ANLISE E PROJETO DE MDULOS AMPLIFICADORES E COMPARADORES EM

m
TECNOLOGIA CMOS 0.35

Fernando Paixo Cortes, Eric Fabris, Juan Pablo Martinez Brito, Sergio Bampi
{fpcortes, fabris ,juan, bampi}@inf.ufrgs.br

Instituto de Informtica Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)

Caixa Postal 15.064 91.501-970 Porto Alegre RS Brazil

ABSTRACT

Design techniques and CAD tools for digital systems are advancing rapidly at decreasing cost, while CMOS
analog circuit design is related mostly with the individual experience and background of the designer. Therefore, the
design of an analog circuit depends on several factors such as a reliable design methodology, good modeling and
technology characterization. Most of this work focuses on the analysis of several analog circuits, including their
functionality, using different design methodologies. A conventional design methodology, based on the modeling where
a current equation is obtained considering that the transistor is in the saturation region, and a design methodology based
on the gm/ID characteristic, that allows a unified synthesis methodology in all regions of operation of the transistor are
used.. The analog circuits to be analyzed and designed are basic building blocks that find vast applications today
amplifiers, comparators and analog filters.

RESUMO

Diferente do projeto de sistemas digitais onde as tcnicas de projeto e ferramentas CAD (Computer-Aided Design)
vem apresentando uma crescente evoluo acompanhada da reduo de seus preos, o projeto de circuitos analgicos ainda
apresenta uma forte correlao com a experincia do projetista. Dentro deste contexto, importantes fatores como
caracterizao de tecnologia, modelamento de dispositivos e metodologia de projeto devem ser considerados. Mais
especificamente, este trabalho ilustra o processo de anlise de vrios circuitos analgicos, assim como as caractersticas de
cada circuito em questo, empregando diferentes metodologias de projeto. So usadas uma metodologia de projeto
convencional, baseada em modelos onde se obtm uma equao explcita para a corrente vlida na regio de operao de
saturao do transistor, e uma metodologia de projeto baseada na caracterstica gm/ID do transistor, que apresenta uma
sntese unificada considerando todas as regies de operao do transistor MOS. Os circuitos a serem analisados e
projetados so blocos considerados bsicos para construo da maioria dos sistemas analgicos usados atualmente
amplificadores, comparadores e filtros analgicos.
 ANLISE E PROJETO DE MDULOS AMPLIFICADORES E COMPARADORES EM
m
TECNOLOGIA CMOS 0.35

Fernando Paixo Cortes, Eric Fabris, Juan Pablo Martinez Brito, Sergio Bampi
{fpcortes, fabris ,juan, bampi}@inf.ufrgs.br

Instituto de Informtica Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)

