JUNTURA P-N
Dr. Andrs Ozols
Facultad de Ingeniera
UBA
2007
Dr. A. Ozols 1
LA RELACIN CORRIENTE TENSIN IDEAL
Dr. A. Ozols 2
CONDICIONES de CONTORNO
kT N d N a
0 ln 2
e ni
e0
Nd Na
2
e kT
ni e0
nN 0
Para ionizacin completa de las impurezas e kT
nP 0
nN 0 N d
e0
ni2
nP 0 nP 0 nN 0 e kT
Na
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CONDICIONES de CONTORNO
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CONDICIONES de CONTORNO
eV
pN pN 0 e kT
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DISTRIBUCIN DE PORTADORES MINORITARIOS
2 ( pN ) pN X > XN
Dn =0
x 2
n
2 ( pN ) pN X > XN
2 =0
x 2
Lp
2 ( nP ) nP
2 =0 X <- XP
x 2
Ln
2 ( pN ) pN
2 =0 X > XN
x 2
Lp
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Condiciones de contorno
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DISTRIBUCIN DE PORTADORES MINORITARIOS
pN ( x ) pN 0 ( x ) pN 0 = Ae x / LP
+ Be x / LP
X XN
nP ( x ) nP 0 ( x ) nP 0 = Ce x / L + De x / L
n n X - XP
pN ( xN ) pN 0 e eV / kT
pN 0 = Be xN / LP
B = pN 0 e xN / LP
(e eV / kT
1)
nP ( xP ) nP 0 e eV / kT
nP 0 = De xP / Ln
D = nP 0 e xn / Ln (eeV / kT
1)
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DISTRIBUCIN DE PORTADORES MINORITARIOS
pN ( x ) pN 0 ( x ) pN 0 = pN 0 ( eeV / kT 1) e( x N x ) / LP X XN
nP ( x ) nP 0 ( x ) nP 0 = nP 0 ( eeV / kT 1) e( x P +x ) / Ln X - XP
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CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL
J p ( xN ) = eD p
d pN ( x )
= eD p pN 0 ( eeV / kT 1)
(
d e(
xN x ) / LP
)
dx x= x
dx
N
x = xN
( 1)
eD p pN 0
J p ( xN ) = e eV / kT
LP
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CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL
dnP ( x )
J n ( xP ) = eDn
dx x = x
P
J n ( xP ) = eD p
d nP ( x )
= eDn nP 0 ( eeV / kT 1)
(
d e( xP + x ) / Ln )
dx x = x
dx
P
x = xP
J n ( xP ) =
Ln
(
eDn nP 0 eV / kT
e 1)
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CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL
( 1)
eD p pN 0
J p ( xN ) = e eV / kT
LP
J = J n ( xP ) + J p ( x N )
J n ( xP ) =
Ln
(
eDn nP 0 eV / kT
e 1)
( 1) + ( 1)
eDn nP 0 eV / kT eD p pN 0 eV / kT
J= e e
Ln LP
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CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL
J = J n ( xP ) + J p ( x N )
J p ( xN )
J n ( xP )
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CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL
eDn nP 0 eD p pN 0 eV / kT
J = + (e 1)
Ln LP
J = J 0 ( eeV / kT 1)
eDn nP 0 eD p pN 0
J0 = +
Ln LP
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CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL
J = J n ( xP ) + J p ( x N )
La corriente de J p ( xN )
huecos La corriente de
mayoritaria electrones mayoritaria
J n ( xP )
La corriente de La corriente de
difusin de difusin de huecos
electrones
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