Nota Æ Durante o semestre letivo será realizada no

mínimo 4 (quatro) provas (P1, P2, P3 e P4), com

assuntos previamente especificados dentro do
conteúdo programático.
As notas, N1 e N2, serão calculadas da seguinte
forma:
DEPARTAMENTO DE MATEMÁTICA E N1 = (P1 + P2)/2 + L1, onde L1 é a primeira média
FÍSICA do laboratório,
PLANO DE CURSO 2007/1 N2 = (P3 + P4)/2 + L2, onde L2 é a segunda média
do laboratório.
Disciplina: FÍSICA PARA COMPUTAÇÃO II
Cursos: Ciência & Eng. da Computação OBS.: P1, P2, P3 e P4 valem no máximo 8 (oito)
Código da Disciplina: MAF 4123 pontos e L1 e L2 valem no máximo 2 (dois) pontos
Carga Horária Semanal: Teoria (04) cada. Será aprovado, o aluno que atingir a nota
Laboratório (02) FINAL (N = 0,4 x N1 + 0,6 x N2), maior ou igual a
Docente: Prof. MSC. Elias R. da Silva Martins 5 (cinco) pontos e freqüência mínima de 75%.

1- OBJETIVOS
5- CONTEUDO PROGRAMÁTICO
OBJETIVOS GERAIS – Desenvolver a eletrônica
ao novel básico, dando suporte para disciplinas 1 – Teorema de Thévenin e Norton
posteriores do curso. 2 – Diodos semicondutores
OBJETIVOS ESPECÍFICOS – Proporcionar ao 3 – Aplicações dos diodos
aluno após o termino de cada unidade do programa: 4 – Fontes de tensão
entender os princípios fundamentais dos dispositivos 5 – Transistores bipolares de junção
semicondutores; conhecer algumas aplicações 6 – Polarização DC – TBJ
básicas dos diodos, transistor e outros dispositivos 7 – Modelo do transistor TBJ
eletrônicos. 8 – Análise do TBJ para pequenos sinais
2- PROCEDIMENTO DE ENSINO
a) Aulas expositivas; 6- BIBLIOGRAFIAS RECOMENDADAS
b) Aulas práticas em laboratório;
c) Aula de resolução de exercícios. 1 - BOGART, Theodore F. Dispositivos e
d) Questões de estudo a serem discutidos circuitos eletrônicos, Ed. Makron Books.
em sala de aula; 2 - BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos
e) Exercícios e questões propostos. eletrônicos e teoria de circuitos, Ed. PHB.
3 - EDUARDO, Angelo et al. Dispositivos
3- RECURSOS DIDÁTICOS semicondutores: Diodos e Transistores, Ed.
Serão utilizados os recursos didáticos Érica.
disponíveis, tais como: Bibliografia com ênfase no 4 - MALVINO, Albert Paul. Eletrônica, vol. 1,
livro texto, quadro negro, giz, tópicos apostilados e Ed. Makron Books.
etc.

4- FORMAS DE AVALIAÇÃO
a) Provas individuais1 e exercícios;
b) Relatórios sobre as experiências realizadas no
LABORATÓRIO DE FÍSICA
1
Durante a realização das provas, somente será permito o uso
de calculadoras cientificas simples.
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 1
 PARTE I – REVISÃO
dq ne
i= ou i =
1. CORRENTE ELÉTRICA dt dt

Considere um condutor metálico em equilíbrio Corrente continua (DC) é toda a corrente de

eletrostático (Fig. 1.1). Sabemos que seus elétrons sentido constante no tempo (Fig. 1.3). Um exemplo
livres estão em movimento desordenado, com bem simples de corrente continua é uma pilha
velocidades em todas as direções, porém sem saírem comum.
do condutor, não produzindo efeito externo. Todos
os pontos do condutor possuem o mesmo potencial
elétrico.

Figura 1.3 – Corrente continua (DC).

Figura 1.1 – Condutor metálico em equilíbrio.
Corrente alternada (AC) é toda a corrente que
Ligando-se a esse condutor metálico uma fonte
muda, periodicamente de sentido e de intensidade no
de tensãor (Fig. 1.2), o que origina um campo
tempo (Fig. 1.4). Nos terminais das tomadas
elétrico E , cujo sentido é do pólo positivo para o
residenciais aqui no Brasil temos a corrente
negativo. Nesse campo elétrico cada elétron fica
r r alternada senoidal de freqüência 60Hz.
sujeito a uma força F = qE de sentido oposto ao
r
campo E , pois os elétrons possuem cargas
r
negativas
-19
(-1,6 10 C). Sob a ação da força F , os elétrons
alteram suas velocidades; no comportamento médio
adquirem um movimento ordenado, r
cuja velocidade
média tem direção da força F . Este movimento
ordenado dos elétrons constitui a corrente elétrica.

Figura 1.4 – Corrente alternada (AC).

A unidade de intensidade de corrente elétrica é a

Figura 1.2 – Condutor ligado a uma fonte de
tensão.
2. INTENSIDADE DE CORRENTE ELÉTRICA
Os elétrons apresentam carga elementar e, logo a
carga que passa através de um fio condutor é
múltipla da carga elementar de modo que:
∆q = ne
Defini-se intensidade de corrente elétrica,
a quantidade de carga que passam pela secção
transversal de um fio condutor no intervalo de
tempo (t , t + ∆t) o quociente:
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins
unidade fundamental elétrica do sistema
internacional de unidades (SI) e denomina-se
ampère (símbolo A). Como o ampère é uma
unidade relativamente “grande” é muito comum o
uso de seus submúltiplos.
miliampère (mA) 1mA = 10-3A
microampère (µA) 1µA = 10-6A
A partir de ampère define-se no (SI) a unidade de
carga elétrica: o coulomb (C), como ∆q = i∆t,, onde
1C = 1A x 1s.
3. SENTIDO DA CORRENTE ELÉTRICA
O sentido do movimento dos elétrons é oposto ao
sentido do campo elétrico no interior do condutor
r r
metálico, pois F = qE , e q é negativo. Contudo o
sentido convencional da corrente elétrica por
2
motivos históricos é igual ao sentido do campo
elétrico, isto é, sentido contrário ao movimento dos
elétrons. De modo que a corrente convencional pode
ser imaginada como sendo constituídas de cargas
positivas em movimento (Fig 1.5).
Figura 1.5 – Corrente elétrica (AC).
4. ENERGIA E POTÊNCIA DA CORRENTE
ELÉTRICA
A Fig. 1.6 mostra um circuito constituído por
uma fonte de tensão e um dispositivo elétrico ab
qualquer. Ao passa pelo dispositivo elétrico a
energia da corrente elétrica diminui uma quantidade
WAB = ∆qV num intervalo de tempo ∆t. Essa energia
consumida (potência) pelo dispositivo pode ter sido
transformada em energia térmica, energia mecânica,
energia química etc. A potência elétrica consumida
pelo dispositivo ab é dada pelo quociente do
trabalho de a até b WAB pelo tempo ∆t:
Figura 1.6 – Potência elétrica dissipada.
WAB ∆q
P= ⇒P= V ou P=iV
∆t ∆t
Observe que a última equação não especifica o
tipo ou qual aparelho elétrico. Assim a equação é
válida para qualquer dispositivo elétrico.
Resistores: São elementos de circuito cuja função
principal é limitar o valor da corrente, além de seu
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efeito Joule ou efeito térmico. Os símbolos gráficos
usuais dos resistores em circuitos são:
Figura 1.7 – Símbolos de resistores em circuito.
5. RESISTORES E 1a LEI DE OHM
Considere o resistor da Fig. 1.8 mantido a
uma temperatura constante e sendo percorrido por
uma corrente elétrica i, devido a aplicação de uma
tensão V entre seus terminais.
Figura 1.8 – Resistor mantido a temperatura
constante.
Mudando-se a tensão V, sucessivamente para
V1, V2,..., Vn o resistor passa a ser percorrido por
corrente de intensidade i1, i2,..., in.
Ohm verificou experimentalmente que
mantida a temperatura constante, o quociente da
tensão V aplicada pela respectiva intensidade de
corrente era uma constante característica de cada
resistor:
V V1 V2 V3 ...
= = = = = constante = R
i i1 i2 i3
A grandeza R assim introduzida foi denominada
de resistência elétrica do resistor. A resistência
elétrica não depende de tensão V aplicada a seus
terminais e nem da corrente que o percorre, porem
depende da temperatura. Assim podemos enunciar
na forma matemática a 1a lei de Ohm.
V
= R ou V = iR
i
Um resistor que obedece a lei de Ohm é chamado
de resistor ôhmico. No sistema internacional a
unidade de resistência elétrica é denominada ohm
(símbolo Ω), sendo 1Ω = 1V/1A. Como o ohm é
uma unidade de resistência elétrica relativamente
pequena, é muito comum o uso de múltiplos:
quiloohm (kΩ) 1k Ω = 103 Ω
megaohm (MΩ) 1M Ω=106 Ω.
3
 Os resistores quando estão ligados a um circuito
são percorridos por correntes elétricas e estão em
geral ligados entre si e/ou ligados a outros elementos
de circuito. Existem vários tipos de ligações
possíveis entre resistores, mas algumas destas
ligações mais utilizadas recebem nomes específicos,
relacionados com a forma em que a corrente as
atravessam. Estas ligações são chamadas: associação
em série e associação em paralelo. Quando o
circuito possui as duas configurações, está e
chamada de associação mista.
Associação em série
Neste tipo de associação, representada na Fig.
1.9, a mesma corrente atravessa todos os resistores.
Podemos calcular o resistor equivalente a uma dada
associação em série, para isto basta lembrarmos que
a corrente que atravessa o resistor equivalente, para
uma dada ddp entre seus extremos, deve ser a
mesma que atravessa toda a associação, enquanto a
ddp é a soma.
Figura 1.9 – Associação de resistores em série
Assim, em cada resistor podemos escrever:
Vi = Ri . I ⇒ ΣVi = Σ Ri . I = (Σ Ri) . I,
ou ainda,
V = Req .I, onde, Req = Σ Ri.
Associação em paralelo
Este tipo de associação, representada na Fig.
1.10 tem como característica a mesma ddp entre
seus extremos. A corrente que chega à associação se
divide percorrendo "paralelamente" cada elemento.
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins
Figura 1.10 – Associação de resistores em
paralelo.
Do Princípio de Conservação da carga elétrica,
vemos que a quantidade de cargas que chega deve
ser igual à quantidade que sai logo a quantidade de
carga por unidade de tempo e a mesma, ou seja,
corrente. Para cada resistor da associação podemos
escrever:
Ii = V/ Ri ⇒ Σ I i = Σ V/ Ri = V. [Σ (1/ Ri)]
ou ainda,
I = ∆V/Req , onde, (1/Req ) = Σ (1/ Ri)
6. RESISTORES E 2a LEI DE OHM
Verifica-se experimentalmente que a resistência
elétrica de um resistor depende do material que o
constitui e de suas dimensões, cuja relação e dada
pela segunda lei de Ohm:
L
R=ρ
A
onde ρ é a resistividade do material, L o
comprimento do fio e A área de secção transversal
do fio.
7. LEIS DE KIRCHHOFF
Quando um circuito não pode ser reduzido a um
circuito simples ao qual se pode aplicar a lei de
Ohm-Pouillet, recorremos às chamadas leis de
Kirchhoff. Considere a rede elétrica da Fig.1.11
constituída por vários resistores, geradores e
receptores.
Figura 1.11 – Rede elétrica.
Numa rede elétrica chama-se nó o ponto no qual a
corrente elétrica se divide, isto é, ponto do circuito
comum a dois ou mais condutores. Na Fig. 1.11 os
pontos B e E são nós. Os trechos de circuito entre
4
dois nós consecutivos são denominados ramos. Na
rede elétrica da Fig. 1.11 são ramos os trechos
BAFE, BE, e BCDE.
Qualquer conjunto de ramos formando um
circuito fechado recebe o nome de malha. A cada
ramo do circuito, atribui-se um sentido de corrente
arbitrário, se o sentido adotado for incorreto o valor
da intensidade da corrente será negativo.
A primeira lei de Kirchhoff ou leis dos nós
estabelece que: Figura 1.12 – Rede elétrica.

