Soy el manimal alias el zappoo

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como tomos
donadores.
Es importante tener en cuenta que aun cuando un gran nmero de portadores libres se
ha establecido
en el material tipo n, sigue siendo elctricamente neutro puesto que de manera
ideal el
nmero de protones de carga positiva en los ncleos sigue siendo igual al de los
electrones de
carga negativa libres y en rbita en la estructura.
El efecto de este proceso de dopado en la conductividad relativa se puede describir
mejor utilizando
el diagrama de bandas de energa de la figura 1.8. Observe que un nivel de energa
discreto
(llamado nivel donador) aparece en la banda prohibida con una Eg significativamente
menor que
la del material intrnseco. Los electrones libres creados por la impureza agregada
se establecen
en este nivel de energa y absorben con menos dificultad una cantidad suficiente de
energa trmica
para moverse en la banda de conduccin a temperatura ambiente. El resultado es que
a temperatura
ambiente, hay un gran nmero de portadores (electrones) en el nivel de conduccin y
la conductividad del material se incrementa de manera significativa. A temperatura
ambiente en
un material de Si intrnseco hay alrededor de un electrn libre por cada 1012
tomos. Si el nivel
de dopado es de 1 en 10 millones (107
), la razn 1012/107 # 105 indica que la concentracin de
portadores se ha incrementado en una razn de 100,000:1.