 7 + 0.4 + 0.1 = 7.5 unidades
Nota: La fraccin estimada es una apreciacin del operador; puede

tomarse como criterio que no puede llegar a ser mayor que el valor de
la mnima divisin de la escala, ni menor que la dcima parte de la
misma. En el caso de este ejemplo se ha estimado la mitad del valor de
la mnima divisin.
Ejemplo 2: Efectuar la lectura indicada en la Fig.6 si el selector de

rango se ha fijado en X100
Fig. 6

Cuando la escala no es homognea, como en el caso de las escalas de

resistencia de los instrumentos analgicos, el proceso es similar, la
nica diferencia es que se debe determinar el valor de las divisiones en
la zona de la escala que se efectuar la lectura.
1 Valor en la divisin primaria: 3000

Observe que en la zona donde se efectuar la lectura las divisiones
primarias varan de 10 en 10 unidades y eso se debe multiplicar por el
factor de la escala que en este caso es 100.
2 Valor de la divisin secundaria: 600

Las divisiones secundarias tienen un valor de 2 unidades y hay tres
marcas despus del 30, lo que equivale a 6 unidades y eso se debe
multiplicar por el factor de la escala que en este caso es 100.
3 Fraccin estimada: 100 (la mitad de la divisin)
Lectura: 3700 3.7 K
EJERCICIO 1
Utilizando el multmetro y el conjunto de resistencias cementadas

proporcionado, mida el valor de cada resistencia.
1.5 CDIGO DE COLORES PARA RESISTENCIAS
Las resistencias de carbn se encuentran generalmente identificadas

por un cdigo de colores que puede ser de 4 5 bandas; para
determinar el valor en Ohmios, puede utilizar el mtodo ilustrado a
continuacin:
El primer ejemplo ( Fig. 7) corresponde a una resistencia con un cdigo

de 4 bandas (Verde, Azul, Amarillo; Oro), en el cual, las primeras dos
bandas representan los primeros dos dgitos del valor de la resistencia
5 (verde) y 6 (azul), la tercera banda representa el factor por el cual se
ha de multiplicar a los primeros dos dgitos y que en el ejemplo es
10000 (amarillo) que equivale a 10 K. La letra K (Kilo) es un
prefijo muy utilizado que equivale a 1000.
La cuarta banda representa el rango en % que puede variar el valor en

Ohmios.
R = 560k + 5%

Fig. 7
El segundo ejemplo corresponde a una resistencia con cdigo de cinco

bandas (Rojo, Naranja, Violeta, Negro, Caf) y la forma de determinar
su valor es semejante al caso anterior, con la nica diferencia de que
las tres primeras bandas, representan los tres primeros dgitos del
valor de la resistencia, la cuarta banda es en este caso, el factor
multiplicador y la quinta banda, representa el rango en % que el valor
de R puede variar. R= 237 + 1%
http://www.elexp.com/t_resist.htm
1.6 PRUEBA ESTTICA PARA UNA RESISTENCIA.
El valor de una resistencia, tambin puede ser determinado midindola

con un Multmetro comn y a esa medicin se conoce como la prueba
esttica por estar el componente sin formar parte de un circuito
elctrico energizado.

El valor de la resistencia medido con un multmetro, puede compararse

con el valor especificado por el fabricante para verificar si est dentro
del rango de la tolerancia.
Una recomendacin que puede tomarse como una regla general al

momento de efectuar una medicin con multmetro, es el hecho de que
solo debe tocarse con la mano uno (o ninguno) de los dos
terminales del elemento a prueba, ya que si se tocan con las
manos los dos terminales, es como si estemos conectando nuestro
cuerpo al elemento que se est midiendo, afectando de esa manera la
medicin y en algunos casos corriendo el riesgo de recibir un choque
elctrico.
EJERCICIO 2
Utilizando el multmetro y el conjunto de resistencias proporcionado

complete la tabla 1.
Nota: Para llenar la columna correspondiente al Estado de la

resistencia, utilice el siguiente criterio:
1- Si la diferencia entre el valor medido y el valor del cdigo es menor
que el margen de tolerancia en % especificado por el fabricante, anote
Bueno.
2- Si la diferencia es ligeramente mayor que el rango especificado de
tolerancia (digamos el doble del porcentaje especificado) anote
Alterado.
3- Si la diferencia es considerablemente mayor (digamos unas 5 10
veces) que el rango de tolerancia especificado, anote Malo.
Colores Valor segn Valor medido Diferencia Estado

el cdigo %
Tabla 1

1.7 CONEXIN DE REISTENCIAS EN SERIE (CIRCUITO SERIE)
Se dice que dos elementos de un circuito estn conectados en

serie, si una terminal de uno de ellos, se encuentra conectada a
una terminal del otro y ese punto de unin entre los dos
elementos, no esta conectado a ninguna otra parte del circuito.
En la Figura, puede observarse que los elementos

1, 2, 3 y la fuente, estn conectados en serie, ya
que cumplen con las condiciones mencionadas.
CARACTERSTICAS DE UN CIRCUITO EN SERIE.
Son dos los aspectos que se deben recordar para analizar y hacer
clculos de los parmetros elctricos en un circuito serie:
1 La corriente que pasa por cada uno de los elementos que estn
conectados en serie es la misma.
2 El voltaje aplicado al conjunto de dichos elementos, se distribuir en

una forma proporcional dependiendo del valor en ohmios de cada
elemento.
RESISTENCIA EQUIVALENTE EN UN CIRCUITO SERIE.
Un conjunto de resistencias conectadas en serie pude ser sustituido por

una sola resistencia de un valor equivalente al conjunto como se puede
observar en la siguiente figura.

La resistencia RE, es equivalente al conjunto de las tres resistencias

R1, R2 y R3 y se calcula as:
RE = R1 + R2 + R3 = 4 K
Observe que la corriente I, es la misma que pasa por las tres

resistencias y ser igual a la que pasar por una R equivalente del
conjunto.
A partir del circuito de la RE (Resistencia equivalente), puede ser
calculada la corriente I (que saldr de la fuente), aplicando la ley de
Ohm, as:
I = V / RE = 12 V / 4 k = 3 mA = 0.003 A
Para calcular la potencia (watt) que se disipa en un elemento aplique:
P=VI Eje.: P1 = V1 I1 = (3 V) (0.003 A) = 6 W
1.8 CONEXIN DE RESISTENCIAS EN PARALELO

(CIRCUITO PARALELO)
Se dice que dos elementos de un circuito estn conectados en

paralelo, si los dos terminales de uno de ellos estn conectados
a los dos terminales del otro.
(como en la siguiente figura).
En la figura anterior, se ha representado esquemticamente y de dos

maneras diferentes, la conexin de un circuito de tres resistencias
conectadas en paralelo con una fuente de 12 V d.c.

Observe que a las tres resistencia se esta aplicando el mismo voltaje

(el de la fuente de 12 V) y Por lo tanto cada una tomar su propia
corriente dependiendo de su valor de resistencia.
CARACTERSTICAS DEL CIRCUITO EN PARALELO
Al igual que en el caso anterior, este tipo de conexin tiene dos

aspectos que hay que tener presente al analizar o hacer clculos en un
circuito con elementos conectados en paralelo:
1 Cuando dos o mas elementos estn conectados en paralelo, el

voltaje entre sus terminales es el mismo.
2 La corriente que pase por cada elemento depender del valor del
voltaje aplicado y la resistencia del elemento (la relacin entre la
resistencia y la corriente es inversa) el elemento con menor
resistencia, tomar mas corriente de la fuente.
RESISTENCIA EQUIVALENTE EN UNA CONEXIN EN PARALELO.
En el diagrama anterior, el conjunto de resistencias puede ser

sustituido por una resistencia equivalente, que tomara la misma
corriente de la fuente IT, que toma el conjunto de las tres resistencias
(I1,I2 I3).
Cmo se determina el valor de esta resistencia equivalente?
La expresin matemtica general que se utiliza para calcular el valor de

un conjunto de n resistencias conectadas en paralelo es:
1 / Req. = 1 / R1 + 1 / R2 + 1 / R3 + . + 1 / Rn
Pero hay una expresin ya simplificada para hacer el clculo de la

resistencia equivalente cuando son solo dos las resistencias conectadas
en paralelo:
Req. = R1 x R2 / (R1 + R2)
Como se har este clculo entonces, cuando sean ms de dos?

Para el caso de este ejemplo, se determina primero la resistencia

equivalente de dos de ellas y el resultado (que es la resistencia
equivalente a las primeras dos) se combina con la tercera utilizando la
misma expresin simplificada para dos.
Otro aspecto que ayuda en muchos casos a simplificar los clculos, es

que si hay dos resistencias que sean del mismo valor hmico, el valor
de la resistencia equivalente es la mitad de una de ellas.
Como en este ejemplo, R1 y R3 son del mismo valor (1k), La

resistencia equivalente ser:
R1-3 = 0.5 k = 500
Nota: Comprubelo utilizando la formula simplificada.
La resistencia equivalente de R1-3 con R2 ser:
R(1-3) - 2 = 0.5 (2) / (0.5 + 2) = 0.4 k = 400
Conociendo la resistencia equivalente del conjunto (R 1,R2 y R3), puede

calcularse la corriente total IT que saldr de la fuente, aplicando la ley
de Ohm:
IT = V / Req = 12 V / 0.4 k = 30 mA = 0.030 A
As tambin pueden ser calculadas las corrientes que pasarn por cada
resistencia:
I1 = I3 =12 V / 1 k = 12 mA
I2 = 12 V / 2k = 6 mA
Para calcular la potencia de un elemento del circuito aplique: P = V I
Ej.: La potencia demandada a la fuente ser: PS = (12 V) (0.030 A)

PS = 0.36 W

2 EL TRANSFORMADOR
Este es un dispositivo utilizado para cambiar el nivel de tensin

(voltaje) ya sea para reducirlo o bien para aumentarlo, dependiendo de
la aplicacin. Para comprender su funcionamiento, es necesario
comprender en primer lugar, en que consiste el fenmeno de la
induccin electromagntica.
2.1 INDUCCIN ELECTROMAGNTICA
Sabemos que cuando una corriente elctrica circula por un conductor,

en su alrededor se forma un campo magntico cuya magnitud y
sentido dependen de esta corriente, de manera que si esta corriente es
variable, el campo magntico producido, tambin ser variable.
Si un conductor elctrico es colocado dentro de un campo magntico
variable, en el conductor se generar un voltaje variable, provocado
por la variacin del campo magntico y a este fenmeno se le conoce
como induccin electromagntica.
Para que el fenmeno de la induccin ocurra, se requiere que el campo

magntico sea variable, por lo cual se hace uso de la corriente alterna;
sin embargo, es de hacer notar el hecho de que una corriente de d.c.
pulsante, o sea que varia de valor aunque no cambie de polaridad,
tambin provocar induccin.

2.2 CARACTERSTICAS DE CONSTRUCCIN DE UN

TRANSFORMADOR
En la Fig. 8, se ha representado Las partes de un transformador
elemental y su smbolo esquemtico.
Fig. 8
2.3 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Cuando un voltaje alterno se aplica a una bobina de un transformador, como

el de la Fig. 8, la corriente que circula por la bobina genera un campo
magntico que tambin ser alterno.
Imaginemos por un momento que sucedera con el campo si solo se tiene

una bobina. En ese instante, se ha formado un imn y las lneas que flujo del
campo magntico estn saliendo del polo norte y llegando al polo sur del

imn a travs del aire (Fig. 9); al cambiar el sentido de la corriente, el

imn cambiar tambin el sentido de sus lneas de flujo a la misma
frecuencia de la corriente. Pero as como la corriente busca el camino que le
ofrezca menor resistencia elctrica, el flujo magntico tambin buscar el
camino ms fcil para llegar de un polo a
otro y en este caso los materiales
ferromagnticos son los que proporcionan
ese camino para el flujo.
Al colocar el embobinado sobre el ncleo

de hierro (FIG. 10), el flujo magntico
circular por l para llegar de un polo a
otro y al pasar por la bobina secundaria,
inducir en sta un voltaje.
Fig. 10

Observe que la carga que se conecte al circuito en el voltaje

inducido del lado secundario, queda aislada elctricamente del
circuito del lado primario.
Cmo puede calcularse este voltaje inducido?
2.4 RELACIN DE TRANSFORMACIN.
Normalmente un transformador como cualquier dispositivo elctrico,

debe traer datos de placa que los proporciona el fabricante y all se
indica cuales son los valores de tensin que corresponden a cada
bobinado; sin embargo, existe una expresin que relaciona los
voltajes del primario y secundario con el nmero de vueltas de cada
bobinado.
NP / NS = VP / VS
Donde:
NP: Es el Nmero de vueltas del bobinado Primario
NS: Es el Nmero de vueltas del bobinado secundario
VP: Voltaje del bobinado primario
VS: Voltaje del bobinado secundario
La relacin que guardan los voltaje del primario y secundario de un

transformador se conoce como relacin de transformacin y puede
ser expresada de varias formas, para el ejemplo: 120V / 12V
10 : 1

Un transformador pude ser utilizado tanto para reducir el voltaje

como para elevarlo siempre que se respete los niveles de tensin
especificados por el fabricante para cada bobinado. El bobinado que
se conecta a la alimentacin de energa se considera primario y el
bobinado donde se conecta la carga es el secundario.
El transformador como todo dispositivo donde se lleva a cavo una

transformacin de la energa, tendr tambin una especificacin de
la potencia mxima que puede manejar y habr una cantidad de
energa que se pierde y que en este caso se transforma en calor.
2.5 PRUEBA ESTTICA PARA UN TRANSFORMADOR.
La prueba esttica para un transformador es semejante a la de una

resistencia, ya que esta formado por dos o mas bobinas (alambre
enrollado) montadas en un mismo ncleo, de manera que la prueba
consistir en utilizar el tester en el modo de medicin de resistencia
para identificar las bobinas en aquellos terminales que se mida un
valor de resistencia.
CUIDADO.
Siempre que se mide una bobina, en el momento de desconectar el

tester, entre los terminales de la bobina, se generar un pulso de
voltaje, que dependiendo del valor de la bobina, puede ser
peligroso; as que, no olvide que al momento de efectuar la
medicin, solo debe tocar un terminal (o ninguno) de la bobina y
adems recuerde tambin que en el caso del transformador, en las
otras bobinas que l tenga, se producir el fenmeno de la
induccin electromagntica, generndose tambin un pulso de
voltaje que depende del valor de cada bobina.