A soma das intensidades de correntes que Percorrendo a malha α, partindo do ponto A

chegam a qualquer nó deve ser igual a soma obtemos a equação:
das intensidades de correntes que saem do
mesmo nó.
− R1i1 + r2i2 − E2 − R2i1 + E1 − r1i1 = 0 (2)
A lei dos nós aplicada no ponto B do circuito da
Fig.1.11 fornece: i1 + i2 = i3 (1), observe que se Percorrendo a malha β, partindo do ponto B
aplicarmos a lei dos nós no ponto E nos levará ao obtemos a equação:
mesmo resultado.
A segunda lei de Kirchhoff ou leis das
− R3i3 − E3 − r3i3 + E2 − r2i2 = 0 (3)
malhas estabelece que:

A soma algébrica das variações de potencial
encontradas ao longo de uma malha fechada
de qualquer circuito deve ser nula.
Para a aplicação da lei das malhas observe
que a tensão obedece a duas “regras” para sua
determinação, são elas.
Regra da resistência: Percorrendo-se um resistor
no sentido da corrente, a variação no potencial é –
Ri; no sentido oposto +Ri. Num análogo
gravitacional: andando-se no sentido corrente num
riacho, nossa elevação diminui; andando-se contra
corrente a elevação aumenta.
Regra da FEM: Percorrendo-se um dispositivo de
fem ideal, o sinal de saída da fem é igual ao sinal da
tensão conforme a Fig.1.12.
Figura 1.12 – Regra da FEM.
Como aplicar as leis de Kirchhoff? Primeiro
adota-se um sentido para corrente (α, β...) e em
seguida percorre a malha conforme a Fig 1.12. Ao
percorrer a malha use a “regra” das resistências e a
“regra” das fems.
Assim temos três equações (1), (2), e (3); que
formam um sistema de três equações e três variáveis
desde que os valores das resistências e das fems
sejam conhecidos é possível obter as soluções.
⎧i1 + i2 = i3 (1)
⎪
⎨− R1i1 + r2i2 − E2 + R2i1 + E1 − r1i1 = 0 (2)
⎪− R i − E − r i + E − r i = 0
⎩ 33 3 3 3 2 2 2 (3)
Resolvendo esse sistema encontramos os valores
de i1, i2 e i3.
8. CAPACITORES
Capacitores são dispositivos que armazenam
energia elétrica em um campo elétrico. Um capacitor
é constituído por duas placas condutoras metálicas
paralelas separadas por um material isolante. A
tensão aplicada sobre as placas origina o campo
elétrico no qual a energia é armazenada.
Ligando-se uma bateria ao capacitor, o mesmo é
carregado até atingir o seu limite, tal limite de carga
é dado por: q = CV. Onde C é a capacitância, a qual
depende do fator geométrico.
Utilidades do capacitor:

Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 5
 1. Pode ser utilizado para produzir campos
elétricos de diferentes intensidades em um
circuito.
2. Acúmulo de energia entre suas placas no
campo E.
3. Dispositivos AC: reduz flutuações de
voltagens em fontes de tensão; transmitir
sinais pulsados e ainda produzir atrasos em
sinais.
Figura 1.14 – Circuito capacitivo em paralelo.
Capacitores de placas paralelas
Da Fig. 1.14 temos:
Como q = CV e V = Ed, logo temos que
q1= C1V, q2= C2V e q3= C3V
q = CEd. e
q = q1 + q2 + q3
Sabendo que E = q/ε0A, podemos reescrever. assim
CV = C1V + C2V + C3V
q = qdC/ ε0A ou
C = C1 + C2 + C3 = Σ (C)
Portanto, C = ε0A/d.
9. INDUTORES
Associação de capacitores
Quando se aprosima um imã (variação de campo
Na associação em série, os capacitores magnético)de uma espira, surge uma corrente
apresentam a mesma carga. elétrica induzida na espira. Esta corrente é
proviniente de uma fem induzinda devido a variação
do campo magnético e podemos calcular esta fem da
seguinte maneira:
dϕ
ε = −N
dt
onde N é o número de espiras da bobina e φ é o
fluxo do campo magnético. O fluxo é dado pelo
Figura 1.13 – Circuito capacitivo em série. produto do campo magnético B pela área da espira A
(φ =BA). Geralmente B = B(i), onde i é a corrente
Desta forma temos do circuito (Fig 13) que: que passa pelo fio. Assim:
dϕ dϕ di
=
C1 = q1/V1, C2 = q2/V2 e C3 = q3/V3 dt di dt

V = V1 + V2 + V3 onde V = q/C dϕ
Para uma espira (N = 1) temos: ε = − , assim
logo dt
q/C = q/C1 + q/C2 + q/C3 di φ
temos que ε L = − L , onde L = N B .
ou dt i
1/C = 1/C1 + 1/C2 + 1/C3 = Σ (1/Cn) L é a indutancia da bobina e εL a força eletromotriz
induzida. Que aparece na bobina enquanto a corrente
no fio varia. OBS: se i for consntante a fem induzida
Na associação em Paralelo, os capacitores εL desaparece.
apresentam a mesma ddp.

Figura 1.15 – Indutor.

Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 6

9. TRANSFORMADORES
A indutância de uma bobina pode ser
maximizada quando colocamos no seu interior com
um material ferromagnético, isso ocorre devido os
átomos desses materiais se alinharem com o campo
induzido na bobina e assim reforçando o campo.
Figura 1.16 – Transformador –núcleo de ferro.
Onde N1 e N2 são o número de espiras do
enrolamento primário e secundário respectivamente
e V1 e V2 são as tensões de entrada e saída
respectivamente.
Em um transformador o campo magnético é
conduzido através do núcleo de ferro da bobina de
entrada para a bobina de saída de forma que a
variação do campo magnético em ambas as bobinas
são iguais, assim temos:
dϕ V V
ε=N ⇒ 1 = 2
dt N1 N 2
ou
N resistência de 2Ω. Dados: calor especifico da
V2 = 2 V1
N1
Desta forma se N2 > N1 temos um transformador
elevador e se N2 < N1 temos um transformador
redutor.
Exercícios de Aprendizagem I
1) Explique o que e corrente elétrica?
2) Um fio percorrido por uma corrente de 1,0A
deve conduzir, através de uma secção
transversal, uma carga de 3,6C. Qual o intervalo
de tempo necessário para isso?
3) Sabendo que 20 lâmpadas de 100W e 10 de
200W permanecem acesas 5 horas por dia,
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pergunta-se qual o consumo de energia elétrica,
em kWh, no período de 30 dias.
4) Diferencie corrente continua (DC) de corrente
alternada (AC).
5) O gráfico da Fig 1.17 representa a intensidade de
corrente em função do tempo. Determine a carga
elétrica que atravessa uma secção transversal
entre os instantes t =1s e t = 3s.
Figura 1.17 – Gráfico de corrente.
6) Em um aparelho lê-se: 600W – 120V. Estando o
aparelho ligado corretamente, calcule: a) a
intensidade da corrente elétrica que o atravessa.
b) a energia consumida em 5h.
7) Um resistor de resistência elétrica R = 20Ω é
percorrido por uma corrente de elétrica de
intensidade de 3,0A. Determine: a) a potencia
elétrica consumida pelo resistor. b) a energia
elétrica consumida pelo resistor no intervalo de
tempo de 20s.
8) Em 0,5kg de água contida em um recipiente
mergulha-se durante 7min um resistor de
água 1cal/gºC e 1cal = 4,2 J. Se o resistor é
percorrido por uma corrente elétrica de 0,5A,
calcule a temperatura de elevação da água,
supondo que não haja mudança de estado.
Sugestão: observe que (Ri2 = mc∆θ).
9) Um resistor tem seus terminais submetidos à
certa tensão elétrica. Reduzindo à metade a
resistência elétrica do resistor e mantida a
mesma tensão elétrica, o que acontece com a
potência dissipada por ele.
10) Um fio de cobre tem comprimento de 120m e a
área de sua secção transversal é 0,50mm2.
Sabendo que a resistividade do cobre é 1,72 10-
2Ωmm2/m, determine a resistência desse fio.
7
11) Um resistor em forma de fio tem resistência de
100Ω. Se a ele foi acrescentado um fio idêntico,
mas com 0,5m de comprimento, a resistência
passa a ser 120 Ω. Determine o comprimento do
resistor original.
12) Dados os circuitos a seguir, calcule a resistência
equivalente entre os pontos A e B para cada
circuito.
13) Dados os circuitos a seguir, calcule a corrente
em cada resistor dos circuitos.
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PARTE II – FONTES DE TENSÃO
1. FONTES DE CORRENTE
Fonte de tensão ideal: produz uma tensão VS de
saída que não depende do valor da resistência de
carga RL, isto é o valor da resistência interna RS = 0
conforme a Fig. 2.1.
8
 Fonte de tensão real: produz uma tensão VS de
saída que depende do valor da resistência de carga
RL, porque possui resistência interna RS ≠ 0. RS
possui valores tipicamente menores que 1Ω. Uma
fonte eletrônica deve ter uma resistência interna de
menos de 0,01 Ω .
Figura 2.1 – Fonte de tensão real.
Corrente de carga em curto circuito: É a
corrente de carga máxima que uma fonte de tensão
real pode liberar. Ocorre quando a resistência de
carga RL do circuito e zero.
Aplicando a lei de Ohm ao circuito da Fig. 2.1
temos:
VS
I L=
RS +RL
se fizermos RL = 0 temos I L =VS RS que é o valor da
corrente de curto circuito enquanto que se fizermos
RL→ ∞ IL tende a zero conforme o gráfico da Fig.
2.2
Figura 2.2 – Corrente de carga versus resistência
de carga.
Tensão de carga: E a tensão aplicada sob a
carga. A tensão da carga aproxima-se da tensão da
fonte à medida que a carga RL→ ∞ como pode ser
visto a seguir. A tensão da carga VL é dada por
VL = RL I L (lei de Ohm), mas como I L =VS ( RS +RL ) ,
podemos escrever.
RL
VL = VS
RS +RL
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Observe que quando RL for 100 vezes maior que
RS a tensão na carga é aproximadamente 99% da
tensão da fonte VS. Quando RL→ ∞, a tensão na
carga se tornará uma tensão ideal. Assim
consideraremos neste curso que quando RL≥100RS a
fonte de tensão será ideal, onde a diferença entre a
tensão de carga e a real é menos de 1%. Veja o
gráfico da Fig. 2.3.
Figura 2.3 – Tensão de carga versus resistência
de carga.
2. FONTES DE CORRENTE
Fontes de corrente real: produz uma corrente IS
de saída que não depende do valor da resistência de
carga RL, isto é o valor da resistência interna RS é
muito grande.
Figura 2.4 – Fonte de corrente.
Temos do circuito da Fig. 2.4 que a corrente de
saída IS = VS/RS, mas como I L =VS ( RS +R L ) ,
podemos escrever.
RS
IL = IS
RS +RL
Observe que quando RS e 100vezes maior que RL,
IL é aproximadamente 99% de IS. Assim
consideraremos neste curso quando RS ≥ 100RL que
esta fonte de corrente é uma fonte de corrente ideal.
Uma fonte de corrente ideal em um circuito e
comumente representada pelo símbolo da Fig. 2.5.
9
Veja que a resistência interna RS de uma fonte de
corrente real e sempre colocada em paralelo com a
fonte de corrente ideal.
Figura 2.5 – Fonte de corrente.
3. TEOREMA DE THÉVENIN
O teorema de Thévenin diz que qualquer rede
linear com saídas a-b pode ser substituída por uma
única fonte de tensão em série com uma resistência,
conforme a Fig. 2.6.
Figura 2.6 – Teorema de Thévenin.
Assim o teorema de Thévenin consiste em
reduzir um circuito com malhas múltiplas com uma
resistência de carga RL (Fig. 2.7) a um circuito
equivalente formado por uma única malha com a
mesma resistência de carga. Neste circuito o resistor
de carga “vê” uma única resistência da fonte em
série com uma fonte de tensão conforme a Fig. 2.8.
Figura 2.7 – Circuito de malhas múltiplas.
Para aplicação do teorema de Thévenin os
seguintes passos são fundamentais:
1. Determine os terminais de saída a-b (onde
esta ligada a resistência de carga RL);
2. Desconecte a resistência de carga RL do
circuito, deixando-a aberta no terminal;
3. Calcule a corrente que passa pelos terminais
a-b;
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 10
4. Calcule a tensão entre os terminais a-b,
chamada tensão de Thévenin VTh;
5. Curto-circuite a fonte e encontre a resistência
equivalente do circuito, chamada resistência
de Thévenin RTh;
6. Conecte a resistência de carga RL em série
com uma fonte de valor VTh e a resistência de
carga RL.
Figura 2.8 – Equivalente de Thévenin de um
circuito linear.
Tensão de Thévenin: é aquela tensão que aparece
através dos terminais da carga quando você abre o
resistor de carga. Às vezes essa tensão é chamada de
tensão de circuito aberto ou de carga aberta.
Resistência de Thévenin: é a resistência que se
obtém para os terminais da carga quando todas as
fontes de tensão forem curto-circuitada, isto é
(VS = 0).
4. TEOREMA DE NORTON
Teorema de Norton: afirma que o circuito
equivalente de Thévenin pode ser substituído por
uma fonte de corrente ideal em paralelo com a
resistência de Thévenin RTH, onde a fonte de
corrente produz uma corrente de Norton IN conforme
a Fig. 2.9.
Figura 2.9 – a) Equivalente de Thévenin; b)
Equivalente de Norton.
Resistência de Norton: A resistência de Norton
possui o mesmo valor da resistência de Thévenin.
Corrente de Norton: A corrente de Norton IN é
dada pelo quociente da tensão de Thévenin pela
resistência de Thévenin (IN = VTH/RTH). Observe que
a corrente de Norton é a corrente de curto circuito da
resistência de carga (RL). O cálculo da corrente de
Norton pode ser feito diretamente em circuito, para
isso curto circuito a resistência de carga e calcule a
corrente de curto pela carga.
Exercícios de aprendizagem II
1. A resistência interna de uma fonte de tensão é
igual a 0,05Ω. Qual a queda de tensão através
dessa resistência interna quando a corrente que
passa por ela for de 2A?
2. Uma fonte de tensão é colocada em curto
temporariamente. Se a tensão da fonte ideal for
de 6 V e a corrente de carga em curto for de
150A, qual a resistência interna da fonte?
3. Na Fig. 2.10, a tensão da fonte ideal é de 10V e
a resistência de carga é de 75Ω. Se a tensão da
carga for igual a 9V, quanto vale a resistência
interna? A fonte de tensão é quase ideal?
Figura 2.10 – Fonte de tensão.
4. A tensão da fonte ideal é de 12 V na Fig. 2.10.
Se a resistência interna for de 0,5Ω, qual a
corrente de carga quando a resistência de carga
for igual a 50Ω? E a tensão da carga?
5. Repita o Prob. 4 para RS de 5Ω.
6. Uma fonte de tensão tem uma resistência interna
de 2Ω. Para que a fonte seja estabilizada, qual a
mínima resistência de carga permitida?
7. A tensão da fonte ideal é 15V e a resistência
interna é 0,03Ω na Fig. 2.10. Para que faixa de
resistência de carga a fonte de tensão é ideal?
8. Uma resistência de carga pode ser ajustada de
20Ω a 200kΩ. Se uma fonte de tensão age como
ideal para a faixa toda de resistência de carga, o
que se pode dizer a respeito da resistência
interna?
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 11
9. Na Fig. 2.11, a corrente da fonte ideal é de
10mA e a resistência interna é de 100kΩ. Se a
resistência da carga for igual à zero, qual o valor
da corrente de carga?
Figura 2.11 – Fonte de corrente.
10. A corrente da fonte ideal é de 5mA e a
resistência interna de 250kΩ na Fig. 2.11. Se a
resistência de carga for de 10kΩ, qual a corrente
de carga? Esta é uma fonte de corrente ideal?
11. Uma fonte de corrente tem uma resistência
interna de 150kΩ. Para que faixa de resistência
de carga a fonte de corrente é ideal?
12. Calcule a corrente de carga da Fig.2.12 para cada
uma das seguintes resistências de carga 0,1kΩ,
2kΩ, 3kΩ, 4kΩ, 5kΩ e 6kΩ. Aplique o teorema
de Thèvenin.
Figura 2.12 – Circuito de várias malhas.
13. Repita o problema 12 sem aplicar o teorema de
Thévenin, isto é, utilize as leis de Ohm e
Kirchhoff.
14. Um circuito de Thévenin tem uma tensão de
Thévenin de 10V e uma resistência de Thévenin
de 5kΩ. Qual a corrente de Norton? E a
resistência de Norton?
15. Calcule a corrente de carga da Fig. 2.13 para
cada uma das seguintes resistências de carga
0,1kΩ, 2kΩ, 3kΩ, 4kΩ, 5kΩ e 6kΩ. Aplique o
teorema de Thévenin.
 Figura 2.13 – Circuito de várias malhas.
16. Encontre a corrente de Norton e a resistência de
Norton do Prob. 15. Faça o desenho do circuito
equivalente de Norton.
17. Calcule a corrente de carga da Fig. 2.14 para
cada uma das seguintes resistências de carga:
0,1kΩ; 2kΩ; 3kΩ; 4kΩ; 5kΩ e 6kΩ.
Figura 2.14 – Circuito de malhas múltiplas.
Anotações
__________________________________________
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__________________________________________
PARTE III – TEORIA DOS
SEMICONDUTORES (SC)
1. SEMICONDUTORES
O Si possui número atômico 14 (14 prótons e
14 elétrons) À temperatura ambiente, o silício
encontra-se no estado sólido. O silício é o segundo
elemento mais abundante da face da terra,
perfazendo 25.7% do seu peso.
ESTRUTURA ATÔMICA, modelo atômico
de Bohr para um átomo de Silício (Si),
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 12
Figura 3.1. Modelo atômico de Bohr
• NÍVEIS DE ENERGIA, somente certas
dimensões de órbitas são permitidas. O tamanho
da órbita e proporcional a energia do elétron.
Figura 3.2. Níveis de energia em um átomo.
• CRISTAIS, os átomos para serem quimicamente
estáveis precisam fazer ligações químicas para se
completarem a última camada com oito elétrons.
Quando os átomos de Si se unem para formar um
sólido, eles se organizam de uma forma ordenada
chamada cristal.
• BANDAS DE ENERGIA, quando os átomos de
Si se juntam para formar um cristal (1023
átomos), os níveis de energia se superpõem
formando as bandas de energia. Na Fig. 3.3. é
mostrado as bandas de energia a uma
temperatura de 0K para um isolante, um
semicondutor e um condutor. Observe que os
isolantes a 0K diferem dos SC apenas pela gap2
de energia entre a banda de valência e a banda de
condução (vazia), pois nos SC o gap é bem
menor que nos isolantes.
2
Termo inglês (brecha, lacuna) o qual são níveis de energia
não permitidos “regiões proibida”.
 dopagem de um semicondutor intrínseco pode
ser feita de dois modos.

