NDICE:

Introduccin.. 2

Materiales Semiconductores..3

Portadores de carga...4

Conduccin elctrica en semiconductores....6

Conduccion por difusion de portadores.....7

Materiales Magnticos15

Imanes.20

Analisis Energtico..22

Clulas solares sensibilizadas con colorantes28

Conclusiones..31

Bibliografa32

INTRODUCCION:

Sin lugar a dudas, el estudio de materiales magnticos y semiconductores ha conllevado a una

importante evolucin de la ciencia de los materiales, y de sus aplicaciones en la tecnologa que
hoy en da nos rodea.
En el caso de los semiconductores, su estudio ha permitido el desarrollo tcnico de la electrnica
como la conocemos hoy en da. Basta con mirar a nuestro alrededor para encontrar tecnologa que
emplee dichos materiales. Computadoras, telfonos, televisores, etc; emplean todos enormes
cantidades de transistores, circuitos u otros que dependen de los materiales semiconductores en
sus estructuras para la transmisin de informacin por medio de electricidad. Los primeros
semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos empleados a
principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese
nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que
haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La
sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra.
Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad
auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales se
le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el
material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas
fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin de los
Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo
semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se convertira en la base
del desarrollo de la electrnica moderna.
Los materiales magnticos forman parte fundamental de numerosos equipos y dispositivos
industriales en los campos de la Ingeniera elctrica y electrnica. Transformadores, motores y
generadores elctricos son ejemplos clsicos de mquinas cuyo buen funcionamiento depende de
una adecuada seleccin de estos materiales. El campo de aplicacin abarca no slo a las mquinas
elctricas clsicas. As, por ejemplo, estn en fase de experimentacin sistemas de sustentacin
magntica para trenes de alta velocidad. Los grandes aceleradores de partculas para investigacin
en fsica fundamental emplean toneladas de imanes permanentes para controlar el camino de las
partculas. En el campo de la electrnica, los materiales magnticos se utilizan en altavoces,
micrfonos o auriculares. El desarrollo de materiales con propiedades magnticas especiales ha
sido la base para la aparicin de nuevos sistemas de almacenamiento de informacin: discos de
ordenador, cintas de audio y vdeo, as como las cabezas de grabacin y reproduccin, incorporan
materiales magnticos. Tambin estn en desarrollo sistemas de almacenamiento de informacin
conocidos como "memorias de burbujas magnticas", ms estables y de acceso ms rpido que los
actuales sistemas de disco. Como vemos, el campo de aplicaciones donde se exigen propiedades
magnticas a los materiales es enorme. Tambin lo es el nmero de materiales que se han
desarrollado para satisfacer estas necesidades.
El presente trabajo de investigacin tiene por objetivo conocer y comprender las caractersticas de
los materiales antes mencionados, as como sus usos patentes y latentes aplicados a la tecnologa,
y de manera especial a la ingeniera mecnica.

1. MATERIALES SEMICONDUCTORES

La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados a partir de semiconductores.
Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando se insertan en un circuito elctrico, es
necesario conocer el comportamiento de los componentes desde un punto de vista fsico. Por ello, en este
tema se presentan las propiedades y caractersticas fundamentales de este tipo de materiales.

Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes carecen de ellos, los
semiconductores se encuentran en una situacin intermedia: a la temperatura de 0 K se comportan como
aislantes, pero mediante una aportacin de energa puede modificarse esta situacin, adquiriendo un
comportamiento ms cercano al de los conductores.

Los materiales semiconductores de uso comn en la tecnologa microelectrnica son el silicio, el germanio
y el arseniuro de galio. Se trata de elementos del grupo IV de la tabla peridica, o bien combinaciones de
elementos de los grupos III y V. De todos ellos, el ms empleado actualmente es el silicio, por lo que la
discusin en este tema va a estar centrada en dicho elemento. No obstante la gran mayora de lo aqu
expuesto puede aplicarse a cualquier semiconductor.