3 DIODOS
Los componentes electrnicos son fabricados utilizando materiales

semiconductores. Un diodo esta formado por la unin de dos de estos
materiales y es uno de los componentes electrnicos comnmente utilizados
en cualquier circuito; por ello se vuelve indispensable conocer los diferentes
tipos, sus caractersticas, mtodos de prueba, la teora de su funcionamiento
y algunas aplicaciones.
3.1 MATERIALES SEMICONDUCTORES
La conductividad elctrica de un material, depende de la configuracin

electrnica (el arreglo) de los tomos que lo forman, ya que en el
tomo, los electrones se encuentran distribuidos en capas o niveles de
energa y son los electrones de la ltima capa, los que permitirn el
flujo de energa elctrica. Entre menos electrones tenga un tomo en
su ltima capa, ms fcil le ser a ste permitir el paso de la energa
elctrica ya que en la medida en que la capa (o nivel de energa) tiene
mas electrones, estos tienen menos espacio donde moverse y es ms
difcil sacarlos de ese nivel de energa. Los elementos semiconductores
tienen su ltima capa llena a la mitad lo que permite que puedan
conducir en forma parcial.
A continuacin se presenta un ejemplo de la distribucin electrnica de

un elemento semiconductor.

El tomo de Silicio
Fig. 11
En la figura 11 A se ha representado al tomo de Silicio mostrando la

distribucin de todos sus electrones, en la figura 11 B se ha
representado al mismo tomo pero mostrando nicamente la
distribucin de los electrones de la ltima capa.
Los niveles de energa, son zonas donde se encuentran distribuidos los

electrones alrededor del ncleo del tomo, Cada nivel tiene una
cantidad de electrones que puede albergar y los electrones que estn
en la ultima capa ( nivel) de cada tomo (electrones de valencia), son
los que utiliza ste para unirse con otros tomos y son tambin los que
pueden ser excitados y producirse as una corriente elctrica.

Ejemplo de la distribucin electrnica de un elemento que es buen

conductor elctrico.
El tomo de Cobre.
Fig. 12
En la figura 12, se ha representado la distribucin de los electrones que tiene

el tomo de Cobre en su ltima capa.
Ejemplo de la distribucin electrnica de un elemento que es mal conductor

elctrico.
Fig. 13

En la figura 13, se ha representado la distribucin de los electrones que tiene

el tomo de Flor en su ltima capa.
3.2 MATERIALES TIPO P Y TIPO N
Cuando un material esta formado por tomos nicamente de silicio, se dice

que esta en estado puro o intrnseco y si en estas condiciones se aplicara un
voltaje a travs del material, ste tendr muy poca conductividad elctrica.
En la figura 14, se ha representado la forma en que estaran unidos los
tomos del material intrnseco de Silicio. (Las lneas fuera del crculo
representan los electrones de la ltima capa)
MATERIAL INTRINSECO
Fig. 14
Si a ste material intrnseco, se le agregan de alguna manera, tomos de

otro elemento (impurezas) que contenga cinco electrones en su ltima capa
(Arsnico, Antimonio Fsforo), la combinacin que resulta es un material
que tendr un electrn libre por cada tomo de impureza que se le haya
agregado, convirtindose en un material de mejor conductividad elctrica. El
material as formado se le conoce como del tipo N. (Fig. 15)

MATERIAL TIPO N
Fig. 15
Si en lugar de tomos con cinco electrones en su ltima capa, se agregan

impurezas de tomos que tienen tres electrones en su ltima capa (Galio), el
material resultante sera del tipo P generndose un hueco libre (espacio
donde puede alojarse un electrn) por cada tomo de impureza agregado.
(Fig. 16)
MATERIAL TIPO P
Fig. 16

3.3 CARACTERSTICAS DE UN DIODO

Un diodo es un dispositivo formado por la unin de dos materiales, uno
del tipo P y otro del tipo N. Este dispositivo as formado, tiene
caractersticas propias que le permiten comportarse en un momento
como un buen conductor elctrico y en otro como un mal conductor
elctrico, dependiendo de la forma en que sea polarizado (conectado).
3.3.1 CONSTRUCCIN DE UN DIODO
Casi todos los diodos que se fabrican estn formados por dos tipos de silicio
diferentes (tipo P Y tipo N), unidos entre si. Cuando se efecta esta
unin, los electrones y los huecos inmediatos a la unin se atraen, cruzan la
unin y se neutralizan formando una barrera de potencial.
Fig. 17 Silicio tipo P (BARRERA) Silicio tipo N
3.3.2 SIMBOLO ESQUEMTICO Y APARIENCIA FSICA
Fig. 18

3.3.3 POLARIZACIN EN DIRECTA E INVERSA
Si al diodo (unin P-N) as formado se la aplica una fuente de voltaje

variable (incrementndose desde 0V) y con la polaridad como se indica
en la Fig. 19, se dice que ste esta polarizado en directa y se
comportar como un material buen conductor de la electricidad. En la
medida que el voltaje de polarizacin en directa aumenta, el voltaje de
la barrera de potencial interna disminuye hasta que prcticamente
desaparece y en ese momento el diodo permitir el paso de corriente
como un buen conductor elctrico; el valor de esta corriente ser
limitado por la resistencia del circuito.
Fig. 19
Si ahora se invierte la polaridad de la fuente de voltaje, se dice que el

diodo ha sido polarizado en inversa y la barrera de potencial interna
crecer, impidiendo el paso de corriente. El diodo en estas condiciones
se comporta como un material mal conductor de la electricidad, por lo
cual, la corriente que fluye (corriente de fuga) ser tan pequea que se
considera prcticamente cero.

3.3.4 CURVA CARACTERSTICA
Si se hace variar el voltaje de la fuente partiendo de 0V como se

indica en la figura 20 (a), la corriente aumentar hasta llegar al valor
mximo posible en el circuito (limitado por R), por estar el diodo
polarizado en directa.
Si en cambio, el voltaje es aplicado como se indica en la figura 11 (b),

o sea polarizando el diodo inversamente, puede decirse que
prcticamente no fluir corriente en el circuito ( nicamente habr una
pequea corriente de fuga ) y si el voltaje se aumenta demasiado
(hasta llegar al voltaje de ruptura), una corriente inversa muy grande
podra fluir en el circuito destruyndose el diodo.
La funcin de la resistencia (R) en este circuito, es la de limitar el valor

mximo de la corriente pasando por el diodo para evitar su destruccin
cuando ste es polarizado en directa.
Fig. 20
(a) (b)

La curva caracterstica de un diodo ( Fig. 21), es la representacin

grafica de la relacin entre el voltaje y la corriente a travs del mismo
dependiendo de la polarizacin que se aplique al diodo.
Fig. 21
Observe que el voltaje del diodo en la caracterstica directa es menor

de 1V, en cambio el voltaje a travs del diodo en la caracterstica
inversa puede ser de mas de 100V (dependiendo de las caractersticas
del diodo) antes de llegar a la ruptura.
Observe adems que los valores de corriente a travs del diodo en la

caracterstica directa, se incrementaran considerablemente al llegar el
diodo al valor del voltaje de umbral que es un valor que permanecer
aproximadamente constante (0.7 V para un diodo de Silicio y 0.3V para
uno de Germanio) cuando el diodo es polarizado en directa; en cambio
los valores de corriente en la caracterstica inversa (corriente de fuga),
son del orden de los microamperios mientras no se llegue al valor de
voltaje inverso de ruptura, el cual causara una gran corriente inversa
que destruira al diodo.

3.3.5 CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO IDEAL
Si el diodo est polarizado directamente, su circuito equivalente

es el de un conmutador cerrado (Fig. 22), pequea resistencia.
Fig. 22
Con polarizacin inversa, el circuito representa un conmutador abierto,
gran resistencia (Fig. 23).
Fig. 23
LECCIONES DE ELECTRNICA 26/03/03

http://www.ifent.org/lecciones/diodo/default.htm

3.3.6 PRUEBA ESTTICA DE UN DIODO
Los diodos reales pueden tener una gran variedad de formas, pero
siempre tendrn solo dos terminales de conexin (el nodo y el
ctodo), de los cuales generalmente el ctodo puede ser identificado
por alguna marca cercana a ese terminal. Si se utiliza un tester digital
en el modo prueba de diodos y con la polaridad indicada en la Fig.
24(polarizacin directa), ste indicar una lectura de voltaje cercano al
valor del voltaje de umbral (0.7 V para un diodo comn de Silicio en
buen estado).
Fig. 24
Si se invierte la polaridad del diodo, el tester deber indicar una lectura

OL (fuera de rango, si el diodo esta en buen estado) como indica la
figura 25.
Fig. 25

Al utilizarse un tester analgico para la prueba esttica de un diodo,

tenga presente el hecho de que por lo general la polaridad de las
puntas de prueba en las escalas de ohmios, es invertida o sea que la
punta roja ser el negativo en la prueba y el resultado esperado es un
valor de alta resistencia para la polarizacin en inversa y baja
resistencia para la polarizacin en directa. Si el diodo esta en buen
estado deber haber una relacin de 1000 : 1 entre esos valores
de resistencia.
Los defectos que pueden encontrarse en la prueba de un diodo son:
DIODO EN CORTO CIRCUITO Resistencia extremadamente

pequea en ambas direcciones.
DIODO EN CIRCUITO ABIERTO Resistencia muy elevada en
ambas direcciones.
DIODO CON FUGAS La resistencia en inversa es
relativamente baja.
Albert Paul Malvino, Principios de Electrnica, Sexta edicin, Pag. 77
3.3.7 HOJA DE ESPECIFICACIONES
Hay una gran variedad de diodos que poseen caractersticas diferentes

pero los parmetros ms importantes que deben tenerse en cuenta
para utilizar un diodo son:
Corriente mxima promedio (polarizacin en directa)

Voltaje mximo de reversa (polarizacin en inversa)

Sin embargo en una hoja de especificaciones pueden encontrarse estos

datos y otros mas que pudieran interesarnos; a continuacin encontrar
un sitio de donde aparece la hoja de especificaciones para varios diodos.
http://www.onsemi.com/pub/Collateral/1N4001-D.PDF
Ejercicio: Complete los dataos de la siguiente tabla.
diodo 1N4001 1N4004 1N4007

I max. directa
V rms inverso
3.4 CIRCUITOS RECTIFICADORES
Se le llama rectificacin al proceso de convertir una seal de corriente

alterna en corriente directa y sta es una necesidad que se presenta
en muchas de las aplicaciones en electrnica como es el caso de las
fuentes de alimentacin de algunos aparatos. Este proceso de
rectificacin, puede hacerse de diversas maneras como se ver a
continuacin:
Generalmente, el nivel de tensin requerido en la mayora de circuitos

de control, es bajo (12V 24V) y la fuente de alimentacin
disponible normalmente ser de 120v/ 240v a.c. de ah que fuere
necesario el empleo de un transformador en la construccin de los
circuitos rectificadores.
3.4.1 CIRCUITO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Por medio del siguiente circuito se convertir una seal de

corriente alterna de 60 Hz, en una seal de corriente directa.
En la fig. 26 se ha representado la forma en que variar el

voltaje en cada parte del circuito con respecto al tiempo; Como

ya sabemos, esta seal de corriente alterna, tiene una frecuencia

de 60 Hz, lo cual significa que su polaridad cambiar 60 veces en
un segundo, de tal manera que el diodo solo permitir la
circulacin de corriente cuando el voltaje de la seal alterna sea
positivo en el nodo. Por esta razn, el voltaje a travs de la
resistencia variar en una forma pulsante, solo en valores
positivos y a la misma frecuencia de la seal original.
Fig. 26
FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO
Como el voltaje de polarizacin aplicado al diodo esta cambiando

de polaridad, el diodo solo permitir el paso de la corriente
cuando el voltaje aplicado sea positivo en el nodo y cuando la
polaridad se invierte, no permitir el paso de corriente a travs
de l; por lo cual, la seal de voltaje aplicado a la resistencia de
carga R, ser recortada en un semiciclo.
RELACIONES VALIDAS PARA UNA SEAL A.C. SENOIDAL DE 60

