FIEE - UNMSM 2017-I

PUERTAS LOGICAS E IMPLEMENTACIN DE FUNCIONES

OBJETIVOS
1. Elaborar tablas de funcionamiento de puertas lgicas bsicas de CI.
2. Implementar operaciones lgicas con ms de dos variables.
3. Implementar funciones lgicas empleando puertas lgicas bsicas.

MATERIALES
Unidades PUZ-2000, TM-1 y EB-200 y accesorios de DEGEM SYSTEMS.
Instrumentos electrnicos de laboratorio.

TAREAS PARA EXPERIMENTAR

01. Complete la tabla de funcionamiento de un inversor lgico (puerta NO) en
CI

A SALIDA
0 1
1 0

02. Conecte en cascada, tres inversores lgicos. Para cada valor de la seal
de entrada anote, en la tabla de funcionamiento, el estado lgico de cada salida.

a) Tabla de funcionamiento.

Terico Practico

0 1 0 1 0
1 0 1 0 1

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b) Ecuaciones de salida.

1 =
2 =

3 =

c) Si se conectan ms puertas inversas en serie, escriba la ecuacin de

salida F6. Escriba la ecuacin Fn, para el caso de n puertas inversoras.

6 =
;
= {
;
03. Complete la tabla de funcionamiento de una puerta O (OR) de dos
entradas.

Puerta O (OR) de dos entradas

a) Tabla de funcionamiento.

Terico Prctico

0 0 0 0
0 1 1 1
1 0 1 1
1 1 1 1

b) Ecuacin de salida:

1 = +

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04. Utilizando dos puertas O de dos entradas; implemente una puerta O de

tres entradas. Complete su tabla de funcionamiento.

Puerta O de tres entradas

a) Tabla de funcionamiento.

Terico Prctico

0 0 0 0 0
0 0 1 1 1
0 1 0 1 1
0 1 1 1 1
1 0 0 1 1
1 0 1 1 1
1 1 0 1 1
1 1 1 1 1

b) Ecuacin de salida:

2 = + +
05. Complete la tabla de funcionamiento de una puerta NO-O (NOR) de dos
entradas.

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Puerta NO-O (NOR) de dos entradas

a) Tabla de funcionamiento.

terico Practico

0 0 1 1
0 1 0 0
1 0 0 0
1 1 0 0

b) Ecuacin de salida.

1 =
+

06. Implemente un circuito de tres entradas, utilizando dos puertas NO-

O de dos entradas. Complete la tabla de funcionamiento del circuito.

Puerta NO-O de tres entradas

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a) Tabla de funcionamiento.

Terico Prctico
A B C F2 F2
0 0 0 0 0
0 0 1 0 0
0 1 0 1 1
0 1 1 0 0
1 0 0 1 1
1 0 1 0 0
1 1 0 1 1
1 1 1 0 0

b) Ecuaciones de salida.

F1 = +

F2 =

( + ) +
c) Simplifique F2. El circuito ejecuta realmente una funcin NO-O (NOR)
de tres variables?

( + ) + = (

+ ). = ( + ). El circuito si ejecuta una funcin de 3
variables.
07. Complete la tabla de funcionamiento de una puerta Y (AND) de dos
entradas.

Puerta AND de dos entradas

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a) Tablas de funcionamiento.

Terico Prctico
A B F1 F1
0 0 0 0
0 1 0 0
1 0 0 0
1 1 1 1

08. Utilizando dos puertas Y de dos entradas, implemente una puerta Y

de tres entradas. Complete su tabla de funcionamiento.

Puerta AND de tres entradas

Terico Prctico
A B C F2 F2
0 0 0 0 0
0 0 1 0 0
0 1 0 0 0
0 1 1 0 0
1 0 0 0 0
1 0 1 0 0
1 1 0 0 0
1 1 1 1 1

b) Ecuaciones de salida.

F1 = .
F2 = (. ).

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c) Simplifique F2. El circuito ejecuta realmente una funcin NO-O (NOR)

de tres variables?

F2 = (. ).

7408:A
A 1
3
2 .7408:B
B 4

5
6 F
C

09. Complete la tabla de funcionamiento de una puerta NO-Y (NAND) de

dos entradas.

Puerta NAND de dos entradas

a) Tablas de funcionamiento.

Terico Prctico
A B F1 F1
0 0 1 1
0 1 1 1
1 0 1 1
1 1 0 0

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10. Implemente un circuito de tres entradas, utilizando dos puertas NO-

Y de dos entradas. Complete la tabla de funcionamiento del circuito.

