Integrated Circuit

(IC)
mohammad iqbal
iqbal.umk@gmail.com
085.626.74139
Evolusi Teknologi Elektronik
(Rockett, 1991; McCanny & White, 1987)

1900-an: Tabung Vakum.

1905 Tabung vakum dioda elektronik pertama dikembangkan
(Fisikawan Inggris J. Ambrose Fleming)
Mengizinkan perubahan arus AC arus DC.
1906 Tabung vakum trioda elektronik pertama dikembangkan (insiyur
Amerika Lee DeForest)
Mengizinkan sinyal dapat terkontrol dan dikuatkan
Teknologi elektronik lahir.

Akhir 1940-an: Transistor.

1947 Transistor bipolar (dwikutub) point-contact ditemukan (Tim Lab
Bell Bardeen, Shockley, and Brattain Nobelprize in physics)
1951 Junction field-effect transistor (JFET) ditemukan
1952 Fabrikasi single-crystal silicon.
1954 Pengembangan Oxide masking process
Evolusi Tek. Elektronik (contd)
Akhir 1950-an: Penemuan-2 Kunci IC
1958 IC silikon pertama dikembangkan (Texas Instrument's Jack
Kirby).
1959 Planar process u/ mendistribusi transistor pda Siilikon, dgn
lapisan oksida pasif u/ memproteksi persambungan (junctions),
dikembangkan (Fairchild Semiconductor's Noyce and Moore.
A modern version of this process is used today.

1960's: Small Scale Integration (SSI), termuat 3-30 gates per

chip.
1960 Transistor Metal-Oxide-Silicon (MOS) transistor ditemukan.
1962 Logik Transistor-transistor (TTL) dikembangkan
1963 Complementary Metal Oxide Silicon (CMOS) ditemukan.
Evolusi Tek. Elektronik (contd)

Akhir 1960-an: Medium Scale Integration (MSI), 30-300 gates per chip.
1968 MOS memory circuits diperkenalkan.

1970-an: Large Scale Integration (LSI), 300-3000 gates per chip.

1970 8-bit MOS calculator chips diperkenalkan (7 micrometer chip
geometries).
1971 16-bit Microprocessors diperkenalkan.

1980's: Very Large Scale Integration (VLSI), > 3000 gates per chip.
1981 Very High Speed Integration (VHSIC), tens's of thousands of gates per
chip (1.5 micrometer chip geometries).
1984 0.5 micrometer chip geometries.
 Teknologi Rangkaian Logika Digital

Teknologi Komponen Diskrit

(tahun 50-an awal 60-an)

bipolar

TRL DTL

Teknologi IC
(tahun awal 60-an - sekarang)

bipolar MOS

RTL TTL I2L ECL PMOS NMOS CMOS

biCMOS
 Teknologi Rangkaian Logika Digital (contd)

Teknologi Bipolar
TRL (Transistor Resistor Logic)
Jumlah resistor dimaksimalkan (resistor devais termurah)
DTL (Dioda Transistor Logic)
Kinerja ditingkatkan dgn mengganti kebanyakan resistor dgn dioda
semikonduktor
RTL (Resistor Transistor Logic)
Teknologi mikroelektornika pertama
Menggunakan banyak transistor dan hanya sedikit resistor
TTL (Transistor Transistor Logic)
transistors berjumlah banyak dan terkait laungsung satu sama lain; Sampai
sekarang tetap menjadi teknologi bipolar paling populer
I2L (Integrated-injection logic)
technology mereduksi kerapatan packing dari devais bipolar devices ke suatu
ukuran mendekati ukurana devais MOS melalui compressing suatu
rangkaian logika yang terdiri dari dua transistor menjadi suatu satuan tunggal (a
single unit).
 Teknologi Rangkaian Logika Digital (contd)
ECL (emmitter-coupled logic)
Devais dikembangkan u/ aplikasi-2 yg membutuhkan kecepatan yang
sangat tinggi (extremely high speed).
Mengkonsumi lebih banyak energi/power,
digunakan secara ekslusif pada komputer-komputer Cray

Teknologi MOS
Menawarkan reduksi dalam hal persyaratan ruang yang besar dan konsumsi
daya/energi yang tinggi dari devais-2 bipolar.
Rangkaian elektronik MOS pertama devais MOS p-channel (PMOS)
karena paling mudah dibuat.
Tek. MOS lebih maju, devais MOS n-channel (NMOS) menggantikan devais
PMOS karena teknologinya menawarkan kinerja kec. yg lebih tinggi u/
kerapatan, kompleksitas dan biaya yg sama.
Kebutuhan akan konsumsi daya yg lebih rendah pengembangan devais-2
complementary MOS (CMOS) devices yg lebih besar tapi konsumsi dayanya
lebih efisien
 Teknologi Rangkaian Logika Digital (contd)

Meskipun keuntungan kerapatan dan efisiensi daya dari teknologi MOS,

namun teknologi high-speed bipolar masih tetap dikembangakn teknologi
biCMOS : kombinasi keuntungan kecepatan dari tek. Bipolar modern dgn
keuntungan ruang dan daya dari tek. MOS. (Oldham, 1991).
 Rangkaian Terintegrasi (IC)
Monolitik
Definisi Rangkaian Terintegrasi (IC):
Realisasi secara fisik dari elemen-elemen rangkaian yang secara
terpisah tetapi merupakan kesatuan yang berada di atas atau di
dalam sebuah badan yang kontinyu ( a continuous body) untuk
membentuk satu rangkaian
Misalkan, dalam sebuah potongan kristal tunggal Si, diatasnya
terbentuk rangkaian yang memiliki fungsi tertentu dengan transistor,
dioda, kapasitor, dll, disebut rangkaian terintegrasi (IC)

Karakteristik IC:
1. Ukuran kecil
2. Harganya murah
3. Keandalan tinggi
4. Tepat untuk mempertinggi kinerja (performance)
 Rangkaian Terintegrasi (IC) Monolitik (contd)

Pembagian IC menurut:
1. Struktur
2. Fungsi
3. Tingkat integrasi
4. Penggunaan/Aplikasi
Pembagian menurut struktur:
IC monolitik
IC hybrid
Pembagian menurut Fungsi:
IC Digital DTL (dioda-transistor logic), TTL (transistor-transistor logic), dll
IC Linier Penguat, Penguat operasional (Op-Amp),dll.
Pembagian menurut tingkat integrasi:
IC SSI mengandung 3 30 gate
IC MSI mengandung 30 300 gate
IC LSI mengandung 300 3000 gate
IC VLSI mengandung > 3000 gate
 Rangkaian Terintegrasi (IC) Monolitik (contd)
Definisi Monolitik:
Mono: tunggal; lithos: batu batu tunggal
Pada IC monolitik sejumlah komponen aktif (mis transistor) dan
komponen pasif (mis. resistor, kapasitor, dll) berada dalam sekerat Si (biasa
disebut CHIP, DIE, atau PELLET)
Dalam fabrikasi:
Basis-basis dan emitor-emitor dari transistor-2 dan komponen-2 lain dibentuk
bersamaan
 Rangkaian Terintegrasi (IC) Monolitik (contd)

Catatan:
IC Hybrid: komponen-2 (spt transistor) dibuat diatas substrat keramik
masing-masing, kemudian dihubungkan satu sama lain membentuk
rangkaian dgn jalur kawat.
IC monolitik
sangat baik u/ rangkain yg memiliki fungsi yg sama
Interkoneksi dilakukan hanya dgn 1 atau 2 proses harganya lebih
murah dan reabilitasnya lebih tinggi, ketimbang IC-hybrid

Tek-IC
Tugas Kelompok
END