Hz EN UN CIRCUITO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.
EN LA SEAL DE SALIDA DEL CIRCUITO:
V rms = Vp / 2 Vdc = Vp / Idc = Vdc / R

Donde:
Vdc: Se conoce tambin como VOLTAJE PROMEDIO
Idc: Es la corriente promedio. Vrms: Voltaje efectivo (eficaz)
3.4.2 CIRCUITO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TAP

CENTRAL
Fig. 27
FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO
Fig. 28
En la Fig. 28, se ha representado el recorrido que tendra la

corriente durante el semiciclo en el cual el diodo D1 queda

polarizado en directa; como el diodo D2 queda polarizado en

inversa (en ese mismo semiciclo) no habr corriente en esa rama
del circuito.
Fig. 29
En la Fig. 29 se ha representado el recorrido de la corriente en el

siguiente semiciclo, observe que esta vez, es el diodo D2 el que
esta polarizado en directa, mientras que el diodo D1, se
encuentra en inversa, de tal manera que la corriente a travs de
R circular siempre en el mismo sentido (corriente d.c.)
Note que el funcionamiento de cada rama de este circuito, es

semejante al rectificador de media onda visto anteriormente y
que al sumarse los efectos de cada semiciclo, se obtiene la
rectificacin de la onda completa, sin embargo, es de hacer notar
que el voltaje pico (Vp) en este circuito, es la mitad del voltaje
del devanado secundario del transformador ya que este valor
(Vp) esta siendo medido respecto al TAP CENTRAL del devanado
secundario del transformador y que la frecuencia de la seal de
salida, en este caso ser el doble de la de la seal original ya que

el perodo se ha reducido a la mitad, como puede verse en la en

la Fig. 27
RELACIONES VALIDAS PARA UNA SEAL A.C. SENOIDAL DE 60

Hz EN UN CIRCUITO RECTIFICADOR ONDA COMPLETA.
EN LA SEAL DE SALIDA DEL CIRCUITO:
Vdc = 2 Vp / o bien Vdc = 2 ( 2 Vrms) /
Idc = Vdc / R ; Vp = 2 Vrms ; Vrms = Vp / 2
EJERCICIO.
Si se dispone de un transformador con tap central y las siguientes
caractersticas: In 120V; Out 12 v / 12v
Los datos de voltaje en placa de un dispositivo son valores RMS o valores

pico? Cul ser el valor del voltaje de d.c. obtenido al rectificar media onda
de la seal? Cul es el valor de voltaje de d.c. si se rectifica la onda
completa?
3.4.3 CIRCUITO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON

PUENTE
Fig. 30

3.4.3.1 FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO
En el primer semiciclo, los diodos D1 y D2, quedan

polarizados en directa mientras que D3 y D4 estn en
inversa y el recorrido de la corriente ser como se indica en
la Fig. 31
Fig. 31
En el siguiente semiciclo, la condicin de la polaridad en el

secundario del transformador se invierte y el recorrido de la
corriente ser como lo indica la Fig. 32
Fig. 32
De manera que la corriente en RL circular siempre en el

mismo sentido quedando definido el terminal positivo como
puede verse en la Fig. 30

La relacin de los voltajes seguir siendo, las mismas que

en el caso anterior.
Vdc = 2 Vp / o bien Vdc = 2 ( 2 Vrms) /

Idc = Vdc / R Vp = 2 Vrms
Sin embargo, observe que el voltaje pico es el voltaje del

devanado completo del secundario del transformador.
3.4.3.2 PRUEBA ESTICA PARA UN PUENTE RECTIFICADOR
Un puente rectificador esta formado por cuatro diodos y

puede construirse con elementos discretos o bien utilizarse
un componente que viene ya integrado.
Para realizar la prueba esttica de este componente

integrado, nos basaremos en su construccin; en las
figuras que se muestran a continuacin, puede observarse
el aspecto fsico que tiene un puente tpico y su diagrama
de conexiones correspondiente.
Fig. 33 a Fig. 33 b

Cuando el puente ser construido con elementos discretos, se prueba cada

diodo independientemente y luego se construye el puente; sin embargo, es
muy conveniente probar tambin el puente ya armado.
En el caso de querer probar un puente integrado, habr que identificar sus

terminales para hacer la prueba al conjunto de diodos ya interconectados y
probar tambin los diodos en forma individual por medio de sus respectivos
terminales.
EJERCICIO.
Utilizando las figuras 33 a y 33 b, escriba en los terminales del puente del

diagrama esquemtico, los nmeros que les corresponden al puente
integrado.
Ayuda. Observe las conexiones del circuito de la figura 30.
Una vez han sido identificados los terminales del puente, pueden probarse
los diodos en forma individual.
Adems, si se analizan las conexiones del puente, puede verse que si se

prueba (de la misma manera que se prueba un diodo) entre los terminales
de entrada para la seal alterna (~), el resultado de la medicin tanto en
una polaridad como en la otra, ser como un diodo en inversa (si el puente
esta en buen estado) .
Tambin, si se mide entre los terminales de salida para el puente ( + y - ),

cuando la polaridad del tester sea igual a la del puente, la lectura debe ser
como la de un diodo en inversa y cuando la polaridad del tester sea contraria
a la del puente, la lectura ser de un valor aproximadamente igual al valor
de dos veces el voltaje de umbral (1.2 V si el puente esta en buen estado),
ya que es como estar midiendo dos diodos en serie.

3.4.4 FILTRADO DE UNA SEAL RECTIFICADA
En muchas aplicaciones se requiere que la seal rectificada sea

objetivo, se aprovecha de las caractersticas del comportamiento
de los capacitores.
Si a la salida de un rectificador se le conecta un capacitor en

paralelo con la carga, ste se cargar al valor del voltaje pico y
se descargar a travs de la resistencia de carga; este efecto se
ha representado por una lnea roja en los siguientes grficos.
PARA UN RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Fig. 34
Fig. 35
PARA UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
Fig. 36

El valor del voltaje de d.c. de una seal filtrada es prcticamente

igual al valor del voltaje pico.
Vdc Vp
Y el voltaje de rizado (Vriz es la fluctuacin en el valor del

voltaje) que puede verse representado en las figuras 34 y 36,
se calcula as:
Vriz = IDC / CF
Donde:
IDC: Corriente de la carga en amperios
C: Capacitancia en faradios
F: Frecuencia de la seal original (sin filtro) en hertz.

Entre al sitio de Internet que esta a continuacin y observe
(desplazando la lnea roja con el ratn, en el eje del tiempo)
como es el recorrido de la corriente en el circuito, el sentido de la
corriente en la carga, en que instantes se da la carga y descarga
del capacitor y cual ser el valor estimado del voltaje de d.c. a
travs de la carga.
Rectificador en Puente y con filtro capacitivo.
Seminario interactivo de electrnica de potencia (iPES) 16/01/12
http://www.ipes.ethz.ch/ipes/Diodenbruecke/sp_B2_3.html
Para calcular el valor de capacitancia y el voltaje mximo del

capacitor de filtro se har basando en los siguientes criterios
empricos:

1 1000 F por cada amperio de corriente de carga.
2 Voltaje mximo del capacitor = 2 Vrms (del voltaje

de la seal en el secundario del transformador).
Ejemplo: Para una fuente de 500mA, 12v d.c. el capacitor de

filtro ser de 470F (valor comercial ms cercano)y el voltaje
deber ser mayor de 17v
3.4.5 CIRCUITOS RECTIFICADORES TRIFSICOS
3.4.5.1 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA TRIFSICO
Fig. 37
Si se usa la red de 60Hz en la carga la seal es de 180Hz

con un valor medio
VLM = 0.827VP
Corriente pico en el diodo:
Voltaje inverso en el diodo VDP = 1.5VP

3.4.5.2 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TRIFSICO
Fig. 38
El voltaje en la carga es de 360Hz con un valor medio: VLM = 1.654VP

Corriente media en el diodo:
Voltaje inverso en el diodo VDP = 1.5VP
Los voltajes obtenidos en estos rectificadores son casi DC sin necesidad de

capacitores y se usan para aplicaciones de alto consumo de corriente como
motores DC o Galvanoplastia.
UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/index.html
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/cap03/03_05_01.
html

3.5 EL LED (Diodo Emisor de Luz)
Este tipo de diodo es utilizado generalmente como indicador por la

propiedad que tiene de emitir luz, sin embargo, aunque su
funcionamiento es igual al de un diodo comn, el LED, tiene un valor
bajo de voltaje de polarizacin inverso que l soporta (mximo que
soporta 6-8v) y los valores de corriente mxima que puede soportar
tambin son bajos (20-40mA segn el color) por lo que debe tenerse
en consideracin estos valores al conectarlo en un circuito.
Si alguna vez has visto, unas pequeas luces de diferentes

colores que se encienden y apagan, en algn circuito electrnico,
sin lugar a dudas has visto los diodo LED en funcionamiento.
El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo

comn, pero que al ser atravezado por la corriente emite luz.
Existen diodos LED es de varios colores y estos dependen del

material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo,
verde, amarillo, ambar, infrarrojo.
Debe de escogerse bien la corriente que atraviesa el LED para

obterener una buena intensidad luminosa. El LED tiene un
voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2 . 2 Voltios.
aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por
el va de 10 mA a 20 mA en los diodos de color rojo y de entre
20 mA y 40 mA para los otros LEDs.
Tiene enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes,

como son su bajo consumo de energa, su mantenimiento casi
nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas.

Qu Aplicaciones tiene el diodo LED?
Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como

indicadoras de cierta situacin especfica de funcionamiento.
Ejemplos:
Se utilizan para desplegar contadores

Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente directa.
Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.
Smbolo del diodo LED
Electrnica Unicrom 20/mayo/2003
http://www.unicrom.com/Tutoriales/diodo_led.asp
3.5.1 CALCULO DE LA RESISTENCIA LIMITADORA DE CORRIENTE

PARA UN LED.
Para que un LED sirva como indicador, ste debe polarizarse en directa
con un voltaje que ser siempre mayor de 2v, por lo cual se hace
necesario colocar una resistencia en serie con el LED, para limitar la
corriente que pasar por el mismo.
Para calcular la resistencia limitadora de corriente de un LED, utilice 2V

de cada de tensin en el LED y suponga una corriente de 15 mA
pasando por l.