Puerta NAND de tres entradas

Terico Prctico
A B C F2 F2
0 0 0 1 1
0 0 1 0 0
0 1 0 1 1
0 1 1 0 0
1 0 0 1 1
1 0 1 0 0
1 1 0 1 1
1 1 1 1 1

b) Ecuaciones de salida.

F1 =
.

F2 =

(. ).
c) Simplifique F2. El circuito ejecuta realmente una funcin NO-Y (NAND)
de tres variables?

F2 =(.

). = (. ) + = . + . S funciona.
e) Cambiara la salida del circuito al intercambiar las variables de entrada B
y C. Explique Y obtenga la nueva ecuacin de salida F2

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Terico Prctico
A B C F2 F2
0 0 0 1 1
0 1 0 1 1
0 0 1 1 0
0 1 1 1 0
1 0 0 1 1
1 1 0 0 1
1 0 1 1 0
1 1 1 0 1

F2 = . + . No cambiar la salida del circuito.

PROBLEMAS PROPUESTOS
1. Indicar si las expresiones siguientes son verdaderas o no:
a. La disipacin de potencia de los circuitos MOS, bajo condiciones de
conmutacin es debido totalmente a la carga capacitiva (incluyendo
los parsitos).
La disipacin de potencia se incrementar debido a que, en la salida, la
capacitancia parsita del MOS se cargar y descargar ocasionando
picos de tensin y se incrementar la corriente promedio de V DD, pero no
es lo nico a tomar en cuenta, tambin afectar el nivel de frecuencia
aplicado al circuito MOS.
b. La disipacin de potencia vara linealmente con la frecuencia.
La disipacin de potencia se incrementar en proporcin a la frecuencia
en que los circuitos cambian de estado. La razn de esta dependencia
en relacin con la frecuencia es que cada vez que el CMOS cambia de
estado de BAJO a ALTO debe suministrarse una corriente de carga
transitoria a la capacitancia de carga generando unos picos de corriente
como se ve en la figura. Es evidente ahora que al aumentar la frecuencia
tambin aumentar el nmero de picos de corriente por segundo.

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c. Los tiempos de conmutacin (tr, tf) y de retardo de propagacin (td)

de los CMOS disminuyen al aumentar VDD.
La razn de la mejora de los tiempos de propagacin al aumentar V DD,
es que la resistencia de encendido (1k a menos) del MOSFET se
reduce en forma considerable con el aumento de la tensin de
alimentacin. Por ejemplo, una compuerta NAND de la serie 4000 tiene
un tiempo de propagacin promedio de 50ns a un voltaje VDD=5v, y de
25ns a VDD=10V.
d. La inmunidad al ruido AC de un CMOS es funcin de las
capacidades de entrada y salida.
Los mrgenes de ruido en CMOS son iguales en cada estado y solo
dependen del voltaje de alimentacin aplicado VDD. Adems, tienen
mayor inmunidad al ruido que los TTL a 5v o a mayor tensin.
e. Los CMOS pueden trabajar en un rango ms amplio de voltajes que
otras familias, incluso pueden trabajar con voltajes negativos siempre
que VDD>VSS.
Para series de 4000/14000 y 74C se opera con voltajes de V DD entre 3 y
15 voltios, las series 74HC, 74AC y 74AHC operan por lo general entre 2
y 6 voltios. Adems es posible que un CMOS opere con voltajes
negativos con la condicin VDD>VSS pues se formar canal en el
dispositivo y conducir corriente.
f. La frecuencia de conmutacin mxima de un CMOS aumenta con el
voltaje de alimentacin.
Ya que comprobamos que el tiempo de propagacin se reduce al
aumentar la tensin de alimentacin, podemos decir que la frecuencia
de conmutacin aumentar con VDD, debido a su relacin inversa con el
tiempo.
Bibliografa:
Sistemas Digitales-Problemas y aplicaciones, Tocci Widmer
Moss, 10ma edicin, pginas 525 al 528.

2. Indique los diferentes tipos de componentes digitales en CI

existentes. Defnalos. Cules son las familias lgicas
correspondientes a las puertas digitales en CI?

1. Familia de circuitos integrados TTL

TTL Viene de las iniciales: Transistor Transistor Lgica o Lgica
Transistor. La familia de los circuitos integrados digitales TTL tiene las
siguientes caractersticas:
El voltaje de alimentacin es de + 5 Voltios, con: Vmn = 4.75 Voltios y
Vmx = 5.25 Voltios. Por encima del voltaje mximo el circuito integrado

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se puede daar y por debajo del voltaje mnimo el circuito integrado no

funcionara adecuadamente.