• SC do tipo-p, são dopados com impurezas

Figura 3.3. Bandas de energia.
trivalentes (família 3A, átomo receptor),
geralmente por alumínio, boro e gálio. Um SC
do tipo-p possui mais lacunas na BV que elétrons
na BC. Num SC do tipo-p, dizemos que os
elétrons são portadores de carga minoritários
(minoria) e as lacunas de portadores majoritários
(maior quantidade).

• CORRENTE EM SEMICONDUTORES, • SC do tipo-n, são dopados com impurezas

corrente das lacunas na BV e corrente de
elétrons na BC.
Figura 3.4. Banda de valência e condução num
cristal semicondutor.
pentavalentes da família 5ª (antimônio, fósforo,
arsênio), átomos doadores, pois átomos
pentavalentes doam elétrons extras para o cristal.
Possuem mais elétrons na BC que lacunas na
BV. De forma análoga aos SC do tipo-p,
dizemos que os elétrons são portadores de carga
majoritários (maiorias) e as lacunas de
portadores minoritários (quantidade menor).

• PARES DE ELÉTRONS-LACUNAS, em um
semicondutor puro (intrínseco) o nº de elétrons
na BC e igual ao nº de lacunas na BV, de modo
que sempre são formados aos pares. Quando um
elétron cai na BV ocorre à eliminação de um par
elétron-lacuna, isto é, a RECOMBINAÇÃO, a
taxa de criação e recombinação de pares elétron-
lacuna são praticamente iguais de modo a Figura 3.5. a) Rede bidimensional de um SC do
permanecer constante o nº pares elétron-lacuna. tipo-n e b)Rede bidimensional de um SC tipo-p.
O tempo médio de vida é da ordem de 10-9s.
• A CONDUTIBILIDADE DE UM SC DOPADO
• FLUXO DE CORRENTE EM UM SC PURO,
é proporcional à quantidade de impurezas
tanto as lacunas quanto os elétrons se movem em
adicionada ao SC puro, assim quanto maior a
um SC puro, entretanto em sentidos contrários,
dopagem, maior a condutibilidade.
assim diferente dos metais a corrente em SC
puros é formada não só pelos elétrons mais
também pelas lacunas. • RESISTÊNCIA DE CORPO, resistência que um
semicondutor possui quando sob tensão externa.
Um material SC dopado a ser colocado sob
• Os semicondutores INTRÍNSECOS não são de
tensão externa, seja to tipo-n ou do tipo-p se
grande utilidade na eletrônica, por isso e muito
comportam simplesmente como um resistor
comum aumentar o Nº de portadores de carga
comum de carbono, porém essa resistência
tanto na BV quanto na BC. Como? Injetando
depende do grau de dopagem (resistência
impurezas (outros elementos químicos) no
ôhmica).
cristal semicondutor (processo chamado de
Dopagem). A injeção de impurezas no silício,
• JUNÇÃO P-N, é a transição brusca de um
por exemplo, é feita através da fusão do silício e material do tipo-p para um material do tipo-n
a inserção de impurezas (átomos diferentes). A
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 13
 (Fig 3.6a), logo após de feita a junção p-n ocorre
a difusão das cargas, os elétrons se deslocam do
lado n para o lado p (Fig 3.6b). Os elétrons
chegam do lado p e cai em uma lacuna de modo
a formar um par de íons fixos através de ligações
covalentes (elétron de valência no lado p e
lacuna no lado n).
Figura 3.6. Junção p-n.
• Cada par de íons fixo é chamado de DIPOLO. À
medida que as cargas vão se difundindo o
número de dipolos aumenta em torno da junção
criando uma região vazia de portadores a qual é
denominada CAMADA DE DEPLEÇÃO (Fig
3.7a). Os dipolos geram um campo elétrico que
tentam empurrar os elétrons livres vindos da
região n de volta. Esse campo elétrico aumente
até que seja estabelecido o equilíbrio.
• BARREIRA POTENCIAL (ddp). Os campos
elétricos criado pelos dipolos geram uma ddp, a
barreira aumenta até um valor máximo atingindo
o equilíbrio, cessando a corrente líquida (Fig
3.7b). A temperatura ambiente (25ºC) a barreira
de potencial do Si é aproximadamente de 0,7V e
a do Ge 0,3V. A barreira de potencial aumenta
com a temperatura, praticamente utiliza-se a
regra de que a cada aumento de 1°C a barreira
aumenta 2mV.
Figura 3.7. a) Camada de depleção de uma
Junção p-n e b) Equilíbrio das correntes.
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 14
2. POLARIZAÇÃO DE UMA JUNÇÃO P-N
DIRETA é quando se liga o terminal positivo de
uma fonte de tensão continua (cc) ao material do
tipo-p e o terminal negativo no lado do material tipo-
n (Fig 3.8).
Figura 3.8. Polarização direta de um diodo.
Análise:
¾ A tensão externa V força os elétrons e lacunas a
se moverem em direção à junção p-n3 fazendo
com que a camada de depleção diminua.
¾ Quando os elétrons movem para a junção, íons
positivos são gerados na extrema direita do
cristal tipo n, fazendo assim com o cristal receba
elétrons externo advindos do circuito.
¾ Os elétrons ao entrarem na junção se
recombinam com as lacunas e se tornam elétrons
de valência na região p e se movem através das
lacunas até o terminal positivo da fonte.
¾ A corrente passa pelo diodo diretamente (ID) na
polarização direta, desde que a tensão direta VS
seja maior que 0,7V da barreira potencial do
silício a qual e subtraída da tensão externa.
REVERSA é quando se liga o terminal negativo de
uma fonte de tensão continua (cc4) ao material do
tipo-p e o terminal positivo no lado do material tipo-
n (Fig 3.9).
Figura 3.9. Polarização reversa de um diodo.
3
Fluxo de portadores majoritários (elétrons em n, lacuna em p)
4
Corrente continua, comumente também (DC).

Análise:
¾ A tensão externa V força os elétrons e lacunas a
se afastarem da junção da junção p-n.
¾ O afastamento de elétrons e lacunas da junção
forma íons na camada de depleção de modo a
provocar o alargamento dessa camada e a
medida alarga, a barreira de potencial também
aumenta.
¾ O aumenta da camada de depleção aumenta até
que a barreira de potencial da junção se iguale à
tensão reversa aplicada a junção e quando isso
ocorre a corrente cessa, pois a tensão externa VS
é somada a tensão da zona de depleção que
possui o mesmo valor.
• CORRENTE REVERSA, após a estabilização
da camada de depleção a corrente de fato não é
zero, pois existe uma pequena corrente reversa5
devido aos pares de elétron-lacuna gerados pela
energia térmica6.
Análise:
¾ Quando um par elétron-lacuna é gerado pela
energia térmica a camada de depleção força o
elétron a se deslocar para a extrema direita do
cristal n (Fig. 3.9) e de forma semelhante a
lacuna para extrema esquerda fazendo com que
um elétron ocupe seu lugar.
¾ A quantidade de pares elétron-lacuna gerado
pela energia térmica é pequena e, portanto a
corrente reversa e pequena de ordem de 10-9A
(nA).
¾ Existe ainda uma pequena corrente de fuga IFS
que ocorre na superfície do cristal devido a
impurezas que criam trajetos ôhmicos.
¾ Verifica-se na prática que o valor de IR dobra a
cada aumento de 10ºC na temperatura.
• TENSÃO RUPTURA é o valor máximo de
tensão reversa que o diodo pode suportar após
esse valor o diodo passa a conduzir uma corrente
intensa por meio do efeito avalanche. Para
diodos retificadores possui valores típicos de
mais de 50V ou mais.
Exercícios de aprendizagem III
5
Corrente de saturação.
6
Energia térmica advindo do ambiente, aqui considerado 25°C ôhmico o qual a corrente que o atravessa é
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 15
1) Um semicondutor intrínseco possui
algumas lacunas à temperatura ambiente.
Como foram geradas essas lacunas?
2) Explique com suas palavras o que é
recombinação.
3) O que acontece com o número de elétrons
livres e lacunas em um semicondutor
intrínseco quando aumentamos a
temperatura?
4) Para se produzir um semicondutor tipo-p
devemos usar qual tipo de impureza?
Explique o porquê.
5) Em qual tipo de semicondutor as lacunas
são os portadores de cargas minoritários?
6) Suponha que um diodo esteja diretamente
polarizado. Se a corrente no lado n do diodo
for de 5 mA, determine qual a corrente no
lado p do diodo.
7) Um diodo de Silício tem uma corrente de
saturação de 2nA a 25ºC. Qual o valor de IS a
75ºC? E em 125ºC?
8) Quando a tensão reversa numa junção p-n
aumenta de 5V para 10V, o que acontece com
a camada de depleção?
9) O que origina as poucas lacunas que um
semicondutor possui a temperatura
ambiente?
10) Em termo de bandas o que diferencia um
material semicondutor de um material
isolante a temperatura ambiente?
11) Se a temperatura de uma junção p-n de
silício elevar de 25°C para 100ºC, de qual
será aproximadamente o valor da barreira
potencial? Sabe-se que a barreira potencial
do silício a temperatura ambiente é de 0,7V.
12) Para que se obtenha uma corrente direta em
uma junção p-n de germânio, qual é a
mínima tensão aplicada?
PARTE IV – TEORIA DOS DIODOS
1 DIODO
• DIODO, (DI = dois, ODO = eletrodo), é um
dispositivo formado pela junção de dois SC
dopados um, do tipo-p e outro do tipo-n, isto é,
uma junção p-n.
• Os diodos não são componentes lineares, isto é,
seu comportamento é diferente de um resistor
 proporcional à tensão aplicada sobre o mesmo.
O gráfico I – V de um resistor ôhmico é linear.
• O símbolo de um diodo em um circuito é
( ), onde o sinal positivo representa o
material do tipo p e o sinal negativo o material
do tipo n. Observe que o símbolo sugere a
passagem de corrente em um sentido e bloqueio
no outro.
• CIRCUITO SIMPLES COM DIODO, Na Fig
4.1, VS é a tensão de saída da fonte, RS é o
resistor limitador de corrente e V é a queda de
tensão no diodo onde o lado p é chamado anodo
e o lado n é o catodo.
Figura 4.1. Diodo em circuito simples.
• GRÁFICO DE UM DIODO, variando-se a
tensão de saída no circuito (Fig 4.1) e medindo a
corrente no diodo, observa-se um gráfico (I – V)
como na Fig. 4.2.
Figura 4.2. Gráfico I – V de um diodo de silício.
• TENSÃO DE JOELHO é a tensão na qual a
corrente começa aumentar rapidamente, essa
tensão é igual a ddp da barreira potencial criada
na junção. Para o Si essa barreira potencial é em
torno de 0,7V e para o Ge 0,3V.
• RETA DE CARGA, método utilizado para
medir a corrente e a tensão exata no diodo em
um circuito simples. Aplicando a lei das malhas
no circuito (Fig 4.1) obtemos:
VS - RSI - V= 0 ou I = (VS – V)/ RS Eq. 4.1
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 16
Através da Eq. 4.1, podemos determinar a reta de
carga do diodo conforme a Fig. 4.3.
Figura 4.3. Reta de carga de um diodo em série
com uma fonte de 2V e um resistor de 100Ω.
Pontos a serem observados na reta de carga:
¾ PONTO DE SATURAÇÃO é a corrente
máxima.
¾ PONTO DE CORTE é a corrente mínima.
¾ PONTO DE OPERAÇÃO (Q) é o ponto que
representa a corrente através do diodo e do
resistor, veja que ele é o ponto de intersecção das
duas curvas.
Observe que
VS
I= (saturação) Eq. 4.2
RS
V = VS (corte) Eq. 4.3
são os extremos da reta de carga.
2. APROXIMAÇOES DOS DIODOS
• DIODO IDEAL é um dispositivo elétrico que
conduz corrente perfeitamente em um sentido
(tensão sob o diodo é zero) quando polarizado
diretamente e um isolante perfeito quando
polarizado reversamente (R→∞), isto é, o diodo
ideal (Fig. 4.4) em um circuito age como se fosse
uma chave. (polarização direta = chave fechada)
e (polarização reversa = chave aberta).
 bateria polarizada no sentido contrário a
corrente elétrica e um resistor.

