G.J. Long, The Ideal Mssbauer Effect Absorber Thickness; Mssbauer Effect
Reference and Data Journal, 6 (1983) 42-49.
K.A. GschneiderPhysical properties and interreltionships of metallic and
semimetallic elements. Solid State Physics Vol.16 (Academic Press, NY,
1964)276.
2 cZe 2
S= R 2 e (0) Corrimiento isomrico
5 E
Recurriendo a un tratamiento mecanocuntico (Dirac)
S=
2 cZ e2
3 E
2
R ex( 2
R fun ) 2
(
2
S (0) absorbente S (0) fuente )
Un corrimiento isomrico positivo implica un incremento en la densidad de
electrones s en el ncleo del absorbente respecto del ncleo fuente si R>0
(119Sn=3,3E-15m) y viceversa (57Fe=-14.3E-15m)
Todos los electrones s contribuyen a S, pero en menor medida cuanto ms
lejos se encuentren del ncleo.
Como las capas interiores son las menos afectadas por el entorno qumico
las variaciones en S, son determinadas por las capas s de valencia.
La densidad de electrones s en el ncleo se modifica tambin por blindaje
por parte de electrones de otros orbitales.
Efecto de la presin
VIS VSOD
= +
P T P T P T Por lo general puede
despreciarse
c 2 2 2 (0) (0)
Ze R =
E 3 P T P T
es la constante de calibracin del corrimiento isomrico y es positivo si
<Rex2> > <Rf2>
Los valores de P que pueden dar lugar a equivalente a /4 estn en el
orden de los kbar, 60 para el 57Fe y 40 para el 119Sn.
Las medidas experimentales se realizan en celdas diseadas para la fuente
o para el absorbente
) en el
Efecto del volumen (
corrimiento Doppler de segundo orden
Hablar de dependencia con la presin y de dependencia con el volumen es
parte de lo mismo.
VSOD 1 Vx2
= <Vx2> slo depende de D (modelo de Debye)
ln 2c ln
ln D
= 2 Parmetro de red de Grneisen (est en tablas)
ln
VSOD 1 Vx2
= = V0 F (T / D )
ln 2c ln D
D
T 3
9kT 8 x
V0 = F (T / D ) = 1 + 24( TD ) 4 x dx
e 1
D
16 Mc e T
1 0
V0 es VSOD para bajas T
La dependencia de VSOD con el volumen tiene un mximo a T/ D=0 y cae a
cero para T/ D altas.
Para los clculos se requiere D que puede tomarse de medidas de calores
especficos, de tablas o, en el caso de que el ncleo resonante sea una
impureza puede tomarse
D= Dmatriz (mmatriz/m)1/2
P
Mecanismos que pueden alterar (0):
Los electrones s de la banda de conduccin son como un gas y su aporte es
inversamente proporcional al volumen.
Todos los electrones de conduccin influyen indirectamente por su blindaje a
los electrones s de conduccin y los del carozo.
El nmero de los electrones s de conduccin puede variar en la compresin.
Si aumentan los s a expensas de los dems, crece (0) por aumento de carga
s y por disminucin del blindaje.
S=
2cZ e2
3E
2
R ex ( 2
R fun
2
) (
2
S (0) absorbente S (0) fuente )
La constante de calibracin es
4Ze 2 cS ' ( Z ) RR
= =
(0) 5E
En general se refieren los al Fe a T ambiente. En la tabla hay otras
referencias usadas con frecuencia
4s(0)
0c(0)
(0) decrece si el nmero de electrones 3d crece. Por efecto de
apantallamiento
Dado el nmero de electrones 3d, (0) crece con el nmero de 4s y c(0)
tambin
El pequeo efecto de los electrones 4p se debe en primer lugar al blindaje de
los 4s y luego a los del carozo
La contribucin 3s(0) es la ms sensible a cambios en los electrones 3d, 4s y
4p. Pueden despreciarse los efectos sobre 1s(0) y 2s(0) ante pequeos
cambios
Cambios en (0) con n3d, n4s o n4p no son lineales. Si lo son para config 3dn.
(0) vara mucho para un dado estado de carga. Entre 3d6 4s2 y 3d8 hay
8a.u.
c(0) y 4s(0) son mayores en la configuracion de alto spin. La 3d64s2 en los
Coord. octaedrica