Universidad Nacional Mayor de San Marcos Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica

EXPERIENCIA N 9

EL TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

I. TEMA: El transistor monounion (UJT)

II. OBJETIVOS:

1. Verificar en forma esttica el estado operativo de un UJT.

2. Verificar y determinar las caractersticas de funcionamiento de un
UJT.

III. CUESTIONARIO PREVIO

1. Basado en las caractersticas del UJT 2N2646, determinar

tericamente los datos solicitados en las tablas que se encuentran a
continuacin en el procedimiento, para el circuito experimental
propuesto.

INFORMACIN BSICA

El transistor monounin: Es un tipo de transistor compuesto por

una barra de silicio tipo N o P en cuyos extremos se tienen los
terminales Base 1 (B1) y Base 2 (B2). En un punto de la barra ms
prximo a B2 se incrusta un material de tipo P o N dando lugar al
terminal de emisor.

Smbolo de un UJT Circuito equivalente de un

transistor monounin tipo N

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Cuando se polariza el transistor la barra acta como un divisor de

tensin apareciendo una VEB1 de 0,4 a 0,8 V. Al conducir el valor de
RB1 se reduce notablemente. Observa el circuito equivalente.

Observando el circuito de polarizacin de la figura se advierte que al

ir aumentando la tensin Vee la unin E-B1 se comporta como un
diodo polarizado directamente. Si la tensin Vee es cero, con un valor
determinado de Vbb, circular una corriente entre bases que originar
un potencial interno en el ctodo del diodo (V k). Si en este caso
aumentamos la tensin Vee y se superan los 0,7 V en la unin E-B1
se produce un aumento de la corriente de emisor (IE) y una
importante disminucin de RB1, por lo tanto un aumento de VBE1. En
estas condiciones se dice que el dispositivo se ha activado, pasando
por la zona de resistencia negativa hacia la de conduccin,
alcanzando previamente la VEB1 la tensin de pico (Vp).
Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda
por debajo de la intensidad de valle (Iv). De lo anterior se deduce que
la tensin de activacin Vp se alcanza antes o despus dependiendo
del menor o mayor valor que tengamos de tensin entre bases VBB.

Se utiliza en circuitos de descarga en generadores de impulso,

circuitos de bases de tiempos y circuitos de control de ngulo de
encendido de tiristores.

El encapsulado de este tipo de transistores son los mismos que los

de unin.

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Grfica de un UJT

CARACTERSTICAS TCNICAS DEL UJT 2N2646:

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IV. PROCEDIMIENTO

Armar el circuito de la Figura 1, iniciando los potencimetros P1 y P2 en

0 , debiendo estar los 2 miliampermetros en el rango de 30 mA (por lo
menos); llenar la Tabla 2.

TABLA 2
VALORES Ve(v) Ie (mA) Vb1 (v) Vb2 (v) Ib (mA)
TERICOS 0 0 19.02381 0.116 2.077

Al no haber disparo Ie = 0 A; por ende Ve = 0 V

20
Ib1mn = 470+56+9100 = 2.077

Vb1 = 20 (2.077 103 )(470) = 19.0238

Vb2 = (2.077 103 )(56) = 0.116

1. Ajustar gradualmente el valor de P1 hasta llegar al valor de Vp

observando los miliampermetros, visualizando el instante de disparo
del UJT; llenar la Tabla 3.

TABLA 3
VALORES Ve(v) Ie(mA) Vb1(v) Vb2(v) Ib(mA) P1()
TERICOS 13.8 4.402 18.2046 0.213 3.82 4.896k

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Ve = Vp

Vp = (VBB) + 0.7= (0.655) (20) + 0.7

Vp = 13.8 V

13.8
Ie = ( = (0.655)(4700)+56 = 4.402 mA
) +2

= ( + 1) = 1

= + =
1 1

20 13.8
= =
2200 + 1 1

6.2(1 ) = 30360

1 = 4.896

20
Ib1 = 470+56+4700 = 3.82

Vb1 = 20 (3.82 103 )(470) = 18.2046

Vb2 = (3.82 103 )(56) = 0.2139

Ajustar gradualmente el valor de P2 observando el miliampermetro

de Ie, hasta llegar al instante de obtencin de la corriente de valle
(retorno a Off); llenar la Tabla 4.

TABLA 4
VALORES Ve(v) Ie(mA) Vb1(v) Vb2(v) Ib(mA) P1() P2()
TERICOS 14.324 4 19.023 0.116 2.077 4.896 k 4.971k

La corriente de valle es Ie= 4 Ma

Vp = Ie((RBBmin) +R2)

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Vp = 4103 (0.75(4700) + 56)

Vp = 14.324 V Ve = Vp

Ve = 14.324 V

20
Ib = 470+56+9100 = 2.077

Vb1 = 20 (2.077 103 )(470) = 19.023

Vb2 = (2.077 103 )(56) = 0.116

El P1 no se modificado su valor entonces P1= 4.896 k

2 = 2

2 20 0.116
2 = = = 4.971
4 103

V. CONCLUSIONES

Se puede comprobar cmo el transistor proporcionar los

momentos de disparo por momentos especficos en el que
variar la corriente y el voltaje emisor.
Asimismo tambin podemos ver que con la introduccin del
potencimetro 1 se llegar al momento de disparo con la
variacin de este elemento.

VI. FUENTES DE INFORMACIN

Boylestad- Fundamentos de circuitos electrnicos.

http://www.unicrom.com/buscar.asp
http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbasees/electronic/unijun.html
http://www.mouser.com/ds/2/68/2n2646_47-372463.pdf
Separatas de la clase de laboratorio y teora dispositivos
electrnicos.

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