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EL TRANSISTOR MOSFET

15 Noviembre, 2012 Vicente Garca

INTRODUCCIN.
Los problemas que vienen presentando los transistores bipolares o BJT, como son
la corriente que soportan y la dependencia de la temperatura a la que se ven
sometidos, unas veces por su emplazamiento, otras por un mal trazado y la mas
evidente, el efecto llamado de avalancha. Estas evidencias, han llevado a que se
sustituyan por otros transistores ms avanzados, hasta la llegada de los MOSFET.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que ocupen un
lugar importante dentro de la industria, desplazando a los viejos BJT a otros fines.
Los MOSFET de potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensin,
baja potencia y conmutacin resistiva en altas frecuencias, como fuentes de
alimentacin conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones como robtica,
CNC y electrodomsticos.
La mayora de sistemas como lmparas, motores, drivers de estado slido,
electrodomsticos, etc. utilizan dispositivos de control, los cuales controlan el flujo
de energa que se transfiere a la carga. Estos dispositivos logran alta eficiencia
variando su ciclo de trabajo para regular la tensin de salida. Para realizar la parte
de conmutacin, existen varios dispositivos semiconductores, a continuacin se
muestra una tabla con algunos de ellos.
La siguiente es una tabla comparativa de las diversas capacidades entre potencia y
velocidad de conmutacin de los tipos de dispositivos.
LOS TRANSISTORES MOSFET.
Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN,
como el transistor bipolar, ya que en ste, el movimiento de carga se produce
exclusivamente por la existencia de campos elctricos en el interior del dispositivo.
Este tipo de transistores se conocen como, efecto de campo JFET (del
ingls, Juntion Field Effect Transistor).
El transistor MOSFET, como veremos, est basado en la estructura MOS. En los
MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensin entre el electrodo de la
Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y
Surtidor, gracias al efecto de campo. El trmino enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la regin correspondiente al canal, que tambin es conocida
como la zona de inversin.

LA ESTRUCTURA MOS.
La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de
silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido de
Silicio (SiO2) que, posee caractersticas dielctricas o aislantes, lo que presenta una
alta impedancia de entrada. Por ltimo, sobre esta capa, se coloca una capa
de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee caractersticas conductoras. En la parte
inferior se coloca un contacto hmico, en contacto con la capsula, como se ve en la
figura.

La estructura MOS, acta como un condensador de placas paralelas en el que G y B


son las placas y el xido, el aislante. De este modo, cuando V GB=0, la carga
acumulada es cero y la distribucin de portadores es aleatoria y se corresponde al
estado de equilibrio en el semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo elctrico entre los terminales de Puerta y
substrato. La regin semiconductora p responde creando una regin de
empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de deplexin), al igual que ocurriera en
la regin P de una unin PN cuando estaba polarizada negativamente. Esta regin
de iones negativos, se incrementa con VGB.
Al llegar a la regin de VGB, los iones presentes en la zona semiconductora de
empobrecimiento, no pueden compensar el campo elctrico y se provoca la
acumulacin de cargas negativas libres (e) atrados por el terminal positivo. Se
dice entonces que la estructura ha pasado de estar en inversin
dbil a inversin fuerte.
El proceso de inversin se identifica con el cambio de polaridad del substrato,
debajo de la regin de Puerta. En inversin fuerte, se forma as un CANAL de e
libres, en las proximidades del terminal de Puerta (Gate) y de huecos p+ en el
extremo de la Puerta.
La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua se comporta como un
condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir que, la impedancia desde la
Puerta al substrato es prcticamente infinita e IG=0 siempre en esttica.
Bsicamente, la estructura MOS permite crear una densidad de portadores libres
suficiente para sustentar una corriente elctrica.