Su realizacin (fabricacin) se logra con transistores bipolares

multiemisores,

El inversor (NOT) quedara como se muestra en la figura de abajo a la

izquierda. A la derecha ejemplo del patillaje de un circuito integrado TTL

Velocidad aproximada Subfamilia TTL

1.5 ns Schottky avanzada
3 ns Schottky
4 ns Schottky avanzada de baja
potencia
10 ns Schottky de baja potencia
10 ns estndar
33 ns baja potencia
Tabla 1: Velocidades de las distintas subfamilias TTL

Consumo de potencia por Subfamilia TTL

puerta
1 mW baja potencia
1 mW Schottky avanzada de baja
potencia
2 mW Schottky de baja potencia
7 mW Schottky avanzada
10 mW estndar

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20 mW Schottky
Tabla 2: Consumo de potencia de las subfamilias TTL

Observemos que las subfamilias Schottky de baja potencia como la

Schottky avanzada de baja potencia como la Schottky avanzada de baja
potencia renen excelentes caractersticas de alta velocidad y bajo consumo
de potencia.
Debido a su configuracin interna, las salidas de los dispositivos TTL NO
pueden conectarse entre s a menos que estas salidas sean de colector
abierto o de tres estados.

Familia de circuitos integrados CMOS:

Estos CIs se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de
potencia, ya que se fabrican a partir de transistores MOSFET los cuales por su
alta impedancia de entrada su consumo de potencia es mnimo.
Estos CIs se pueden clasificar en tres subfamilias:

Familia Rango de tensin Consumo potencia Velocidad

estndar (4000) 3 15 V 10 mW 20 a 300 ns
serie 74C00 3 15 V 10 mW 20 a 300 ns
serie 74HC00 3 15 V 10 mW 8 a 12 ns
Tabla 3: Subfamilias CMOS
La serie 74HCT00 se utiliza para realizar interfaces entre TTL y la serie
74HC00.

DESCARGAS ELECTROSTTICAS
Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al dao por descargas
electrostticas entre un par de pines.
Estos daos pueden prevenirse:
Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales.
Usando soldadores alimentados por batera o conectando a tierra las
puntas de los soldadores alimentados por AC.
Desconectando la alimentacin cuando se vayan a quitar CI CMOS o se
cambien conexiones en un circuito.
Asegurando que las seales de entrada no excedan las tensiones de la
fuente de alimentacin.
Desconectando las seales de entrada antes de las de alimentacin.

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No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente o a

tierra segn se requiera.

3. Cules son las consideraciones prcticas que deben tenerse en

cuenta al realizar las mediciones de las caractersticas de los
pulsos?
Al trabajar con la familia TTL debemos tener en cuenta las siguientes
consideraciones prcticas:
Las seales de entrada nunca deben de ser mayores a la tensin de
alimentacin ni inferior al nivel de tierra.
Si alguna entrada debe estar siempre a un nivel alto, conectarla a Vcc
(tensin de alimentacin).
Si alguna entrada debe estar siempre a un nivel bajo; conectarla a tierra.
Si hay entradas no utilizadas, en compuertas NAND, OR, AND,
conectarlas a una entrada que si se est utilizando.
Es mejor que las salidas no utilizadas de las compuertas estn a un nivel
alto pues as consumen menos corriente.
Evitar los cables largos dentro de los circuitos.

Las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas, ya que son muy
sensibles a la electricidad esttica y al ruido, tienen que estar conectadas a un
nivel fijo de voltaje alto o bajo (0 V O Vcc) o bien a otra entrada.
Para obtener las mediciones de las caractersticas de la curvas de
transferencia de la familias de los componentes digitales (TTL, CMOS);
ajustamos el generador de seales en OFFSET ON y el osciloscopio en la
posicin XY a travs de los botones de ajustes.

4. Explique los criterios de evaluacin (caractersticas generales) de

las familias lgicas, de circuitos digitales, desarrollados en CI.

Caractersticas especiales
Las caractersticas de las familias de CIs lgicos se comparan analizando el
circuito de la compuerta bsica de cada familia, los parmetros ms
importantes que son evaluados y comparados son: fan-out, disipacin de
poder, demora de propagacin y margen de ruido, se explicaran estos
parmetros y algunos se medirn en la prctica.

Fan-Out
Especifica el nmero de cargos normales que puede accionar la salida de la
compuerta sin menoscabar su operacin normal. La salida de la compuerta
suministra una cantidad limitada de corriente por encima de la cual no opera
correctamente y en este caso se dice que est sobrecargada. Es el nmero

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mximo de entradas que pueden conectarse a la salida de la compuerta y se

expresa con un nmero.

