Departamento de Automtica y Electrnica, Electrnica 2, Universidad Autnoma de Occidente
Transistor Mosfet
William Vivas Plaza
Universidad Autnoma de Occidente
INTRODUCCIN
En el curso se han estudiado los distintos tipos de
configuracin de lo amplificadores operacionales,
previamente al curso, en electrnica 1, se estudiaron
varios tipos de transistores. Este informe tiene como fin
sintetizar la informacin consultada sobre el transistor
mosfet y la configuracin push-pull.
RESUMEN
Un MOSFET es un dispositivo de tres terminales
conocidos como: compuerta, drenador y surtidor. Un
nivel de tensin aplicado a la compuerta controla el flujo
de electrones desde el surtidor hasta el drenador.
Debido a que la tensin de la compuerta desborda el
valor del umbral, entonces el transistor cambia de modo
no conductor a modo conductor, mientras que la
resistencia de la compuerta es extremadamente alta, ya
que se encuentra en el orden de los millones de
megaohmios. Debido a esta alta resistencia, el consumo
de corriente en la compuerta del MOSFET es muy baja.
La resistencia entre el surtidor y el drenador es baja
cuando el dispositivo conduce corriente. Por lo tanto, un
MOSFET puede controlar decenas de amperios de
corriente con una prdida muy baja. Adems de los tipos
de canal P y N, los MOSFET son fabricados como
dispositivos para modo de enriquecimiento y para modo
de empobrecimiento. Un transistor en modo de
enriquecimiento normalmente est apagado y se
enciende con una tensin, mientras que un dispositivo
en modo de agotamiento se encuentra encendido y se
apaga con un nivel de tensin. Las descripciones que
siguen se aplican a los MOSFET en modo de
enriquecimiento.
Una salida push-pull es un tipo de circuito
electrnico que puede impulsar una corriente
elctrica positiva o negativa en una carga. Las salidas
push-pull estn presentes en circuitos
lgicos digitales TTL y CMOS y en algunos tipos
de amplificadores.
En circuitos anlogos, las salidas push-pull se utilizan
como etapas de salida de ciertos tipos de amplificadores
de potencia. Por la misma razn, estos amplificadores
se denominan amplificadores push-pull.
MOSFET
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide
Semiconductor, Field Effect Transistor) son muy
parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba
en que, en los MOS, la puerta est aislada del canal,
consiguindose de esta forma que la corriente de dicho
terminal sea muy pequea, prcticamente despreciable.
Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este
tipo de transistores es elevadsima, lo que les convierte
en componentes ideales para amplificar seales muy
dbiles.
Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su
estructura interna: los de empobrecimiento y los de
enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de
aplicacin como amplificadores de seales dbiles en
altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su
baja capacidad de entrada. Los segundos tienen una
mayor aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la
construccin de circuitos integrados, debido a su
pequeo consumo y al reducido espacio que ocupan.
MOSFET TIPO N.
Un MOSFET de canal N se enciende cuando se aplica
un voltaje positivo en el terminal de la compuerta. El
voltaje ser mayor que el suministro de tensin positivo
en el terminal drenador, mientras que la resistencia entre
el extremo positivo y el drenador limitar la corriente.
Para este tipo de MOSFET, el terminal surtidor deber
conectarse a tierra y el smbolo esquemtico para el
mismo tendr una flecha apuntando hacia la compuerta
del dispositivo.
MOSFET TIPO P.
Para activar un MOSFET de canal P en adelante, se
aplica una tensin negativa a la compuerta. Este voltaje
es negativo con respecto a tierra. En un circuito, se
conecta el terminal del canal surtidor del MOSFET P a
una fuente de tensin positiva y el drenador a una
resistencia conectada a tierra, adems la resistencia
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limitar la corriente que fluye a travs del transistor. El
diagrama del circuito para un MOSFET de canal P tiene
una flecha apuntando hacia la parte exterior de la
compuerta.
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO.
Para que un transistor de efecto de campo funcione no
es necesario suministrar corriente al terminal de puerta o
graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar
totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con
esta disposicin se consigue eliminar prcticamente la
corriente de fuga que apareca en dicho terminal en los
transistores JFET. En la siguiente figura se puede
apreciar la estructura de un MOSFET de canal N.
Debido a que la puerta est aislada del canal,
se puede aplicar una tensin positiva de
polarizacin al mismo. De esta manera, se
consigue hacer trabajar al MOSFET en
enriquecimiento. Efectivamente, la tensin
positiva del graduador provoca un aumento o
enriquecimiento de electrones libres o
portadores en el canal, de tal forma que, al
aumentar la tensin positiva VGG, aumenta
tambin la corriente de drenador.
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO TIPO N

Imagen 1
Imagen 2
Este componente, puede funcionar tanto en la
forma de empobrecimiento como de MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO TIPO P
enriquecimiento.