1.1. ESTRUCTURA DEL SILICIO

El silicio es un elemento con una gran cantidad de aplicaciones. Es el segundo elemento ms abundante en
la corteza terrestre (despus del oxgeno) con un porcentaje en peso del 25,7%. Est presente en multitud
de materiales, tan diversos como la arena, la arcilla, el vidrio o el hueso. El silicio puro no se encuentra en
la naturaleza, pero bajo las condiciones adecuadas pueden obtenerse en forma de estructuras
monocristalinas. En stas los tomos se disponen segn una red tipo diamante con simetra cbica, en
donde cada tomo forma enlaces covalentes con otros cuatro adyacentes. As todos los tomos tienen la
ltima rbita completa con ocho electrones.

Figura 1: Estructura cristalina del silicio puro

En la figura se aprecia que todos los electrones de valencia estn asociados a un enlace covalente. Por
tanto, al no existir portadores libres, el silicio puro y monocristalino a 0 K se comporta como un material
aislante.

2. PORTADORES DE CARGA. EL ELECTRON Y EL HUECO

En los materiales conductores la circulacin de corriente es posible gracias a la existencia de electrones

libres. En los semiconductores tambin son los electrones los responsables de la corriente. Sin embargo,
puesto que en este caso provienen de un enlace covalente y no de una nube electrnica, el fenmeno es
ms complejo, y para su explicacin se introduce un nuevo portador de carga ficticio: el hueco.

2.1. GENERACION TERMICA DE PORTADORES. EL ELECTRON Y EL HUECO

Si se eleva la temperatura del monocristal de silicio por encima de 0 K, parte de la energa trmica permite
liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos:

1. Aparece un electrn libre capaz de moverse a travs de la red en presencia de un campo elctrico.
2. En el tomo al que se asociaba el electrn aparece un defecto de carga negativa, es decir, una carga
positiva, que se denomina hueco.

Globalmente, el cristal mantiene la neutralidad elctrica, ya que no ha ganado ni perdido cargas. Cuando se
producen electrones libres en un semiconductor nicamente por agitacin trmica, existen huecos y
electrones en nmeros iguales, porque cada electrn trmicamente excitado deja detrs de s un hueco. Un
semiconductor con un nmero igual de huecos y electrones se denomina intrnseco.

Recapitulando, los semiconductores se diferencian:

de los aislantes: La energa para liberar un electrn es menor en el semiconductor que en el

aislante. As a temperatura ambiente el primero dispone ya de portadores libres.
de los conductores: Los semiconductores poseen dos tipos de portadores de carga: el electrn y el
hueco.

En el caso del silicio puro monocristalino, el nmero de portadores libres a temperatura ambiente es lo
suficientemente bajo como para asegurar una alta resistividad.

2.2. RECOMBINACION DE PARES ELECTRON-HUECO

Tal y como se acaba de explicar, el hueco es un enlace covalente "no satisfecho". Si un electrn atraviesa
la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado en l. A este fenmeno se le
denomina recombinacin, y supone la desaparicin de un electrn y de un hueco. Sin embargo, como en el
caso anterior, el material mantiene su neutralidad elctrica.

2.3. IMPURIFICACION O DOPADO DE LOS SEMICONDUCTORES

En un semiconductor intrnseco las concentraciones de huecos y de electrones pueden alterarse mediante la

adicin de pequeas cantidades de elementos llamados impurezas o dopantes, a la composicin cristalina.
Como veremos a lo largo de este curso, es esta caracterstica de los semiconductores la que permite la
existencia de circuitos electrnicos integrados.

La cuestin es: Qu sucede si adems de elevar la temperatura por encima de 0 K consideramos la

presencia de impurezas en el silicio?. Supongamos que sustituimos un tomo de silicio (que pertenece al
grupo IV) por otro de fsforo (grupo V), pentavalente. Como slo hay la posibilidad de establecer cuatro
enlaces covalentes con los tomos de silicio adyacentes, un electrn quedar libre. Teniendo en cuenta
esto, es fcil deducir que es lo que ocurrir si se sustituye un tomo de silicio por otro de un elemento
perteneciente al grupo III, el boro por ejemplo: evidentemente se introducir un hueco, ya que el boro solo
aporta tres electrones de valencia. Las dos situaciones se clarifican en la Figura 2.
 Figura 2: Introduccin de impurezas en el silicio}

Si la introduccin de impurezas se realiza de manera controlada pueden modificarse las propiedades

elctricas en zonas determinadas del material. As, se habla de dopado tipo P N (en su caso, de silicio P
N) segn se introduzcan huecos o electrones respectivamente.