Ejemplo:
Fig.39
Los valores de resistencia que se obtienen por medio de un clculo

terico generalmente no existen en el mercado y por tal razn se
deber tomar el valor ms prximo de las que se fabrican.
3.6 EL DIODO ZENER
En los circuitos electrnicos, se utilizan muchos tipos de diodos, entre

los que se encontrar el Zener y que puede ser confundido fcilmente
con un diodo comn por su apariencia fsica; de ah la importancia de
saber que no basta con identificar fsicamente un diodo en un circuito
sino que es importante tambin consultar la hoja de especificaciones
para estar seguros de reemplazarlo (si es ese el caso) por uno
equivalente.
El diodo Zener, es un tipo especial de diodo que tiene la caracterstica

de que al ser polarizado en directa, se comportar como un diodo
comn (permitir el paso de corriente provocndose en l una cada de
tensin de 0.7v), mientras que al ser polarizado en inversa, permitir
el paso de la corriente pero hasta que el voltaje inverso aplicado a l,
sea de un valor igual al voltaje Zener del diodo (este es un valor

especificado para cada diodo). En la siguiente figura, puede observarse

esta caracterstica de diodo Zener de 5.6v.
Fig. 40
Existe una gran variedad de diodos Zener con diferentes valores de

voltaje de ruptura inverso (voltaje Zener) y potencia (datos que
pueden ser obtenidos por medio de las hojas de especificaciones). Su
apariencia fsica es semejante a la de un diodo comn, por lo cual para
distinguirlo, ser necesario utilizar la hoja de especificaciones.
Los diodos Zener tienen varias aplicaciones pero la ms utilizada es

como reguladores de voltaje (tema que ser cubierto en la unidad 5 de
este curso)
Este tipo de diodo se utiliza generalmente polarizado en inversa, sin

embargo no debe olvidarse que al ser polarizado en directa se
comportar como un diodo comn, tambin es de hacer notar que
mientras el voltaje inverso no llegue al valor del voltaje Zener, el diodo
no permitir el paso de la corriente (solo habr una pequea corriente
de fuga) y cuando el voltaje inverso llega a ser igual al voltaje Zener,

el diodo permitir el paso libre de la corriente, permaneciendo el

voltaje a travs de l, aproximadamente constante e igual al valor del
voltaje Zener.
Fig. 41 Smbolo del diodo Zener ( A - nodo K - ctodo)
3.6.1 EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE
Recordemos que el diodo zener tiene la caracterstica de que al ser

polarizado en inversa, permitir el paso de la corriente hasta que el
voltaje aplicado sea igual o mayor que el valor del voltaje Zener y es
precisamente esta caracterstica la que se aprovecha para construir un
regulador de voltaje.
En la figura 42, se ha representado el circuito elemental de un
regulador de voltaje utilizando el diodo Zener. RL , representa la carga
del circuito que se desea mantener a un voltaje constante (el voltaje
Zener), Rs es la resistencia que limita la corriente para el zener.
La fuente de voltaje variable, representa las variaciones de voltaje que
podran haber en el circuito que alimenta a la carga.
Fig. 42

4 EL TRANSISTOR
Este es otro componente que al igual que el diodo es muy utilizado en los
circuitos de control y adems, tambin es construido por medio de la unin
de materiales tipo N y tipo P; en esta unidad se estudiarn dos tipos y
particularmente, su operacin como interruptores para el manejo de una
carga.
4.1 EL TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR ( BJT )
Este es un dispositivo de tres terminales que al igual que el diodo es

muy utilizado en los circuitos electrnicos en general, como interruptor
o como amplificador; las siglas BJT provienen de su nombre en ingles
(Bipolar Junction Transistor).
El BJT, puede operar en tres estados (regiones de trabajo)
dependiendo de la forma en que sea polarizado (conectado); a
continuacin se estudiar la construccin, funcionamiento y
configuraciones (forma de conectarlo) del BJT para poder analizar
circuitos que contengan este componente.
4.1.1 CONSTRUCCION DEL BJT
Este es un dispositivo formado a partir de un material semiconductor

intrnseco (Silicio), al cual se le forman tres regiones dopadas
(contaminadas con impurezas) en forma diferente, como se muestra en
la Fig. 43. De cada una de estas regiones, sale un terminal que recibe
nombres diferentes.

Fig. 43
Observe que en este material se han formado dos uniones PN, una
entre la base y el colector y otra entre la base y el emisor. Las regiones
emisor y colector, estn dopadas con el mismo tipo de impurezas
siendo en este caso materiales del tipo N pero el emisor tiene mayor
cantidad de impurezas que el colector y la regin base es un material
del tipo P, mas angosta y con pocas impurezas, de tal manera que este
tipo de transistor se conocer como NPN.
Existen tambin los transistores PNP que aunque son menos utilizados,
tienen las mismas caractersticas de construccin mencionadas
anteriormente, con la nica diferencia de que el material de las
regiones de colector y emisor es del tipo P y el material de la base es
del tipo N.
La apariencia fsica de un BJT puede ser muy variada, en la Fig. 44, se
muestran algunos ejemplos de ellos.
Fig. 44

Como pueden identificarse los terminales de un transistor bipolar?

Cmo podemos saber si es un NPN o un PNP?
Una forma sera, recurrir a la hoja de especificaciones, conociendo el

cdigo de identificacin del componente, pero existe tambin lo que
conoceremos como la prueba esttica para un BJT, la cual nos
permitir saber de que tipo de transistor se trata (NPN o PNP),
identificar los terminales e incluso verificar su estado (bueno o malo)
en forma esttica (sin conectarlo); sin embargo, algunas veces se hace
necesario probar el transistor en forma dinmica (funcionando en un
circuito) para estar seguros de su estado.
4.1.2 PRUEBA ESTATICA DEL TRANSISTOR
Para identificar el tipo de transistor y sus terminales, se utiliza el

conocimiento de su construccin.
1- Sabiendo que en un transistor hay dos uniones PN y que el terminal
de la base es comn a ambas (Fig. 43), utilice el tester en modo de
prueba de diodos e identifique el terminal de la base.
2- Dependiendo de la polaridad que resultara el terminal de la base,
as ser el tipo de transistor. Si la base es (+) el transistor es NPN y
si la base es (-) ser del tipo PNP.
3- Pruebe que el comportamiento de las dos uniones PN (BaseEmisor
y Base-colector) sea como el de un diodo.
4- La unin (Base Emisor), dar un valor mayor que la unin (Base
Colector) cuando se polarice la unin en directa (debido a la
diferencia en el dopado), identificando de esta manera los
terminales.

5- Si las uniones P N no miden como un diodo, ser un indicativo de

mal estado del transistor o talvez el componente de tres terminales
que se esta midiendo no es un BJT.
6- Al medir entre colector emisor (con cualquier polaridad), deber
obtenerse una lectura igual a la medicin de una unin PN en
inversa o bien una lectura de resistencia muy elevada (si utiliza un
tester analgico) si el transistor esta en buen estado.
4.1.3 TEORIA DE OPERACIN DEL BJT
Existe toda una teora a nivel atmico y demostraciones matemticas a

cerca del funcionamiento del transistor, pero eso no es ese el objetivo
de este curso sino mas bien comprender como se comportar en un
circuito bajo ciertas condiciones.
Puede decirse que El BJT es un componente que servir de acople

entre dos zonas de un circuito como se puede observar en la figura 45
y podr estar operando en uno de los tres estados que conoceremos
como regiones de trabajo que son:
REGION DE CORTE: Cuando el transistor esta en esta regin, no

permitir el paso de corriente entre el colector y el emisor (solo habrn
corrientes de fuga al igual que en un diodo).
REGION ACTIVA: En esta regin, la corriente en el colector ser

proporcional a la corriente de la base.
REGION DE SATURACIN: Cuando en el colector circula la mxima

corriente posible, se dice que el transistor esta saturado.

Dependiendo de los cambios que se hagan a la corriente en la malla I

del circuito, as ser la regin en la que se encuentre operando el BJT y
este efecto se ver reflejado en la malla II del circuito como un cambio
en la corriente.
Fig. 45
Para que un transistor (NPN o PNP) pueda trabajar en las regiones antes
mencionadas, debe ser polarizado de tal manera que se cumplan las
condiciones siguientes:
1- La unin Base Emisor debe ser polarizada en directa.

2- El Colector debe tener una polaridad en inversa.

En la Fig. 45, puede observarse que se cumplen estas condiciones (en

cada malla) ya que el transistor es NPN (emisor -, base +, colector - ) y el
terminal de la base esta conectado al (+) de Vb, el emisor al (-) y el
colector al (+) de Vc.
Si el transistor ha sido polarizado cumpliendo las condiciones anteriores,

su funcionamiento estar gobernado por la siguiente ecuacin:
Ic = Ib
Si no hay corriente de base, tampoco habr corriente de colector y se
dice que en tal condicin, el transistor se encuentra en la regin de corte.
Si existe una corriente de emisor a base en la malla I (note que se esta

utilizando el sentido real de la corriente), los electrones sern atrados
hacia el terminal (+) del colector (por ser Vc mayor que Vb) y una
corriente que proviene de Vc, circular por el colector. Esta corriente de
colector, ser proporcional a la corriente de la base y se dice que el
transistor esta en la regin activa.
Si se incrementa la corriente de la base en forma indefinida, la corriente

de colector llegar al valor mximo posible y en ese caso se dice que el
transistor esta en la regin de saturacin.
REPRESENTACIN ESQUEMATICA DEL BJT
Fig. 46

La Fig. 46, muestra el smbolo esquemtico que se utiliza en los

diagramas de los circuitos, observe que los terminales base y emisor
estn sealados por una flecha que indica el sentido convencional de la
corriente.
4.1.4 EL PAR DARLINGTON
En la Fig. 47 se ilustra el par

Darlington. Dicho par es una
configuracin compuesta de dos
transistores en cascada. Esta
combinacin de transistores
posee algunas caractersticas
deseables que la hacen ms til
que un solo transistor en ciertas
aplicaciones. Por ejemplo, el
circuito tiene alta impedancia de
entrada, baja impedancia de
salida y alta ganancia de
corriente. Una desventaja del par
Figura 47. El par Darlington
Darlington es que la corriente de
fuga del primer transistor es
amplificada por el segundo.
Si los dos transistores se conectan de la manera mostrada en la
figura 47, los betas de los dos transistores se multiplican,
formando una combinacin que parece un solo transistor de
alta.
EL PAR DARLINGTON 25/JUNIO/03
http://www.angelfire.com/al3/VGhp/darlingt.htm

4.1.5 VALORES NOMINALES Y HOJA DE ESPECIFICACIONES
Como ya sabemos, el transistor tiene dos uniones PN y estas son

sometidas a diferentes condiciones de polarizacin mientras el
transistor esta funcionando, de tal manera que no cualquier transistor
soportar cualquier condicin de trabajo.
Los fabricantes de BJT, someten a stos a numerosas pruebas para

obtener los valores nominales (o promedio) que los transistores puede
soportar y as proporcionan la informacin necesaria (parmetros
elctricos) para poder utilizar el componente que mejor responda a la
aplicacin particular.
Dependiendo del tipo de transistor, as ser la cantidad de parmetros
que el fabricante pondr en la hoja de especificaciones; a continuacin
se definirn algunos de los parmetros ms importantes del BJT.
V CEO: Voltaje Colector Emisor (con la base abierta)

V CBO: Voltaje colector - Base (con el emisor abierto)
V EBO: Voltaje Emisor - Base (con el colector abierto)
I C: Corriente de colector continua
hfe: Ganancia de corriente ()
T J , T STG: Rango de temperatura de operacin y almacenaje.
Puede haber muchos parmetros mas en una hoja de especificaciones, pero
dependiendo de la aplicacin, as debemos extraer la informacin
pertinente de la hoja.
Ejercicio.

En internet, utilice un buscador y obtenga los valores nominales (definidos

anteriormente) para los transistores 2n2222 ( 123AP) y D313.
4.2 EL MOSFET
Es un componente de tres terminales que se denominan:
Compuerta ( G )
Dreno ( D )
Fuente ( S )
Fig. 48 Smbolo esquemtico del mosfet del tipo incremental.
4.2.1 EL MOSFET EN CONMUTACIN.
Los MOSFET se han impuesto a los transistores bipolares, debido a la

respuesta en conmutacin.
De entrada, la frecuencia de conmutacin que pueden alcanzar los
MOSFET es muy superior debido a su propio diseo interno.
Podemos decir que el Mosfet es una buena seleccin en aplicaciones de
voltajes de hasta unos 100 V con altas corrientes y alta velocidad de
conmutacin como se necesita en la tcnica PWM (Modulacin de ancho
de pulso).
Comparado con el transistor BJT, el diseo de circuitos de excitacin es
mucho mas sencillo ya que solamente es necesario aplicar a la

compuerta 0 voltios para colocarlo en corte, y 8 voltios para que

entre en saturacin.
Una ventaja mas de los Mosfet es su facilidad de conectarlos en
paralelo.
Para las aplicaciones de alto voltaje (300 a 1000V.) la mejor opcin es
utilizar IGBT (transistor de compuerta aislada) que son transistores
compuestos de un Mosfet y un Transistor BJT.
Fig. 49 Circuito de conmutacin bsico de un Mosfet.

5 CIRCUITOS INTEGRADOS
Son dispositivos encapsulados que contienen en su interior un conjunto de

elementos (diodos, capacitores, resistencias, etc.) interconectados de una
manera conveniente para desarrollar diversas funciones.
5.1 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL (LM 741)
Como su mismo nombre lo sugiere, el amplificador operacional es un

dispositivo con el cul pueden realizarse numerosas operaciones como la
suma, resta multiplicacin, etc., solo que en este caso se est hablando de
un voltaje que es aplicado a la entrada de un amplificador operacional y

despus de realizar alguna operacin con l, es trasladado a la salida como

un voltaje resultante.
5.1.1 ASPECTO FSICO Y CONSTRUCCIN

El Amp. Op., es un componente que tiene ocho terminales y puede
encontrarse en dos tipos de encapsulado, plstico (Fig. 50 A) o
metlico (Fig. 50 B).
(A) (B)
Fig. 50
Internamente, un Amp. Op. esta formado por la interconexin de

componentes que ya conocemos (transistores, capacitores,
resistencias, etc.) como puede verse en el ejemplo del diagrama
esquemtico de un Amp. Op., de la Fig. 51

Fig. 51
Obviamente el anlisis interno de un Amp. Op. Es sumamente complejo

y adems como se puede observar en los encapsulados, no se tiene
acceso a sus componentes internos sino nicamente a sus terminales
externos, de tal manera que el estudio de este componente, se limitar
a conocer sus caractersticas externas y configuraciones, para poder
analizar un circuito o utilizarlo en la construccin de otro.
5.1.2 DISTRIBUCIN DE LOS TERMINALES (PINES)
Existen otros Amp. Op., pero el LM741 es el ms utilizado y siempre

debe consultarse la hoja de especificaciones antes de utilizar cualquier
componente que as lo requiera.

