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COLUNAS / DO LABORATRIO PARA A FBRICA (/COLUNA/P/ID/10/N/DO_LABORATORIO_PARA_A_FABRICA)

29 NOVEMBRO 2010 0 1196

Por uma nova gerao na indstria eletrnica

Carlos Alberto dos Santos fala sobre o desenvolvimento de alternativas tecnolgicas que superem os limites atuais dos transistores comerciais
usados em componentes eletrnicos e levem produo de dispositivos cada vez mais ecientes.

Os MOSFETs so os transistores mais usados na indstria eletrnica atualmente e o nmero desses dispositivos em circuitos integrados dobra a cada dois anos (foto: Wikimedia
Commons / CC BY NC 3.0).

Na dcada de 1960, o chip mais avanado tinha exatamente apenas 30 transistores. Hoje, qualquer computador pessoal possui chip com bilhes de
transistores. De algumas dezenas para um bilho, essa caminhada seguiu uma trajetria muito parecida com aquela prevista em 1965 pelo engenheiro norte-
americano Gordon Moore (1929-), um dos fundadores da Intel, e que cou conhecida como lei de Moore.

A partir de uma perspicaz anlise da tendncia da tecnologia daquela poca, Moore estimou que, nos dez anos seguintes, o nmero de transistores em um chip
deveria dobrar anualmente. Em 1975, percebeu que o prazo para duplicao do nmero de transistores no chip deveria ser de aproximadamente dois anos.
Apesar disso, o pessoal da Intel prefere usar o prazo de 18 meses, mas isso no relevante.

Para satisfazer a lei de Moore, os componentes eletrnicos devem ser miniaturizados, mas esse processo tem
limites fsicos

O que importa que a previso de Moore foi conrmada com tanta preciso que a sua transformao em lei foi recebida por cientistas e engenheiros com a
maior naturalidade. A sua introjeo de tal ordem que ora a vemos como descrio, ora como prescrio do avano da eletrnica.

Entre um e outro sentimento, ca sempre a dvida de quando essa lei deixar de valer. Para satisfaz-la, os componentes eletrnicos devem ser
miniaturizados, mas esse processo tem limites fsicos. Superar esses limites sem abandonar o silcio, o material divino da eletrnica, tem sido a grande vitria
dessa indstria.

Para facilitar o entendimento dessa histria, observe na gura abaixo o esquema do MOSFET, talvez o transistor mais utilizado desde sua inveno, em 1960.
Para apreciar a evoluo do processo de miniaturizao, basta acompanhar a reduo da camada de xido de silcio que funciona como porta do transistor.

(/colunas/do-laboratorio-para-a-fabrica/imagens/novageracao02.jpg)

http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2980/n/por_uma_nova_geracao_na_industria_eletronica 1/5
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Representao de um MOSFET. A fonte e o dreno so semicondutores com

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NAVEGUE excesso de eltrons (tipo n), enquanto o substrato preparado com um
semicondutor com excesso de cargas positivas (tipo p). Uma voltagem
aplicada porta controla a corrente eltrica (imagem: adaptao do desenho
de Arne Nordmann).

No incio dos anos 1970, a espessura da porta era de aproximadamente 100 nanmetros. As previses tericas indicavam que essa espessura no podia ser
inferior a 35 nanmetros. Se isso fosse verdade, a lei de Moore teria sua histria encerrada ali. No entanto, no incio dos anos 1990, os transistores comerciais
j eram confeccionados com porta de 20 nanmetros. Hoje, os modernos dispositivos tm porta com impressionantes 1,2 nanmetros. Essa espessura equivale
a menos de quatro camadas atmicas, e ningum acredita que seja possvel reduzi-la mais.
Alternativas tecnolgicas

Cientistas e engenheiros aceleraram a frentica corrida iniciada h anos em busca de alternativas tecnolgicas para superar as diculdades impostas pelas
portas com espessuras inferiores a 10 nanmetros e continuar a rota denida pela lei de Moore, dobrando o nmero de transistores em chip a cada dois anos.
So inmeras as alternativas apresentadas na literatura cientca e tecnolgica, mas ningum sabe qual ou quais passaro do laboratrio para as prateleiras
das lojas.