Exercícios de aprendizagem IV

1) Qual a potência dissipada por um diodo de

Silício com polarização direta se a tensão no
Figura 4.4. Gráfico I – V de um diodo ideal e o
diodo for de 0,7V e a corrente de 100mA?
equivalente do diodo ideal como chave.
2) Esboce um gráfico I – V de um diodo de Silício
com uma compensação de 0,7V e uma tensão de
• SEGUNDA APROXIMAÇÃO DO DIODO, na
ruptura de 50V. Explique cada parte de do
segunda aproximação considera-se a tensão de
gráfico.
joelho do diodo, que para o Si é de 0,7V. Na
3) No circuito da Fig. 4.7 complete a tabela com os
segunda aproximação não passa nenhuma
valores das correntes no amperímetro, usando a
corrente no diodo até que a tensão atinja a tensão
segunda aproximação, onde Vs é a tensão da
de joelho (0,7V Si). Veja a Fig. 4.5.
fonte.

Figura 4.7

Vs (V) 0.00 0.70 0.75 0.80 1.50

Figura 4.5. Gráfico I – V de um diodo pela 2ª I (mA)
aproximação e o equivalente do diodo pela 2ª
aproximação como chave e bateria polarizada no 4) Na Fig. 4.8 calcule, usando a primeira
sentido contrário a corrente elétrica. aproximação, a corrente na carga, a tensão na
carga, a potência na carga, a potência no diodo e
• TERCEIRA APROXIMAÇÃO DO DIODO, na
a potência total.
terceira aproximação considera-se a tensão de
joelho do diodo, que para o Si é de 0,7V e
também leva em conta o valor da resistência de
corpo rB. Na terceira aproximação não passa
nenhuma corrente no diodo até que a tensão
atinja a tensão de joelho (0,7V Si) e após atingir
a tensão de joelho a corrente e a tensão varia
linearmente com a resistência de corpo rB. . Veja Figura 4.8
a Fig. 4.6.
5) Repita o exercício (4) usando a segunda
aproximação.
6) Repita o exercício (4) com a terceira
aproximação sabendo que a resistência de corpo
para o 1N4001 vale 0,23 Ω .
7) Se VS é 12V e RS é 47kΩ. Qual a corrente no
diodo da Fig. 4.9?
Figura 4.6. Gráfico I – V de um diodo pela 3ª
aproximação e o equivalente do diodo pela 3ª
aproximação como uma chave em série com uma Figura 4.9
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 17
8) Observe a Fig. 4.10 e calcule a corrente através
do diodo e a potência dissipada. Dado: VS=200V,
R1=10kΩ, R2=10kΩ e R3=5kΩ (utilize a
primeira aproximação).
Figura 4.10
9) Repita o exercício (8) utilizando a segunda
aproximação.
10) Repita o exercício (8) utilizando a terceira
aproximação, sabendo que rB = 0,25Ω.
11) Determine a corrente e a potência dissipada pelo
diodo da Fig 4.11 utilizando a 1ª e a 2ª
aproximação. (sugestão thevenize o circuito).
Figura 4.11
PARTE V – CIRCUITOS COM DIODOS
1.CORRENTES ALTERNADAS
É uma corrente varia senoidalmente com
tempo, trocando de sentido7 (no Brasil comumente
60 ciclos/segundos ou 60Hz). A tensão que produz a
corrente alternada é dada por.
v(t ) = VP senθ Eq. 5.1
7 10
É quando varia o sinal da tensão
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onde v é o valor instantâneo da tensão, VP é
amplitude da onda (comumente chamado de tensão
de pico) e θ (teta) é uma função do tempo dada por
θ = ωt , sendo ω a freqüência angular.
Figura 5.1 Tensão senoidal
VALOR DE PICO A PICO8 (VPP). É muito comum
utilizar o termo tensão de pico a pico, cujo seu valor
é dado pela diferença entre o valor máximo e o valor
mínimo da tensão alternada.
VPP = Vmax − Vmin ou VPP = 2VP Eq. 5.2
VALOR EFICAZ (RMS)9, é um valor médio da
tensão senoidal a qual ao passar por um resistor
dissipa uma potência equivalente a de uma fonte de
tensão continua, é muito comum representar um
valor de tensão RMS por Vac.
VRMS = 0, 707VP Eq. 5.3
2.TRANSFORMADOR ELÉTRICO
Um transformador ideal consiste em duas
bobinas, com números de espiras diferentes
enrolados em torno de um núcleo de ferro. O
enrolamento primário, com N1 espiras, está ligado a
um gerador (cc) cuja fem é dada por v = VP sen ωt ,
essa tensão alternada no enrolamento primário cria
uma campo magnético variável o qual é transferido
para o enrolamento secundário (N2 espiras) através
de um núcleo10.
Pela lei de indução de Faraday, a fem
induzida por espira Vesp, é a mesma nos
enrolamentos primários e secundários, deste modo:
8
Também chamada de tensão de pico a pico.
9
Termo inglês (Root Mean Square).
Geralmente o núcleo é de ferro ou ferrite.
 d Φ B VP1 VP 2
Vesp = = = Eq. 5.4
dt N1 N 2
Com um pouco de álgebra podemos
reescrever de forma mais conveniente a Eq. 5.4
como:
N
VP 2 = 2 VP1 Eq. 5.5
N1
onde N1:N2 é chamado de relação de espiras.
Observe que de acordo com a Eq. 5.5 se
N2>N1, o transformador eleva a tensão no
secundário enquanto que N2<N1 o transformador
abaixa a tensão no secundário.
Figura 5.2. Transformador.
3. RETIFICADOR DE MEIA ONDA
É o circuito elétrico mais simples capaz de
converter uma (ca) em uma (cc), veja Fig. 5.3.
Figura 5.3 (a) Circuito retificador de meia onda.
(b) Sinal retificado na carga.
No circuito retificador de meia onda o diodo
deixa passar à corrente quando está diretamente
polarizado, assim os semiciclos positivos (diodo
diretamente polarizado) a corrente circula por ele,
enquanto que semiciclos negativos (diodo
reversamente polarizado) não há passagem de
corrente. Por convenção, o 1º semiciclo positivo tem
sentido horário e o 1º semiciclo negativo sentido
anti-horário. O sinal de saída Fig. 5.3(b) é chamado
sinal de meia onda.
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 19
VALOR CC OU TENSÃO MÉDIA, valor medido
com o voltímetro sobre a carga RL o qual é dado por
VPL/π (VPL é a tensão de pico na carga) que pode ser
escrito como.
Vcc = 0, 318VPL Eq.5.6
onde VPL = VP2 Eq.5.7
e o fator π vem em decorrência de ter apenas metade
de um ciclo completo (ciclo completo possui um
comprimento 2π).
A CORRENTE DE CARGA (Icc) pode ser
calculada através da lei de Ohm, isto é,
VCC
I CC = Eq.5.8
RL
FREQÜÊNCIA DE SAÍDA, a freqüência de saída
de um circuito meia onda é igual à freqüência de
linha (entrada), isto é, o tempo gasto para a onda
começar a se repetir (período) é o mesmo da linha.
ANÁLISE GRÁFICA DO RETIFICADOR DE
MEIA ONDA, no primeiro semiciclo positivo o
diodo está diretamente polarizado e conduz corrente
elétrica (chave fechada) de modo que a tensão sobre
ele é zero e toda tensão fica então aplicada sobre a
carga RL enquanto que no primeiro semiciclo
negativo o diodo esta reversamente polarizado e não
conduz corrente elétrica (chave aberta). Assim toda
a tensão da fonte está aplicada sobre o diodo e a
tensão na carga RL é zero, veja Fig. 5.4 e compare as
tensões no diodo e na carga. Observe que a soma da
tensão sobre o diodo mais a tensão sobre a carga é
igual à tensão da fonte, visto que a tensão da fonte é
distribuída para o diodo e para a resistência de carga
(RL).

Figura 5.4 As tensões aplicadas sobre o diodo e a
resistência de carga
4. RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA
COM TOMADA CENTRAL (CENTERTRAP)
Esse tipo de retificador é a união de dois
retificadores de meia onda conforme a Fig 5.5. Na
parte superior circuito temos a retificação do
semiciclo positivo enquanto que na parte inferior do
circuito a retificação do semiciclo negativo.
A tensão no primário e no secundário é a
mesma do circuito meia onda, porém, devido à
tomada central está aterrada cada semiciclo do
secundário tem apenas a metade do seu valor de
pico.
VP2
VPL = Eq.5.9
2 Assim, quando D1 está no semiciclo positivo (passa
Figura 5.5 (a) Circuito retificador de onda
completa (centertrap), (b) Sinal retificado.
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VALOR CC OU TENSÃO MÉDIA, a tensão média
com retificação completa é o dobro do valor medido
em um retificador de meia onda. Observe que a
tensão (VCC) sobre a carga RL é dada por 2VPL/ π que
pode ser escrito como.
Vcc = 0, 636VPL Eq.5.10
Observe que o valor médio na retificação completa é
o dobro da retificação meia onda.
A CORRENTE DE CARGA (Icc) pode ser
calculada através da lei de Ohm, isto é,
VCC
I CC = Eq.5.11
RL
FREQÜÊNCIA DE SAÍDA, a freqüência de onda
completa é igual ao dobro da freqüência de linha
(entrada), isto é, o tempo gasto para a onda começar
a se repetir (período) é a metade da freqüência de
linha. Por quê? Porque no retificador de onda
completa temos condução nos dois semiciclos de
modo que a onda repete na carga a cada semiciclo do
primário.
f out = 2 fin Eq.5.12
ANÁLISE GRÁFICA DO RETIFICADOR DE
ONDA COMPLETA COM TOMADA CENTRAL,
devido à tomada central o diodo D1 tem o sinal
adiantado 90º em relação ao sinal no diodo D2.
corrente), D2 está no semiciclo negativo, isto é,
reverso (bloqueia a corrente) e vice-versa de modo
que sempre metade da tensão do secundário está
aplicada sobre a carga RL.
Seguindo passo a passo o que ocorre no
retificador de onda completa (Fig. 5.6), observa-se
que inicialmente D1 (diretamente polarizado) a
tensão sobre ele é zero de modo que a tensão está
aplicada diretamente na carga e D2 (reversamente
polarizado) a ddp da outra metade da derivação
central está toda sobre ele. Assim a tensão na carga é
simplesmente a metade da ddp no secundário esse
processo é invertido quando o sinal de entrada
inverte a polaridade resultando nos gráficos da
Fig.5.6. Note que a soma das tensões sobre o diodo
D1, sobre o diodo D2 e sobre a carga para qualquer
instante é igual à tensão da fonte, isto já era de se
esperar visto que a tensão da fonte está distribuída
para os diodos (D1 e D2) e para a resistência de Desprezando a queda de tensão através do diodo (1ª
carga (RL) e que todos os semiciclos negativos são aproximação), a tensão de pico na carga VPL é a
ceifados11 pelos diodos. metade deste valor devido à derivação central:
V 56, 6
VPL = P 2 = = 28,3V
2 2
A tensão de carga cc de carga é dada por:
VCC = 0, 636(28,3) = 18V
A corrente de carga cc é dada pela lei de ohm.
V 18
I CC = CC = = 265mA
RL 68
A corrente direta Io através do diodo é a metade
desta, pois cada diodo conduz metade do tempo:
I 265
I 0 = CC = = 132mA
2 2
A tensão inversa de pico VIP de um centertrap é
sempre igual à tensão de pico no secundário VP2.
VIP = 56, 6V

Figura 5.6. Os sinais de tensão em cada 5. RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM

componente do circuito retificador de onda
completa tomada central.
Exemplo
O transformador da Fig. 5.7 tem uma
espiras 3:1. Utilizando diodos ideais
calcule a tensão de carga cc. Ache
corrente direta através de cada diodo Io
reversa de pico nos diodos (VIP).
PONTE.
O Retificador em ponte com 4 diodos é a
forma mais eficiente de se fazer uma retificação de
relação de onda completa, pois ele alcança a tensão de pico de
(VD = 0) um retificador de meia onda (VP2=VPL) e
também a conseqüentemente um valor médio mais alto de
e a tensão retificador de onda completa. A Fig. 5.8 mostra um
retificador em ponte com quatro diodos. Nos
semiciclos positivos os diodos D2 e D3 estão
diretamente polarizados, enquanto que os diodos D1
e D4 estão reversamente polarizados já nos
semiciclos negativos ocorre o inverso, observe que
para qualquer que seja o semiciclo a tensão aplicada
na carga RL é a mesma.