Caixa Postal 15.064 91.501-970 Porto Alegre RS Brazil

RESUMO igualmente aspectos importantes de projeto, como as

Diferente do projeto de sistemas digitais onde as tcnicas
de projeto e ferramentas CAD (Computer-Aided Design)
vem apresentando uma crescente evoluo acompanhada
da reduo de seus preos, o projeto de circuitos
analgicos ainda apresenta uma forte correlao com a
experincia do projetista. Dentro deste contexto,
importantes fatores como caracterizao de tecnologia,
modelamento de dispositivos e metodologia de projeto
devem ser considerados. Mais especificamente, este
trabalho ilustra o processo de anlise de vrios circuitos
analgicos, assim como as caractersticas de cada
circuito em questo, empregando diferentes metodologias
de projeto. So usadas uma metodologia de projeto
convencional, baseada em modelos onde se obtm uma
equao explcita para a corrente vlida na regio de projeto de um sistema analgico, pois de forma abstrata
operao de saturao do transistor, e uma metodologia
de projeto baseada na caracterstica gm/ID do transistor,
que apresenta uma sntese unificada considerando todas
as regies de operao do transistor MOS. Os circuitos a
serem analisados e projetados so blocos considerados
bsicos para construo da maioria dos sistemas
analgicos usados atualmente amplificadores,
comparadores e filtros analgicos.
1. INTRODUO
Um dos principais fatores na evoluo no projeto de
sistemas VLSI (Very Large Scale Integration) a
tecnologia de integrao de circuitos (CI) que permite a
realizao e construo de sistemas cada vez mais velozes
e complexos. Hoje visvel uma crescente digitalizao
dos sistemas, porm os circuitos analgicos no podem ser
totalmente substitudos, pois todas as grandezas fsicas na
natureza so analgicas fazendo-se necessria alguma
forma de transformar sinais analgicos em digitais e vice-
versa.
Diferente do projeto de sistemas digitais, o projeto de
circuitos analgicos ainda apresenta uma forte correlao
com experincia do projetista. O projetista deve dominar
caractersticas de dispositivos e de processo e tecnologia,
a fim de modelar, caracterizar, implementar e testar os
seus circuitos.
Muitas vezes, o processamento de um sinal por um
circuito analgico mais econmico e eficiente do que o
seu equivalente digital. Exemplos dessa economia podem
ser encontrados em aplicaes onde a freqncia de
operao alta inviabilizando sua implementao digital
com sinal amostrado, ou em aplicaes de muito baixa
potncia. A complexidade de projeto aumenta na medida
que se tem como objetivo a integrao da parte digital
com a parte analgica (projeto misto) em uma mesma
pastilha de silcio buscando as vantagens dos dois lados.
Dentro deste contexto, o modelamento de dispositivos
semicondutores constitui um aspecto importante no
tem-se o objetivo de emular o comportamento eltrico de
um dispositivo real. Portanto, o modelamento e a
caracterizao de dispositivos MOS so reas de constante
pesquisa tanto acadmica quanto industrial. Muitas
ferramentas computacionais tm sido desenvolvidas para
estudar as caractersticas do transistor MOS e simular
corretamente o desempenho de circuitos formados por este
dispositivo. Atualmente so utilizados simuladores de
circuitos tais como o SPICE, que adotam modelos
compactos para a emulao do diversos dispositivos.
Outro importante fator que o projetista analgico deve
considerar, a metodologia de projeto a ser usada, ou seja,
dadas as especificaes desejadas, o clculo da geometria
dos transistores (W/L) dos blocos a partir de modelos
analticos que emulem o comportamento do bloco a ser
implementado. A maioria dos mtodos para sntese de
circuitos analgicos geralmente considera que os
transistores MOS operam ou em inverso forte ou em
regio fraca, que muitas vezes no uma boa soluo para
se obter resultados seguros.
Este trabalho tem como objetivo o estudo de tcnicas de
projeto e modelagem a fim de se obter o projeto de um
circuito analgico com menor custo, bom desempenho e
reduzido tempo de projeto. Os circuitos a serem
analisados sero blocos considerados bsicos para
construo da maioria dos sistemas analgicos usados
atualmente, mais precisamente visando Moduladores
Sigma-Delta [7], sistemas bem populares atualmente e
usados em diversas aplicaes amplificadores,
comparadores e filtros analgicos. Toda esta anlise ser
baseada na tecnologia CMOS AMS0.35m.
Este artigo est organizado na seguinte forma: seo 2
discute o projeto analgico CMOS; seo 3 apresenta um
modelo onde se obtm uma equao explcita para a
corrente vlida na regio de operao de saturao do
transistor; a seo 4 trata da caracterizao dos parmetros
que descrevem caractersticas particulares do transistor
MOS; a seo 5 apresenta uma metodologia de projeto
baseada na caracterstica gm/ID do transistor, uma
metodologia de sntese unificada considerando todas as
regies de operao do transistor MOS; a seo 6
dedicada anlise e projeto de blocos analgicos; e
finalmente, a seo 7 apresenta algumas concluses e
trabalhos futuros.
2. PROJETO ANALGICO CMOS
O objetivo do projetista analgico transformar as
especificaes requeridas em circuitos que satisfaam
estas especificaes, tanto com seus esquemticos, netlists
e layouts. Para isto necessrio um estudo extenso sobre o