Cientistas aceleraram a frentica corrida iniciada h anos em busca de alternativas tecnolgicas para superar
as diculdades impostas pela miniaturizao dos transistores

Algumas dessas alternativas buscam soluo fora da tecnologia do silcio, que d sinais de esgotamento tecnolgico. No entanto, as solues que deixam o
silcio de fora, como o grafeno (/colunas/do-laboratorio-para-a-fabrica/promessas-tecnologicas-do-grafeno), ainda esto longe da comercializao. O tipo de
alternativa mais vivel no momento parece ser aquele que associa o silcio a semicondutores com alta mobilidade de cargas eltricas.

Na sua edio de 11 de novembro, a revista Nature (http://www.nature.com/nature/journal/v468/n7321/full/nature09541.html) publicou um artigo de

Hyunhyub Ko e colaboradores contendo uma dessas alternativas. O trabalho foi realizado por pesquisadores da Universidade da Califrnia em Berkeley (EUA),
do Laboratrio Nacional Lawrence Berkeley (EUA), da Universidade Tsing Hua (Taiwan) e da Universidade do Novo Mxico (EUA). A proposta no tem novidade
conceitual. Permanece na tecnologia do silcio e utiliza semicondutores amplamente investigados pelos pesquisadores da rea.

O charme do trabalho o processo de fabricao que eles inventaram. O objetivo fabricar, em escala nanomtrica, um transistor semelhante ao MOSFET. No
lugar de xido de silcio como porta, eles usaram tas nanomtricas de arseneto de ndio (InAs) depositadas em xido de silcio.

A grande vantagem que a extraordinariamente alta mobilidade dos eltrons no InAs possibilitar a fabricao de transistores duas vezes mais rpidos do que
os de silcio. O grande problema o depsito dessas tas, um desao e tanto para a obteno de amostras com defeitos em nveis aceitveis.
Mtodo corriqueiro, resultado expressivo

Ko e seus colaboradores usaram um processo de impresso tipo mtodo da ta Scotch para depositar as nanotas de InAs sobre xido de silcio. O mtodo
da ta Scotch foi usado pelo fsico Andre Geim (1958-) quando descobriu o grafeno (/colunas/do-laboratorio-para-a-fabrica/uma-historia-de-sorte-e-
sagacidade). No presente caso, um lme de InAs foi depositado sobre determinado substrato base de alumnio, antimnio e glio, por meio de mtodos
convencionais de fabricao de lmes nos.

Reaes qumicas foram utilizadas para fatiar o lme de InAs.

Sobre as tas de InAs foi colocada uma grande ta de silicone.
(/colunas/do-laboratorio-para-a-fabrica/imagens/novageracao03.jpg)
Outras reaes qumicas foram utilizadas para separar o
substrato, deixando as tas de InAs coladas no silicone.
Finalmente, as tas de InAs foram transferidas para o xido de
silcio.

Embora esse mtodo de impresso esteja se tornando

corriqueiro, os resultados obtidos por Ko e colegas parecem ter
sido de uma qualidade impressionante. O transistor apresentou
rendimento animador para quem pensa em produzir uma nova
gerao de dispositivos eletrnicos. A animao vem da alta
mobilidade eletrnica, quando comparada quela observada Estrutura do transistor InAs,
nos transistores de silcio. Mas ainda no se sabe se, em recm-desenvolvido por
operaes com alta frequncia, esse novo transistor pesquisadores norte-
apresentaria vantagem em relao ao silcio. americanos a partir de tas
nanomtricas de arseneto
de ndio depositadas em
De qualquer modo, esse tipo de trabalho representa uma
xido de silcio (imagem:
grande contribuio ao avano cientco e tecnolgico na rea
Nature).
da nanoeletrnica. A partir de agora, a continuidade da lei de
Moore se dar muito mais em funo da melhoria de
performance dos dispositivos do que da sua miniaturizao.

Carlos Alberto dos Santos

Pr-Reitor de Pesquisa e Ps-Graduao
Universidade Federal da Integrao Latino-americana (Unila)

Tags: #Fsica (/buscar/index?q=F%C3%ADsica) #Tecnologia (/buscar/index?q=Tecnologia) #Eletrnica (/buscar/index?q=Eletr%C3%B4nica)

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http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2980/n/por_uma_nova_geracao_na_industria_eletronica 2/5