Figura 5.7 retificador de onda completa tomada

central (centertrap).
Primeiramente devemos calcular a tensão RMS no
secundário V2
N 1
V2 = 2 V1 ⇒ V2 = 120 ⇒ V2 = 40VRMS
N1 3
a partir de V2, podemos calcular a tensão de pico VP2
V2 40
VP 2 = = = 56, 6V
0, 707 0, 707

Figura 5.8. Circuito retificador em ponte e a onda

retificada.
11
Bloqueados pelo diodo.
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A tensão de pico na carga no retificador em ponte
VPL é a mesma tensão de pico do secundário, pois
toda tensão do secundário aparece sobre a carga RL.
VPL = VP2 Eq.5.13
Como o retificador e de onda completa ele possui o
mesmo valor médio ou cc do tomada central.
7. FILTRAGEM DE ONDA COM CAPACITOR
DE ENTRADA
Como foi visto anteriormente, a tensão de um
retificador apesar de ser continua é uma corrente
pulsante, para converter essa corrente para corrente
continua mais constante precisamos utilizar um
filtro, isto é, um capacitor.

Vcc = 0,636 VPL Eq.5.14 FILTRAGEM DA MEIA ONDA

A freqüência de saída de um retificador em ponte é Com a introdução do capacitor no circuito

o dobro da freqüência de linha. retificador meia onda a tensão torna-se praticamente
f out = 2 f in Eq.5.15 constante conforme a Fig. 5.9. Por quê? A fonte de
tensão senoidal com tensão de pico VP conduz
6. QUADRO COMPARATIVO DE EQUAÇÕES corrente diretamente até no primeiro quarto de ciclo
DOS RETIFICARES DE ONDA quando atinge o valor VP. Atingido o valor máximo
nesse instante o capacitor está carregado com uma
tensão VP, como o valor da tensão na fonte começa a
cair o capacitor começa a descarregar devido seu
Meia Onda valor de tensão ser ligeiramente maior do que a
1ª aproxi... 2ª aproxi... fonte, assim o capacitor polariza o diodo
Nº de diodos 1 1 reversamente e o diodo para de conduzir.
VPL VP2 VP2 – 0,7
VCC 0,318 VPL 0,318 VPL
Icc Vcc/RL Vcc/RL
VIP VP2 VP2
fout fin fin
Onda Completa Tomada Central
1ª aproxi... 2ª aproxi...
Nº de diodos 2 2
VPL VP2/2 (VP2 –1,4)/2
VCC 0,636 VPL 0,636 VPL
Figura 5.9. Circuito meia onda com filtro e a
Icc Vcc/RL Vcc/RL
onda filtrada.
VIP VP2 VP2
fout 2fin 2fin Estando o diodo reversamente polarizado (chave
Onda Completa em Ponte aberta), o capacitor descarrega na carga RL, porém
1ª aproxi... 2ª aproxi... antes que a tensão do capacitor chegue a um valor
Nº de diodos 4 4 baixo a tensão da fonte já atingiu a tensão de pico VP
VPL VP2 VP2 – 1,4 novamente de forma a recarregar o capacitor. Esse
VCC 0,636 VPL 0,636 VPL fenômeno ocorre devido a constante de tempo de
Icc Vcc/RL Vcc/RL descarga do capacitor (τ = RC) ser muito maior que
VIP VP2 VP2 o período T do sinal de linha.
fout 2fin 2fin

Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 22
 I DC
FILTRAGEM DE ONDA COMPLETA VOND = Eq.5.16
f out C
Em um retificador de onda completa a freqüência Ex. 5.1
de ondulação é o dobro da freqüência de um Um retificador em ponte com filtro capacitivo tem
retificador meia onda, logo o capacitor é carregado uma tensão de entrada de 220VRMS. Se a relação de
com uma freqüência duas vezes maior, isto é, o espiras do transformador é de 2200:127, a
tempo de descarga é duas vezes menor que o meia capacitância de 470µF e a resistência de carga 1kΩ.
onda, o que implica em uma ondulação menor e uma Qual a corrente media na carga e a tensão de
tensão de saída cc mais próxima da tesão de pico VP. ondulação de saída? Considere a queda dos diodos
Solução
A tensão RMS no secundário V2 é dada por
N 127
V2 = 2 V1 ⇒ V2 = 220 = 12, 7V
N1 2200
O valor de pico da tensão no secundário VP2 é
V2 12, 7
VP 2 = ⇒ VP 2 = 17,96V
0, 707 0, 707
Considerando a queda dos diodos, temos que a
tensão média na carga VDC é.
VDC = 17,96 − 1, 4 = 16,56V
Figura 5.10. Circuito onda completa (tomada De posse do valor da tensão média na carga,
central) com filtro e a onda filtrada. podemos calcular a corrente média de carga.
V 16,56
I DC = DC ⇒ I DC = = 16,56mA
Em um retificador onda completa em ponte RL 1k
(Fig. 5.11) o sinal de saída filtrado é igual ao Com o valor da corrente media e utilizando a
retificador tomada central. Eq. 5.16 podemos calcular a tensão de ondulação na
saída do retificador.
16,56m
VOND = = 0, 293V
120 ⋅ 470 µ
Observe que a freqüência não é dada no
problema, mas supomos a freqüência padrão de rede
no Brasil que é de 60Hz, e como o retificador é onda
completa em ponte a freqüência de saída é o dobro.
Se quisermos um valor mais preciso ainda da
tensão média calculamos a tensão média levando em
Figura 5.11. Circuito onda completa (ponte) com consideração a ondulação, a tensão com ondulação
filtro e a onda filtrada. (VCC) é dada por:
V
Comercialmente o sistema retificador utilizado é VCC = VDC − OND Eq.5.17
o retificador em ponte devido ele ser onda completa, 2
a tensão ideal de pico é praticamente igual à tensão
de pico no secundário e não necessita de um Se aplicarmos a Eq. 5.17 para o exmplo acima
enrolamento secundário com derivação central. obtemos VCC= 16,41V. Como a ondulação é de um
A tensão de ondulação, isto é, a diferença entre o modo geral bem pequena, quase não altera o valor da
valor máximo e mínimo de tensão no sinal de saída tensão média, isto é, VCC VDC .
filtrado VOND12 é dado pela equação:

12
Essa tensão é comumente chamada de tensão de ripple.
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 Exercícios de aprendizagem V 3. No transformador da Fig. 5.13 de relação
11:3 a tensão de pico no primário é 155,58V com
freqüência de 50Hz. Sabendo que a resistência de
Circuitos retificadores. carga vale 50Ω. Calcule:
a)A corrente direta no diodo e a tensão inversa
Questões de pico.
b)A potência total do circuito.
1) O que são correntes alternadas?
2) Explique o funcionamento de um transformador
elétrico.
3) Explique o que é tensão RMS e tensão de pico.
4) O que são circuitos retificadores?
5) Dado um retificador de meia onda com fonte
senoidal. Desenhe as formas de onda da fonte, Figura 5.13 Retificador Tomada central
do diodo e da carga em um único gráfico. Faça
uma análise bem detalhada. 4. Se a tensão do secundário for de 60VRMS na
6) Qual é a principal diferença em termos de Fig. 5.14, qual dos diodos da tabela tem
circuito entre um retificador de meia onda e um especificações I0 e VIP suficiente para serem
retificador de onda completa tomada central? utilizados no circuito.
7) Qual a vantagem de se usar um retificador de Diodo I0 VI P
ponte ao invés de um retificador tomada central? 1N914 50mA 20V
8) Explique o processo de filtragem da onda em um 1N3070 100mA 175V
retificador com filtro (capacitor). 1N4002 1A 100V
1N1183 35A 50V
Problemas

1. Sabendo que o transformador da Fig. 5.12 tem

uma relação de espiras 22:2 e que RL=3kΩ. Calcule
usando a primeira aproximação:
a)A tensão de pico no secundário e a tensão de
pico na carga;
b)O valor cc (VCC) e a freqüência de saída; Figura 5.14 Retificador tomada central.
c)A corrente média na carga e a corrente direta
através do diodo (I0). 5. Na Fig. 5.15, a tensão no secundário é de 40
d)A potência no diodo e a potência no circuito. VRMS. Determine utilizando a primeira
e)Ache a tensão inversa de pico (VIP) no diodo. aproximação:
f)Desenhe a forma de onda desse retificador a)a tensão e a corrente de carga cc;
indicando os valores calculados no gráfico. b)a corrente média através de cada diodo;
c)a tensao inversa de pico em cada diodo;
d)a potência total do circuito e a freqüência de
saída.

Figura 5.12 Circuito retificador meia onda.

2. Repita o exercício anterior utilizando a

segunda aproximação, isto é, considerando a queda
Figura 5.15 Retificador em ponte.
de tensão no diodo.

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6. Repita o exercício anterior utilizando a
segunda aproximação.
7. Quais dos diodos do exercício 4 tem
especificações suficientes para serem utilizados no
circuito da Fig.5.15.
8. Supondo que a corrente de carga cc seja de
aproximadamente 10mA e a capacitância 470µF.
Admitindo um retificador em ponte e uma
freqüência de linha de 60Hz. Calcule a tensão de
pico a pico da ondulação (VOND) de saída.
9. Dadas as mesmas condições do exercício
anterior. Calcule a tensão de pico a pico da
ondulação que sai de um retificador de meia onda.
Compare os valores.
10. Um retificador em ponte com filtro com
capacitor de entrada tem uma tensão na saída de
25V. Se a resitência de carga for de 220Ω e a
capacitância de 500µF, qual a ondulação de pico a
pico?
11. Sendo a tensão no secundário no circuito da
Fig.5.16 de 21,2VRMS. Determine:
a)a tensão de carga cc sendo C = 220µF;
b)a ondulação de pico a pico;
c)as especificações mínimas I0 e VIP dos diodos.
d)a tensão media com ondulação (veja ex. 5.1)
PARTE VI – DIODOS COM FINALIDADES
ESPECÍFICAS
1. DIODOS ZENER
Os diodos Zener são diodos especiais projetados
para trabalharem na região de ruptura, também
chamados de diodos de ruptura. O diodo Zener tem
grande aplicação na eletrônica, eles funcionam como
reguladores de tensão. Variando-se o nível de
dopagem desses diodos podemos obter diodos Zener
com tensões de ruptura de 2V até 200V.
A Fig. 6.1 mostra o símbolo de circuito de um
diodo Zener em um circuito regulador de tensão,
observe que o símbolo de um Zener é muito
semelhante a um retificador, porém com uma linha
assemelhada com a letra Z de Zener.
Figura 6.1 Circuito simples com diodo Zener.
É fácil de perceber que o diodo Zener do circuito
da Fig. 6.1 está reversamente polarizado, visto que
ele trabalha na região Zener (localizada na zona
reversa), apesar de operar também nas regiões direta
e de fuga.

Gráfico I–V e especificações de um diodo Zener

O gráfico I–V de um diodo Zener pode ser
visto na Fig. 6.2. Observe que a tensão Vz é
Figura 5.16. Retificador ponte com filtro. praticamente constante para quase toda região
Zener ruptura.
12. No circuito da Fig. 5.17 a tensão no secundário
é de 60 VRMS e a capacitância 470µF. Calcule a
tensão média com ondulação de saída.

Figura 5.17 Retificador tomada central com

filtro. Figura 6.2. Gráfico I – V de um diodo Zener.

Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 25
 As folhas de dados geralmente especificam a então podemos fazer a reta de carga a partir da Eq. 2
tensão Zener VZ para uma determinada corrente de que se reduz a:
teste IZT conforme vista no gráfico I–V e IZM é a 20 − VZ
máxima corrente Zener especificada. A corrente IZM IZ = (3)
pode ser calculada através do quociente da potência
1000
Da Eq. 3 temos a seguinte reta de carga mostrada
Zener máxima (PZM) pela tensão Zener VZ,
na Fig. 6.4, observe que possui duas retas de carga
conforme a Eq. 6.1 abaixo.
na Fig 6.4, pois uma VS = 20V e a outra VS = 30V.
PZM
I ZM = Eq.6.1
VZ
Apesar da curva I–V na região Zener ser quase
vertical13 ela possui uma pequena inclinação, tal
inclinação se deve ao fato do diodo Zener possuir
uma pequena resistência Zener ou impedância Zener
que é representada por RZ ou ZZ.

2. CIRCUITO REGULADOR DE TENSÃO

Como visto anteriormente no gráfico I–V do
diodo Zener a região de ruptura mantém uma tensão
quase constante mesmo que a corrente varie, isto é,
o diodo Zener estabiliza a tensão sobre ele.
Figura 6.4 Reta de carga de um diodo Zener.
Devido esta propriedade da região Zener do
diodo Zener ele é chamado também de diodo
Analisando o gráfico da Fig. 5.4, vê se que apesar
regulador de tensão. Em funcionamento normal um
da fonte VS aumentar seu valor de 20V para 30V o
diodo Zener deve ser polarizado reversamente, pois
ponto de operação teve sua tensão quase inalterada.
ele trabalha na região reversa, além disso, a tensão
Assim podemos dizer que o diodo Zener funciona
VS da fonte deve ser maior que a tensão VZ do Zener
como um regulador de tensão.
para ativar o diodo. Nos circuitos Zener o diodo
Zener sempre deve estar ligado em série com uma
Aproximações de um diodo Zener
resistência limitadora de corrente RS conforme a Fig.
6.3.
Como a tensão de ruptura Zener é quase
constante mesmo que a corrente varie, podemos
considerar em um caso ideal (especial) que a tensão
de ruptura Zener seja constante para qualquer
corrente de modo que podemos aproximar o diodo
Zener a uma fonte de tensão de valor VZ conforme a
Fig 6.5.
Figura 6.3. Circuito Zener simples.

