INTEGRANTES:
SECCIN: M
LIMA, 2015
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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
V1 = H11I1 + H12V2
I2 = H21I1 + H22V2
Donde V1 y I2, son variables dependientes, mientras que I2 Y V2 son variables independientes.
Los valores de h11, h12, h21 y h22 se llaman parmetros hbridos (h), porque no tiene
dimensiones homogneas.
(ip)Y la impedancia en AC vista desde la carga hacia la Terminal de salida del amplificador es:
Caractersticas de transferencia:
Es una curva de corriente de drenaje, como funcin del voltaje de compuerta fuerte,
para un valor constante del voltaje Drenaje Fuerte. La caracterstica de transferencia
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ETAPA DE LA DERECHA
VCC V
Sabemos que: VE 4 CC
10 5
VCC
Tomamos: VE 4 1.2V
10
V
Luego: VCEQ CC (Por diseo)
2
VCEQ 4 6V
Por diseo cuando: R 10K
L
R13 25%RL
R13 25%RL 2.5K IC 4 2mA
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VCC
As como en Q4: VCEQ 3 VCEQ 3 6V
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Luego considerando: I CQ 3 1.5mA
R11 2.7 K
Asimismo
R12 1.2 K
Clculo de R9 y R10
RB 3 R9 // R10 3 R12 (Por diseo)
10
R9 // R10 10R12 12K
V 12V
R9 RB3 CC 12K R9 80K
VBB 1.8V
R
Luego: 9 4 R10 22 K
R10
Tambin:
Zin ' hie4 R12 1 4 // R9 // R10
ETAPA DE LA IZQUIERDA.
Ahora asumiremos:
V
VE 7 CC VE 7 2.4V
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Como buscamos un pequeo consumo
de corriente, digamos: I CQ 2 1mA
R 3.3K
6
Adems R7 R8 2.4 K
Asumiendo lo mismo en Q R4 2.7 K 1;
R5 3.3K
Clculo de R2 y R3 :
RB1 R2 // R3 10R5 33K (Por diseo)
12V
R2 33K
3.6V
R2 110 K
De forma similar calculamos R3
R3 48K
Por dato:
R1 10 K
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R12
Como R14 0.12 K
10
Si R14 0.1K R15 0.68K AV 2 21
AV 1
R6 // Zin ' R5
VT VT RV
R5 R7 R7 5 T
I C1 I C 2 IC 2
R5
Como: R7 0.33K R8 2.2K
10
Luego: AV 1 21.17
Finalmente:
AV AV 1 AV 2 21 21.17 440
OBS: En la prctica AV disminuir, un poco, obteniendo as AV aproximadamente a 350.
3. Diseo de condensadores.
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hie1
C1
R1
R2//R3 R5//[hie2+R7(B)](B)
RTC1 R1 R2 // R3 // hie1 R5 // hie2 R7
RTC1 42 K
R7(B+1)
Ra
R8(B+1) C1
hie1 R1 // R2 // R3
Donde: Ra R5 //
1
Adems:
RTC 2 Ra hie2 R7 1 // R8 1
RTC 2 30.53K
Vista por C3:
C3 hie3
R6
{R12//[hie4+R14(B)]}(B)
R9//R10
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RTC 3 18.6K
Vista por C4:
C4
R13
RL
RTC 4 R13 RL
Reemplazando valores:
RTC 4 13.3K
hie4
{[R6//R9//R10]+hie3}/(B+1) R14(B+1)
R12
R15(B+1) C5
Comparando las resistencias calculadas, notamos que la menor de ellas es RTC 4 13.3K
Por lo tanto lo tomaremos como polo dominante:
f L 4 100 Hz
Las dems frecuencias las tomaremos como:
fL4
1Hz
100
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1
C
2 fRTC
Finalmente obtenemos los siguientes valores
C1 3.8uF
C2 5.2uF
C3 8.6uF
C4 0.1uF
C5 8.2uF
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12.00V
V2 R2 R4 R6 R9 R11 R13
12Vdc 80k
110k 2.7k 3.3k 2.7k 3.3k
C6 C7
0V 100p
8.891V 100p C4
V0
0 9.689V C3 0.1u
3.463V 8.001V 0V
V
Q6
8.6u RL
Q8
7.272V 10k
C1
Q2N2222 2.432V
Q2N2222
3.8u Q7
0V
Q9
Q2N2222
R1 1.778V 0
R10 Q2N2222
10k R3
2.181V 22k
48k 2.823V 1.124V
0V
R7 R14
Grfica de Magnitud:
Grfica de Fase:
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180d
-0d
(102.115,-203.088)
-195d
(1.0000K,-331.404)
(5.0119K,-358.501)
-390d
-585d
1.0mHz 10mHz 100mHz 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz
P(v(v0))
Frequency
C6 C7
0V 100p
8.891V 100p C4
V0
0 9.689V C3 0.1u
3.463V 8.001V 0V
V
Q6
8.6u RL
Q8
7.272V 10k
C1
Q2N2222 2.432V
Q2N2222
3.8u Q7
0V
V11 Q9
Q2N2222 V8
R1 V10 1.778V 0
R10 Q2N2222
10k R3 V9
2.181V 22k
48k 2.823V 1.124V
0V
R7 R14
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-640mV
-641mV
-642mV
-643mV
-644mV
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms
V(V10) -V(V11)
Time
11