modelo do transistor MOS, assim como o conhecimento
de sua tecnologia.
Figura 1 - Fluxo para o projeto analgico CMOS
A figura 1 ilustra uma aproximao geral dos passos
necessrios para o projeto analgico CMOS baseado em
[1]. O projetista responsvel por todos estes passos
exceto a fabricao. Primeiramente, uma extensa
caracterizao da tecnologia a ser usada deve ser feita,
onde os parmetros que descrevem as caractersticas
particulares dos dispositivos so obtidos. A partir desta
caracterizao e das especificaes requeridas para o
circuito feita uma modelagem e sntese a fim de se obter
a dimenso dos transistores. As ferramentas para a anlise
do desempenho eltrico do circuito so a seguir utilizadas,
onde o projetista deve realizar uma iterao usando os
resultados de simulao para melhorar a performance do
circuito. Com a performance desejada satisfeita, feita a
sua descrio geomtrica (layout). indispensvel uma
nova simulao eltrica ps-layout, incluindo os efeitos
geomtricos (incluindo os parasitas R, L e C extrados do
layout). Depois de todos estes passos, se os resultados
forem satisfatrios, o circuito est pronto para fabricao.
Seno, uma nova iterao de projeto deve ser realizada.
Outra importante considerao no projeto analgico
CMOS diz respeito s tcnicas de layout. Para a
implementao do layout de blocos bsicos analgicos
(presentes na maioria dos circuitos analgicos) , como par
diferencial e espelho de corrente, necessrio o uso de
tcnicas especiais. Por exemplo, para se obter bom
casamento no par diferencial, uma soluo a construo
do layout com um centride comum, o que o torna menos
sensvel a variaes de processo da tecnologia. O mesmo
vale para o espelho de corrente.
3. MODELAGEM DE CIRCUITOS ANALGICOS
CMOS
A principal funo do projeto analgico prever e
verificar a performance do circuito ou sistema. Esta funo
alcanada atravs do uso de modelos que emulam o
funcionamento destes circuitos. Segundo [1], modelagem
definido como o processo em que as propriedades eltricas
de um dispositivo semicondutor ou um grupo de
dispositivos interconectados so representados por
equaes matemticas, representao de circuitos ou
tabelas.
Portanto, a fim de se obter uma anlise confivel de
qualquer circuito analgico, deve-se modelar as
caractersticas do dispositivo bsico para o projeto
analgico: transistor MOS. Estas caractersticas so: o
comportamento DC (anlise de grandes sinais); o
comportamento AC (caractersticas de pequenos sinais); e
resposta em freqncia de pequenos sinais.
Pode se obter, ento, um modelo simplificado para se
calcular a corrente do transistor MOS baseado em [1] e
[8], usado em modelos SPICE nvel 1, considerando que o
transistor est operando exclusivamente na regio de
 saturao. A tabela 1 mostra a relao dos principais modelo eltrico BSIM3v3 possui equaes para estes
elementos deste modelo simplificado. parmetros que dependem de outros parmetros. A seguir
sero descritos os processos de obteno destes
Tabela 1 Equaes simplificadas dos elementos do modelo AC
e DC do transistor MOS na regio de saturao parmetros atravs de mtodos grficos e numricos
desenvolvidos em [3] e [5].
Definio Equao
ID Corrente de o Cox W 4.1. Determinao do parmetro n (Subthreshold
(VGS Vt )
2
ID = Slope)
polarizao do 2n L
transistor
gm Ganho de I D o Cox W A fim de se calcular corretamente a corrente de
transcondutncia = 2 ID polarizao (ID) do transistor, necessrio levar em
V GS n L
considerao o parmetro chamado de fator de inclinao
gds Condutncia de I D ID I n (slope factor). Este parmetro interpretado como a
sada do = go = ID D
VDS 1 + VDS VA inclinao da curva log(ID) versus VGS na regio de
transistor inverso fraca. Portanto, fica clara a importncia deste
parmetro para o projeto analgico.
4. CARACTERIZAO DOS PARMETROS Este mtodo de extrao deste parmetro baseado em
ELTRICOS DO TRANSISTOR MOS [5], levando em considerao uma outra interpretao do
fator de inclinao n. Pode-se considerar o parmetro
equivalente ao inverso da derivada de VP em relao a
Na seo anterior foi apresentado um modelo que emula o
VGB. A tenso de pinch-off (VP) definida como a tenso
transistor MOS na regio de saturao, sob vrias
de canal no limite entre a regio de inverso fraca e a
condies de funcionamento de acordo com seus terminais
regio de inverso forte [6]. VP obtido a partir das
(S, G, D, B). Entretanto, antes de qualquer modelo ser
caractersticas gate-comum, como ilustrado na figura
usado, importante que os parmetros que descrevem
2, onde o ponto Is a corrente de normalizao.
caractersticas particulares de um dado dispositivo sejam
conhecidos. Portanto, antes que o projeto comece, os
dispositivos a serem usados devem ser caracterizados para
que se obtenha um modelo com seus parmetros
devidamente determinados. Como geralmente os
parmetros de tecnologia no so totalmente fornecidos
pelas foundries, necessrio que o prprio projetista
caracterize os dispositivos fsicos a serem usados, atravs
de medidas eltricas. Como ainda no se possui
dispositivos fsicos para a caracterizao na tecnologia
aqui em uso, AMS0.35m, a soluo encontrada foi o uso
de simulaes eltricas com o modelo eltrico disponvel,
o modelo BSIM3v3.2.2. A tabela 2 mostra uma lista
destes parmetros de tecnologia.