Centrmonos ahora en el silicio tipo P. En la prctica, a temperatura mayor que cero este material estar
formado por:

Huecos procedentes del dopado.

Huecos procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+.
Electrones procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+.
Electrones y huecos procedentes de impurezas no deseadas.

Habitualmente, a temperatura ambiente, el nivel de dopado es tal que los huecos procedentes de l superan
en varios rdenes de magnitud al resto de portadores. Ello confiere el carcter global P del material. Sin
embargo, ha de tenerse en cuenta que existen electrones. En este caso, los huecos son los
portadores mayoritarios, y los electrones los minoritarios. Si se trata de un material de tipo N, los
portadores mayoritarios sern los electrones, y los minoritarios los huecos. Con la tabla siguiente se
pretende rematar estos conceptos.

Material Portadores mayoritarios Portadores minoritarios

Silicio Puro - -
Silicio tipo P Huecos Electrones
Silicio tipo N Electrones Huecos

Hay que resaltar nuevamente que el dopado no altera la neutralidad elctrica global del material.

INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS SEMICONDUCTORES

Al presentar el concepto de portadores mayoritarios y minoritarios se ha asumido una hiptesis de trabajo:

que a temperatura ambiente (25C) la concentracin de portadores provocada por generacin trmica es
mucho menor que la causada por los dopados. Pues bien, si se eleva la temperatura sobre la de ambiente se
aumentar la tasa de pares electrn/hueco generados. Llegar un momento en el que, si la temperatura es lo
suficientemente elevada, la cantidad de pares generados enmascare a los portadores presentes debidos a la
impurificacin. En ese momento se dice que el semiconductor es degenerado, y a partir de ah no se puede
distinguir si un material es de tipo N P: es la temperatura a la cual los dispositivos electrnicos dejan de
operar correctamente. En el caso del silicio, esta temperatura es de 125 C.

3. CONDUCCION ELECTRICA EN SEMICONDUCTORES

Dada la especial estructura de los semiconductores, en su interior pueden darse dos tipos de corrientes:
 Corrientes por arrastre de campo
Corrientes por difusin

En los siguientes subapartados se explica cada unos de estos tipos de conduccin.

3.1. CORRIENTE POR ARRASTRE DE CAMPO

Supongamos que disponemos de un semiconductor con un cierto nmero de electrones y de huecos, y que
aplicamos en su interior un campo elctrico. Veamos que sucede con los portadores de carga:

Electrones libres: Obviamente, la fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones provocar el
movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo elctrico. De este modo se originar una corriente
elctrica. La densidad de la corriente elctrica (nmero de cargas que atraviesan la unidad de superficie en
la unidad de tiempo) depender de la fuerza que acta (qE), del nmero de portadores existentes y de la
"facilidad" con que estos se mueven por la red, es decir:

Je = en(qE)

en donde:

Je = Densidad de corriente de electrones

e = Movilidad de los electrones en el material
n = Concentracin de electrones
q = Carga elctrica
E = Campo elctrico aplicado

La movilidad e es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del
electrn a travs de la red cristalina.

Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces
covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn perteneciente a un enlace cercano a la posicin del
hueco salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este
fenmeno se repite, el hueco continuar desplazndose. Aunque este movimiento se produce por los saltos
de electrones, podemos suponer que es el hueco el que se est moviendo por los enlaces. Este ltimo
prrafo se entiende a la perfeccin con Figura 3.

La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo tanto, se puede pensar en el hueco como una carga
positiva movindose en la direccin del campo elctrico. Obsrvese que los electrones individuales de
enlace que se involucran en el llenado de los espacios vacantes por la propagacin del hueco, no muestran
movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve nicamente una vez durante el
proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se mueve de forma continua en la direccin opuesta al
campo elctrico.

Anlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de huecos viene dada por:

Jh = hp(qE)

en donde:

Jh = Densidad de corriente de huecos

h = Movilidad de los huecos en el material
p = Concentracin de huecos
q = Carga elctrica del hueco: igual y de signo opuesto a la del electrn
 E = Campo elctrico aplicado

La movilidad h es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del hueco
a travs de los enlaces de la red cristalina. La "facilidad" de desplazamiento de los huecos es inferior a la
de los electrones.

Consideremos ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y electrones, al que sometemos
a la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo los electrones se movern en el sentido opuesta a la
del campo elctrico, mientras que los huecos lo harn en segn el campo. El resultado es un flujo neto de
cargas positivas en el sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en sentido
contrario. En definitiva, se mire por donde se mire, la densidad de corriente global es la suma de las
densidades de corriente de electrones y de huecos:

J = Jh + Je = hp(qE) + en(qE)

3.2. CONDUCCION POR DIFUSION DE PORTADORES

Antes de entrar en el fenmeno de conduccin por difusin vamos a explicar el concepto de difusin.
Imaginad (el que no tenga mucha imaginacin que mire la Figura 4) que tenemos una caja con dos
compartimentos separados por una pared comn. En un compartimento introducimos un gas A, y en el otro
un gas B.

Figura 4: Difusin de dos gases a travs de una membrana porosa

Si en un momento determinado se abre una comunicacin entre las dos estancias parte del gas A atravesar
la pared para ocupar el espacio contiguo, al igual que el B. El resultado final es que en ambas estancias
tendremos la misma mezcla de gases A+B. La difusin de partculas es un mecanismo de transporte
puramente estadstico, que lleva partculas "de donde hay ms, a donde hay menos", siempre que no haya
ninguna fuerza externa que sea capaz de frenar dicho proceso. Matemticamente puede expresarse esta
idea mediante la primera ley de Fick, que establece que el flujo de partculas que atraviesa una superficie
(J partculas/s/m2) es proporcional al gradiente de concentracin (c partculas/m3) de dichas partculas:

A la constante de proporcionalidad se le denomina difusividad, y tiene dimensiones de m2/s.

Qu aplicacin tiene esto a la conduccin en los semiconductores?. Pensad en lo qu sucedera si, por las
razones que sean, tuviramos un semiconductor tipo P cuya concentracin de huecos no fuera constante,
sino variable segn la direccin x. Los huecos tendern a emigrar de la regin de alta concentracin a la de
baja concentracin. Esta migracin de portadores, que se muestra en la Figura 5, es un proceso puramente
estadstico, originado por el movimiento trmico aleatorio de los portadores. No est relacionado con la
carga de los

En esta tabla usamos unidades no SI para comparar valores con tablas de materiales
comerciales modernos que presentaremos ms abajo (recordar que 1T = 10-4G y 1A/m
= 4 x10-3Oe).
Se observa que en general, salvo el caso de Pt-Co, la coercividad de estos materiales es
baja. El Pt-Co, por otra parte, es muy costoso. En una seccin posterior se describen algunos
desarrollos recientes que han logrado materiales magnticos cermicos (no naturales) de
excelentes propie- dades y de uso muy comn.
En esta seccin encontramos que la anisotropa magnetocristalina produce el comporta- miento de
histresis tpico de los materiales ferromagnticos.

BIBLIOGRAFA:

- http://digital.csic.es/bitstream/10261/15261/1/Quesada,%20A.%20et%20al%20Rev.Esp.F%C
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- http://www.electronica-basica.com/semiconductor-magnetico.html

- https://prezi.com/vplt6bnl1wfd/materiales-que-son-magneticos/

- http://www.bdigital.unal.edu.co/49372/1/1018405993.2015.pdf

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- http://www.ieec.uned.es/Web_docencia/Archivos/material/Adenda%20MEM_09_10.pdf

- http://www.monografias.com/trabajos19/propiedad-electrica-materiales/propiedad-electrica-
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- http://www.elvigia.net/c-t/2016/10/6/distinguen-investigadores-250587.html