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE
CANAL N.
Bajo el terminal de Puerta existe una capa de xido (SiO2) que impide
prcticamente el paso de corriente a su travs; por lo que, el control de puerta se
establece en forma de tensin. La calidad y estabilidad con que es posible fabricar
estas finas capas de xido es la principal causa del xito alcanzado con este
transistor, siendo actualmente el dispositivo ms utilizado.
Adems, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que permite una
mayor densidad de integracin. Comencemos con la estructura bsica del
MOSFET, seguido de sus smbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-
Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado
(n+).
Cuando se aplica una tensin positiva al terminal de puerta de un MOSFET de tipo
N, se crea un campo elctrico bajo la capa de xido que incide perpendicularmente
sobre la superficie del semiconductor P. Este campo, atrae a los electrones hacia
la superficie, bajo la capa de xido, repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el
campo elctrico es muy intenso se logra crear en dicha superficie una regin muy
rica en electrones, denominada canal N, que permite el paso de corriente de la
Fuente al Drenador. Cuanto mayor sea la tensin de Puerta (Gate) mayor ser el
campo elctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez creado el canal, la
corriente se origina, aplicando una tensin positiva en el Drenador (Drain)
respecto a la tensin de la Fuente (Source).
En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los portadores son
huecos (cargas de valor positivas, el mdulo de la carga del electrn). En este caso,
para que exista conduccin el campo elctrico perpendicular a la superficie debe
tener sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que la tensin aplicada ha de
ser negativa. Ahora, los huecos son atrados hacia la superficie bajo la capa de
xido, y los electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie es muy rica en
huecos se forma el canal P. Cuanto ms negativa sea la tensin de puerta mayor
puede ser la corriente (ms huecos en el canal P), corriente que se establece al
aplicar al terminal de Drenador una tensin negativa respecto al terminal de
Fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.
Si con tensin
de Puerta nula no existe canal, el transistor se denomina de acumulacin; y de
vaciamiento en caso contrario. Mientras que la tensin de Puerta a partir de la cual
se produce canal, se conoce como tensin umbral, VT. El terminal de sustrato sirve
para controlar la tensin umbral del transistor, y normalmente su tensin es la
misma que la de la Fuente.
El transistor MOS es simtrico: los terminales de Fuente y Drenador son
intercambiables entre s. En el MOSFET tipo N el terminal de mayor tensin acta
de Drenador (recoge los electrones), siendo el de menor tensin en el tipo P (recoge
los huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra el funcionamiento de
un transistor MOS tipo N de enriquecimiento.
El smbolo ms utilizado para su representacin a nivel de circuito se muestra en la
figura siguiente. La flecha en el terminal de Fuente (Gate) nos informa sobre el
sentido de la corriente.

En la estructura MOS de la siguiente


figura, aparecen diversas fuentes de tensin polarizando los distintos terminales:
VGS, VDS. Los terminales de substrato (B) y Fuente (S) se han conectado a GND. De
este modo, VSB=0 (tensin Surtidor-sustrato=0) , se dice que no existe efecto
substrato.
Segn los valores que tome la tensin VGS, se pueden considerar tres casos:
1) VGS=0. Esta condicin implica que VGS=0, puesto que VSB=0. En estas
condiciones, no existe efecto campo y no se crea el canal de e, debajo de la Puerta.
Las dos estructuras PN se encuentran cortadas (B al terminal ms negativo) y
aisladas. IDS=0 aproximadamente, pues se alimenta de las intensidades inversas de
saturacin.
2) La tensin VGS>0, se crea la zona de empobrecimiento o deplexin en el canal. Se
genera una carga elctrica negativa e en el canal, debido a los iones negativos de la
red cristalina (similar al de una unin PN polarizada en la regin inversa), dando
lugar a la situacin de inversin dbilanteriormente citada. La aplicacin de un
campo elctrico lateral VDS>0, no puede generar corriente elctrica IDS.
3) La tensin VGS>>0, da lugar a la inversin del canal y genera una poblacin de e
libres, debajo del oxido de Puerta y p+ al fondo del substrato. Se forma el CANAL N
o canal de electrones, entre el Drenador y la Fuente (tipo n+) que, modifica las
caracterstica elctricas originales del sustrato. Estos electrones, son cargas libres,
de modo que, en presencia de un campo elctrico lateral, podran verse acelerados
hacia Drenador o Surtidor. Sin embargo, existe un valor mnimo de V GS para que el
nmero de electrones, sea suficiente para alimentar esa corriente, es V T,
denominada TENSIN UMBRAL (en algunos tratados se denomina VTH).
Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de operacin para valores de
VGS positivos:
Si VGS< VT la intensidad IDS=0 (en realidad slo es aproximadamente cero) y
decimos que el transistor opera en inversin dbil. En ella, las corrientes son
muy pequeas y su utilizacin se enmarca en contextos de muy bajo consumo de
potencia. Se considerar que la corriente es siempre cero. De otro lado;
Si VGS>=VT, entonces IDS es distinto de cero, si VDS es no nulo. Se dice que el
transistor opera en inversin fuerte.
Cuanto mayor sea el valor de VGS, mayor ser la concentracin de cargas libres en el
canal y por tanto, ser superior la corriente IDS.
REGIONES DE OPERACIN.
Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se contrae en el lado
del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, ms
baja y la zona de transicin ms ancha. Es decir, siempre que exista canal
estaremos en regin hmica y el dispositivo presentar baja resistencia.

