HISTORIA DEL TRANSISTOR

La construccin de los primeros transistores se debido a que era necesario que

existieran las llamadas a larga distancia, para esto la compaa de telfonos American
Thelephone and Thelegraph compro la patente de el triodo de tubo de vacio inventado
en 1906 por Lee de Forest, este dispositivo permitia amplificar la seal a lo largo de
una lnea telefnica, pero fallaban demasiado y consuman mucha potencia.

Por esto se deba contruir un dispositivo con un mejor funcionamiento, que permitiera
el desarrollo de la industria telefnica, de ello se encargaron William Shockley,
, Walter Brattain, y John Bardeen, quienes tras meses de prueba inventaran en 1947
el transistor de contacto puntual y meses despus Shockley lo mejorara creando el
transistor de unin. Por esta invencin los tres fueron galardonados en 1956 con el
premio nobel de fsica.

Un paso siguiente se dio cuando los investigadores comenzaron a colocar muchos

transistores en una sola pieza de material semiconductor, esto ocurrio en 1958
cuando Jack Kilbi trabajaba para Texas Instruments, lo cual abri el camino para su
produccin masiva y para la creacin de los circuitos integrados, donde se podran
alojar aos mas tarde hasta millones de transistores en un solo circuito.

El transistor es uno de los inventos mas importantes de la historia ya que revolucion

el mundo, no solo en su epoca permitiendo amplificar las seales de radio sino tiempo
despus transformando el mundo de la electrnica y de la miniaturizacin de los
dispositivos tecnolgicos lo cual impulso el diseo de computadoras.

MOSFET

El MOSFET (Metal-oxide-semiconductor Fiedl-effect trnasistor) es un transistor

utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas, el primero fue contruido en
1960 por por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla.

Es un dispositivo que funciona con seales de voltaje lo cual los hace una herramienta
excelente para el control digital de cargas de mayor corriente y mayor voltaje que los
valores nominales que puede soportar un microcontrolador. Sus aplicaciones mas
comunes son en circuitos de conmutacin de potencia, en mezcladores de frecuencia,
el control de resistencia por tensin, la conmutacin de cargas de alta velocidad,
dado su tiempo de respuesta mnimo. Ademas son muy buenos en la amplificacin
de seales analgicas, especialmente en aplicaciones de audio.

Poseen mltiples funciones en diferentes tipos de aplicaciones en el mundo de la

electrnica es por esto que prcticamente la totalidad de los microprocesadores
comerciales estn basados en transistores MOSFET.
FUNCIONAMIENTO

Los mosfet se construyen sobre un semiconductor que se llama sustrato. Sobre este
semiconductor se fundendos pines del MOSFET el sumidero y el drenador (entrada y
salida) que es un semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato.

Recubriendo todo este bloque se coloca una capa de xido metlico aislante que hace
de dielctrico o aislante entre la fuente y el sumidero. Por encima de este xido se
coloca una placa de metal conductor. El xido con el metal forman el tercer pin o
borne de conexin llamado puerta o gate.

Un MOSFET funciona controlando el paso de la corriente entre una entrada o el

terminal llamado sumidero una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante
la aplicacin de una tensin (con un valor minimo llamado tensin de umbral) en el
terminal puerta (gate). Es decir que el transistor MOSFET es un interruptor controlado
por tensin, al aplicar tensin conduce y cuando no hay tensin la puerta no conduce.

El transistor se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje

aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente,pero a su misma vez un MOSFET puede funcionar de dos maneras diferentes
dependiendo de su estructura interna, como MOSFET de empobrecimiento y como
enriquecimiento.

Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el

drenador y el sumidero, al aplicar una tensin en la puerta. La tensin de la puerta
atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de
inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato
originalmente.

El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad

elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin
correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la
concentracin de electrones (tipo N), o huecos (tipo P). Estos tienen un gran campo
de aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radio-
frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada.

El MOSFET de empobrecimiento tiene un canal conductor en su estado de reposo,

que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la
puerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una
disminucin respectiva de la conductividad.

Este tipo de MOSFET suele usarse ms en microprocesadores y memorias de

computadores, adems de su aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la
construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo consumo y al reducido
espacio que ocupan.