FASE 3 IMPLEMENTAR EL ELEMENTO DE CONTROL Y LA PROTECCIN

CONTRA CORTO CIRCUITO

PRESENTADO POR:

ESTHER ESPERANZA MOLINEROS USMA

COD. 31588559
HUGO NELSON TAPUE
LUIS FELIPE CRUZ
DAVID FELIPE QUINTERO
ANDRES FELIPE NUEZ

PRESENTADO A:
ANGEL ALEJANDRO RODRIGUEZ

GRUPO:
243006_22
 INTRODUCCION

El siguiente trabajo tiene como objetivo entender el uso de un elemento de control,

calcular resistencias y potencias para el diseo de un regulador de serie y como
desarrollar algunas tcnicas de proteccin contra corto circuito, teniendo en cuenta
sus ventajas y desventajas.
Conocer y calcular la potencia que un transistor puede soportar; teniendo en
cuenta que para el diseo de un regulador de serie se debe utilizar un transistor
adecuado a los parmetros dados por el fabricante, referente a las caractersticas
que se piden en el diseo.
 UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA (UNAD)
2017
EL ELEMENTO DE CONTROL
El amplificador operacional no tiene la propiedad de poder manejar grande
corrientes en su salida es por ello que al disear un circuito regulador de tensin
se emplean transistores como elementos para el control de la carga, los
transistores ofrecen la solucin para lograr tener corrientes altas en la carga.

Para el diseo de la fuente de alimentacin se solicita se emplee un transistor

Darlington y en las libreras de componentes de PSpice se cuenta con el transistor
Darlington cuyo nmero de referencia es 2N6059 es necesario comprobar si este
transistor es adecuado usarlo en el diseo del regulador serie teniendo en cuenta
los parmetros de la hoja de caractersticas dada por el fabricante frente a los
requerimientos del diseo.
3.1 De la hoja caracterstica del Transistor 2N6059 completar la siguiente tabla:
Figura No 1 Captura de pantalla de Transistor 2N6059 recuperado de
file:///D:/ESCRITORIO/UNAD/UNAD/3.%20TERCERO/ELECTRONICA
%20ANALOGA%20243006A_360/ACTIVIDAD%203/datasheet.pdf

Figura No 2 Captura de pantalla 2N6059 Silicon NPN Power Darlington Transistor

TO3 Type Case recuperado de http://www.nteinc.com/specs/original/2N6059.pdf

Ic h fe V CEO Ptot IB
12 A Min100 V 100 V 150 W 0.2 A

3.2 Teniendo en cuenta que se requiere una corriente de carga IL= 800mA y se
conoce tambin el voltaje de salida regulado calcular el valor de la resistencia de
carga RL

RL
10

V
R L=
I
12 V
R L= =15
800 mA

3.3 con el objetivo de conocer si el transistor 2N6059 soporta la potencia que se

disipara para una corriente de carga de 800mA o calcular el valor de la potencia
disipada en el transistor teniendo en cuenta las siguientes formulas

PD =V CEI L
 V CE =V S V sal

Sacamos valores

I L =800 mA

V sal =12 V

V S =18.6 V

Teniendo estos valores hallamos

V CE =V S V sal

Remplazamos la formula

V CE =18.612 V =6.6

Ahora hallamos
PD =V CEI L

Remplazamos la formula

PD =6.6800=5.28W

PD
5.28 W

3.4 Luego ya se puede afirmar si el transistor 2N6059 es apto para usarse en la

prctica o no justifique su respuesta:

SI NO
X

Por qu el valor que nos da es inferior al punto limite que puede soportar el
transistor 2N6059 basndonos en la tabla de valores que nos da a conocer el
fabricante.
 LA PROTECCIN CONTRA CORTO CIRCUITO

Figura No 3 Captura de pantalla recuperado de la gua de actividades unidad III:

fase 3 El elemento de control y la proteccin contra corto circuito
Finalmente con el objetivo de proteger los dispositivos que conforman la fuente de
alimentacin es necesaria la implementacin de alguna tcnica de proteccin
contra corto circuito, es por ello que se usara el arreglo de limitacin constante de
corriente el cual para este diseo limitar a 950 mA la mxima corriente a circular
en la carga ISL

3.5 Calcule el valor de Rlim:

lim
R
0.74

Formula
V
Isl= E
LC
 Figura No 4 Captura de pantalla recuperado http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbasees/Solids/basemit.html

Datos:

Voltaje base emisor V E =0.7 V

Limitacin de corriente LC =0.95 A

Remplazamos la formula

0.7 V
Isl= =0.74
0.95 A
 CONCLUSIONES

Es necesaria la implementacin de alguna tcnica de proteccin contra

corto circuito, con el objetivo de proteger los dispositivos que conforman la
fuente de alimentacin.
Se debe usar un arreglo de limitacin constante de corriente el cual para
este diseo limitar a 950 mA la mxima corriente a circular en la carga ISL.
Un transistor puede soportar una potencia que se disipara para una
corriente de carga.
 REFERENCIAS

(Donald G. Fink, 1981, pgs. https://books.google.com.co/books?id=FlfXjS1N-

PIC&pg=SA10-PA90&dq=EL+ELEMENTO+DE+CONTROL+Y+LA+PROTECCI
%C3%93N+CONTRA+CORTO+CIRCUITO&hl=es&sa=X&ved=0ahUKEwiE16-
p0rTTAhVB6oMKHd25BUgQ6AEIPTAF#v=onepage&q=EL%20ELEMENT)

(Pau Casals Torrens, 2005, pp. https://books.google.com.co/books?id=cPr-t-

v7uh4C&pg=PA56&dq=EL+ELEMENTO+DE+CONTROL+Y+LA+PROTECCI
%C3%93N+CONTRA+CORTO+CIRCUITO&hl=es&sa=X&ved=0ahUKEwiE16-
p0rTTAhVB6oMKHd25BUgQ6AEINjAE#v=onepage&q=EL%20ELEMENTO%20D)

(Semiconductor, 2001, pg.

file:///D:/ESCRITORIO/UNAD/UNAD/3.%20TERCERO/ELECTRONICA
%20ANALOGA%20243006A_360/ACTIVIDAD%203/datasheet.pdf)