La operacin de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de


operacin diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un
transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: regin
de corte, regin hmica y regin de saturacin.

REGIN DE CORTE.
El transistor estar en esta regin, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale elctricamente a un circuito abierto, entre los
terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo bsico del transistor,
en esta regin, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conduccin entre
Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.

REGIN HMICA.
Cuando un MOSFET est polarizado en la regin hmica, el valor de RDS(on) viene
dado por la expresin:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de
Drenaje (ID) especfica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 01 A; entonces,

1 Rds(on)=<span style="text-decoration: underline;"> 1V </span>= 10 Ohms


2 100mA
As mismo, el transistor estar en la regin hmica, cuando VGS > Vt y VDS < (
VGS Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y
Surtidor. El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la
tensin entre la Puerta y el Surtidor (VGS).

REGIN DE SATURACIN.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin
entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensin de
saturacin (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas
caractersticas proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET
mantiene constante su corriente de Drenador (ID), independientemente del valor de
tensin que haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor
equivale a un generador de corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estar en esta regin, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS Vt ).
O sea, estaremos en la regin de saturacin cuando el canal se interrumpe o
estrangula, lo que sucede cuando:

<strong>V<sub>DS</sub> <span style="font-family: Arial;"></span> V<sub>GS</sub> - V<sub>T</sub>


1
<span style="font-family: Arial;"></span> <em>Regin de saturacin</em></strong>
Cuando la tensin entre Drenador y Fuente supera cierto lmite, el canal de
conduccin, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del Drenador
y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al
campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de
potencial entre ambos terminales.

En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona hmica, y la parte


casi horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento,
puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una
resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal est en la zona hmica.

REGIN DE RUPTURA.
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente fsico. La palabra
ruptura hace referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte del
terminal del drenador.
Los transistores unipolares estn limitados en tres magnitudes elctricas:

1 -<strong>En tensin</strong>: no se puede superar el valor mximo de


2 tensin entre la puerta y el surtidor. Este valor se
3 denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor
4 mximo de tensin entre el drenador y el surtidor
5 denominado BVds.
6 -<strong>En corriente</strong>: no se puede superar un valor de corriente
7 por el drenador, conocido como Idmax.
8 -<strong>En potencia</strong>: este lmite viene marcado por Pdmax, y es
9 la mxima potencia que puede disipar el componente.

RESUMIENDO:
Mxima Tensin Puerta-Fuente. La delgada capa de dixido de silicio en el
MOSFET funciona como aislante, el cual, impide el paso de corriente de Puerta,
tanto para tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET estn
protegidos con diodos zener internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente. La
tensin del zener, es menor que la tensin Puerta-Fuente que soporta el MOSFET
VGS(Max).
Zona hmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutacin, por lo que
evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona activa. La tensin de entrada tpica
tomar un valor bajo o alto. La tensin baja es 0 V, y la tensin alta es V GS(on),
especificado en hojas de caractersticas.
Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de enriquecimiento se
polariza en la zona activa, es equivalente a una resistencia de RDS(on), especificada en
hojas de caractersticas. En la curva caracterstica existe un punto Qtest en la zona
hmica. En este punto, ID(on) y VDS(on) estn determinados, con los cuales se calcula
RDS(on).