Fig. 52 TIPO DE ENCAPSULADO PLASTICO (VISTA SUPERIOR)
Fig. 53 TIPO DE ENCAPSULADO METALICO (VISTA SUPERIOR)
En el tipo de encapsulado plstico, el pin N 1 se identifica por medio

de un punto que trae marcado a la par del mismo, algunos
componentes que no traen ste punto, traen un saque que indica la
posicin (ver Fig. 52); Mientras que en el tipo de encapsulado metlico,
el pin N 8 es el que viene sealado por medio de una pestaa saliente
(ver Fig.53) pero en ambos casos, debe observarse esta caracterstica

viendo el componente por encima y es por esa razn que ambas vistas
son superiores.
5.1.3 SMBOLO ESQUEMTICO
Para representar a un Amp. Op. en los diagramas esquemticos de circuitos

electrnicos, se utilizar el smbolo que se muestra en la Fig. 54.
Fig. 54
5.1.4 POLARIZACION DEL AMP. OP.
Recordemos que para que un componente electrnico pueda operar

debe ser polarizado y en el caso del Amp. Op., la polarizacin consiste
en conectarle los voltaje +V y V respecto de una referencia que estar
a 0V.
Observando la Fig. 54, puede verse que este componente deber

utilizar una fuente bipolar para poder conectarle los voltajes +V y V;
sin embargo, puede conectarse tambin utilizando una sola fuente
conectando el terminal V a la referencia.
Si se va a polarizar con una fuente bipolar, el voltaje debe ser menor

de 18 V y en el caso de polarizarlo con una fuente sencilla, valor de
ste voltaje debe ser menor de 30V. Sin embargo, la recomendacin es
verificar siempre la hoja de especificaciones.

Fig. 55
Observe en la Fig. 55, que la polarizacin son los voltaje +V y V
medidos respecto de la referencia (0V) y que tanto el voltaje de salida
(Vout) como los voltajes de entrada (Vin 1 y Vin 2) son medidos
tambin respecto a la misma referencia (0V).
Normalmente en la mayora de los circuitos con Amp. Op., los
terminales (1) y (5) no sern utilizados por servir nicamente para
corregir el defecto del 0V en el voltaje de salida cuando la aplicacin
as lo requiere.
El terminal (8) no lleva conexin elctrica y solo sirve para sujecin de
modo que de los ocho terminales de conexin, normalmente se
utilizarn solo cinco que son:
Dos terminales de entrada

Dos terminales para polarizacin
Un terminal de salida.
Entre al sitio de Internet que aparece a continuacin y obtenga

informacin sobre el significado de las letras que se utilizan en los
cdigos de los Amp. Op.

Las figuras anteriores fueron modificadas tomando como base:

TEORIA de CIRCUITOS I UNPSJB 7 / julio de 2003
http://www.ing.unp.edu.ar/electronica/asignaturas/ee016/tutoriales/ao
/desarrollo.htm
5.1.5 CARACTERSTICAS DE ENTRADA Y SALIDA
Este componente tiene la caracterstica de presentar una alta

impedancia a la entrada (Rin) y una baja impedancia a la salida (Rout),
sin embargo recordemos que estas impedancias podrn variar
dependiendo de la configuracin que se haga, pero lo que en este
momento interesa, es comprender, que presenta el Amp. Op. a la
entrada de las seales y que ofrece l a la salida.
Fig. 56 Modelo del circuito de un Amp. OP.
Un circuito equivalente de un Amp. Op. puede ser el representado en la

Fig.56, donde en la entrada diferencial (V2 V1), hay una resistencia
que ser normalmente alta (Rin) y la salida puede ser considerada
como una fuente de tensin de baja impedancia (Rout) y baja
capacidad de corriente (20 mA). El voltaje de salida (Vout), depender

de la diferencia de los voltajes de entrada, afectado por una ganancia

(A).
Operational amplifier circuit 7 / julio de 2003

http://translate.google.com/translate?hl=es&sl=en&u=http://webpage
s.ursinus.edu/lriley/ref/circuits/node5.html&prev=/search%3Fq%3DLM
741%26start%3D50%26hl%3Des%26lr%3D%26ie%3DUTF-
8%26sa%3DN
5.1.6 HOJA DE ESPECIFICACIONES
Entre al sitio que aparece a continuacin, seleccione el LM741 y

obtenga la siguiente informacin:
Voltaje de polarizacin (voltaje de fuente)

Impedancia de entrada ()
Corriente mxima de salida
Datasheets 09/julio/03
http://translate.google.com/translate?hl=es&sl=en&u=http://www.ele
ctronic-
engineering.ch/radiocontrol/datasheets/datasheets.html&prev=/search
%3Fq%3DLM741%26start%3D100%26hl%3Des%26lr%3D%26ie%3D
UTF-8%26sa%3DN
5.1.7 CONFIGURACIONES BSICAS
Despus de haber polarizado (conectarle la fuente de voltaje) un

Amp.Op. y dependiendo de la operacin que se desee realizar con l,
as ser necesario conectar el resto de sus terminales externos. La

forma de realizar estas conexiones externas es lo que conoceremos

como configuracin.
Afortunadamente para nosotros, existen ciertas configuraciones bsicas
del Amp. Op. de las cuales ya se conoce la expresin matemtica que
relaciona la entrada con la salida del mismo y por lo tanto, solo se
necesitar saber escoger la configuracin mas adecuada a cada
aplicacin en particular, para resolver la mayora de las dificultades que
se presentan; sin embargo, esto no quiere decir, que no existan
aplicaciones en las que se requiera otras configuraciones o
combinaciones mucho ms complejas, en las que se requerir un alto
nivel de conocimiento y sobre todo mucha experiencia.
5.1.7.1 COMPARADOR
Este circuito hace una comparacin de los valores de voltaje de las dos
entradas para decidir la polaridad que tendr el voltaje de saturacin
en la salida.
Fig. 57
En esta configuracin, el voltaje de salida del Amp. Op., ser de un
valor cercano al valor del voltaje de polarizacin, se le conoce como
voltaje de saturacin (Vsat) y es el mximo valor que puede tener a la
salida porque el Amp. Op. no puede dar un voltaje mayor al que se le
est proporcionando por medio de la fuente de polarizacin.

Este voltaje de saturacin puede ser: (+) (-), dependiendo de cual de

los voltajes de entrada es mayor.
As, en el circuito de la Fig 57:
Si Vin 1 es mayor que Vin 2 , entonces Vout -12V

Si Vin 2 es mayor que Vin 1 , entonces Vout 12V
Ejemplo:
En el circuito de la Fig. 58, la seal de voltaje en la entrada inversora
(-) proviene del terminal central del potencimetro, mientras que la
entrada no inversora (+), est conectada a la referencia (0V). Cul
ser el valor del voltaje de salida cuando el terminal central del
potencimetro se acerca al punto A? Y Cul ser el valor al acercarse
a B?.
Fig. 58
Como la entrada no inversora tiene un valor fijo (0V), el voltaje de
salida lo definir el valor de voltaje que halla en la entrada inversora.

Si el terminal central del potencimetro se desplaza hacia el punto A,

tendr un valor de voltaje (+) (mayor que cero) y por lo tanto el
voltaje de salida ser Vout -15 V por ser el voltaje en el terminal de
la entrada (-) mayor que el del terminal de la entrada (+).
En cambio si el terminal del potencimetro se desplaza hacia el punto

B, tendr un valor de voltaje (-), siendo entonces mayor el voltaje en
la entrada no inversora (0V) con lo cual la salida ser: Vout 15 V
Cul es el valor del voltaje en los puntos A y B? (repaso)
5.1.7.2 AMPLIFICADOR INVERSOR
En esta configuracin, el voltaje de entrada es amplificado segn el

valor de la ganancia A e invertido en su polaridad, como se puede ver
en la ecuacin que relaciona la entrada y la salida.
Fig. 59

EJEMPLO.
SI en el circuito de la Fig. 59, Ri = 20K, Rf = 80k, Vin = 1.5V y los

voltajes de polarizacin son +15V y 15V respectivamente. Calcule el
voltaje en la salida.
Vout = - (80K / 20K) (1.5V) = - 6V
Observe que es este clculo no interviene el valor del voltaje de

polarizacin, sin embargo, hay que tener presente que ste valor
(polarizacin) debe ser mayor que el valor de voltaje de salida
esperado, porque el voltaje de salida de una etapa amplificadora, nuca
podr ser mayor que el voltaje de polarizacin.
Cuando se desea disear una etapa de amplificador inversor, a partir

de los valores de voltaje de entrada y salida deseados, para calcular la
ganancia de voltaje, se tiene que definir el valor de una de las dos
resistencias. Un criterio emprico, es escoger el valor Ri igual o mayor
de 10 K.
5.1.7.3 AMPLIFICADOR NO INVERSOR
Las caractersticas en esta configuracin son que el voltaje de salida

ser de la misma polaridad que el voltaje de la entrada y amplificado
segn A = 1 + Rf / Ri
La forma de conexin y la ecuacin que relaciona la entrada con la

salida, se representa en la Fig. 60.

Fig. 60
Generalmente en una etapa amplificadora, lo que interesa saber, es

como se modificar el voltaje de entrada a la etapa, cuando salga de la
misma y esto se calcula sustituyendo los datos en la ecuacin que las
relaciona.
Si la etapa ser diseada a partir de los voltajes de entrada y salida
deseados, se utiliza el mismo criterio mencionado para el caso del
amplificador inversor. (Ri 10K)
5.1.7.4 AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
Este circuito (Fig. 61), amplifica la diferencia de los voltajes de entrada

y la polaridad del voltaje de salida ser igual a la de la entrada que
tenga el mayor valor de voltaje.

Fig. 61
5.1.7.5 AMPLIFICADOR SUMADOR
Este circuito es un amplificador inversor, por ser la salida de polaridad

contraria a la de la estrada.
Como se puede observar en la Fig. 62, hay tres voltajes conectados a
la misma entrada (-), de modo que el amplificador tomar cada uno y
lo amplificar segn su ganancia correspondiente (Rf/Ri), pero en este
caso Ri, tomar los valores R1,R2 y R3 respectivamente como se
observa en la ecuacin.
Fig. 62

5.1.7.6 SEGUIDOR DE VOLTAJE
Aparentemente al observar la ecuacin que relaciona la entrada con la

salida, no tiene ningn objetivo un circuito para obtener el mismo valor
de voltaje de la entrada en la salida; pero esta configuracin, que por
cierto es la que presenta la mayor impedancia de entrada, se utiliza en
algunos casos como un dispositivo de interfase, para acoplar dos
elementos que no pueden ser conectados en forma directa, como por
ejemplo, cuando la seal de voltaje proviene de un sensor de muy baja
capacidad de corriente (una termocupla) y el dispositivo que procesar
la seal, demandar una corriente mayor que la capacidad de corriente
del sensor.
Fig. 63
Operational amplifier circuit 7 / julio de 2003

http://translate.google.com/translate?hl=es&sl=en&u=http://webpages.ursi
nus.edu/lriley/ref/circuits/node5.html&prev=/search%3Fq%3DLM741%26sta
rt%3D50%26hl%3Des%26lr%3D%26ie%3DUTF-8%26sa%3DN

5.2 LM 324
Este es un circuito integrado de 14 pines que contiene en su interior

cuatro amplificadores operacionales que son polarizados con la misma
fuente para el armado de circuitos que requieren mas de una etapa,
pudiendo estar cada una de ellos en diferente configuracin.
V (max.) = +18 V
Fig. 64
5.3 LM 339
Es un circuito integrado que al igual que el LM 324 posee cuatro

operacionales, pero se utiliza como comparador en aplicaciones
especificas de conmutacin por conectar a GND, cuando el voltaje de la
entrada inversora, es mayor que el voltaje de la entrada no inversora.
Cuidado: Las salidas de este integrado No deben ser conectadas

directamente a una fuente de tensin, sino a travs de una resistencia
limitadora de corriente, como se muestra en la Fig. 65 b.

DIDTRIBUCIN DE PINES PARA EL LM 339
Fig. 65 a Fig. 65 b
Tarea: Investigue el valor mximo de voltaje de polarizacin para el LM 339
V +(max.) = _______
5.4 LM 555
Este es un circuito integrado que se utiliza para construir circuitos de

control de tiempo y circuitos osciladores. Puede ser polarizado con
valores de voltaje inferiores a los 18 V y el voltaje de salida ser
prcticamente igual al voltaje de polarizacin.
A continuacin se presenta la distribucin de los pines segn el tipo de

encapsulado y el diagrama de conexiones para la construccin de un
Timer.
5.4.1 DISTRIBUCIN DE LOS PINES
Fig. 67
5.4.2 CONFIGURACIN COMO TIMER
Fig. 68
Nota : En este circuito el pin 4 tambin puede ser conectado a

+V a fin de evitar interferencias en el tiempo de duracin del
perodo T; tambin puede ser utilizado para terminar T
antes del tiempo estipulado, conectando momentneamente
( pin 4) a 0V.