Aplicando a lei das malhas no circuito da Fig 6.3.

encontramos a seguinte Eq. Figura 6.5. Aproximação de um diodo Zener
V − VZ ideal
IZ = S (2)
RS
Em alguns projetos elétricos precisa-se de uma
Observe que a corrente que passa pela resistência
melhor precisão, assim recorremos a uma melhor
é a mesma do Zener. A Eq. 2 pode ser usada para
aproximação, a segunda aproximação. Na segunda
fazer a reta de carga como foi feita para os diodos
aproximação a pequena inclinação do gráfico I – V
retificadores. Suponha que VS = 20V e RS =1kΩ,
se dá devido à resistência Zener, que apesar de ser
pequena, faz com que a tensão varie alguns décimos
13
Curva quase paralela ao eixo das correntes
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de volt para variações consideráveis de corrente. Na
segunda aproximação, o diodo Zener pode ser
imaginado como uma fonte de tensão em série com
a resistência Zener, veja Fig 6.6.
Figura 6.6. Segunda aproximação de um diodo
Zener.
Na segunda aproximação à queda de tensão sobre
o diodo Zener aumenta por um fator IRZ à medida
que a corrente aumenta. É fácil verificar que nesta
aproximação a variação de tensão em função da
corrente é dada pela equação:
∆VZ = ∆I Z RZ (4)
Circuito regulador Zener
No circuito regulador com a carga devemos
colocar a carga em paralelo com o diodo Zener
conforme a Fig 6.7.
Figura 6.7. Circuito regulador Zener.
Apesar do circuito regulador Zener ser de duas
malhas, suas características I – V permanecem a
mesma. Em um circuito regulador a primeira coisa a
fazer é verificar se está reversamente polarizado e
em funcionamento na região de ruptura. Para
verificar o funcionamento do diodo Zener é preciso
calcula a tensão aplicada aos terminais do diodo.
Calculando a tensão de Thèvenin através do diodo
encontramos:
RL
VTH = VS (5)
RS + RL
Como vimos, a tensão Zener deve ser menor que
a tensão da fonte, isto é, VTH>VZ. Se o circuito não
satisfizer esta condição, o Zener não está em
funcionamento.
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Se o diodo estiver funcionando, então devemos
verificar a corrente que passa por ele, para isto
calculamos primeiro a corrente através da resistência
limitadora RS, aplicando a lei das malhas no circuito
da Fig 6.7 temos que a corrente IS através da
resistência RS é dada por:
VS − VZ
IS = (6)
RS
Como o diodo Zener e a resistência de carga estão
em paralelo, sendo a resistência Zener muito
pequena, podemos dizer que a tensão Zener é
aproximadamente igual à tensão na carga.
VL ≅ VZ (7)
Pela lei de Ohm, temos então que a corrente de
carga através de RL é:
VL
IL =
VZ
IL = ou (8)
RL RL
Aplicando a lei dos nós no circuito da Fig 6.7
temos que a corrente que passa no Zener mais a
corrente de carga é igual a corrente da resistência
série. Assim podemos equacionar a corrente Zener
como sendo:
IZ = IS − IL (9)
A ondulação da tensão pelo resistor de carga
alimentado pelo circuito regulador Zener se deve ao
fato da fonte ser um sinal retificado e filtrado, porém
com uma pequena ondulação. Devido a ondulação
da fonte há uma ondulação de tensão na resistência
série de forma que a corrente também varia.
Figura 6.8. Circuito regulador.
Demonstra-se facilmente que essa variação de
tensão em função da variação de corrente é dada por:
∆VS ≅ ∆I S RS (10)
A proporção entre a variação de tensão na
resistência série e a variação de tensão no Zener
pode ser escrita como:
 ∆VZ ∆I Z RZ
≅ (11) Exercícios de aprendizagem V
∆VS ∆I S RS
Reguladores de Tensão.
Para uma resistência de carga constante a
variação de corrente Zener é igual à variação 1) Um regulador Zener sem carga (RL) tem uma
corrente na fonte. Assim podemos reescrever a Eq. tensão de alimentação de 20 V, uma resistência
11 como: de série de 330 Ω e uma tensão Zener de 12 V.
∆VZ RZ Qual a corrente no diodo Zener?
≅ (12) 2) Se o resistor em série do problema anterior
∆VS RS
possuir uma tolerância de ± 10 %, qual será a
Observe que ∆VS é a ondulação de entrada e ∆VZ corrente máxima no Zener?
a ondulação de saída do regulador, como a 3) O diodo Zener da Fig 6.9 abaixo tem VZ = 10V.
resistência Zener RZ é muito menor que a resistência Utilize a aproximação ideal para calcular a
limitadora RS, logo a ondulação de saída é muito corrente Zener mínima é máxima.
menor que a ondulação de entrada. Assim está
provado que o diodo Zener é um regulador de
tensão.
É importante verificar se o Zener está ou não
fazendo regulação no circuito, principalmente
quando a tensão da fonte baixa, pois o Zener sai da
região de ruptura, isto é o Zener desliga. Quando Figura 6.9
isto ocorre temos que; 4) Suponha que no exercício anterior o diodo Zener
VS (min) − VZ tenha uma resistência de 7Ω. Utilize a segunda
I S (min) = (13) aproximação para calcular a variação de tensão
RS (max) Zener quando a tensão da fonte variar de 20 a
que pode ser rescrito como 40V.
VS (min) − VZ 5) Faça as análises preliminares do regulador Zener
RS (max) = (14) da Fig 6.10 abaixo, isto é, calcule VTH, IS, IL e IZ.
I S (min)
Como visto anteriormente,
IZ = IS − IL (15)
Que em um caso extremo de funcionamento de
baixa tensão pode ser escrito na forma
Figura 6.10
I Z (min) = I S (min) − I L (max) (16) 6) Suponha que a tensão no circuito da Fig. 6.11
possa variar até 0 V. Em algum lugar desta faixa
O ponto mais crítico ocorrerá quando a corrente o diodo Zener não manterá a regulagem. Calcule
Zener mínima chegar a zero, o que indica que a tensão de alimentação no qual a regulagem será
perdida.
I L (max) = I S (min)
(17)
Substituindo a Eq. 17 na Eq. 14 obtemos uma
relação muito útil em projetos elétricos.
VS (min) − VZ
RS (max) = (18)
I L (max)
Figura 5.11
Onde RS(max) é a resistência crítica, isto é, a
máxima resistência em série que pode ser usada no
circuito regulador.
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7) Qual será a dissipação de potência nos resistores
e no diodo Zener do circuito da Fig. 6.11?
8) No circuito pré-regulador da Fig. 6.12 encontre s
ondulação final de saída.
Figura 6.12
9) Um diodo Zener tem uma tensão de 10 V e uma
corrente de 20 mA. Qual a dissipação de
potência no diodo?
10) Se o diodo Zener for desconectado do circuito
do exercício 6, qual será a tensão na carga?
11) O diodo Zener possui uma resistência Zener de
11,5 Ω. Se a fonte de alimentação tiver uma
ondulação de 1 V, qual será a ondulação no
resistor de carga (circuito do exercício 6).
12) Um regulador Zener tem uma tensão de entrada
de 15 a 20V e uma corrente de carga de 5 a
20mA. Se a tensão Zener for de 6,8V, que valor
deverá ter o resistor em serie?
13) Desenhe o diagrama elétrico de um regulador
Zener com uma fonte de alimentação de 25 V,
uma resistência em série de 470 Ω, uma tensão
Zener de 15 V e uma resistência de carga de
15kΩ. Qual é a tensão na carga e a corrente no
Zener?
14) Projete uma fonte que deve ser ligada a corrente
de Goiânia e que tenha um sinal retificado, o
mais constante possível e regulado. Após o
projeto calcule: a tensão de ondulação se houver
uma ondulação na saída do filtro de 5 V.
15) O que faz o circuito da Fig. 6.13?
Figura 6.13
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PARTE VI – TRANSISTORES
Introdução
Os transistores, inventados em 1948, são os
dispositivos mais importantes da atualidade. Os
transistores são os dispositivos que realmente
iniciaram a revolução da eletrônica da qual somos
testemunhas.
Os transistores são dispositivos:
• de três terminais.
• utilizados para controlar sinais elétricos, cuja
função é de amplificação e chaveamento da
corrente.
• que amplificam e controlam correntes grandes
a partir de correntes ou voltagens pequenas.
• que fazem chaveamento e são utilizados como
interruptores eletrônicos para permitir ou
bloquear a passagem de corrente sem ações
mecânicas.
• basicamente de dois tipos bipolares de junção
e ou de junção e os transistores de efeito de
campo ou FET (Field effect transistor).
1. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)
Os transistores bipolares são os transistores
propriamente ditos e são controlados por uma
corrente de entrada, enquanto que os transistores de
efeito de campo são dispositivos controlados por
voltagem (campo).
Fisicamente o transistor é formado por três
camadas semicondutoras dopadas e pode ser feito de
duas formas, duas camadas do tipo n intercaladas
por uma camada do tipo p (transistor do tipo npn) ou
duas camadas do tipo p intercaladas por uma do tipo
n (transistor do tipo pnp). Ambos desempenham a
mesma função, porém com sentidos de correntes
invertidos. O termo transistor bipolar de junção se dá
ao fato de que lacunas e elétrons participam do
processo de injeção no material opostamente
polarizado. A Fig. 7.1 mostra o aspecto construtivo
dos transistores.

Figura 7.1. Aspectos construtivos dos
transistores bipolar de junção TBJ. Observe que
seus terminais são representados pelas letras
maiúsculas E (emissor), B (base) e C (coletor) (a)
tipo npn e (b) tipo pnp.
¾ Emissor Æ Camada fortemente dopada cuja
função é emitir portadores de carga para a base
(elétrons no npn e lacunas no pnp).
¾ Base Æ Tem uma dopagem média e é muito
fina, pois sendo fina possibilita que a maioria
dos portadores de carga lançados pelo emissor
passem para o coletor.
¾ Coletor Æ Camada levemente dopada e muito
mais espessa que o emissor, sua função é coletar
os portadores de cargas da base emitidos pelo
emissor.
Operação do transistor
Para entendermos o funcionamento do transistor,
vamos basear em um transistor npn, visto que o
transistor npn é mais utilizado na prática e os
fenômenos em um transistor npn e um pnp são os
mesmo, invertendo apenas os sentidos de corrente.
Figura 7.2. Polarização direta.
Observando a Fig. 7.2 e lembrando dos
fenômenos que ocorrem em um diodo diretamente
polarizado e um reversamente polarizado é fácil
perceber que se polarizamos na junção Emissor-
Base e na junção Coletor-Base com polarização
direta, isso resultará numa grande corrente Emissor-
Base e uma grande corrente Coletor-Bases as quais
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se juntaram na base, tal corrente é formada pelos
portadores de cargas majoritários (elétrons livres)
conforme Fig 7.2.
Se polarizarmos ambas as junções reversamente
(Fig. 7.3) isso resultará em uma pequena corrente de
reversa de portadores de carga minoritários
composta pela corrente de saturação (portadores de
carga produzidos termicamente) e corrente
superficial de fuga. Desta forma vemos que ou
temos uma grande corrente quando os “diodos”
estão diretamente polarizados ou uma pequena
corrente reversa quando os “diodos” estiverem
reversamente polarizados.
Figura 7.3. Polarização reversa.
2. POLARIZAÇÃO DIRETA-REVERSA.
Quando se polariza um transistor com a
polarização direto reversa ocorre um fenômeno
inesperado, de fato ocorre o fenômeno transistor
“transfer –resistor”. Assim o “diodo emissor”
(emissor-base) é polarizado diretamente e o “diodo
coletor” (base coletor) é polarizado reversamente.
Da configuração direta-reversa o que é natural de
se esperar e que haja uma corrente considerável no
diodo emissor e uma baixa corrente reversa no diodo
coletor. Tal fato não ocorre, pois se verifica que a
corrente coletor é considerável e de magnitude
próxima da corrente do emissor.
Análise
Quando polarizamos o diodo emissor
diretamente, com uma tensão VEB conforme a Fig.
7.4., a junção emissor-base funciona como um diodo
polarizado diretamente, ou seja, circula uma corrente
considerável IB de portadores majoritários (elétrons
livres), além de uma pequena corrente em sentido
contrário devido aos portadores minoritários
(lacunas), “tal corrente é desprezível e na maioria
das vezes é desprezada na prática”.
Figura 7.4. Polarização direta da junção
Emissor-Base.
Polarizando agora o diodo coletor reversamente
com uma tensão VCB > VEB, observa-se que a
barreira potencial aumenta e assim diminuindo
drasticamente o fluxo de corrente de portadores
majoritários. Porém os portadores minoritários
atravessam a barreira com facilidade no sentido
contrário (veja Fig. 7.5), fazendo circular uma
corrente reversa, ainda menor e praticamente
desprezível, pois tais portadores são em número
pequeno.
Figura 7.5. Polarização reversa da junção
Coletor-Base.
Ao combinar as duas polarizações, forma-se a
polarização direta-reversa do transistor e o que se
obtém é um fluxo de corrente conforme mostrado na
Fig. 7.6.
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 31
Figura 7.6. Polarização completa de um
transistor em funcionamento base comum.
Na polarização direta-reversa um grande fluxo de
portadores majoritários (elétrons) serão injetados na
base devido a polarização direta no diodo emissor,
como o material do tipo p (Base) é muito fino e
apresenta uma baixa condutividade, um número
pequeno de tais portadores adotará este caminho de
alta resistência para o terminal da base. Assim
grande parte dos portadores majoritários (elétrons)
injetados na base se comporta como portadores
minoritários no diodo coletor devido a este estar
reversamente polarizado e como portadores
minoritários possuem uma grande facilidade de
passar em uma junção reversamente polarizada, este
portadores de carga passam facilmente pela barreira
de potencial do diodo coletor reversamente
polarizado. Em outras palavras podemos dizer que
houve a injeção de portadores minoritários na base,
portadores os quais possuem extrema facilidade para
passar numa junção reversamente polarizada.
Se aplicarmos a lei de Kirchhoff ao transistor da
Fig. 7.6 como se fosse um nó simples, obtemos
I E = IC + I B Eq.01
ou seja, a corrente no emissor e soma das
correntes no coletor mais a corrente de base, além
disso a corrente do coletor é composta pelos
portadores majoritários injetados na base (ICmajoritario)
mais os portadores minoritários da corrente de fuga
(ICO).
I C = I Cmajoritario + I CO Eq.02
Em transistores usuais, a corrente de base é da
ordem de microampères, enquanto a corrente de
coletor de da ordem de miliampères. Na maioria dos
transistores, mais de 95% dos elétrons injetados pelo
emissor na base fluem para o coletor e menos de 5%
preenchem lacunas e fluem para fora através do
terminal externo da base.
 Assim como qualquer outro componente de
circuito o transistor possui um símbolo de circuito
conforme pode ser visto na Fig. 7.7.
Figura 7.7. Símbolo de transistor bipolar de
junção utilizados em circuito.
A seta do símbolo gráfico do transistor indica o
sentido de corrente no emissor (fluxo convencional)
através do dispositivo. Note que tanto no transistor
npn quanto no transistor pnp a Eq. 01 é válida e que
as polarizações aplicadas são tais que estabelecem
uma corrente com o sentido indicado no símbolo.
Alfa CC
Como visto anteriormente, mais de 95% dos
elétrons injetados na base atingem o coletor,
significa dizer que a corrente do coletor e
praticamente igual a corrente do emissor. Assim
defini-se uma razão entre a corrente de coletor e
corrente de emissor definida como Alfa CC (αcc). O
Alfa CC de um transistor indica o quanto a corrente
de coletor se aproxima da corrente de emissor. O
Alfa CC é definido como
I coletor, como a polarização do coletor é reversa, o
α CC = C Eq.03
IE
Quanto mais fina e levemente dopada a base,
mais alto o valor de αcc. Idealmente o αcc = 1, ou
seja, todos os elétrons injetados pelo emissor
atravessam o coletor. Na maioria dos transistores αcc
é da ordem de 0,99, e praticamente todos têm a
αcc<1.
Resistência do espalhamento da Base
Como a base situa-se no meio do transistor, ela
possue duas camadas de depleção, uma pequena
entre a base e o emissor “polarização direta” e uma
maior entre a base é o coletor “polarização reversa”.
A resistência desse canal fino é chamada de
resistência de espalhamento da base r´B. Se
aumentar o valor de VCB (polarização reversa)
aumenta a camada de depleção reversa assim
diminuindo a largura da base, o que equivale ao
aumento de r´B.
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 32
A corrente de recombinação na base deve fluir
através de r´B, o que produze uma tensão.
Tipicamente essa resistência de espalhamento varia
entre 50 a 150Ω, entretanto pode chegar até a
1000Ω.
Tensões de ruptura
Como podemos considerar cada junção do
transistor separadamente como um diodo,
conseqüentemente cada diodo deve ter certa
semelhança com os diodos, assim quando se aplica
uma tensão reversa em demasia o diodo por sofrer
ruptura. O diodo emissor por ter um alto nível de
dopagem, este possui uma tensão de ruptura BVBE
baixa, tipicamente de 5 a 30V. Já o diodo coletor, o
qual é levemente dopado possui uma tensão de
ruptura (Blowout14 Voltage)BVCE da ordem de 20 a
300V.
3. CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM (EC)
A configuração de transistor chamada de
Emissor-Comum (Fig. 7.8) refere-se ao fato do
emissor ser comum à entrada e saída da
configuração. O fato de se colocar o emissor comum
não muda o funcionamento do transistor.
O emissor esta cheio de portadores majoritários
(elétron em npn) os quais serão injetados na base
assim que a tensão VBE for maior que 0,7 (transistor
de Si), esses elétrons injetados na base fluem para o
campo da camada de depleção empurra os elétrons
da base para o coletor, de onde fluem para a fonte.
Figura 7.8. Circuito com transistor na
configuração emissor comum (EC).
Beta CC
A relação entre a corrente do coletor e a corrente
do emissor é definida como αcc podemos também
definir a relação entre corrente do coletor e a
corrente da base. Para isso definimos Beta CC (βCC).
14
Termo inglês (rompimento explosão)
 IC
β CC = Eq.04
IB
Beta CC possui valores tipicamente entre 50 e
300, em alguns transistores chega até 1000.
Utilizando um pouco de álgebra podemos verificar
que a relação entre Beta CC (βCC) e Alfa CC (αcc) e
dada por
α CC
β CC = Eq.05
1 − α CC
Região Ativa
Para um transistor funcionar em um circuito
linear, tais condições são necessárias:
9 O diodo emissor deve estar diretamente
polarizado e com uma tensão de pelo menos 0,7
(transistor de Si).
9 O diodo coletor deve estar reversamente
polarizado e com uma tensão reversa menor que a
tensão de ruptura.

4. CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR
Para se descrever o comportamento de um
dispositivo de três terminais, como o transistor da
Fig. 7.8, são exigidos pelo menos dois conjuntos de
curvas características, uma para o ponto de
excitação (parâmetros de entrada) e outra para a
saída. O conjunto de entrada para um emissor
comum (Fig. 7.8) é a relação entre a corrente de
entrada IB vesus VBE.
Curvas da Base
Se observarmos, a junção Base-Emissor funciona
como um diodo diretamente polarizado, assim é de
se esperar um gráfico semelhante ao gráfico de um
diodo. Isto de fato ocorre, veja Fig. 7.7b. Apesar da
semelhança com a curva do diodo, os transistores
possuem mais variáveis. Assim quando aumentamos
o valor de VCE o coletor aumenta a camada de
depleção (CB) sobre a base. A assim a base captura
mais elétrons antes que haja a recombinação na
base. Este fenômeno faz com que a corrente de base
sofra uma pequena redução, entretanto essa redução
é mínima, uma vez que a quantidade de elétrons
injetados na base não dependem de VCE.
Figura 7.7. (a) Circuito Emissor-Comum simples
e (b) curvas de base para o circuito em “a”.
Curvas de coletor
Quando relacionamos o conjunto de parâmetros
de saída, isto é, a corrente de saída (corrente do
coletor IC) a uma tensão de saída (tensão entre o
coletor é o emissor VCE) obtemos as curvas do
coletor, para isto basta montar um circuito como o
da Fig. 7.7a. A idéia básica para plotar as curvas é
manter um parâmetro de entrada (corrente de base) e
variar a tensão VCE e verificar o que ocorre com a
corrente no coletor IC. Assim, fixando a corrente de
base e variando a tensão de saída VCE e medindo a
corrente do coletor obtemos uma curva como a Fig.
7.8a.

Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 33
 corrente de base IB controla uma grande corrente no
coletor IC.

Figura 7.8. Curva do coletor para o circuito da
Fig. 7.7a: (a) Curva do coletor para uma corrente de
base IB 30µA e (b) curvas do coletor para varias
correntes de base fixadas.
Corte e Ruptura
Nas curvas de coletor mostradas na Fig. 7.8a,
existe uma curva mais baixa a qual ocorre quando a
corrente de base é zero. Se a corrente de base e zero
(IB = 0) isso equivale a dizer que o terminal da base
esta aberto. A corrente de coletor para a condição IB
= 0 é chamada de ICEO (corrente do coletor para o
emissor com a base open “aberta”), tal corrente é
produzida parcialmente pelos portadores de carga
produzidos termicamente e também a corrente
superficial “fuga”. A corrente ICEO também é
chamada de corrente de corte, pois quando IB = 0 o
transistor entra em corte, isto é, para de funcionar.
Outro ponto importante da curva do coletor é a
tensão de ruptura BVCEO, pois se aplicar-mos uma
tensão VCE > BVCEO o diodo coletor sofre ruptura e a
corrente aumenta drasticamente. Um bom projeto
deve manter o valor de VCE <(1/4)BVCEO.

A principio a curva do coletor parece complexa,

mas é simples de se entender, primeiro analisemos a
origem da curva. Quando a tensão entre o coletor e o
emissor do transistor VCE = 0, o diodo coletor não
esta reversamente polarizado e portanto a corrente
no coletor e muito pequena (desprezível), para VCE
entre 0 e aproximadamente 1V, a corrente do coletor
aumenta rapidamente. Este fenômeno se deve a fato
que necessita de aproximadamente 0,7V para se
começar a reverter a polarização do diodo coletor;
uma vez que atingiu este nível, o coletor começa a
“puxar” quase todos os elétrons injetados na base
pelo emissor. Entre 1V até a região de ruptura do
diodo coletor, a corrente de coletor permanece
praticamente constante, uma vez que o aumento de
VCE simplesmente faz com que a camada de
depleção entre o coletor e a base aumente e assim
Figura 7.9. Corrente de corte e tensão de ruptura.
alguns elétrons adicionais são capturados pelo
coletor, entretanto essa variação de corrente é
Tensão de saturação
praticamente imperceptível, pois a quantidade de
Quando VCE está próximo de zero o diodo coletor
elétrons injetados na base depende da tensão de
ainda não se encontra ainda reversamente polarizado
entrada VBE o qual está fixo. Esta região entre 1V e
e funciona como uma pequena resistência ôhmica, o
a tensão de ruptura é chamada região de compliance.
que indica que o transistor ainda não esta em
Na região de compliance o transistor funciona
funcionamento normal. Assim na região da curva
como fonte de corrente, onde uma pequena de
entre VCE = 0 e a tensão de joelho (próxima de 1V) é
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 34
chamada de região de saturação, conforme pode ser Tensão do coletor para o V 40V
visto na Fig. 7.10a. emissor com a base aberta CEO
Tensão entre o coletor e a V 60V
base com o emissor aberto CBO
Tensão do emissor para base V 6V
com o coletor aberto EBO
Corrente máxima cc do IC 200m
coletor A cc
Potência máxima do transistor P 310m
D W

A potencia máxima do transistor PD pode ser

calculada através da Eq.6, por exemplo, para um
transistor 2N3904 com uma tensão VCE = 25 e IC =
10mA a potência e 250mW.

PD = VCE I C Eq. 6

Linha de carga cc (reta de carga)

Para verificar o funcionamento do transistor e

Figura 7.10. Curva do coletor: (a) Uma das
curvas do coletor indicando a região de saturação e
(b) curvas do coletor indicando as quatro regiões:
saturação, ativa, corte e ruptura.
comum utilizar uma forma gráfica chamada de linha
de carga cc. A linha de carga cc ou simplesmente
reta de carga é uma forma gráfica de verificar o
ponto de operação de um transistor no circuito. Para
encontrar a linha de carga cc, basta aplicar a lei das
malhas no circuito da Fig. 7.11a na malha composta
pela fonte VCC e o coletor- emissor.

Conforme pode ser visto na Fig. 7.10b, para que

o transistor esteja na região ativa é necessário que a
tensão VCE esteja entre a tensão mínima de
funcionamento (VCE(sat)) e a tensão máxima (BVCE),
onde VCE(sat) é a tensão de saturação (VCE(sat) = VCE).
Assim na área escura da curva do coletor (Fig 7.10b)
é a região que o transistor bipolar de junção
funciona como fonte de corrente.

Especificações dos transistores.

De um modo geral os transistores de pequeno

sinal dissipam até meio watt de potência, entretanto
existem alguns transistores de potência que dissipam
mais de meio watt. Assim apenas de modo
ilustrativo mostramos aqui alguns especificações
Figura 7.11. (a) Circuito EC e (b) curva do
para um transistor 2N3904, sendo elas:
coletor e linha de carga cc.

Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 35
 Aplicando a lei das malhas na malha coletor- TRANSISTOR COMO CHAVE
emissor temos
V −V De posse dos conceitos ponto de saturação e
VCC − I C RC − VCE = 0 ou ainda I C = CC CE Eq. 7 ponto de corte, podemos fazer a aplicação mais
RC
simples do transistor, a operação do transistor como
Observe que a Eq. 7 é uma função do primeiro
chave. Um transistor operando como chave é um
grau e portanto o seu gráfico é uma reta (linha de
transistor que tem seu funcionamento na região de
carga cc). Para traçarmos esta reta basta resolver-
saturação ou na região de corte. É fácil de perceber
mos a equação para os extremos. Assim temos os
que se o transistor esta saturado, ele se comporta
seguintes pontos.
como uma chave fechada ao passo que se o
Se VCE = 0 logo,
transistor esta em corte, este funciona como uma
V
I C = CC (superior) Eq. 8 chave aberta.
RC
e se IC = 0, então

VCE = VCC (inferior) Eq. 9.

A partir destes dois pontos podemos então traçar

a linha de carga cc, observe que onde a linha de
carga cc faz intersecção com a curva de coletor para
um dado valor de IB é o ponto de operação do
transistor como fonte de corrente. Além disso, o
ponto de intersecção da linha de carga cc com a
corrente de base IB = 0 indica o ponto de corte do
transistor, enquanto o ponto de intersecção com a
tensão de joelho na região de saturação indica o
ponto de saturação do transistor.
Baseados então na reta de carga e fazendo uma
aproximação podemos dizer que a tensão de corte é
aproximadamente igual à tensão VCC, uma vez que a
corrente de base IB no corte é desprezível. Desta
forma temos

VCE(corte) ≈ VCC Eq. 10.