CAPACIDADES PARSITAS.
Al igual que en los transistores bipolares, la existencia de condensadores parsitos
en la estructura MOS origina el retraso en la respuesta del mismo, cuando es
excitado por una seal de tensin o intensidad externa. La carga/descarga de los
condensadores parsitos, requiere un determinado tiempo, que determina la
capacidad de respuesta de los MOSFET a una excitacin. En la estructura y
funcionamiento de estos transistores se localizan dos grupos de capacidades:

1 1) Las capacidades asociadas a las uniones PN de las


2 reas de Drenador y Fuente. Son no lineales con las
3 tensiones de las uniones. Se denominan Capacidades
4 de Unin.
5
6 2) Las capacidades relacionadas con la estructura MOS.
7 Estn asociadas principalmente a la carga del canal
8 (iones o cargas libres) y varan notoriamente en
9 funcin de la regin de operacin del transistor, de
10 modo que, en general, no es posible considerar un
11 valor constante de las mismas. Se denominan
12 Capacidades de Puerta.
De ellas, las capacidades de Puerta suelen ser las ms significativas y dentro de
ellas, la capacidad de Puerta-Fuente CGS y de Drenador-Fuente, CDS son en general,
las dominantes.
En la siguiente figura, se muestran las curvas de entrada y salida de un transistor
MOSFET N con Vt= 2V conectado en Fuente comn (SC), es decir, el terminal de
Fuente, es comn la seal de entrada VGS y las seales de salida ID y VDS.

Estas curvas de salida, se obtienen al representar las variaciones de ID al aumentar


VDS, para diferentes valores de VGS, es decir, ID=(Vds)VGS=cte.
La curva ms baja es la curva de VGS(T). Cuando VGS es menor que VGS(T), la corriente
de Drenador es extremadamente pequea. Cuando VGS es mayor que VGS(T), fluye
una considerable corriente, cuyo valor depende de VGS.
Si VGSVT, el transistor MOSFET, estar en la regin de corte y la corriente ID=0.
Si VGSVT, el transistor MOSFET, estar en la regin de conduccin y se pueden
dar dos casos:
a) Si VDSVGS-VT, el transistor MOSFET, estar en la regin de saturacin y la
corriente ser constante para un valor determinado de VGS. La curva de
transferencia de la figura que representa ID=(VDS)VGS=cte., se obtiene a partir de las
curvas de salida para una tensin VDS constante que site al transistor en
saturacin. Se observa que aproximadamente corresponde a la curva de una
parbola con vrtice en VT y por tanto, la corriente puede determinarse de forma
aproximada por:

1 I<sub>D</sub>=<em>k</em>(V<sub>GS</sub>-V<sub>T</sub><sup>2</sup>
donde k es el parmetro de transconductancia del MOSFET N y se mide en
mA/V2.
b) Si VDSVGS-VT, el transistor MOSFET, estar en la regin hmica de forma
que, al aumentar VDS, tambin lo harn la corriente y la resistencia del canal. El
comportamiento del transistor puede asociarse a la resistencia que presenta el
canal entre Drenador y Fuente.

EL MOSFET COMO INVERSOR.


El funcionamiento del transistor MOSFET en conmutacin implica que la tensin
de entrada y salida del circuito posee una excursin de tensin, elevada (de 0 a V DD)
entre los niveles lgicos alto H (asociada a la tensin V DD) y bajo L (asociada a la
tensin 0). Para el nivel bajo, se persigue que VGS > Vt y que el transistor se
encuentre trabajando en la regin hmica, con lo cual VDS << 1. Mientras que para
en el nivel alto, se persigue que la tensin de salida sea elevada, y en general, que el
transistor est funcionando en la regin de corte, con VDS >> 1. Se puede considerar
que, el transistor MOSFET es capaz de funcionar como un interruptor.
El funcionamiento como inversor del transistor MOSFET N se basa en sus
caractersticas en conmutacin: pasando de la regin de corte a la regin hmica.
El transistor MOSFET en conmutacin, basado en un interruptor con resistencia de
Drenador, es fundamental en circuitos digitales, puesto que la conmutacin de
corte a saturacin y viceversa, implica unos tiempos de retardo de gran
importancia en estos sistemas.
Inversor con carga pasiva. La palabra pasiva se refiere a una resistencia normal
como RD. En este circuito Vin puede ser alta o baja.
Cuando Vin esta en nivel bajo, el MOSFET esta en corte y Vout es igual a la tensin de
alimentacin. Cuando Vin esta en nivel alto, el MOSFET esta en conduccin y
Vout cae a un nivel bajo. Para que este circuito funcione la corriente de saturacin
ID(sat) tiene que ser menor que ID(on).
RDS(on)<< RD
Se denomina inversor, por que la tensin de salida, es de nivel opuesto a la tensin
de entrada. Lo nico que se requiere en los circuitos de conmutacin, es que las
tensiones de entrada y de salida se puedan reconocer fcilmente, ya sea en nivel
alto o bajo.