Tabela 2 Parmetros de processo da tecnologia AMS0.35um

Figura 2 Caracterstica ID versus VS do transistor NMOS
(W/L = 1) com o ponto Is escolhido para se achar se o seu
NMOS PMOS
VP correspondente
ni 1,5e+10 cm-3
(Si, T=350K) J a figura 3 mostra a caracterstica VP versus VGB do
si 1,045 pF/cm transistor, aonde se obtm o valor de n (derivada da curva)
Nch 2,31e+17 1,03e+17 1/cm e Vto (ponto em que VP nulo). Obtendo-se nNMOS = 1,22
o 403,5 129,6 cm2/Vs e nPMOS = 1,17. As trs caractersticas da figura 3 foram
Tox 7,7e-07 7,7e-07 cm obtidas considerando-se trs valores diferentes para Is.
Cox 4,48e-7 4,48e-7 F/cm2
Vto 0,465 -0,617 V

Pode-se observar que dois parmetros muitos importantes

para o projeto analgico, o fator de inclinao n (slope
factor) e VA (tenso de Early) no so fornecidos, pois o
 (que ser mais detalhada na prxima seo) pode ser
explorada durante o projeto, onde as dimenses dos
transistores so desconhecidas.

Figura 3 - Caracterstica VP versus VGB do transistor

NMOS para cada Is diferente

Figura 4 - VA em funo da caracterstica gm/ID para L

4.2. Determinao do parmetro VA
diferentes do transistor NMOS - Tecnologia AMS0.35m
Um dos parmetros necessrios para o projeto analgico
CMOS analtico a tenso de Early (VA). Este parmetro 5. METODOLOGIA GM/ID
essencial para o projeto analgico CMOS, pois a
resistncia de sada do transistor depende diretamente O principal problema para o projetista dado as
deste parmetro, que por sua vez depende linearmente do especificaes desejadas, o clculo da geometria dos
comprimento do canal (L) do transistor. transistores (W/L) dos blocos. A maioria dos mtodos para
Este parmetro foi estimado atravs dos mtodos sntese de circuitos analgicos geralmente considera que
apresentados em [1] e [8] empregando simulaes os transistores MOS operam ou em inverso forte ou em
eltricas. Como mostrada na tabela 3, a tenso de Early regio fraca, que muitas vezes no uma boa soluo para
est diretamente ligada com o comprimento do canal (L) se obter resultados seguros. A metodologia de projeto
do transistor. gm/ID, proposta por [10], apresenta um mtodo
alternativo para este problema, permitindo uma
Tabela 3 Variao do parmetro tenso de Early em funo do metodologia de sntese unificada considerando todas as
L do transistor Vgb = 3V Tecnologia CMOS 0.35m regies de operao do transistor MOS. Neste mtodo
L VA (V) considerada a relao entre a razo entre a
(um) NMOS PMOS transcondutncia gm sobre a corrente de dreno ID e a
1 129,5 27,55 corrente de dreno normalizada ID/(W/L) como a
1,5 159,6 38,24 ferramenta fundamental para o projeto.
2 178,8 48,06 Outra interessante caracterstica desta metodologia que
2,5 204,05 57,99 tanto a relao gm/ID como a corrente normalizada
5 297,3 103,9 ID/(W/L) so independentes em relao s dimenses dos
7,5 357,8 151,5 transistores. Portando, pode-se considerar que a relao
entre gm/ID e a corrente normalizada uma caracterstica
10 426,2 198,9
nica para todos os transistores do mesmo tipo (NMOS e
PMOS) para uma determinada tecnologia. Pode-se, ento,
Porm, muitas vezes o projetista escolhe a corrente de obter uma curva com esta caracterstica universal de
polarizao DC e/ou a regio de operao do transistor a gm/ID versus ID/(W/L) que pode ser explorada durante o
ser usado e a partir da escolhe seu tamanho, e projeto, onde as dimenses dos transistores so
conseqentemente seu VA. Portanto, interessante ao desconhecidas. A partir das especificaes desejadas para
projetista o conhecimento da variao VA em relao a um determinado bloco analgico, e uma vez que um par de
regio de operao do transistor. A figura 4 ilustra a valores gm e ID forem obtidos (escolha da regio de
relao da variao da tenso de Early em funo da operao do transistor pelo projetista), o W/L do transistor
variao da caracterstica gm/ID do transistor para diversos pode ser determinado.
comprimentos de canal diferentes. Portando, pode-se obter
uma curva de VA versus a caracterstica universal de gm/ID
 A curva gm/ID versus ID/(W/L) pode ser obtida por
duas maneiras: analiticamente, usando um modelo para o
transistor MOS, ou atravs de medidas experimentais de
um transistor tpico. Para se obter a curva gm/ID
analiticamente, necessria o uso de um modelo de
transistor MOS, como o modelo EKV [6] que fornea uma
