Nama : ach.

azizi
NIM : 160411100159
Prodi : Teknik Informatika
Topic : Tugas Organisasi Komputer C

Review Questions Chapter 5

What are the key properties of semiconductor memory?

What are two interpretations of the term random-access memory?
What is the difference between DRAM and SRAM in terms of application?
What is the difference between DRAM and SRAM in terms of characteristics such
as speed, size, and cost?
Explain why one type of RAM is considered to be analog and the other digital.
What are some applications for ROM?
What are the differences among EPROM, EEPROM, and flash memory?
Explain the function of each pin in Figure 5.4b.
What is a parity bit?
How is the syndrome for the Hamming code interpreted?
How does SDRAM differ from ordinary DRAM?

English Answer:

They exhibit two stable states, which can be represented by 0 or 1, they are
capable of being written into to set the state, and they can be read to sense the
state.
It is memory that is volatile, and it can be data can be read from and written to it
easily and rapidly.
DRAM is used for main memory, and SRAM is used for cache memory (both on
and off chip).
DRAM is slower than SRAM, and DRAM tends to be larger and cheaper since it is
simpler and smaller than SRAM.
DRAM is considered analog due to the use of discharging capacitors, while SRAM
uses a digital flip-flop-logical-gate configuration.
 Microprogramming, library subroutines for frequently wanted functions, system
programs, and function tables.
EPROM is erasable programmable memory. It is read only but can be erased with
ultraviolet light, allowing the memory to then be rewritten. EEPROM is like
EPROM, but can be erased with an electrical charge, it can also be written into
without erasing prior contents, with only the byte or bytes addressed being
updated. Flash memory is the intermediate between EPROM and EEPROM. It is
electronically erasable like EEPROM, and allows for blocks of memory to be
erased, not just the entire chip, though it cannot be erased at the byte level.
A typical DRAM pin configuration is shown in Figure 5.4b, for a 16-Mbit chip
organized as 4M * 4. There are several differences from a ROM chip. Because a
RAM can be updated, the data pins are input/output. The write enable (WE) and
output enable (OE) pins indicate whether this is a write or read operation.
The pins support the following signal lines:
The address of the word being accessed. Pins are needed (A0A10).
The data to be read out, consisting of 4 lines (D0D3).
The power supply to the chip (V cc ).
A ground pin (V ss ).
A write enable (WE)
A output enable (OE)
A parity bit is a bit in a memory compartment (used on 4-bit words) that is used
to determine the parity of the 3 remaining bits (1 or 0).
If the syndrome contains all 0s, no error has been detected. IF the syndrome
contains one and only one bit set to 1, then an error has occurred in one of the 4-
check bits, and no correction is necessary. If the syndrome contains more than
one bit set to 1, then the numerical value of the syndrome indicates the position
of the data bit in error. That bit is inverted for correction.
SDRAM is synchronized to an external clock signal and running at the full speed
of the processor/memory bus without imposing wait states. DRAM is
asynchronous.

Indonesian Answer
 Mereka memperlihatkan dua kondisi yang stabil, yang dapat diwakili oleh 0 atau
1, mereka mampu yang ditulis dalam mengatur kondisi kondisi, dan mereka
dapat dibaca untuk merasakan kondisi tersebut.
Memori yang bersifat volatile, dan data dapat dibaca dan ditulis dengan mudah
dan cepat.
DRAM digunakan untuk memori utama, dan SRAM digunakan untuk cache
memori (baik on dan off chip).
DRAM lebih lambat dari SRAM, dan DRAM cenderung lebih besar dan lebih
murah karena lebih sederhana dan lebih kecil dari SRAM.
DRAM dianggap analog karena penggunaan pemakaian kapasitor, sedangkan
SRAM menggunakan konfigurasi flip-flop-logis-gerbang digital.
Microprogramming, Subrutin Library untuk fungsi yang dicari, Program Sistem,
dan Tabel fungsi.
EPROM adalah memori diprogram dihapus. Dibaca saja, tetapi bisa dihapus
dengan sinar ultraviolet, yang memungkinkan memori untuk kemudian ditulis
ulang. EEPROM seperti EPROM, tetapi bisa dihapus dengan muatan listrik, juga
dapat ditulis tanpa menghapus isi sebelumnya, dengan hanya memperbarui byte
atau byte yang dialamatkan. Flash memory adalah penengah antara EPROM dan
EEPROM. Hal ini secara elektronik bisa dihapus seperti EEPROM, dan
memungkinkan untuk blok memori untuk dihapus, bukan hanya seluruh chip,
meskipun tidak bisa dihapus di tingkat byte.
Konfigurasi DRAM pin khas ditunjukkan pada Gambar 5.4b, untuk chip 16-Mbit
diselenggarakan sebagai 4M * 4. Ada beberapa perbedaan dari chip ROM. Karena
RAM dapat diperbarui, pin data input / output. Write Enable (WE) dan Output
Enable (OE) pin mengindikasikan apakah ini operasi menulis atau membaca.
Pin mendukung garis sinyal berikut:
Alamat kata sedang diakses. Pin diperlukan (A0-A10).
Data yang akan dibacakan, yang terdiri dari 4 baris (D0-D3).
Catu daya ke chip (V cc).
Sebuah pin ground (V ss).
Sebuah write aktifkan (WE)
Sebuah keluaran aktifkan (OE)
 bit paritas adalah bit di kompartemen memori (digunakan pada kata-kata 4-bit)
yang digunakan untuk menentukan paritas dari 3 bit sisanya (1 atau 0).
Jika sindrom berisi semua 0s, tidak ada kesalahan telah terdeteksi. JIKA sindrom
mengandung satu dan hanya satu bit set ke 1, maka telah terjadi kesalahan
dalam salah satu dari 4-bit check, dan tidak ada koreksi yang diperlukan. Jika
sindrom berisi lebih dari satu bit set ke 1, maka nilai numerik dari sindrom
menunjukkan posisi bit data dalam kesalahan. bit yang terbalik untuk koreksi.
SDRAM sinkronisasi dengan sinyal clock eksternal dan berjalan pada kecepatan
penuh bus processor / memori tanpa memaksakan state menunggu. DRAM
adalah asinkronisasi.