EL MOSFET COMO INTERRUPTOR.


Sabemos que si en un MOSFET la tensin entre la Puerta y la Fuente es menor que
la tensin umbral, VGS<VT, el transistor est cortado. Es decir, entre los terminales
de Fuente y Drenador, la corriente es nula, ya que existe un circuito abierto. Sin
embargo, cuando VGS es mayor que VT se crea el canal, y el transistor entra en
conduccin. Cuanto mayor es la tensin de puerta menor es la resistencia del canal,
y sta puede llegar a aproximarse a un cortocircuito. As, el MOSFET es capaz de
funcionar como un interruptor.
El MOSFET como interruptor se emplea frecuentemente en electrnica digital,
para transmitir o no, los estados lgicos a travs de un circuito. Existe, sin
embargo, una pequea dificultad: cuando el MOSFET tipo N acta como
cortocircuito es capaz de transmitir las tensiones bajas; sin embargo las tensiones
altas se ven disminuidas en una cantidad igual al valor de la tensin umbral.
Para que exista el canal bajo la puerta, la tensin en sta ha de ser V H (VH > VT). Al
transmitir VH, el terminal de la izquierda acta como Drenador, ya que est a una
tensin ms alta, y el de la derecha como Fuente. A medida que la tensin en el
terminal de Fuente aumenta, la tensin entre la Puerta y la Fuente, V GS, disminuye.
Todo esto ocurre hasta que la tensin de la Fuente alcanza el valor VH-VT, momento
en que VGS iguala la tensin umbral y el transistor deja de conducir.
En cambio, al transmitir la tensin VL el terminal de la izquierda acta como
Fuente y el de la derecha como Drenador. La tensin entre la Puerta y la Fuente
permanece en todo momento constante, a igual a VH-VL (valor que debe ser
superior a la tensin umbral), por lo que en el Drenador se llega a alcanzar VL.
De forma similar, el MOSFET tipo P transmite correctamente las tensiones altas, y
falla en las bajas. Para evitar estos inconvenientes se conectan en paralelo dos
transistores MOSFET, uno N y otro P.

Para terminar este punto, las tensiones bajas son transmitidas sin error por el
MOSFET tipo N, mientras que las altas lo son por el tipo P. Esta configuracin, se
denomina puerta de paso. Para su funcionamiento, las tensiones en las puertas
han de ser complementarias (cuando una es alta la otra es baja, y viceversa); esto se
indica aadiendo un crculo a una de las puertas, o una barra sobre una de las
tensiones.

POLARIZACIN DE MOSFET.
Los circuitos de polarizacin tpicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarizacin utilizados para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento tpico slo permite puntos de
funcionamiento con valor positivo de VGS para canal n y valor negativo de VGS para
el canal p. Para tener un valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo de VGS de
canal p, es adecuado un circuito de auto polarizacin. Por lo tanto hablamos de
recorte de realimentacin y circuito divisor de tensin para mejorar el tipo
MOSFET.

REALIMENTACIN, CIRCUITO DE POLARIZACIN.