representao contnua da corrente do transistor e
parmetros se pequenos sinais em todas as regies de sua
operao. J a para a obteno da curva gm/ID
experimental, seriam necessrias vrias medidas de
transistores tpicos para a tecnologia aqui em uso. Como
ainda no se possui dispositivos fsicos para a
caracterizao nesta tecnologia, a soluo encontrada foi a
obteno da curva atravs de simulaes eltricas
SPECTRE com o modelo BSIM3v3. A figura 5 mostra a
as curvas gm/ID obtidas analiticamente e atravs de
simulao eltrica dos transistores NMOS e PMOS para a
tecnologia AMS0.35m.
Figura 5 - Curva gm/ID: analtica e simuladas transistores
NMOS e PMOS para a tecnologia AMS0.35m.
Com a curva gm/ID obtida para a tecnologia desejada, o
prximo passo foi a aplicao e validao desta
metodologia. O circuito escolhido foi o amplificador
operacional tipo Miller, que tem seu esquemtico
mostrado na figura 6.
Figura 6 Esquemtico do amplificador tipo Miller
Deseja-se obter um amplificador Miller com as seguintes
especificaes: Av > 10000 (80dB), GBW = 15MHz,
ICMR = -1V a 0,5V, SR > 18V/us, CL = 10pF, VDD =
1,65 V e VSS=-1,65 V.
O procedimento do projeto ilustrado aqui buscando
melhor performance em termos de ganho DC (Av),
Margem de Fase (MF), produto ganho-faixa (GBW) e
slew rate (SR). Entretanto, este procedimento pode ser
modificado levando em conta outros aspectos (como rudo
e CMRR rejeio de modo comum) que podem ser
relevantes para um determinado tipo de aplicao, desde
que esteja diretamente ligado com relao gm/ID versus
ID/(W/L). O projeto segue a seguinte seqncia:
primeiro, necessrio estabelecer o valor do
capacitor de compensao Cc. Como regra bsica
[1], o plo dominante de sada do circuito deve
ser posicionado a 2,2 vezes o GBW, o que
garante uma margem de fase de 60 (assumindo
que o zero do semi-plano direito z1 maior que
10 vezes o GBW). Tal posicionamento do plo
resulta na seguinte expresso para o valor para
Cc: Cc > 0,22 C L Cc = 2,5 pF
a partir da especificao de SR, pode-se obter a
corrente de polarizao (Ibias), que igual a
(
45A Ibias = Cc SR ; )
os transistores do espelho de corrente NMOS
(M3 e M4) devem operar na regio de inverso
forte, a fim de se garantir um bom casamento e
boas propriedades de rudo. Portanto, escolhido
(gm/ID)3 = (gm/ID)4 = 10;
para o par diferencial NMOS (M1 e M2), a partir
da especificao de GBW pode-se saber o gm
dos transistores do par, e conseqentemente seu
gm/ID. Portanto, (gm/ID)1 = 10,47;
10 g m1
a partir da relao g m 7 [1], tem-se
que (gm/ID)7 = 10;
(gm/ID)5= (gm/ID)6 = 7.
Com os valores de (gm/ID) escolhidos, a corrente
normalizada ID/(W/L) determinada atravs da curva
gm/ID de cada transistor, e conseqentemente o W/L de
cada transistor. O comprimento de canal (L)
determinado a fim de se obter uma melhor relao entre
rea e ganho DC (devido dependncia da tenso de
Early em relao ao L, como mostrado na seo 3), aqui
estimado em 5 vezes o L mnimo que a tecnologia permite.
Os valores escolhidos so mostrados na tabela 4.
 Tabela 4 Dimenses dos transistores Amp. Miller passa-banda [7], que composto basicamente por um
W/L W (um) L (um) estgio filtro passa-banda (com blocos transcondutores) e
M1 36 54 1.5 um comparador. A seguir descreve-se o desenvolvimento
M2 36 54 1.5 de cada um deles.
M3 10 15 1.5
M4 10 15 1.5 6.1. Comparador track-and-latch
M5 30 45 1.5 O comparador track-and-latch [4], mostrado na figura 7
consiste em um par diferencial NMOS (M1 e M2), dois
M6 158 237 1.5
inversores realimentados (M3/M8 e M4/M9), dois
M7 103 154.4 1.5
transistores PMOS pull-up de reset (M6/M7) e uma fonte
de corrente controlada por um relgio (M5). Durante o
A tabela 5 mostra excelentes resultados de performance do semi-ciclo ativo do relgio, os transistores pull-up ficam
amplificador Miller, calculados analiticamente e atravs abertos e o par diferencial ativado, onde os sinais de
de simulaes eltricas SPECTRE, nas verses entrada devem estar definidos e estveis, realizando-se a
esquemtico eltrico e com o layout extrado. O layout do comparao. No semi-ciclo inativo, a corrent I5 cortada
amplificador projetado, mostrado na figura 7, foi feito no e os nodos de sada so resetados (pr-carga).
ambiente CADENCE usando as tcnicas de layout
descritas na seo 2.