La forma de trabajo de empobrecimiento se

explica debido a que los electrones de la fuente
pueden circular desde el surtidor hacia el
drenador a travs del canal estrecho de material
semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la
diferencia de potencial VDD aplicada por la
fuente, mayor ser esta corriente. Como ocurra
con el JFET, la tensin negativa, aplicada a la
puerta, produce un estrechamiento en el canal,
debido al empobrecimiento de portadores, lo
que hace que se reduzca la corriente de
drenador. Aqu se aprecia claramente que, el
fenmeno de control se realiza a travs del
efecto del campo elctrico generado por la
tensin VGG de la puerta.
Imagen 3
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MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

Imagen 4

Este tipo de MOSFET est diseado de tal

manera que slo admite la forma de trabajo en
modo de enriquecimiento. La aplicacin
Imagen 6.
fundamental de este transistor se realiza en
circuitos digitales, microprocesadores, etc. Como se podr observar en las curvas
caractersticas, este transistor slo conduce
En la siguiente imagen 5, se muestran un
cuando son aplicadas tensiones positivas al
ejemplo de las curvas de drenador y en la 6 las
drenador, por lo que normalmente estar en no
de transconductancia de este tipo de MOSFET.
conduccin o apagado.

El smbolo que representa al MOSFET de

enriquecimiento son los que se indican en las
siguientes figuras, siendo el (a) de
enriquecimiento y canal N y en el (b) MOSFET
de enriquecimiento y canal P.

Imagen 5.
Imagen 7.
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VENTAJAS DE LOS MOSFET
RESPECTO A TRANSISTORES
BIPOLARES.
La principal aplicacin de los mosfet est en los
circuitos integrados PMOS, NMOS y CMOS,
debido a las ventajas de los transistores de
efectos de campo con respecto a transistores
bipolares:
- Consumo en modo esttico muy bajo.
- Tamao muy inferior al transistor bipolar.
- Gran capacidad de integracin debido a su
reducido tamao.
- Funcionamiento por tensin, son controlados
por voltaje por lo que tienen una impedancia de
entrada muy alta. La intensidad que circula por
la puerta es del orden de los nanoamperios.
- La velocidad de conmutacin es muy alta, del
orden de los nanosegundos.
- Cada vez se encuentran ms en aplicaciones
en los convertidores de alta frecuencia y baja
potencia.
SALIDA PUSH-PULL EN CIRCUITOS
ANALOGICOS
En circuitos anlogos, las salidas push-pull se utilizan
como etapas de salida de ciertos tipos de amplificadores
de potencia. Por la misma razn, estos amplificadores
se denominan amplificadores push-pull. En este tipo de
amplificadores, los dos dispositivos, o grupos de
dispositivos, de salida (transistores o tubos) operan
en contrafase, lo cual significa que sus seales de
control estn desfasadas 180. Las dos salidas en
contrafase se conectan a la carga de tal forma que las
componentes de seal se suman mientras que las
componentes de distorsin debidas a la no linealidad de
los dispositivos de salida se restan. Si la no linealidad de
ambos dispositivos de salida es similar, la distorsin se
reduce considerablemente. Los circuitos puh-pull
simtricos deben cancelar las armnicas de orden par
(f2, f4, f6) y favorecer las armnicas de orden impar (f1,
f3, f5) cuando se manejan en el rango no lineal.
Un amplificador push-pull produce menos distorsin que
un amplificador de terminacin simple. Esto permite que
un amplificador clase A o clase AB tenga mucho menos
distorsin para la misma potencia que sus versiones de
terminacin simple correspondientes. En general, los
amplificadores clase AB y clase B disipan mucha
menos potencia para la misma salida que los
amplificadores clase A y la distorsin se puede mantener
muy baja mediante la aplicacin de grandes cantidades
de realimentacin negativa.
AMPLIFICADOR CONTRAFASICO O PUSH-PULL
Este amplificador se llama amplificador
contrafsico o amplificador Push-Pull, pues utiliza 2
grupos de transistores. Cada grupo se encarga de
amplificar una sola fase de la onda de entrada. Ver en el
diagrama.
Un grupo es de color amarillo y el otro es de color verde.
(en este caso slo hay un transistor por grupo). Cuando
un grupo entra en funcionamiento el otro entra est en
corte y viceversa. Un amplificador emisor comn se
utiliza para amplificar seales pequeas. En esta
configuracin la tensin de la seal de salida tiene
prcticamente la misma amplitud que la de la seal de
entrada (ganancia unitaria) y tienen la misma fase.
Cuando la seal de entrada es grande y lo que se desea
es ampliar la capacidad de entrega de corriente, se
utiliza un amplificador contrafsico o push-pull.
(amplificador de potencia). El amplificador que se
muestra en el siguiente grfico est constituido por dos
transistores. Uno NPN y otro PNP de las mismas
caractersticas
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Las imgenes presentadas fueron tomadas

de las mismas referencias mencionadas en
la bibliografa.

Imagen 8

La entrada de la seal llega a la base de ambos

transistores a travs de la patilla base de cada transistor.
El transistor Q1 tendr polarizacin directa en los
semiciclos positivos y a travs de RL (resistor de carga)
aparecer una seal que sigue a la entrada (esto
significa que la seal de entrada y salida estn en fase).

BIBLIOGRAFIA

- http://unicrom.com/amplificador-
contrafasico-o-push-pull/

- http://electronicacompleta.com/lecciones/am
plificador-push-pull/

- http://www.ehowenespanol.com/diferencia-
canal-canal-mosfet-info_515885/

- https://es.wikipedia.org/wiki/Salida_push-
pull#Salidas_Push-
Pull_en_Circuitos_Anal.C3.B3gicos

- https://prezi.com/vzphoa3ebyui/mosfet-de-
empobrecimiento/

- http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_Gener
al/MOSFET.html