La siguiente figura, muestra el circuito de polarizacin con realimentacin tpico
para MOSFET canal n de enriquecimiento.
Como se mencion anteriormente, para el anlisis en corriente continua, podemos
reemplazar el condensador de acoplamiento por circuitos abiertos y tambin
reemplazar el resistor RG por su equivalente en corto circuito, ya que IG = 0.
La figura, tambin muestra, el circuito simplificado, para el anlisis con recorte de
realimentacin CC. Como los terminales de Drenaje y Puerta estn en cortocircuito,

1 V<sub>D</sub>=V<sub>G</sub>
2 y V<sub>DS</sub>=V<sub>GS</sub>=> V<sub>s</sub>=0 [1]
Aplicando la segunda Ley de Kirchhoff a los circuitos de salida, obtenemos,

1 V<sub>DD</sub>-I<sub>D</sub>xR<sub>D</sub>-V<sub>DS</sub>=0
2 si V<sub>DS</sub>=V<sub>DD</sub>-I<sub>d</sub>xR<sub>d</sub> [2]
3 o V<sub>GS</sub>=V<sub>DD</sub>-I<sub>D</sub>xR<sub>D</sub>; si V<sub>DS</sub>
4 =V<sub>GS</sub> [3]
Ejemplo practico: Para el circuito dado en la siguiente figura, calcular VGS, ID y VDS.

Solucin: Tenemos que,

1 V<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>DD</sub></a> = 12 V
2 V<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>GS</sub></a> = 8 V
3 V<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>T</sub></a> = 3 V
Como, VGS = VDD ID x RD = 12 ID x RD
tenemos que,

I<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a> = K(V<a


href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>GS</sub></a>-V<a
1
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>T</sub></a>)<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>2</sup></a>
Sustituyendo valores de VGS tenemos,

I<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a>=K((12-I<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>d</sub></a> x R<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>d</sub></a>)-V<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>t</sub></a>)<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>2</sup></a> =0.24 x 10<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>-3</sup></a>[12-I<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a> x 2 x 10<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>-3</sup></a>-3]<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>2</sup></a>
1
=0.24x10<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>-3</sup></a>
2
[81 - 36000 I<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a>
3
+ 4000000 I<a
4
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>2</sup><sub>D</sub></a>]
As; I<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a> =
0.01944 - 8.64 I<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a> + 960 I<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>2</sup><sub>d</sub></a>
960 x I<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>2</sup><sub>D</sub></a> -
9.64 x I<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a> +
0.01944 = 0
Esto es una ecuacin de segundo grado y se puede resolver usando la frmula
habitual.

Resolucin de ecuaciones cuadrticas, usando la frmula


tendremos;
1 960xI<sup>2</sup><sub>D</sub>-9.64xI<sub>D</sub>+0.01944=0 donde,

Si calculamos el valor de VDS teniendo ID = 7.2477mA nos quedar,

V<sub>ds</sub>=V<sub>dd</sub>-I<sub>d</sub>xR<sub>d</sub>=12-7.2477x10<sup>-
1
3</sup>x2x10<sup>3</sup>=12-14.495=-2.495
En la prctica, el valor de VDS debe ser positivo, por lo tanto Id =7.2477mA, no es
valido.
Ahora, calculemos el valor de VDS teniendo ID = 7.2477mA, obtenemos que,

1 Vgs=12-2.794x10<sup>-3</sup>x2x10<sup>3</sup>=12-5.588=6.412V
2 V<sub>GS</sub>=6.412V

INVERSOR CON CARGA ACTIVA.


En la figura se muestra un conmutador con carga activa, el MOSFET inferior acta
como conmutador, pero el superior acta como una resistencia de valor elevado, el
MOSFET superior tiene su Puerta conectada a su Drenador, por esta razn, se
convierte en un dispositivo de dos terminales, como una resistencia activa, cuyo
valor se puede determinar con:

Donde VDS(activa) e IDS(activa) son tensiones y corrientes en la zona activa.


Para que el circuito trabaje de forma adecuada, la RD del MOSFET superior, tiene
que ser mayor que la RD del MOSFET inferior.
En la figura anterior se indica como calcular la RD del MOSFET superior. Al ser
VGS=VDS, cada punto de trabajo de este MOSFET tiene que estar en la curva de dos
terminales, si se comprueba cada punto de la curva de dos terminales, se vera que
VGS=VDS.
La curva de dos terminales significa que el MOSFET superior acta como una
resistencia de valor RD. Este valor RD cambia ligeramente para los diferentes
puntos.