Tabela 5 Resultados de performance do Amp. Miller

calculados e simulados
Analtico Simulao SPECTRE
Esquemtico Layout
Extrado
Av (dB) 107,45 90,09 81,99
F3dB (Hz) 543 1,037K
MF () 60 54,3 55
GBW (MHz) 15 15,14 14,6
SR (V/us) 18 20,7 20,42 Figura 7 Esquemtico do comparador track-and-latch
IDD (A) 280,6u 356u 346,9
Pdiss (mW) 0,925 1,17 1,144 Deseja-se obter um comparador com as seguintes
Vout mx (V) 1,55 1,55 especificaes: sensibilidade de 5mV, frequncia de
operao de 10MHz, SR = 100V/s, CL = 100fF (carga de
Vout min (V) -1,6 -1,6
entrada do estgio seguinte, Latch D), VDD = 1,65 V e
VSS=-1,65 V.
A partir da anlise do comportamento DC e da anlise AC,
atravs de seu modelo de pequenos sinais pode-se obter
as principais relaes que modelam seu comportamento.
Utilizando as tcnicas de projeto desenvolvidas
anteriormente, pode-se obter as dimenses dos transistores
que satisfazem as especificaes requeridas (tabela 6).
Tabela 6 Dimenses dos transistores Comparador

W/L W (m) L (m)