5.4.2.1 FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO
Al dar un pulso (conectando en forma momentnea el terminal 2 a

tierra), en el terminal de salida (3) aparecer el valor de voltaje de
polarizacin y permanecer activado un tiempo (T) en segundos igual a
1.1 R C, si R esta en Ohmios y C esta en faradios. Mientras
transcurre el tiempo (T), el circuito no responder a ningn nuevo
pulso y la salida permanecer activada. Despus de haber transcurrido
el tiempo (T), la salida se desactiva y el circuito queda listo para recibir
un nuevo pulso.
5.4.3 CONFIGURACIN COMO CIRCUITO OSCILADOR
En un circuito oscilador, la seal de salida cambia de valor en forma

cclica o sea que sus valores se repiten cada cierto tiempo (perodo) y
el nmero de veces que se repite la oscilacin en la unidad de tiempo,
es la que conocemos como la frecuencia de la seal.
Un circuito con estas caractersticas puede ser construido utilizando un
IC 555 como puede verse a continuacin:
Si el 555 se conecta como se indica en la Fig. 69, la seal de salida es
una onda cuadrada como se puede observar en el grfico del voltaje de
salida.

Fig. 69
Como F = 1/T F = 1.44 / (R1 + 2 R2) C
El valor del voltaje promedio (Vdc) en la salida ser:
V dc = V ( t) / T
La seal de salida en este circuito ser oscilante, de manera que la

carga que se conecte, permanecer tiempo (t) en un valor de voltaje
aproximadamente igual al de la fuente de alimentacin y un tiempo
(t) en 0V, por cada ciclo de la seal. La frecuencia de la oscilacin
puede ser determinada por medio de la expresin: F = 1 / T.
Nota: En este circuito, el pin 5 puede ser utilizado para variar el

valor de la frecuencia introduciendo una seal de voltaje
variable.

EJERCICIO.
1- Calcule (T) correspondiente al valor de capacitancia y resistencia
proporcionados, verifique el funcionamiento del circuito y calcule el
error porcentual de (T).
2- Qu valores debern tener R y C si se quiere que T sea de 2
minutos? Verifquelo.
5.5 COMPUERTAS LGICAS
Los circuitos digitales se basan en la condicin de dos estados posibles

de operacin (encendido o apagado)
A la condicin apagado se le conoce como 0 lgico y a la de
encendido 1 lgico
Por esta razn trabajan en un sistema de numeracin binario, cual
consta nicamente de dos dgitos (0 y 1)
En un circuito, el 0 lgico y el 1 lgico, corresponden a niveles de

voltaje que se indican mas adelante.
5.5.1 SIMBOLOGIA Y TABLAS DE VERDAD DE LAS FUNCIONES

LOGICAS
Fig. 70

La electrnica digital esta basada en el uso de lo que se conoce como

circuitos integrados (ICs); stos contienen en su interior los
componentes como diodos, transistores, resistores, etc. pero
construidos en miniatura, encapsulados e interconectados de tal
manera que al ser conectados externamente cumplirn la funcin
descrita por medio de las tablas de
verdad.
En la Fig. 71 se muestra un IC
encapsulado en doble lnea (DIP)
Fig. 71
Estos ICs estn clasificados por familia y sus principales

caractersticas son:
5.5.2 FAMILIA TTL
Voltaje de polarizacin 5V Imax. 20mA

ENTRADA SALIDA
0 Lgico 0.8V 0 Lgico 0.4V
1 Lgico 2.4V 1 Lgico 2.5V
5.5.3 FAMILIA CMOS
Voltaje de polarizacin 3-15V I max. 15mA

ENTRADA SALIDA
0 Lgico 30% V 0 Lgico 0 voltios

1 Lgico 70% V 1 Lgico V

6 TIRISTORES
Son dispositivos de estado slido que se caracterizan por entrar en

conduccin como un disparo repentino haciendo actuar una carga. Existen
varios dispositivos de este tipo, pero en esta unidad se estudiarn: El DIAC,
el UJT, el SCR y el TRIAC
6.1 EL DIAC ( Diode Alternative Current )
Es un dispositivo bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos

electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno de control. Es un
componente electrnico que est preparado para conducir en los dos
sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional,
siempre que se llegue a su tensin de cebado o de disparo que es de
aproximadamente 30 V.
Fig. 72 Smbolo esquemtico y Estructura del DIAC

Hasta que la tensin aplicada entre sus extremos supera la tensin de

disparo VBO (30 V) ; la intensidad que circula por el componente es
muy pequea (se comporta como un circuito abierto). Al superar dicha
tensin la corriente aumenta bruscamente y disminuye como
consecuencia, la tensin anterior (se comporta como un alambre).
Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de los
diodos de unin o de zener.
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de

la corriente del triac, de forma que solo se aplica tensin a la carga
durante una fraccin de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan
para el control de iluminacin incandescente con intensidad variable,
calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos controles
de velocidad de motores.
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_diac/diac.htm
De Wikipedia, la enciclopedia libre
http://es.wikipedia.org/wiki/DIAC
6.1.1 PRUEBA DINMICA PARA UN DIAC
En el circuito de la Fig. 73, al desplazar el terminal central del

potencimetro hacia el punto A, el voltaje Vo = 0V debido a
que el diac esta abierto (no hay corriente a travs de la R de
100 Ohmios) porque el voltaje aplicado a los terminales del diac
es menor que 30 V. Si ahora se desplaza el terminal central del
potencimetro hacia el punto B, un voltaje aparecer en la R
de 100 Ohmios debido a la corriente que ahora circula por el
diac.
Nota: invierta el diac, si desea verificar su funcionamiento bilateral.
Fig.73
El circuito anterior, solo se utiliza para probar el funcionamiento de un

diac, no es una aplicacin tpica.
6.2 El UJT (transistor de uni-unin)
Es un tipo de transistor compuesto por una barra de silicio tipo N o P

en cuyos extremos se tienen los terminales Base 1 (B1) y Base 2 (B2).
En un punto de la barra ms prximo a B2 se incrusta un material de
tipo P o N dando lugar al terminal de emisor.
Fig. 75 Smbolo de un UJT

Cuando se polariza el transistor la barra acta como un divisor de
tensin apareciendo una VEB1 de 0,4 a 0,8v. Al conducir el valor de RB1
se reduce notablemente.
Observa el circuito equivalente.

Fig. 76
Observando el circuito de polarizacin de la figura se advierte que al ir

aumentando la tensin Vee la unin E-B1 se comporta como un diodo
polarizado directamente. Si la tensin Vee es cero, con un valor
determinado de Vbb, circular una corriente entre bases que originar
un potencial interno en el ctodo del diodo (Vk). Si en este caso
aumentamos la tensin Vee y se superan los 0,7v en la unin E-B1 se
produce un aumento de la corriente de emisor (IE) y una importante
disminucin de RB1, por lo tanto un aumento de VBE1. En estas
condiciones se dice que el dispositivo se ha activado, pasando por la
zona de resistencia negativa hacia la de conduccin, alcanzando
previamente la VEB1 la tensin de pico (Vp).
Fig. 77

Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda
por debajo de la intensidad de valle (Iv).De lo anterior se deduce que la
tensin de activacin Vp se alcanza antes o despus dependiendo del
menor o mayor valor que tengamos de tensin entre bases VBB.
6.3 EL SCR (Silice Controlled Rectifier )
El rectificador controlado de silicio, es un tipo de tiristor formado por

cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien
NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y
Transistor.
Fig. 78 Smbolo esquemtico y estructura

Un SCR posee tres conexiones: nodo (A), ctodo (K) y puerta (G). La
puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo
y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador
controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido.
Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se
inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el

tiristor comienza a conducir. Una vez arrancado, podemos anular la

tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la
corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de
mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en
cada alternancia o semiciclo.
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y
ctodo de un tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin an
sin corriente de puerta. Por ello se da como caracterstica la tasa
mxima de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR.
Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre
la puerta y el nodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia y de
control. Podramos decir que un SCR funciona como un interruptor
electrnico.
http://es.wikipedia.org/wiki/SCR
CIRCUITO TPICO PARA PRUEBA DINMICA DE UN SCR DE MEDIANA

POTENCIA
Fig. 79
ENCAPSULADOS
Como en cualquier tipo de semiconductor su apariencia externa se
debe a la potencia que ser capaz de disipar. En el caso de los

tiristores los encapsulados que se utilizan en su fabricacin es diverso,

aqu aparecen los ms importantes.
T0 200AB TO 200AC d2pak
TO 209AE (TO 118) TO 208AD (TO 83) TO 247AC
TO 220AB TO 208AC (TO 65) TO 209 AB (TO 93)
6.4 EL TRIAC
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo

semiconductor, de la familia de los transistores. La diferencia con un
tiristor convencional es que ste es unidireccional y el TRIAC es
bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un
interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que
formaran dos SCR en antiparalelo.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de
nodo y ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una
corriente al electrodo puerta.

Fig. 80
Construccin del TRIAC.
Aplicaciones ms comunes
Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. Una
de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas
ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels.
Funciona como switch electrnico y tambin a pila. Se utilizan TRIACs
de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz,
controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de
control computarizado de muchos elementos caseros. No obstante,
cuando se utiliza con cargas inductivas como motores elctricos, se
deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC
se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de
Corriente alterna.
http://www.unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp

PRUEBA PARA TRIAC
En este circuito al dar un pulso deber encender el foco, independiente de la

polaridad de la fuente.
7 SENSORES
Estos elementos son por lo general dispositivos de baja capacidad de

potencia que se utilizan para obtener una seal que pueda ser analizada por
el circuito de control; existe una gran variedad de sensores para cada tipo de

proceso de control (temperatura, presin luz, etc.), pero en cada caso habr
caractersticas propias al tipo de sensor que son las que hay que conocer
para poder probarlo o sustituirlo.
7.1 EL OPTO INTERRUPTOR
Este es un componente que viene encapsulado de modo que la seal es

provocada por la interrupcin de un haz de radiacin infrarroja,
contiene en su interior un LED infrarrojo y un fototransistor como se
muestra en la Fig. 82
Fig. 82
El funcionamiento si el dispositivo esta polarizado en forma correcta
debe ser tal que:
Al estar destapado el fototransistor recibe la radiacin que emite el LED
y por lo tanto se satura, la resistencia entre colector emisor es baja y
conduce como un alambre. Al tapar el LED, el transistor ya no recibe
radiacin y entonces se pone en corte, por lo tanto la resistencia
colector emisor es muy alta y se comporta como un circuito abierto.
Para poder probar cualquier tipo de sensor el proceso general es el

mismo:
1 Se debe conocer las caractersticas del sensor ( de partes esta
compuesto y como funciona )
2 Se debe probar en forma esttica y en forma dinmica (de acuerdo
al tipo de sensor)

7.1.1 PRUEBA PARA UN OPTO INTERRUPTOR
1. Identifique los terminales del LED infrarrojo del opto interruptor

utilizando el tester en el modo de prueba de diodos.
2. Los terminales sobrantes deben corresponder al colector y emisor

del fototransistor y la lectura del tester debe indicar ABIERTO en
ambas direcciones.
3. Sabiendo que la corriente adecuada para un LED infrarrojo oscila de

20 -40 mA, y que la cada de tensin a travs del mismo es de
aproximadamente 1.0 V, calcule la resistencia limitadora de
corriente en el circuito que se muestra a continuacin si V = 12 V:
Fig. 83
4. Arme el circuito de la Fig. 83 y mida la resistencia C-E del

fototransistor, tapando y destapando (con un cuerpo opaco) el
espacio que existe entre el LED infrarrojo y el fototransistor, debe
de respetar la polaridad indicada en el ohmetro (Colector +).
R (con el LED tapado) = __Valor relativamente alto______
R (con el LED destapado) = _Valor relativamente bajo_______
Nota: Cuando no se respeta la polaridad del ohmetro, la lectura de

ste puede ser inestable.