En el punto ms alto; ID= 3mA y VDS=15V

En el punto mas bajo; ID= 0.7mA y VDS=5v

Una sencilla y prctica explicacin del funcionamiento de un transistor MOSFET


puede resumirse en que; al aplicar una determinada tensin (positiva respecto a
GND) sobre la Puerta o Gate, dentro del transistor, se genera un campo elctrico
que permite la circulacin de corriente entre el terminal Drenador y el terminal
Fuente. La tensin mnima de Puerta para que el transistor comience a conducir
(depende de su hoja de datos), por ej. para un IRFZ44N est ubicada entre 2 y 4V,
mientras que la mxima tensin que podremos aplicar, respecto al terminal
Fuente, es de 20V.
En conmutacin y en saturacin, en el caso del transistor MOSFET IRFZ44N, nos
interesa aplicar 10V de tensin en la Puerta, para lograr la mnima resistencia entre
Drenador y Fuente. En otro caso, no obtendremos el mejor rendimiento, por la
mayor disipacin de calor, debido a una mayor resistencia a la circulacin de
corriente entre Drenador y Fuente. No se debe sobrepasar la tensin V GS mxima de
20V, ya que el transistor se estropear. En cambio, si la tensin de Puerta no
alcanza los 2 a 4V, el transistor no entrar en conduccin.

RECAPITULEMOS.
Consideremos, el caso de utilizar el MOSFET en conmutacin, se debe aplicar la
seal de activacin del MOSFET con un flanco de subida muy corto en tiempo, al
igual que el flanco de bajada. Tal vez con un ejemplo quede ms claro.
No es conveniente aplicar la salida de un microcontrolador directamente a un
MOSFET, las razones son evidentes. Existe gran variedad de drivers comerciales,
adecuados para cada necesidad. Por lo tanto, siempre, se debe emplear un driver.
El ms sencillo sera un transistor, como se muestra en la figura que sigue.

En el esquema de la figura, la salida del micro, se aplica a R1, cuando la tensin sea
positiva, el NPN conducir en saturacin, por lo tanto, su colector estar
aproximadamente a GND y como consecuencia, el MOSFET, no conducir. En el
caso de que a la base del NPN le llegue una tensin negativa o cercana a GND, el
transistor no conducir y la tensin en su colector ser cercana a la tensin Vcc,
esto hace que el MOSFET se comporte como un interruptor cerrado, dejando pasar
la mxima intensidad (IDds).
Que hace el transistor NPN, conmuta su estado entre Vcc y GND, la cuestin es
que, lo debe hacer con un tiempo muy corto, al pasar de un estado alto a un estado
bajo y viceversa. Esto se consigue, reduciendo en lo posible las capacidades,
existentes incluso en los propios transistores BJT. Puesto que lo que pretendemos
es que el MOSFET, no trabaje en la zona hmica, para evitar las perdidas que se
evidencian con el calor que desprender en su caso.
Mejorando el circuito anterior, podramos aadir un par de transistores BJT ms,
para reducir el tiempo se subida y bajada al conmutar los niveles de tensin,
veamos la siguiente figura.

Cmo se comporta en este caso el


circuito. Supongamos un nivel alto, en la salida del primer transistor NPN, al llegar
a la base del transistor NPN de arriba, ste, conducir en saturacin y por tal
motivo, tambin lo har el MOSFET. Entre tanto, el ante dicho nivel, al llegar el
transistor PNP de abajo, har que se corte dicho transistor, no conduciendo. En el
supuesto de tener, un nivel bajo en la salida del primer transistor NPN, el llegar a la
base del segundo NPN, ste no conducir, sin embargo, el transistor PNP se
comportar como un interruptor cerrado, conduciendo en saturacin, lo que har
que el MOSFET, se bloquee o corte su paso de corriente. Supongo que ahora est,
ms claro.
Naturalmente, el estudio del transistor MOSFET, requiere un calado mayor, aqu,
slo he querido hacer hincapi en los conceptos ms relevantes, si bien es cierto,
sin entrar en demasiados detalles. Entiendo que los lectores, actualmente disponen
de medios y lugares donde adquirir conocimientos ms profundos si es de su
inters.