M1 22 33 1,5
M2 22 33 1,5
Figura 7 Layout do amplificador tipo Miller AMS0.35m M3 2,4 6 2,5
M4 2,4 6 2,5
6. PROJETO DE BLOCOS FUNCIONAIS M5 0,277 1,25 4,5
ANALGICOS M6 3,33 1 0,3
Com uma metodologia de projeto eficaz e confivel M7 3,33 1 0,3
definida, sero analisados blocos considerados bsicos M8 0,8 2 2,5
para construo da maioria dos sistemas analgicos usados M9 0,8 2 2,5
atualmente, mais precisamente visando um Modulador
Com as dimenses obtidas partiu-se para a etapa de
implementao utilizando-se a ferramenta CADENCE. O
circuito foi implementado em duas verses: esquemtico
(utilizando a biblioteca de transistores AMS0.35) e layout
(extrado com capacitncias). A figura 8 mostra o layout
do estgio comparador na tecnologia AMS0.35um, com
uma rea total de 53 x 25 m2 . A tabela 7 mostra alguns
Figura 9 Topologia do filtro Gm-C passa-banda
resultados de performance do comparador atravs de
simulaes eltricas SPECTRE, nas verses esquemtico e
Um amplificador de transcondutncia ideal para este tipo
com o se layout extrado.
de aplicao seria uma fonte de corrente controlada por
tenso com largura de banda infinita e resistncias de
entrada e sada infinitas. A configurao estgio
amplificador diferencial com CMFB (Common-Mode
FeedBack) [1], mostrado na figura 10, uma boa opo
para este projeto. O amplificador linearizardo com o uso
da tcnica de degenerao de fonte (source degeneration)
[8] e [11], onde um resistor passivo conectado entre os
terminais de fonte do par diferencial. Portanto, o ganho de
transcondutncia gm do par diferencial determinado
pelo termo linear R, que implementado atravs de um
transistor com o seu terminal gate conectado a uma tenso
de polarizao (VC) que garante o transistor operando na
regio no linear (triodo).
O projeto foi feito buscando melhor performance em
termos de ganho de trancondutncia (gm), produto ganho-
Figura 8 Layout do comparador track-and-latch AMS0.35m faixa (GBW) e slew rate (SR), a fim de se obter um filtro
passa-banda com sua freqncia central de
Tabela 7 Resultados de performance do comparador track-and- aproximadamente 5MHz.
latch simulados
Simulao SPECTRE
Esquemtico Layout
Extrado
CL (pF) 10 10
Delay td (ns) 4,95 5,02
(ph1Vo+)
F max (MHz) 70 70
Sensibilidade - Vin 0,5 1
(mVpp) @ 10MHz
Itailmx (A) 95,58 102

5.2 Filtro Passa-Banda

Para a implementao do filtro passa-banda , foi escolhida

a arquitetura usando filtros Transcondutncia-C (Gm-C) Figura 10 Esquemtico do OTA diferencial com CMFB
[2] e [11], que uma boa opo para o projeto de filtros
contnuos no tempo. Filtros Gm-C so usados em diversas O filtro proposto foi implementado em duas verses:
aplicaes, evitando o uso de amplificadores operacionais, esquemtico (utilizando a biblioteca de transistores
obtendo o ganho que se necessita atravs de AMS0.35) e layout (extrado com capacitncias). A figura
amplificadores transcondutores. Portanto s necessrio 11 mostra o layout do estgio comparador na tecnologia
para sua implementao capacitores e trancontudores, AMS0.35um, com uma rea total de 121 x 163 m2.
facilitando a sua implementao em circuitos integrados.
A figura 9 mostra a topologia escolhida usando blocos
trancondutores que implementa um filtro passa-banda, que
uma variao da topologia biquadrtica baseada em [11].

Figura 11 - Layout do filtro passa-banda com Fc ajustvel
implementado em ambiente CADENCE SPECTRE
Os resultados de simulao mostram a freqncia central
de operao (Fc) entre 4MHz e 5MHz e um fator de
qualidade (Q) de aproximadamente 250, como ilustra a
figura 12.
Figura 12 Resultados de simulao parra ajuste de freqncia do
filtro passa-banda implementado Verso esquemtico.
6. CONCLUSES E TRABALHOS FUTUROS
Este trabalho exemplificou o uso de tcnicas de projeto,
modelagem e caracterizao de parmetros de tecnologia
para o desenvolvimento de diversos blocos analgicos
considerados bsicos para construo da maioria dos
sistemas analgicos usados atualmente amplificadores,
comparadores e filtros analgicos.
Com uma metodologia de projeto eficaz e confivel
definida, a metodologia gm/ID, o projeto dos blocos
funcionais comparador track-and-latch e OTA (para o
filtro GM-C passa-banda) foi detalhado e validado. No
nvel das simulaes eltricas, os resultados atingidos
foram muito bons, porm a fim que estes resultados sejam
extendidos para o nvel de implementao fsica diversas
consideraes devem ser feitas, como a validade do
modelo eltrico usado e as caractersticas do processo de
fabricao (capacitncia e resistncias parasitas).
Portanto, pretende-se prototipar estes circuitos, passando
por todas as etapas necessrias para a obteno de um
sistema analgico em tecnologia CMOS.
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