Disipacin de potencia
Es la potencia suministrada necesaria para operar la compuerta. Este
parmetro se expresa en milivatios (mW) y representa la potencia real
designada por la compuerta. Un CI con cuatro compuertas exigir de la fuente
cuatro veces la potencia disipada por cada compuerta. En un sistema dado
puede haber muchos circuitos integrados y sus potencias deben tenerse en
cuenta. El poder total disipado en un sistema es la suma total del poder
disipado de todos los CIs.

Retardo de Propagacin
Es el tiempo promedio de demora en la transicin de propagacin de una seal
de la entrada a la salida, cuando las seales binarias cambian de valor. Se
expresa en nanosegundos (ns). Las seales que viajan de las entradas de un
circuito digital a las salidas pasan por una serie de compuertas. La suma de las
demoras de propagacin a travs de las compuertas es la demora total de la
propagacin del circuito.

Margen de ruido
Es el mximo voltaje de ruido agregado a la seal de entrada de un circuito
digital que no cause un cambio indeseable, a la salida del circuito. Se expresa
en voltios (V). Hay dos tipos de ruido que deben de considerarse: Ruido DC,
causado por la desviacin en los niveles de voltaje de la seal. Ruido AC, es el
pulso aleatorio que puede ser creado por otras seales conmutadas. De esta
forma el ruido es el trmino usado para denotar una seal indeseable
sobrepuesta a una seal de operacin normal.
5. Elabore una relacin de logos y prefijos que utilizan los fabricantes
de los componentes digitales en CI.

9000, 54/74
54/74
9300, 54/74

4000
74
74
74
74
54/74, 9300
54/74
54/74
54/74

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6. Indique las precauciones que se deben tener en cuenta al

manipular componentes de las familias TTL, CMOS y ECL.

Precauciones a tomar en el manejo de dispositivos CMOS.

Todos los dispositivos CMOS son muy susceptibles al dao ocasionado

por descarga electrosttica entre cualquier par de pines.

La electrosttica o electricidad esttica consiste en la creacin de altos

voltajes en la superficie de un material aislante por efecto de
friccin o frotamiento.

Conservar el circuito integrado en su contenedor original hasta que sea

insertado en el circuito de aplicacin.
Conectar todas las entradas no empleadas a un nivel estable. No
dejarlas sin conectar.
Verificar la polaridad de la fuente de alimentacin. El positivo debe ir al
pin +VDD y el negativo o tierra al pin VSS.

Precauciones a tomar en el manejo de dispositivos TTL.

Tensin de alimentacin (+ VCC).

Los circuitos TTL en general, pueden operar con tensiones entre 4.75 V.
y 5.25 V. Pero el valor nominal de la tensin de trabajo es de + 5 volts.

Niveles de voltaje.

De 0 V. a 0.8 V. para el estado bajo.

De 2.4 V. A 5 V. para el estado alto

Precauciones a tomar en el manejo de dispositivos ECL.

No existen picos de corrientes en los transistores como sucede en la familia

lgica TTL.

El nivel de 1 lgica es prcticamente independiente del factor de carga.

Altos valores de potencia del orden de 40mW.
No son compatibles con los circuitos TTL.

7. Explique las diferencias entre las caractersticas de los dispositivos

CMOS versiones B y UB (Buffered y unbuffered).
Los cdigos empleados para designar dispositivos digitales CMOS
pueden ser separados en dos grupos, segn sea el sufijo literal que le
corresponda. El sufijo B indica que el dispositivo posee incorporado un buffer
() que proporciona facilidad a la interconexin de estos
dispositivos, unos con otros, de una manera directa sin tener que considerar
el acoplamiento d las impedancias de entrada y salida.