Figura 12. (a) Circuito de chaveamento do
Ainda observando na reta de carga, podemos
transistor na forma simplificada, (b) linha de
verificar que a intersecção da reta de carga com a
carga cc.
curva do coletor para IB = IB(sat). Tal ponto é
chamado de saturação, o valor de corrente neste
Aplicando a lei das malhas na malha composta
ponto é aproximadamente a corrente IC(superior), isto
pela base-emissor temos
implica em
V
I C ( sat ) ≈ CC Eq. 11. VBB − VBE
RC VBB − I B RB − VBE = 0 ou ainda I B = Eq. 12
RB
Por fim a reta de carga nos ajuda a verificar a
região de compliance do transistor. A região de
A partir da Eq. 12 podemos calcular o valor de IB
compliance do transistor esta compreendida entre a
e se IB> IB(sat), isto indica que o transistor esta em
tensão no ponto de saturação (aproximadamente
saturação, o que significa dizer que o transistor se
1V) e a tensão de corte (aproximadamente VCC).
comporta como uma chave fechada, isto é, toda
corrente que chega ao transistor passa facilmente por

Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 36
ele. Por outro lado quando a corrente da base IB é
zero, o transistor se comporta como uma chave
aberta, isto é, toda a corrente que chega ao transistor
é impedida de passar.
Uma forma didática de imaginarmos o
chaveamento do transistor pode ser observada na
Fig. 7.13. Na Fig. 7.13a é mostrado o transistor em
corte (não passa corrente entre o coletor e o
emissor), ao passo que na Fig. 7.13b é mostrado o
transistor saturado (a corrente passa pelo transistor
como se este fosse um curto circuito).
Figura 7.13. (a) Transistor em corte (chave
aberta) e (b) transistor saturado (chave fechada).
Para compreender melhor o funcionamento do
transistor como chave, tomemos com exemplo o
circuito da Fig. 7.14. Observe que temos uma tensão
de entrada em degrau.
Figura 7.14. Transistor funcionando como
chave.
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 37
Quando VBB= 0 a corrente de base é IB = 0, assim
o transistor está operando em corte, observe que
IC = βIB = 0, ou seja, o transistor de fato é uma chave
aberta. Entretanto quando se aplica a base uma
tensão de 5V temos uma corrente de base de
1,43mA, conforme a equação abaixo
VBB − VBE 5 − 0, 7
IB = ⇒ IB = = 1, 43mA .
RB 3k
Para calcularmos a corrente de saturação, basta
imaginar o transistor como um curto entre o coletor
e emissor (Fig. 7.13b). Nestas condições a corrente
de saturação é dada por:
VCC 15
I C ( sat ) = ⇒ I C ( sat ) = = 15mA .
RC 1k
Como a corrente de saturação IC é mais de 10
vezes o valor de corrente da base, isto garante que o
transistor vai estar bem saturado, uma vez que o
valor mínimo de beta cc de um transistor e da ordem
de 10 (βCC = 10), de modo que IC(sat)min = 10IB.
Assim o sinal de saída do circuito da Fig. 7.14 é um
sinal degrau 0 e 15 volts conforme mostrado na Fig.
7.14.
Se inserirmos um LED no circuito da Fig. 7.14
obtém-se o circuito chamado comando do LED, pois
o transistor controla o LED. Se no circuito tiver uma
entrada baixa, o transistor entra em corte é o LED
fica apagado, enquanto se aplicar uma tensão de alta,
o transistor entra em saturação e o LED ascende.
Figura 7.15. Comando de LED.
Supondo que o LED tenha uma queda de tensão
de 2V, podemos calcular a corrente de saturação do
transistor.
 15 − 2 5) Quais são os terminais de um TBJ? Explique
I C ( sat ) = = 13mA cada um?
1k
6) Explique o que é Alfa CC e Beta CC.
TRANSISTOR COMO FONTE DE 7) Quais são as condições necessárias para que
CORRENTE o transistor funcione na região ativa?
8) Desenhe uma curva de coletor genérica
Em muitos circuitos é necessário que se tenha em explicando cada parte da mesma.
determinado ponto do circuito uma corrente 9) Explique o que é região de compliance.
constante, como por exemplo, o circuito comando 10) Explique o quando ocorre e o que é saturação
de LED, pois se a corrente no LED diminui, o brilho do transistor.
do LED diminui. Para resolver este problema, basta 11) Explique o quando ocorre e o que é corte do
colocarmos uma fonte de corrente em cima do LED transistor.
e isso pode ser facilmente feito através de um TBJ. 12) Para que serve a linha de carga cc do
transistor?
13) Quais são as condições básicas para que um
transistor opere como chave?

PROBLEMAS
1) Se a corrente do emissor for de 6mA e a corrente
do coletor 5,75mA, qual o valor da corrente de base?
Calcule o valor de αCC.

2) Um transistor tem uma corrente de coletor de

Figura 7.16. (a) transistor operando como
chave e (b) transistor operando como fonte de
corrente.
Observe da Fig. 16b que o transistor tem um
resistor RE entre o emissor é o ponto comum ao
invés de ter um resistor sobre a base, como visto
anteriormente. Se aplicarmos a lei das malhas na
malha de entrada do circuito, isso resulta em
VCC − I C RC − VCE − I E RE = 0 Eq. 13
Exercícios de Aprendizagem VI
QUESTÕES
1) Quais são as principais aplicações do
transistor propriamente dito.
2) Qual a vantagem de ser utilizar um transistor
como chave.
3) Basicamente os transistores são de dois tipos,
os TBJ e os FET. Qual a principal diferença entre
esses transistores?
4) Explique a formação de um transistor bipolar
de junção.
Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 38
100mA e uma corrente de base de 0,5mA. Quais os
valores de αCC e βCC.
3) Um transistor tem um βCC de 150. Se a corrente
do coletor for 45mA, qual o valor da corrente de
base?
4) Um 2N3298 tem um βCC típico de 90. Calcule as
correntes aproximadas da base e do coletor para uma
corrente no emissor de 10mA.
5) Esboce as curvas do coletor para um transistor
com as seguintes especificações: VCE(sat) menor que
1V. βCC = 200, BVCEO = 40V e ICEO = 50 nA. Mostre
seis curvas distribuídas entre IB= 0 e o IB necessário
para produzir uma corrente do coletor de 50mA.
Indique no gráfico a região de saturação, a região
ativa, a região de ruptura e a região de corte.
6) Um transistor tem uma corrente de coletor de
10mA e uma tensão do coletor-emissor de 12V. Qual
a potencia dissipada
7) Por um transistor passa uma corrente no terminal
do coletor de 10 mA e pela base 40 µA. Determine o
ganho de corrente deste transistor.

8) Um transistor tem um ganho de 175. Se a
corrente na base for de 0,1 mA. Qual a corrente no
coletor?
9) A corrente do coletor é de 2 mA. Se o ganho de
corrente de 135, qual será a corrente na base.
16) Ache as tensões de saída do circuito com a chave
em cada um dos sentidos indicados no circuito da
figura abaixo. Dados: tensão de base 5V, tensão de
coletor 10V, resistência da base 10kΩ, resistência do
coletor 1kΩ e ganho 100.

10) Sendo VBB = 10V, RB = 100kΩ.

17) Verifique no circuito abaixo se o transistor

a) Determine a corrente na base.
b) Se a corrente do coletor for de 1 mA, a
resistência do coletor de 3,6kΩ e a tensão no coletor
é de 10 V. Qual a tensão entre o coletor e o emissor.
c) Qual a potência dissipada no transistor?
está operando como chave, caso não esteja calcule
qual deve ser o valor da resistência da base para que
o transistor funcione como chave. Com o transistor
como chave, calcule a corrente que passa por através
do LED. Considere a queda de tensão do LED 2V e
βCC=25.

11) Utilizando o circuito do exercício 10 para uma

tensão no coletor de 15V uma resistência da base de
0,5MΩ, resistência do coletor de 3,6kΩ e tensão na
base de 15V e um transistor com ganho de corrente
de 100, determine a tensão entre o coletor e o
emissor.

12) Projete um circuito com conexão EC que tenha a

seguinte especificação. Tensão na base 5V, tensão
no coletor 15V ganho de corrente de 120, corrente
no coletor de 10mA e tensão entre o coletor e o
emissor de 7,5V.
13) Determine a reta de carga para o circuito do
exercício 11.
18) O transistor do circuito abaixo esta operando
como chave? Mostre os cálculos. Qual a forma de
onda de saída do circuito. Dados: VBB=19,3V,
RB=93kΩ, RC=1kΩ, VCC=20V e um ganho de
excessivamente baixo de 25.

14) Para: tensão na base 15V, tensão no coletor 15V

ganho de corrente de 100, resistência do coletor de
3kΩ e resistência da base de 1 MΩ. Determine o
ponto de operação deste circuito.

15) No circuito do problema 10: tensão na base 10V,

tensão no coletor 20V, ganho de corrente de 50,
resistência do coletor de 10kΩ e resistência da base
de 1000kΩ.Verifique se o transistor está na região
de saturação ou na região ativa.

Apontamentos de aula de Física p/ Computação II versão 2007. Prof: MSC. Elias Ribeiro Silva Martins 39
 GABARITO 3) 8,33Ω, não
4) 0,24A, 11,88V
5) 0,22A, 11,00V
Exercícios de Aprendizagem I (p. 07)
6)200Ω
7) ≥ 3Ω
8) ≤ 0,2 Ω
1)Na Física, corrente elétrica é o fluxo líquido de
9) 10mA
qualquer carga elétrica. porém a mAis conhecida,
10) 4,81mA, não
provavelmente, é a o fluxo de elétrons através de um
11) ≤ 1,5kΩ
condutor elétrico, geralmente metálico.A unidade
12) 5,71mA; 3,00mA; 2,40mA; 2,00mA; 1,71mA;
padrão no SI para medida de corrente é o ampère.
1,5mA
2) 3,6C
13) 5,71mA; 3,00mA; 2,40mA; 2,00mA; 1,71mA;
3) 600kWh
1,5mA
4)Corrente contínua (CC ou, em inglês, DC) é o
14) 2mA, 5kΩ
fluxo constante e ordenado de elétrons sempre em
15) 0,43mA; 0,307mA; 0,26mA; 0,23mA; 0,21mA;
umA direção. Esse tipo de corrente é gerado por
0,19mA
baterias de automóveis ou de motos (6, 12 ou 24V),
16) 0,44mA; 4,5Ω
pequenas baterias (geralmente 9V), pilhas (1,2V e
17) Desafio!
1,5V), dínamos, etc. NormAlmente é utilizada para
alimentar aparelhos eletrodomésticos de som e vídeo
(entre 1,2V e 24V) e os circuitos digitais de Exercícios de Aprendizagem III (p. 15)
equipamento de informática (Computadores,
Modems, Hubs, etc.). 1) Vide teoria
A corrente alternada, ou CA (em inglês AC) é umA 2) Vide teoria
corrente elétrica cuja mAgnitude e direção da 3) Vide teoria
corrente varia ciclicamente, ao contrário da 4) Vide teoria
corrente contínua cuja direção permAnece 5) Vide teoria
constante e que possui pólos positivo e negativo
definidos. A formA de onda usual em um circuito de 6) 5mA é a mesma do lado n.
potência CA é senoidal por ser a formA de 7) 64nA, 2,048µA
transmissão de energia mAis eficiente. Entretanto, 8) Vide teoria
em certas aplicações, diferentes formAs de ondas 9) Vide teoria
são utilizadas tais como triangular ou ondas 10) Vide teoria
quadradas. 11) 0,715V
5) 3C
12) >0,3V
6) a)5A, b) 3kWh
7) a) 180W, b)3600W
8) 0,1ºC Exercícios de Aprendizagem IV (p. 18)
9) Sera duas Vezes mAior
10) 4,13Ω 1) 70mW
11) 2,5m 2) Vide teoria
12)a) 3kΩ, b) 5,31kΩ, c) 2,05kΩ, d) 6,5kΩ, e) 3) 0mA; 0mA, 0,106mA; 0,212mA; 1,702mA
10kΩ
4) 20mA; 20V; 400mW; 0W, 400mW
13)a) i1=14/17A, i2=56/17A e i3=70/17A
b) 5,09A 5) 19,3mA; 19,30V; 372,5mW; 13,51mW, 400mW
c) i1=42/11A, i2=70/11A e i3=23/11A 6) 19,295mA; 19,295V; 372,295mW; 13,603mW,
386mW
Exercícios de Aprendizagem II (p. 11) 7) 0,255mA
8) 10mA; 0W
1) 0,1V 9) 9,93mA; 6,95mW
2) 0, 04Ω
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10) 9,929mA; 6,975mW 5) Vide teoria p. 34 e 35
11) 2,21mA; , 4,49mW 6) 120,0mW
7) 250
8) 17,50mA
Exercícios de Aprendizagem V (p. 24)
9) 14,81µA
10) a) 93,00µA
1) a) 28,288V; b) 8,996V e 60Hz; c) 2,998mA e
b)6,40V
2,998mA; d) 26,974mW; e) 28,288V
c)6,40mW
2) a) 28,288V; b) 8,773V e 60Hz; c) 2,924mA e
11) 4,70V
2,924mA; d) 27,702mW; e) 28,288V
12) 51,6kΩ; 83,33µA; 0,7V; 0,75kΩ
3) a) 130,478mA e 42,431V; b) 3,58W
13) Vide teoria p. 35
4) 1N3070 e 1N4002
14) 10,71V; 1,43mA
5) a) 35,347V e 88,367mA; b) 44,184mA; c)
56,577V; d) 3,123W e 120Hz 15) I C > I C(SAT) , logo (saturado).
6) a) 35,093V , 87,731mA; b) 43,866mA; c) 16) Para 0V Æ 10V (corte)
56,577V; d) 3,201W e 120Hz e 5V Æ 0V (saturação)
7) 1N3070 e 1N4002. logo, funciona como chave
8) 0,177V 17) Saturado; 13,0mA
9) 0,355V 18) Para 0V Æ 20V (corte)
10) 1,89V e 5V Æ 15V (região ativa)
11) a) 28,586V; b) 2,70V, c) 35,732mA e 29,986V
12) 40,813V

Exercícios de Aprendizagem V (p. 28)

1) 24,24mA
2) 26,93mA
3) 12,19mA; 36,58mA
4) 24,18mA
5) 28,37V
6) ≤ 14,63V
7) 194mW; 96mW; 194,88mW
8) 5,83mV
9) 200mW
10) 16,39V
11) 35mV
12) 1kΩ
13) 15V; 20,27mA
14) Desafio!
15) Desafio!

Exercícios de Aprendizagem VI (p. 38)

Questões (vide teoria)

Problemas

1) 0,958
2) 0,995; 200
3) 300,0µA
4) 110,0µA; 9,89mA

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