Ejemplo de una aplicacin:
Fig. 84
En el circuito de la Fig. 84, todos los transistores estn trabajando
como un interruptor (pasan de corte a saturacin). Si el Led infrarrojo
no esta obstruido por el cuerpo opaco (como esta indicando en la
Fig. 84), el fototransistor esta saturado por que recibe la seal de
radiacin en su base y por lo tanto se comporta como si existiera un
alambre entre sus terminales colector emisor; de manera que no
habra corriente hacia la base del 2n2222 que esta conectado como par
Darlington con el D313 y el rele permanece con su contacto abierto
porque el D313 esta en corte; Entonces, el foco estara apagado.
Qu suceder en el circuito al bajar el cuerpo opaco como se indica

por la flecha? Subraye.
El fototransistor esta en: Corte Saturacin

El 2n2222 esta en: Corte Saturacin
El D313 esta en : Corte Saturacin
El contacto del Rele esta: Cerrado Abierto
El LED esta emitiendo radiacin: SI NO
El foco esta: Apagado Encendido

7.2 LA LDR (Light dependent Resistor).
El LDR es una resistencia que vara su valor hmico dependiendo de la

cantidad de luz que recibe.
Fig. 85
Los valores de una fotorresistencia cuando est totalmente iluminada y
cuando est totalmente a oscuras vara, pero no pasa de 1K (1000
Ohms) en iluminacin total y no es menor a 50K (50,000
Ohms) cuando est a oscuras.
El valor de la fotorresistencia (en Ohmios) no vara de
forma instantnea cuando se pasa de luz a oscuridad o al
contrario, y el tiempo que se dura en este proceso no
siempre es igual si se pasa de oscuro a iluminado o si se
pasa de iluminado a oscuro.
Esto hace que el LDR no se pueda utilizar en muchas aplicaciones,

especialmente aquellas que necesitan de mucha exactitud en cuanto a
tiempo para cambiar de estado (oscuridad a iluminacin o iluminacin
a oscuridad) y a exactitud de los valores de la fotorresistencia al estar
en los mismos estados anteriores.

Pero hay muchas aplicaciones en las que una fotorresistencia es muy

til. En casos en que la exactitud de los cambios no es importante
como en los circuitos:
Luz nocturna de encendido automtico, que utiliza una fotorresistencia

para activar una o ms luces al llegar la noche.
Cmo puede probar una LDR en forma esttica?
_________________________________________________________
_________________________________________________________
7.3 INTERRUPTORES MAGNETICOS
Este es un tipo de elemento que utiliza el campo magntico para su

funcionamiento, entre los cuales podemos mencionar el rel; sin
embargo, en el caso de los elementos utilizados como sensores, existe
un tipo conocido como reed rel o reed switch.
Fig. 86 Rel Reed
Cmo puede probarse este elemento?

_________________________________________________________
_________________________________________________________

7.4 LA RTD (DETECTOR DE TEMPERATURA RESISTIVO)
Estos son elementos que varan su valor de resistencia en Ohmios

debido al cambio de temperatura que experimenten y puede haber de
varios tipos:
Metlicos: Estn construidos de un alambre delgado (Nquel Platino)

y se les conoce como RTD (Detector de temperatura resistivo). Entre
los ms utilizados esta el PTC PT100 que es de Platino y tiene una
resistencia de 100 a 0C. El rango de utilizacin es de 50C a 500
C.
Estos elementos metlicos, tienen la caracterstica de aumentar su
resistencia con el aumento de temperatura.
Semiconductores (Termistores): Estos tienen la caracterstica de

disminuir su resistencia con el aumento de la temperatura y se
lesconoce como NTC (coeficiente de temperatura negativo); aunque en
este tipo, existen tambin algunos que aumentan su resistencia con el
aumento de temperatura y se les conoce como de coeficiente positivo,
que en siglas se les llama tambin PTC (coeficiente de temperatura
positivo) y no deben ser confundidos con los metlicos.
El rango de utilizacin de los termistoreses de -50 a 100C.
Cmo probarlos?
Los metlicos:
_________________________________________________________
_________________________________________________________
Los semiconductores:
_________________________________________________________
_________________________________________________________

8 CIRCUITOS DE CONTROL ELECTRNICO
Para construir un circuito de control, se requiere conocer las condiciones del

problema y las caractersticas de funcionamiento de los elementos discretos
que se podran utilizar para resolverlo.
Existen circuitos tpicos para la solucin de problemas comunes que se
conocen y puede tambin utilizarse combinaciones de estos para resolver
situaciones particulares. A continuacin se presentan algunos de los circuitos
ya conocidos para el control en diferentes aplicaciones.
8.1 CRITERIOS PARA LA SELECCIN DE COMPONENTES
La seleccin de los componentes para un circuito de control se basa en las

condiciones que se deben cumplir para dar solucin al problema planteado y
en el conocimiento de las caractersticas y principios de funcionamiento de
los diferentes componentes elctricos, y electrnicos que pueden ser tiles
para una aplicacin particular.
EJEMPLO:
8.1.1 PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
Se desea construir una fuente de voltaje regulada ajustable ( 15v; 1 A)

con limitacin de corriente (auto protegida).

8.1.2 BUSQUEDA DE ALTERNATIVAS
El diseo del circuito pude ser creado a partir de las condiciones o

buscar uno ya existente y adaptarlo.
8.1.3 CIRCUITO SELECCIONADO (CASO DE UNA ADAPTACIN)
FUENTE REGULADA AJUSTABLE

CON LIMITACIN DE CORRIENTE AJUSTABLE
Fig. 87
8.1.4 ANLISIS DEL FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO
Para poder utilizar un circuito prediseado por otra persona y adaptarlo

a las necesidades particulares, se debe en primer lugar estudiar hasta
comprender a cabalidad como funciona.
El voltaje Va a la salida del puente es filtrado por C1 y aplicado a la
etapa de regulacin.
El diodo zener D5, fijar el voltaje aplicado a los extremos de R4 y lo

estabilizar ante pequeas variaciones en el voltaje de alimentacin del
transformador.

Por medio de R4 se ajusta el valor deseado de voltaje Vo en la salida

de la fuente.
Vo ser igual al voltaje ajustado en la base de Q2 menos la cada de

tensn en las uniones base emisor de Q2 y Q3.(segn ley de
tensiones de Kirchhoff aplicada a esa malla)
Al conectar una carga, el voltaje Vo permanecer aproximadamente

constante debido a que el transistor Q3 (que est trabajando en la
regin activa) ajustar su voltaje Vce de modo que: Vo = Va - Vce. El
par Darlington (formado por los transistores Q2 y Q3) permite que
mientras la corriente que pasa por Q3 y la carga es grande, la
corriente que toma la base de Q2 sea muy pequea.
La corriente que circula por la carga al regresar a la fuente, pasa por

R2 provocando una cada de tensin que es igual a I L x R2 ; este
voltaje queda aplicado a R3 y dependiendo del ajuste Que sta (R3)
tenga, as ser el valor de la corriente que fluya a tierra a travs del
transistor Q1.
Al aumentar la corriente en la carga, tambin aumenta el voltaje en R2

(que es el mismo aplicado a R3) y al llegar al valor previamente
calibrado en R3, Q1 se satura provocando que en R4, el voltaje caiga a
0V con lo cual Vo = 0V limitando de esta manera la corriente mxima
entregada por la fuente.
Para calibrar R3, ajuste (por medio de R4) el voltaje de salida Vo,
conecte una carga que demande la corriente que se quiere limitar y

ajuste R3 al punto en que el voltaje de salida cambie del valor Vo que

se ajusto, a 0V.
8.1.5 DESCRICION DE LA FUNCION DE SUS COMPONENTES
Transformador reductor de voltaje V1 (120V) / V2 para reducir el

voltaje de alimentacin al valor V2 deseado.
Puente rectificador formado por D1, D2, D3, D4 para convertir la seal
de a.c. en una seal de d.c.
Capacitor C1 para el filtrar la seal rectificada (reducir el rizado)
R1 Resistencia limitadora de corriente para el diodo zener D5
R2 Resistencia utilizada para el monitoreo de la corriente en la carga
R3 Potencimetro para la calibracin del lmite de corriente de la fuente
R4 Potencimetro Para el ajuste del voltaje de salida Vo de la fuente
Q1 Transistor para poner a 0V la salida de la fuente al ser sobrepasado
el valor de corriente mxima ajustado.
Q2 y Q3 forman un par Darlington; mientras Q3 maneja la corriente
grande de la carga, Q2 ayuda a que la corriente que llega a su base a
travs de R4 sea muy pequea.
D5 es un diodo zener que permite estabilizar el voltaje ajustado por
medio de R4
D6 es un diodo de propsitos generales que protege a la fuente de
voltajes de polaridad contraria generados por cargas inductivas
8.1.6 COMO ESPECIFICAR CADA COMPONENTE DEL CIRCUITO
CRITERIOS DE DISEO
1 Defina el voltaje mximo que se desea regular.

2 Defina la capacidad de corriente que se desea que tenga la fuente.
3 Determine las caractersticas del transformador.
a) El voltaje (dato de placa Vrms) en el devanado secundario del

transformador ( V2 ) debe ser tal que:
V2 = Va / 2 (Vrms = Vp / 2)
Pero Va = Vo (Max.) + 1.4V + (voltaje agregado)
El voltaje agregado ( 3V) que es un margen que necesita el

circuito (por las cadas de tensin en diferentes elementos) para
poder regular el valor mximo.
El valor de 1.4V se agrega para compensar la cada de tensin en

las uniones base emisor de Q2 y Q3.
b) La capacidad de corriente (dato de placa) debe ser entre 1.5 y

2 veces mayor que el valor de la capacidad de corriente deseada
en la fuente.
4 Los diodos del puente rectificador deben tener una capacidad de

corriente nominal entre 1.5 y 2 veces mayor que el valor de la
capacidad de corriente deseada en la fuente y el voltaje de polarizacin
inversa debe ser mayor (al menos un 20%) que Va.

5 La capacitancia del capacitor C1 debe ser determinada multiplicando

la capacidad de corriente deseada en AMPERIOS por 1000 y el
resultado se obtiene en f . El voltaje nominal del capacitor debe ser
mayor que el valor V2 del transformador (el doble o ms)
6 El transistor Q3 debe tener una capacidad de corriente nominal de

al menos 3 a 5 Veces mayor que el valor de la capacidad de corriente
deseada en la fuente y montarse con un disipador de calor de
dimensiones apropiadas por ser el elemento que manejar la
corriente de la carga. El (20 - 100) en este caso no es crtico por que
ser aumentado por medio de Q2.
7 Q2 puede ser de baja capacidad de corriente (500 mA) porque

servir para proporcionar la corriente de base a Q3 y el puede tener
un valor entre 80 y 150 de manera que el par Darlington tenga una
ganancia relativamente alta.
8 Otro dato que debe ser verificado para todos los transistores es el
voltaje mximo que soportan entre colector emisor, ste valor debe
ser superior al voltaje de operacin del circuito.
9 El diodo zener D5 debe escogerse de un valor de voltaje menor que

Va pero mayor que Vo + 1.4V. Para calcular su potencia y el valor de
la resistencia limitadora de corriente R1, considere el criterio de que la
corriente en el zener sea el 10% de la corriente de su carga (la carga
para el zener es R4).

El valor de potencia nominal del zener debe ser de 2 a 3 veces mayor

que la potencia calculada.
10 La potencia nominal de las resistencias debe ser de al menos 2 a 3

veces mayor que el valor de potencia mxima que se estar disipando
en ellas durante el funcionamiento del circuito.
11 El valor de los potencimetros se escoge en base al nivel de

tensin aplicado a sus extremos y la corriente que se desea que circule
por l, la cual por lo general ser de un valor bajo ( de 0.5 mA a 2 mA
segn la aplicacin)
12 La resistencia R2 que esta siendo utilizada como sensor de

corriente, debe tener un valor bajo (0.5 a 1 ) para evitar demasiada
cada de la tensin Va, pero su valor de potencia nominal, ser
relativamente alto (2 a 3 veces el valor de potencia que se este
disipando en ella cuando circula la corriente mxima de diseo).
13 El transistor Q1 puede tener un de valor entre 50 150 pero eso

depender de la aplicacin.
14 Por lo general ser necesario armar el circuito y probar el

funcionamiento para determinar que componentes cambiar para que
funcione o que trabaje mejor.

APNDICE
TEORA DEL ERROR APLICADA AL ANLISIS DE LOS RESULTADOS EN
LAS PRCTICAS DE LABORATORIO
En toda medicin que se realiza existe un error que no puede ser eliminado
totalmente, solo puede reducirse mejorando la calidad de los instrumentos,
la tcnica empleada y las condiciones de la medicin.
En otras palabras, existe error en las mediciones debido a diversas causas
(instrumentales, personales, ambientales, etc.) que al no poder ser
eliminado, se hace necesario establecer un lmite aceptable como error en
una medicin.
Para analizar el resultado en una prctica de laboratorio o un ensayo en el
campo laboral, se tiene que tener un valor esperado o dato conocido
respecto al cual se debe comparar el resultado obtenido.
CRITERIO PARA ESTABLECER EL LMITE ACEPTADO COMO

ERROR DE MEDICIN
Considerando la precisin de los instrumentos genricos utilizados en los

laboratorios, se tomar:
Un error % menor del 5% Resultado excelente

Un error % entre 5% y 10% Resultado aceptable
Un error mayor del 10% Resultado NO es aceptable como
error de medicin.
En el caso que resultara un valor del error mayor del 10%, se dice que hay
una equivocacin y sta puede deberse a otras causas por lo que ya no
sera considerada como error de medicin sino un error en el
procedimiento y habr que investigar dichas causas para apoyar la
conclusin o corregir la equivocacin que se haya cometido.
CLCULO DEL ERROR PORCENTUAL POR DIFERENCIA
| Vref. - Vm | x 100 (%)

ERROR (%) = ________________
Vref.
Donde: Vref. : Es el valor tomado como referencia

(valor esperado o valor ms probable)
Vm : Es el valor medido, que se obtuvo en el ensayo.

ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

ESPECIALIDAD: TCNICO EN INGENIERA ELCTRICA
REA TCNICA: CONSTRUCCIN DE CIRCUITOS DE CONTROL ELECTRNICO
ESTANDARIZACIN DE PROCEDIMIENTOS
CDIGO: CCCE 01
TTULO: MONTAJE DE COMPONENTES EN BREADBOAR
PROCEDIMIENTO ESTABLECIDO:
1- UTILIZAR EQUIPO DE PROTECCIN PERSONAL:

A) LENTES DE SEGURIDAD
B) GUANTES DE GOMA, BRAZALETE ANTIESTTICO U OTRO TIPO DE GUANTE SEGN EL CASO (SI APLICA)
C) GABACHA
2- SEGUIR LAS RECOMENDACIONES DEL FABRICANTE (SI APLICA).
3- LIMPIAR LOS TERMINALES DEL COMPONENTE UTILIZANDO UNA LIJA # 400, BORRADOR DE TINTA SPERO O RASPNDOLOS
SUAVEMENTE CON UNA CUCHILLA.
4- UTILIZAR UNA PINZA PARA DOBLAR CUIDADOSAMENTE LOS TERMINALES DEL COMPONENTE DE MANERA
QUE POSEAN UNA LONGITUD DE 2 3 CM. Y PERMITIR LA CONEXIN A DIFERENTES PUNTOS DE LA
BREDBOARD.
5- SI LOS TERMINALES DEL COMPONENTE SON CORTOS (EJ: TRANSISTOR DE BAJA POTENCIA.), SE DEBE
EVITAR HACER DOBLECES, ACOMODANDO EL COMPONENTE A LA DISTANCIA DE LOS AGUJEROS EN LA
BREADBOARD.
6- SI LOS TERMINALES DEL COMPONENTE ESTN SOLDADOS CON ALAMBRES DE EXTENSIN, SE DEBE EVITAR ESTAR DOBLANDO O
MOVIENDO LOS ALAMBRES; ADEMS, DE UTILIZAR UNA PINZA PARA REALIZAR LA CONEXIN EN LA BREADBOARD.
7- PREPARAR TODOS LOS COMPONENTES (LIMPIEZA Y DOBLADO), ANTES DE INICIAR EL ARMADO EN LA BREADBOARD.
8- COMPRUEBE EL BUEN ESTADO DE CADA COMPONENTE EN FORMA ESTTICA O DINMICA (SEGN EL CASO) ANTES DE ARMAR EL
CIRCUITO COMPLETO.
9- DISTRIBUYA LOS COMPONENTES EN LA BREADBOARD DE MANERA ORDENADA, SIGUIENDO LAS CONEXIONES INDICADAS EN EL
DIAGRAMA Y UTILIZANDO PREFERENTEMENTE LOS BUSES (FILAS HORIZONTALES DE PUNTOS DE CONEXIN) DE LOS BORDES DE LA
BREADBOARD PARA LA CONEXIN DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN DEL CIRCUITO.

Circuitos sugeridos para el montaje en breadboard.
2 - Circuito de control de potencia (de la Intensidad luminosa de un foco).

3- Alarma con sensor de movimiento movimiento.
4- Timer on delay - off delay
Se requiere fuente de acuerdo a la tensin del rel.

5 Fuente de d.c regulada .
6- Probador electrnico para detonador de plvora (fuegos artificiales)

7- Puente H para invertir el giro a un motor d.c.
8-

Grado de proteccin IP
El Grado de proteccin IP hace referencia al estndar internacional IEC 60529 Degrees of

Protection1 utilizado con mucha frecuencia en los datos tcnicos de equipamiento elctrico o
electrnico, en general de uso industrial como sensores, medidores, controladores, etc.
Especifica un efectivo sistema para clasificar los diferentes grados de proteccin aportados a
los mismos por los contenedores que resguardan los componentes que constituyen el
equipo.
Nomenclatura estndar IEC 60529
Primer dgito (IP*X)
El estndar IEC 60529 establece para el primer dgito que el equipo a ser certificado debe
cumplir con alguna de las siguientes condiciones.
Tamao del
Nivel Efectivo contra
objeto entrante
0 Sin proteccin
El elemento que debe utilizarse para la prueba (esfera de 50 mm
1 <50 mm
de dimetro) no debe llegar a entrar por completo.
El elemento que debe utilizarse para la prueba (esfera de 12,5 mm
2 <12.5 mm
de dimetro) no debe llegar a entrar por completo.
El elemento que debe utilizarse para la prueba (esfera de 2,5 mm
3 <2.5 mm
de dimetro) no debe entrar en lo ms mnimo.
El elemento que debe utilizarse para la prueba (esfera de 1 mm de
4 <1 mm
dimetro) no debe entrar en lo ms mnimo.
La entrada de polvo no puede evitarse, pero el mismo no debe
Proteccin contra
5 entrar en una cantidad tal que interfiera con el correcto
polvo
funcionamiento del equipamiento.
Proteccin fuerte
6 El polvo no debe entrar bajo ninguna circunstancia
contra polvo

Segundo dgito (IPX*)
Proteccin
Nivel Mtodo de prueba Resultados
frente a
El agua entrar en el equipamiento en poco
0 Sin proteccin. Ninguno
tiempo.
No debe entrar el agua cuando se la deja
Se coloca el equipamiento en su lugar de caer, desde 200 mm de altura respecto del
1 Goteo de agua
trabajo habitual. equipo, durante 10 minutos (a razn de 3-
5 mm por minuto)
No debe entrar el agua cuando de la deja
caer, durante 10 minutos (a razn de 3-
5 mm por minuto). Dicha prueba se
Se coloca el equipamiento en su lugar de
2 Goteo de agua realizar cuatro veces a razn de una por
trabajo habitual.
cada giro de 15 tanto en sentido vertical
como horizontal, partiendo cada vez de la
posicin normal de trabajo.
No debe entrar el agua nebulizada en un
ngulo de hasta 60 a derecha e izquierda
Agua
Se coloca el equipamiento en su lugar de de la vertical a un promedio de 11 litros por
3 nebulizada.
trabajo habitual. minuto y a una presin de 80-100kN/m
(spray)
durante un tiempo que no sea menor a 5
minutos.
No debe entrar el agua arrojada desde
cualquier ngulo a un promedio de 10 litros
Chorros de Se coloca el equipamiento en su lugar de
4 por minuto y a una presin de 80-100kN/m
agua trabajo habitual.
durante un tiempo que no sea menor a 5
minutos.
No debe entrar el agua arrojada a chorro
(desde cualquier ngulo) por medio de una
boquilla de 6,3 mm de dimetro, a un
Chorros de Se coloca el equipamiento en su lugar de
5 promedio de 12,5 litros por minuto y a una
agua. trabajo habitual.
presin de 30kN/m durante un tiempo que
no sea menor a 3 minutos y a una distancia
no menor de 3 metros.
No debe entrar el agua arrojada a chorros
(desde cualquier ngulo) por medio de una
Chorros muy boquilla de 12,5 mm de dimetro, a un
Se coloca el equipamiento en su lugar de
6 potentes de promedio de 100 litros por minuto y a una
trabajo habitual.
agua. presin de 100kN/m durante no menos de
3 minutos y a una distancia que no sea
menor de 3 metros.
Inmersin El objeto debe soportar sin filtracin alguna la
7 completa en inmersin completa a 1 metro durante 30 No debe entrar agua.
agua. minutos.
El equipamiento elctrico / electrnico debe
soportar (sin filtracin alguna) la inmersin
Inmersin
completa y continua a la profundidad y durante
completa y
8 el tiempo que especifique el fabricante del No debe entrar agua
continua en
producto con el acuerdo del cliente, pero
agua.
siempre que resulten condiciones ms severas
que las especificadas para el valor 7.
Grado de proteccin IP febrero de 2015

http://es.wikipedia.org/wiki/Grado_de_protecci%C3%B3n_IP

BIBLIOGRAFIA
1- Boylestard
Nashelsky
Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos
Octava edicin 2003
Pearson Educacin de Mxico S.A. de C.V.
2- Escuela de Ingeniera Elctrica y Electrnica ITCA FEPADE

Manual de la asignatura Circuitos de corriente directa
Ao: 2014
3- Escuela de Ingeniera Elctrica y Electrnica ITCA FEPADE

Manual de la asignatura Circuitos de corriente alterna
Ao: 2014

Circuitos electrónicos de potencia

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ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

MATERIAL DE APOYO PARA EL DESARROLLO DEL MDULO:

Santa Tecla, febrero de 2016

COMPETENCIAS ESPERADAS AL FINALIZAR ESTE MDULO

Determina el valor de una resistencia utilizando un tester . SI NO

TCNICO EN INGENIERIA ELCTRICA 2

Circuitos integrados. ........................................................ 61

Circuitos de control electrnico........................................ 98

TCNICO EN INGENIERIA ELCTRICA 3

Son fabricadas de alambre de diferentes metales o de carbn segn la

SMBOLO ESPECIFICACIONES (DATOS DE PLACA)

dependiendo del tipo de resistencia, los datos pueden venir impresos

TCNICO EN INGENIERIA ELCTRICA 4

1.1 TIPOS DE RESISTENCIAS

TCNICO EN INGENIERIA ELCTRICA 5

1.2 VALORES COMERCIALES DE LAS RESISTENCIAS

Los valores de resistencia que se obtienen por medio de un clculo terico

No se fabrican resistores de todos los valores posibles por

Hay tolerancias del 1 por mil, del 1 %, 5 %, 10 % y 20 %.

y los mismos seguidos de ceros.

Resistores de valores muy pequeos no son comunes, por

En la serie de resistores con tolerancia del 10 % el valor

Lecciones de Electrnica 20/mayo/2003

TCNICO EN INGENIERIA ELCTRICA 6

1.3 USO DEL MULTMETRO (TESTER) PARA LA MEDICIN DE

Multmetro es el nombre que se le da a un instrumento con el cual se

Multmetro Analgico Multmetro Digital

1- Conecte los terminales de prueba (el negro en COM y el rojo en ).

TCNICO EN INGENIERIA ELCTRICA 7

3- Toque con las puntas del multmetro el elemento a probar y tome

1- Conecte los terminales de prueba (el negro en COM y el rojo en ).

2- Seleccione la escala mas baja del multmetro y pruebe su

3- Toque con las puntas del multmetro el elemento a probar y lea el

Nota: Al mover el selector de rango, se hace necesario verificar el

TCNICO EN INGENIERIA ELCTRICA 8

1.4 LECTURA DE ESCALAS EN UN INSTRUMENTO DE MEDICIN

Para leer escalas analgicas homogneas, se debe determinar en

La escala vara de 0 10 unidades y las divisiones primarias estn

Para determinar el valor de las subdivisiones (o divisiones

Valor de la divisin secundaria = Valor de la divisin primaria

De manera que la divisin menor de esa escala (o sea en este caso la

0.2 del valor de la unidad de medida que tenga esa escala.

TCNICO EN INGENIERIA ELCTRICA 9

Para efectuar una lectura en un instrumento anlogo, debe haberse

1 Valor en la divisin primaria: 7 unidades

Lectura: 7 + 0.4 + 0.1 = 7.5 unidades

Nota: La fraccin estimada es una apreciacin del operador; puede

Ejemplo 2: Efectuar la lectura indicada en la Fig.6 si el selector de

TCNICO EN INGENIERIA ELCTRICA 10

Cuando la escala no es homognea, como en el caso de las escalas de

1 Valor en la divisin primaria: 3000

2 Valor de la divisin secundaria: 600

3 Fraccin estimada: 100 (la mitad de la divisin)

Lectura: 3700 3.7 K

Utilizando el multmetro y el conjunto de resistencias cementadas

1.5 CDIGO DE COLORES PARA RESISTENCIAS

Las resistencias de carbn se encuentran generalmente identificadas

El primer ejemplo ( Fig. 7) corresponde a una resistencia con un cdigo

La cuarta banda representa el rango en % que puede variar el valor en

TCNICO EN INGENIERIA ELCTRICA 11

El segundo ejemplo corresponde a una resistencia con cdigo de cinco

1.6 PRUEBA ESTTICA PARA UNA RESISTENCIA.