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Cuando el cdigo posee el sufijo UB, significa que el dispositivo no

posee el buffer interno (solo posee una etapa inversora entre la entrada y
la salida) y presenta menor ganancia, menor inmunidad al ruido, presenta
una operacin en modo lineal adecuado para implementar osciladores y un
tiempo de respuesta ms rpido.
8. Por qu la disipacin de potencia es una consideracin
importante en el diseo de circuitos?
Los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando el nmero de componentes
integrados en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a disipacin de
esta potencia, tambin crecen, calentando el sustrato y degradando el
comportamiento del dispositivo. Adems, en muchos casos es un sistema de
realimentacin positiva, de modo que cuanto mayor sea la temperatura, ms
corriente conduce, fenmeno que se suele llamar "embalamiento trmico" y,
que si no se evita, llega a destruir el dispositivo. Los amplificadores de audio y
los reguladores de tensin son proclives a este fenmeno, por lo que suelen
incorporar protecciones trmicas.
Los circuitos de potencia, evidentemente, son los que ms energa deben
disipar. Para ello su cpsula contiene partes metlicas, en contacto con la parte
inferior del chip, que sirven de conducto trmico para transferir el calor del chip
al disipador o al ambiente. La reduccin de resistividad trmica de este
conducto, as como de las nuevas cpsulas de compuestos de silicona,
permiten mayores disipaciones con cpsulas ms pequeas.
Los circuitos digitales resuelven el problema reduciendo la tensin de
alimentacin y utilizando tecnologas de bajo consumo, como CMOS. Aun as
en los circuitos con ms densidad de integracin y elevadas velocidades, la
disipacin es uno de los mayores problemas, llegndose a utilizar
experimentalmente ciertos tipos de criostatos. Precisamente la alta resistividad
trmica del arseniuro de galio es su taln de Aquiles para realizar circuitos
digitales con l.
9. Qu costos total (overhead) es asociado con CI?

Costos de la materia prima.

Costo de envo.
Mano de obra.

El proceso de empaque determina mucho el costo total de cada circuito

integrado terminado, porque los circuitos se producen en masa sobre la oblea,
pero despus se empacan en forma individual. Los paquetes se consiguen en
una diversidad de estilos, de los cuales el adecuado se debe adaptarse a los
requisitos de funcionamiento.
Para determinar el paquete de un circuito se debe tener en cuenta el tamao
del chip, la cantidad de terminales externas, el ambiente de funcionamiento, la
disipacin del calor y la potencia necesaria. Por ejemplo los circuitos integrados
utilizados para aplicaciones militares e industriales, necesitan paquetes de alta

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resistencia mecnica, tenacidad, especialmente alta resistencia a la

temperatura.
Un estilo anterior de empaque es el paquete dual en lnea, que se caracteriza
por su bajo costo y facilidad de manejo. Estos paquete se hacen con materiales
termoplsticos, epxidos o cermicos y pueden tener desde 2 hasta 500
terminales externas. Los paquetes de cermica estn diseados para usarlos
entre lmites ms amplios de temperatura, y en aplicaciones de gran
confiabilidad y militares; por eso cuestan bastante ms que los paquetes de
plstico.
Paquete cermico plano, en el que ste y todas sus terminales estn en el
mismo plano. Este estilo de paquete que no presenta la facilidad de manejo ni
el diseo de ondular que el dual en lnea. Por esta razn se suele fijar en forma
permanente a una tarjeta de circuito con varios niveles, en el que es necesario
el bajo perfil del paquete de plano.

10. Para los componentes de las familias TTL, CMOS y ECL indique las
resistencias trmicas entre la unin y el encapsulado y entre la
unin y el medio ambiente, para los diferentes tipos de
encapsulados.

Coeficiente de Coeficiente de
Constante
Material conductividad expansin
Dielctrica
trmica (W/cm.oK) (10-6/oK)
Carburo de
2.2 3.7 42.0
Si(SiC)

Berilia (BeO) 2.0 6.0 6.7

Alumina (AL2O2) 0.3 6.0 9.5

Dixido de Si
0.01 0.5 3.9
(SiO2)

Polimidas 0.004 - 3.5

Epoxy (PCBs) 0.003 1.5 5.0

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11. En un circuito digital, las siguientes puertas SN74S02, SN74L00,

SN74LS00, SN7400 y SN74LS02; deben de conectarse como
inversores. Indique cuales son los posibles modos de conectar las
entradas no utilizadas de dichas puertas.

74LS04

En este integrado todas las entradas son utilizadas, del 1-6, 8-13 usan las
puertas lgicas; los pines 7 y 14 se conectan a la fuente para la polarizacin de
los transistores internos.
SN7400

Al igual que el 74LS04 los pines 7 y 14 se conectan a la fuente para polarizar

los transistores internos.

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BIBLIOGRAFIA
Sistemas Digitales-Problemas y aplicaciones, Tocci Widmer Moss,
10ma edicin, pginas 525 al 528.

http://cidelamesa.blogspot.pe/p/circuitosdigitales.html

http://electronicacompleta.com/lecciones/compuertas-logicas/

http://www.circuitoselectronicos.org/2007/10/comprobacin-de-los-
circuitos-integrados.html

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